專利名稱：用于微電子器件的布線層、包含其的微電子封裝以及在用于微電子器件的布線層中形成 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明所公開的實施例總體上涉及微電子器件中的電路圖案，更具體而言涉及到在布線層的不同區(qū)域中具有不同厚度的電路圖案。
背景技術(shù)：
布線層上的電路通常是利用被稱為半加成工藝(SAP)的技術(shù)制造的，這種工藝在電介質(zhì)材料表面上方形成導(dǎo)電特征。半加成工藝的特征是其在特定布線層上的每個位置僅允許單個圖案厚度。因此，如果在布線層的一個區(qū)域中(例如在很多細(xì)小的信號跡線聚集在一起從管芯區(qū)域下方離開的頸縮區(qū)域)必須將圖案厚度保持在一定的最小厚度，則必須在布線層的其他各處使用同樣的最小厚度，包括在額外的可用空間允許更厚的跡線從而為電子電路的阻抗控制提供更大裕量(如果細(xì)小跡線和間隔未施加厚度限制的話)的層的主要布線區(qū)中，也必須使用同樣的最小厚度。


結(jié)合說明書附圖中的附圖閱讀以下詳細(xì)說明將更好地理解所公開的實
施例，在附圖中
圖1和圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于微電子器件的布線層的一部分的透視'圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的微電子封裝的一部分的平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的布線層的一部分的正視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的另一微電子封裝的一部分的透視圖；圖6為流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成用于微電子器件的
多厚度導(dǎo)體的方法；以及
圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的可用于對激光束動態(tài)地整形的掩模的平
6面圖。
為了說明的簡單清晰，附圖例示了構(gòu)造的一般方式，可以省略對公知 特征和技術(shù)的描述和細(xì)節(jié)，以免不必要地使本發(fā)明所述的實施例模糊不清。 此外，附圖中的元件未必是按比例繪制的。例如，圖中一些元件的尺度可 能被相對于其他元件放大，以幫助改善對本發(fā)明的實施例的理解。不同附 圖中的相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
說明書和權(quán)利要求中的術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"、"第四"等(如 果有的話)用于區(qū)分類似元件，而未必用于描述特定的順序或時間上的次 序。要理解的是，在適當(dāng)環(huán)境下這樣使用的術(shù)語是可以互換的，因此，這 里所述的本發(fā)明的實施例(例如)可以按不同于本文所述或所示的順序工 作。'類似地，如果這里所述的方法包括一系列步驟，本文給出的這些步驟 的次序未必是可以執(zhí)行這些步驟的唯一次序，可以省略特定的所述步驟和/ 或可以向該方法添加這里未描述的一些其他步驟。此外，術(shù)語"包括"、"包 含"、"具有"及其任何變形意在覆蓋非排他性的內(nèi)涵，因此，包括一系列 要素的過程、方法、物品或設(shè)備未必受限于那些要素，而是可以包括未明 確列出或不固有地屬于這種過程、方法、物品或設(shè)備的其他要素。
說明書和權(quán)利要求中的術(shù)語"左"、"右"、"前"、"后"、"頂"、"底"、 "上"、"下"等(如果有的話)用于描述性的目的，未必用來描述永久性 的相對位置。要理解的是，在適當(dāng)環(huán)境下這樣使用的術(shù)語是可以互換的， 因此，這里所述的本發(fā)明的實施例(例如)可以按不同于本文所述或所示 的取向工作。如本文所使用的，術(shù)語"耦合"被定義為以電氣或非電氣方 式直接或間接地連接。本文描述為彼此"相鄰"的物體可以彼此物理接觸， 彼此靠得很近或位于彼此相同的大致區(qū)域，只要適合于使用該短語的語境。 本文中出現(xiàn)"在一個實施例中"這一短語未必全部是指同一實施例。
具體實施例方式
在本發(fā)明的一個實施例中，用于微電子器件的布線層包括包含第一溝 槽的第一區(qū)域、包含第二溝槽的第二區(qū)域以及第一溝槽和第二溝槽中的導(dǎo) 電材料。第一溝槽具有第一深度，第二溝槽具有第二深度，且第一深度與 第二深度不同。第一和第二溝槽中的導(dǎo)電材料是至少部分延伸于布線層表
7面之下的信號跡線。
如上所述，如果使用半加成工藝來形成特定的信號跡線，那么對同一 布線層上的所有其他信號跡線都必須使用相同的厚度。在這種情形下，如 果特定的考慮(例如頸縮區(qū)域空間不足)需要特定的厚度，那么在布線層 的其他各處也必須使用相同的厚度，即使在不適用該考慮事項的區(qū)域也是 如此。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展使得能夠越來越密集地裝配越來越小的器件， 最小信號跡線厚度相應(yīng)地減小(為了在形成這種跡線期間保持干膜抗蝕劑 的深寬比，這種減小是必要的)，這導(dǎo)致阻抗、阻抗變化、插入損耗等變差。 本發(fā)明的實施例消除了主要布線區(qū)域(該區(qū)域決定著電路的性能)中單個 厚度的限制，從而提供了在主要布線區(qū)域(或別處)中比在頸縮區(qū)域中形 成更厚的導(dǎo)體線的能力，因此改善了電氣性能。
通常，較厚的跡線為阻抗、阻抗變化和插入損耗提供較好的裕量。在 至少一些實施例中，布線層的主要布線區(qū)域中的跡線厚度更加重要，本發(fā)
明的實施例允許(例如利用激光投射構(gòu)圖(LPP))雙-厚度(或其他多-厚 度)激光形成溝槽，以確保適當(dāng)?shù)碾姎庑阅堋Ｈ缜耙痪渌砻鞯哪菢?，?發(fā)明不限于僅僅有兩種不同厚度的溝槽；利用本發(fā)明的實施例可以形成具 有任意數(shù)量不同厚度的溝槽。
作為特定的范例，在一代技術(shù)中布線層上的導(dǎo)體(通常為銅)跡線的 厚度目標(biāo)可以是15微米，而在下一代技術(shù)中，成品率和襯底制造(和/或 其他)問題可能會迫使銅厚度的目標(biāo)降到10微米，銅跡線之間的空間也為 IO微米。(有時將細(xì)線和空間的這種特定布局縮寫為"10/10L/S"。)對于半 加成工藝而言，銅厚度降低會影響整個布線層，包括主要布線區(qū)域，這對 電氣性能不利。相反，本發(fā)明的實施例利用LPP工藝通過將導(dǎo)體線嵌入在 電介質(zhì)材料中來形成導(dǎo)體線。這一基本差異允許在布線層的不同區(qū)域中改 變溝槽深度，由此使主要布線區(qū)域和頸縮區(qū)域中的跡線厚度解耦，并為用 根據(jù)本發(fā)明的實施例的技術(shù)制備的襯底提供更好的電氣裕量。不再需要為 了滿足頸縮區(qū)域中的跡線厚度要求而犧牲主要布線區(qū)域中的跡線厚度。(當(dāng) 然，制造工藝局限和電氣性能未必受限于半加成工藝的10微米厚度和/或 10/10L/S。)
現(xiàn)在參考附圖，圖1和圖2為根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于高密度互連(HDI)襯底或板(或其他微電子器件)的布線層100的一部分的透視圖。 (在下文中將把布線層的該部分簡稱為"布線層100"。)將布線層100的各 部分繪示為呈部分透明的，以便能看到布線層100的下方特征。
如圖1所示，布線層100包括電介質(zhì)材料199，電介質(zhì)材料199具有包 含溝槽111的區(qū)域110 (在虛線101和102之間)和包含溝槽121的區(qū)域 120 (在虛線102和103之間)。例如，區(qū)域110可以是布線層100的頸縮 區(qū)域一即位于隨后添加到布線層100上方的管芯(未示出)的覆蓋區(qū)
(footprint)內(nèi)的區(qū)域一且區(qū)域120可以是布線層100的布線區(qū)域一即位 于管芯覆蓋區(qū)之外的區(qū)域。要理解的是，頸縮區(qū)域包含的用于布設(shè)跡線的 面積小于布線區(qū)域，因此在頸縮區(qū)域中必須將跡線做得比在布線區(qū)域中更 小且更緊密地裝配在一起一通常是為了布設(shè)管芯凸點之間的輸入/輸出
(I/O)跡線。在下面描述的圖3中也示出了區(qū)域110和120。
圖1示出了在用導(dǎo)電材料填充之前的溝槽111和121，因此可以更加清 除地看出溝槽的尺度。溝槽111具有深度U5，溝槽121具有深度125。深 度115和125彼此不同。在圖示的實施例中，深度125大于深度115。
.如圖1所示，溝槽111和溝槽121具有對彼此開放的相鄰末端，因此 兩個溝槽彼此匯入到對方之中。(也可以將這些溝槽描述為單個溝槽的兩部 分，下文有時會使用這種描述。)在溝槽111和121中設(shè)置導(dǎo)電材料將兩 個溝槽彼此電耦合并制作出能夠承載電流的信號跡線。
現(xiàn)在參考圖2，布線層100還包括溝槽111和121中的導(dǎo)電材料230(例 如銅等)。溝槽111和121中的導(dǎo)電材料230形成布線層100中的跡線250
(例如細(xì)線跡線)。跡線250在區(qū)域110中具有寬度251，在區(qū)域120中具 有寬度252。在圖2所示的實施例中，寬度252大于寬度251。應(yīng)當(dāng)指出， 跡線在扇出時通常會彎折，而在彎折處兩端跡線可能會改變寬度。在各圖 中使用圖1和圖2 (以及下文所述的圖5)中所示的突然的直線寬度變化， 以便更清除地示出寬度的變化。
在各實施例中，溝槽111和121之一或兩者具有1: 1 (或大致l: 1) 的深寬比。換言之，在那些實施例中，深度115和寬度251和/或深度125 和寬度252彼此相等或近似相等。在不同的實施例中，溝槽111和121之 一或兩者具有其他深寬比。通常，為了制造，溝槽的寬度和深度通常通過l和1.5到1之間的深寬比相關(guān)聯(lián)。在這個意義上，對于10微米的溝槽寬度 使用10-15微米的深度。當(dāng)然，深寬比越接近l，制造工藝的成品率和產(chǎn)量 通常越好，但這不表示將激光構(gòu)圖工藝限于這一深寬比范圍，因為在一些 情況下可以使用大于1.5: l的深寬比，但通常這些較大的深寬比會影響工 藝成品率。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的微電子封裝300的一部分的平面圖。如 圖3所示，微電子封裝300包括布線層100和布線層100上方的管芯360。 管芯360被示為虛線以表示將其繪示為透明的，從而可以看到下方的互連 結(jié)構(gòu)345。(盡管互連結(jié)構(gòu)345被示為僅沿著管芯360的一個邊沿或在一個 邊沿下方，但在其他實施例中它們可以占據(jù)其他位置，而不是圖示的這些 位置，或者除圖示位置之外，它們還占據(jù)其他位置。此外，盡管管芯360 被示為正方形，但在其他實施例中它可以具有其他形狀，且它可以比相對 于布線層100所示的更大或更小。)
如圖所示，區(qū)域110包括跡線250必須在互連結(jié)構(gòu)345 (通常為管芯凸 點或焊盤)之間通過的區(qū)域。因為該區(qū)域中的空間比別處要有限得多，如 上所述，常常類比瓶頸而將區(qū)域110稱為頸縮區(qū)域，瓶頸與瓶子的其他部 分相比較為狹窄。同樣如上所述，由于可用于布設(shè)跡線的空間豐富，常常 將區(qū)域120稱為主要布線區(qū)域，或者簡單地稱為布線區(qū)域。盡管僅僅把區(qū) 域120標(biāo)記為圖3中的管芯覆蓋區(qū)左側(cè)的區(qū)域，但應(yīng)當(dāng)理解，無論跡線實 際占據(jù)該空間的任何特定部分與否，位于管芯覆蓋區(qū)外部的布線層100的 所有部分形成區(qū)域120的一部分，即布線區(qū)域。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的布線層100的一部分的正視圖。如圖4 所示，溝槽111包括底面410以及從底面410延伸開的側(cè)壁420。溝槽lll 還包括底面410和側(cè)壁420之一之間的內(nèi)角a以及底面410和另一個側(cè)壁 420之間的內(nèi)角3。(盡管圖4中未示出，溝槽121也可以具有底面和側(cè)壁， 并且它們可以具有與溝槽111中的底面410和側(cè)壁420 —樣的彼此間的幾 何關(guān)系。)在一個實施例中，角度a不大于大約120度。在同一或另一實 施例中，角度e不大于大約120度。在至少一個實施例中，角度a和角度 P彼此相等，且都不大于大約120度。在特定的實施例中，角度a不大于 大約100度且不小于大約90度。在各實施例中，溝槽121可以具有與針對溝嗜111所述的相同或類似的參數(shù)或幾何關(guān)系。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的微電子封裝500的一部分的透視圖。如 圖5所示，微電子封裝500包括襯底540和襯底540上的管芯560。圖中僅 示出了管芯560的一部分，且該部分是部分透明的，因此可以看到微電子 封裝500下方的特征。襯底540包括布線層590，布線層590包括電介質(zhì)材 料599，電介質(zhì)材料599具有區(qū)域510 (在虛線501和502之間)和區(qū)域520 (在虛線502和503之間)。區(qū)域510包含溝槽580的部分511。區(qū)域520 包含溝槽580的部分521。導(dǎo)電材料530位于溝槽580中。導(dǎo)電材料530和 溝槽580的部分511和521形成微電子封裝500的跡線550(例如細(xì)線跡線)。
例如，布線層590可以類似于圖1中首先示出的布線層IOO。因此，區(qū) 域510、區(qū)域520、導(dǎo)電材料530和跡線550可以分別類似于圖1中首先示 出的區(qū)域110、區(qū)域120、導(dǎo)電材料130和跡線150。類似地，溝槽580的 部分511和部分521，包括它們的深寬比、內(nèi)角和其他尺度可以分別類似于 也由圖1中首先示出的溝槽111和溝槽121。與這種類似性相一致，溝槽 580的部分511具有第一深度，溝槽580的部分521具有第二深度，且第一 深度與第二深度不同。在圖示的實施例中，第一深度小于第二深度。
現(xiàn)在將給出形成具有跡線的布線層的一般化工藝流程。首先，可以根 據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中公知的技術(shù)進(jìn)行構(gòu)建材料的層壓。在一個實施例中，可以利 用半固化完成所述層壓，以實現(xiàn)尺度穩(wěn)定性。第二，可以利用C02激光或另 一種激光鉆出激光通孔，以便形成兩個相鄰層之間的互連。在一個實施例 中，可以與形成溝槽同時鉆出(或以其他方式形成)通孔。
形成通孔之后，可以使用LPP工藝在襯底的表面上形成溝槽。如本文 別處更詳細(xì)描述，然后可以利用根據(jù)本發(fā)明的實施例的技術(shù)實現(xiàn)雙深度(或 其他多深度)溝槽。利用LPP形成的跡線通常由于LPP激光燒蝕工藝造成 的溝槽壁傾斜而具有大約4: l到5: l的深寬比(深度比寬度)。因此，減 小跡線深度允許界定更細(xì)小的跡線，在頸縮區(qū)域中這一特征尤其重要?？?以容易地調(diào)節(jié)溝槽深度以滿足特定的電氣和高速I/O要求。
在形成雙深度(或其他多深度)溝槽之后，可以向襯底上的溝槽和通 孔上沉積無電鍍銅。之后可以進(jìn)行電解錒(或其他導(dǎo)電材料)的鍍覆工藝。 最后，可以執(zhí)行CMP工藝以便消除過鍍覆的銅(或其他材料)并實現(xiàn)導(dǎo)體線的隔離。這里應(yīng)當(dāng)指出，本發(fā)明的實施例不限于金屬化方案，這意味著 金屬化方案的任意組合都可以用于本發(fā)明的實施例。
'圖6為流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的形成用于微電子器件的 多厚度導(dǎo)體的方法600。方法600的步驟610是提供布線層。例如，布線層 可以類似于圖1中首先示出的布線層100。
方法600的步驟620是在布線層中形成溝槽，該溝槽具有第一深度的 第一部分和第二深度的第二部分。例如，該溝槽可以類似于圖5中首先示 出的溝槽580。溝槽的第一和第二部分可以分別類似于圖5首先示出的溝槽 580的部分511和部分521?；蛘?，溝槽的第一和第二部分可以分別類似于 圖1中均首先示出過的溝槽111和溝槽121，溝槽本身可以類似于溝槽111 和121的組合。
在一個實施例中，步驟620包括利用激光對布線層的一部分進(jìn)行燒蝕。 在該實施例的一種表現(xiàn)形式中，步驟620還包括利用灰度級掩模調(diào)節(jié)激光 的能量密度?；叶燃壯谀＞哂型干渎什煌牟煌瑓^(qū)域。因此，可以將灰度 級掩模制備成具有對激光能量不透明的若干區(qū)域以及不同程度地透射激光 能量的若干其他區(qū)域。透射區(qū)域可以對應(yīng)于溝槽的第一和第二部分并與之 平直對準(zhǔn)(line叩)，對應(yīng)于溝槽的較深部分的透射區(qū)域比對應(yīng)于溝槽的 較淺部分的透射區(qū)域?qū)す饽芰康耐干湫愿?。不透明部分可以對?yīng)于布 線層的不形成溝槽的區(qū)域并與之平直對準(zhǔn)。例如，可以用玻璃或摻雜玻璃、 銅、鉻、鋁或另一種超薄金屬(小于大約100納米)、電介質(zhì)材料等構(gòu)造灰 度錄掩模。在一些實施例中電介質(zhì)材料可能是有利的，因為它們不受厚度 限制，而且因為與所用的金屬厚度相同時它們比金屬更加堅固。
在激光燒蝕實施例的另一表現(xiàn)形式中，步驟620還包括利用第一激光 燒蝕條件形成溝槽的第一部分以及利用第二激光燒蝕條件形成溝槽的第二 部分。例如，第一激光燒蝕條件可以是特定的激光能量值，第二激光燒蝕 條件可以是不同的激光能量值。作為另一個范例，第一激光燒蝕條件可以 是承載布線層的臺面在激光下方運動的(或激光在布線層上方運動的)特 定速度，第二激光燒蝕條件可以是承載布線層的臺面運動的(或激光在布 線層上方運動的)不同速度。
例如，可以利用二元掩模將溝槽的第一部分暴露于激光，并將溝槽的
12第二部分屏蔽起來不受激光照射(或者視情況而定，反之亦然)。二元掩模 包含完全透射激光能量的部分和對其完全不透明的部分。適當(dāng)構(gòu)造的二元 掩模于是可以允許暴露布線層的特定區(qū)域而防止另一區(qū)域暴露。當(dāng)如期望 地將特定區(qū)域暴露于激光之后，可以使用不同的二元掩模來允許暴露不同 的區(qū)域而屏蔽該特定區(qū)域。例如，第一二元掩?？梢苑乐辜す饽芰窟_(dá)到頸 縮區(qū)域而允許激光能量達(dá)到主要布線區(qū)域，而第二二元掩模則可以相反， 即，防止激光能量達(dá)到主要布線區(qū)域，同時允許其達(dá)到頸縮區(qū)域。通過這 種方式可以在不同的暴露條件下形成溝槽的第一和第二部分。
因為溝槽的第一和第二部分是在不同時間形成的，所以激光燒蝕實施 例的該表現(xiàn)形式可能需要另一步驟，即利用高精度定位系統(tǒng)將溝槽的第一
部分和第二部分接合在一起(stitch together)。因為這種接合需要高度 的精確性，因此在一個實施例中可以利用包括高精度運動設(shè)備和控制機構(gòu) 等的定位系統(tǒng)來實現(xiàn)。
在激光燒蝕實施例的另一表現(xiàn)形式中，步驟620還包括對激光束動態(tài) 地*形，使得在激光束形成溝槽的第一部分時具有第一形狀，而在其形成 溝槽的第二部分時具有第二形狀。例如，對激光束動態(tài)地整形包括利用孔 隙控制激光束的寬度。如下文所述，圖7示出了具有這種孔隙的掩模。
方法600的步驟630是在溝槽中設(shè)置導(dǎo)電材料。例如，導(dǎo)電材料可以 類,于圖2中首先示出的導(dǎo)電材料230。在一個實施例中，步驟630包括在 溝槽中無電鍍覆第一金屬層，然后在溝槽中的第一金屬層上方電解鍍覆第 二金屬層。要理解的是，該實施例或其他實施例可能會造成一定程度的過 鍍覆，如后續(xù)步驟中進(jìn)一步解釋的，這個問題必須解決，以使得多厚度導(dǎo) 體正常工作。
方法600的步驟640是對導(dǎo)電材料進(jìn)行電隔離。例如，必須除去在步 驟630中提到的過鍍覆的銅或其他金屬，以便使溝槽中的導(dǎo)電材料與位于 其他溝槽中及布線層上的其他位置或微電子器件中的其他位置的導(dǎo)電材料 電隔離。在一個實施例中，步驟630包括進(jìn)行化學(xué)機械拋光(CMP)操作。 圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施例的可用于對激光束動態(tài)地整形的掩模700 的平面圖。如圖7所示，掩模700包括孔隙710，孔隙710具有寬度721的 區(qū)域711和寬度722的區(qū)域712。在圖示的實施例中，寬度721是寬度722
13尺寸的兩倍。當(dāng)布線層以恒定速度在激光下方運動時，通過掩模700投射 到布線層上的激光束照射區(qū)域711的邊界之內(nèi)的布線層部分所用的時間是 照射區(qū)域712的邊界內(nèi)的部分所用的時間的兩倍。因此，區(qū)域711部分所 暴露到的激光能量是區(qū)域712部分的兩倍。要理解的是，對孔隙710的尺 寸和形狀和/或布線層相對于激光運動的速度做適當(dāng)改變可以實現(xiàn)不同的 暴露梯度。
'盡管已經(jīng)參考特定實施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員要理解， 可以做出各種改變而不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明的實施例 的公開內(nèi)容意在例示本發(fā)明的范圍，而并非意在限制。本發(fā)明的范圍應(yīng)僅 限于所附權(quán)利要求所請求保護的范圍。例如，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 而言，顯而易見的是本文所述的微電子封裝和相關(guān)布線層和方法可以被實 現(xiàn)為各種實施例，對這些實施例的上述特定的討論未必代表對所有可能實 施例的完整描述。
此外，己經(jīng)結(jié)合特定實施例描述了益處、其他優(yōu)點和問題的解決方案。 然而，益處、優(yōu)點、問題的解決方案以及可能產(chǎn)生任何益處、優(yōu)點或方案 或使其更明確的任何要素不應(yīng)被視為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵、必需或 必要特征或要素。
此外，如果實施例和/或限制(l)未在權(quán)利要求中被明確主張；且(2) 在等價原則下是或可能是權(quán)利要求中所述要素和/或限制的等價物，則本文 公開的實施例和限制并非是在貢獻(xiàn)原則下呈獻(xiàn)給公眾的。
權(quán)利要求
1、一種用于微電子器件的布線層，所述布線層包括含有第一溝槽的第一區(qū)域和含有第二溝槽的第二區(qū)域；以及所述第一溝槽和所述第二溝槽中的導(dǎo)電材料，其中所述第一溝槽具有第一深度；所述第二溝槽具有第二深度；并且所述第一深度與所述第二深度不同。
2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的布線層，其中 所述第一區(qū)域是所述布線層的頸縮區(qū)域。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的布線層，其中 所述第一深度小于所述第二深度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的布線層，其中 所述第二區(qū)域是所述布線層的布線區(qū)域。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的布線層，其中 '所述第二深度大于所述第一深度。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的布線層，其中所述第一溝槽和所述第二溝槽均具有底面和從所述底面延伸開的側(cè) 壁;.并且所述第一溝槽和所述第二溝槽中的至少一個具有所述底面和所述側(cè)壁之間的不大于大約120度的內(nèi)角。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的布線層，其中 所述導(dǎo)電材料包括銅。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的布線層，其中所述第一溝槽、所述第二溝槽和所述導(dǎo)電材料形成所述布線層的細(xì)線 跡線。
9、 一種微電子封裝，包括 襯底；以及所述襯底上的管芯，其中所述襯底包括布線層； 所述布線層包括包含溝槽的第一部分的第一區(qū)域； 包含所述溝槽的第二部分的第二區(qū)域；以及 所述溝槽中的導(dǎo)電材料； 所述溝槽的所述第一部分具有第一深度； 所述溝槽的所述第二部分具有第二深度；并且 所述第一深度與所述第二深度不同。
10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的微電子封裝，其中 所述第一區(qū)域是所述布線層的頸縮區(qū)域； 所述第二區(qū)域是所述布線層的布線區(qū)域；并且 所述第一深度小于所述第二深度。
11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的微電子封裝，其中 所述導(dǎo)電材料包括銅；并且所述溝槽的所述第一部分、所述溝槽的所述第二部分和所述導(dǎo)電材料 形成所述布線層的細(xì)線跡線。
12、根據(jù)權(quán)利要求9所述的微電子封裝，其中-所述溝槽的所述第一部分和所述溝槽的所述第二部分均具有底面和從所述底面延伸開的側(cè)壁；并且所述溝槽的所述第一部分和所述溝槽的所述第二部分中的至少一個具 有所述底面和所述側(cè)壁之間的不大于大約120度的內(nèi)角。
13、 一種用于形成微電子器件的多厚度導(dǎo)體的方法，所述方法包括 提供布線層；在所述布線層中形成溝槽，所述溝槽具有第一深度的第一部分和第二 深度的第二部分；以及在所述溝槽中設(shè)置導(dǎo)電材料。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中 形成所述溝槽包括利用激光對所述布線層的一部分進(jìn)行燒蝕。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述溝槽還包括利用灰度級掩模調(diào)節(jié)所述激光的能量密度。 .
16、根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述溝槽還包括利用第一激光燒蝕條件形成所述溝槽的所述第一部分；以及 利用第二激光燒蝕條件形成所述溝槽的所述第二部分。
17、根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述溝槽還包括利用二元掩模在將所述溝槽特定地暴露于所述激 光期間僅暴露所述第一部分和所述第二部分之一。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括'利用定位系統(tǒng)將所述第一部分和所述第二部分接合在一起。
19、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中 所述激光具有激光束；并且形成所述溝槽包括對所述激光束動態(tài)地整形，使得在所述激光束形 成所述溝槽的所述第一部分時具有第一形狀，而在其形成所述溝槽的所述 第二部分時具有第二形狀。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中對所述激光束動態(tài)地整形包括利用孔隙控制所述激光束的寬度。
21、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中 在所述溝槽中設(shè)置所述導(dǎo)電材料包括在所述溝槽中無電鍍覆第一金屬層；以及在所述溝槽中的所述第一金屬層上電解鍍覆第二金屬層。
22、根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括:對所述導(dǎo)電材料進(jìn)行電隔離。
全文摘要
一種用于微電子器件的布線層，包括含有第一溝槽(111，511)的第一區(qū)域(110，510)、含有第二溝槽(121，521)的第二區(qū)域(120，520)以及所述第一溝槽和第二溝槽中的導(dǎo)電材料(230，530)。所述第一溝槽具有第一深度(115)，第二溝槽具有與第一深度不同的第二深度(125)。
文檔編號H01L23/498GK101471322SQ20081018374
公開日2009年7月1日 申請日期2008年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月15日
發(fā)明者H·朱馬, I·A·薩拉馬, Y·李 申請人:英特爾公司