專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示器(ELD)，特別涉及具有高色純度和低驅(qū)動電流的有機(jī)ELD。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)ELD采用具有高熒光或磷光效率的有機(jī)材料。因而，可以很容易通過分子設(shè)計和合成來研究有機(jī)材料的帶隙。而且，有機(jī)ELD可以制造在玻璃和塑料基片上，這是因為它們的低制造溫度。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)ELD的截面示意圖。在圖1中，有機(jī)ELD10包括第一電極12、第二電極14和置于其間的有機(jī)層16。通過第一和第二電極12和14分別注入電子和空穴。有機(jī)層16由接觸第一電極12的空穴輸運(yùn)層(HTL)16a、接觸第二電極14的電子輸運(yùn)層(ETL)16c、和置于HTL16a和ETL16c之間的發(fā)射材料層(EML)16b構(gòu)成。EML16b是通過施加電場而發(fā)光的電致發(fā)光有機(jī)層。
在ELD中，通過第一和第二電極12和14注入的電子和空穴組合成激子。當(dāng)激子從受激態(tài)落到基態(tài)時，發(fā)光。此外，由于HTL16a和ETL16c而使“輸出的光子”與每個“注入電荷”的比增加，并且驅(qū)動電壓降低。由于載流子是通過兩個步驟的注入工藝采用輸運(yùn)層注入的，因此可以降低驅(qū)動電壓。而且，當(dāng)電子和空穴注入到EML16b中并移動到相對電極時，由于電子和空穴被相對輸運(yùn)層阻擋，因此可以調(diào)整復(fù)合。因而，提高了發(fā)光效率。
對于顯示器件，有機(jī)ELD10形成在具有多個像素區(qū)的大面積基片上，其中像素區(qū)由紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的子像素區(qū)構(gòu)成。而且，為了顯示不同顏色，在每個子像素區(qū)中采用不同有機(jī)材料。
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全色有機(jī)ELD的截面圖。在圖2中，無源矩陣有機(jī)ELD包括沿著第一方向形成在基片30上的第一電極32和形成在第一電極32上的多層有機(jī)層34。第二電極36沿著與第一電極32交叉的第二方向形成在多層有機(jī)層34上，由此確定像素區(qū)RP、GP、BP。多層有機(jī)層34由空穴感應(yīng)層(HIL)34a、HTL 34b、EML34c和ETL34d構(gòu)成。多層有機(jī)層34和第二電極36形成為在每個像素區(qū)RP、GP、BP沿著第二方向延伸。對于全色有機(jī)ELD，不同EML34c形成在每個像素區(qū)RP、GP、BP中。
圖3是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)射材料的能量狀態(tài)的示意圖。在圖3中，當(dāng)通過從第一和第二電極單獨(dú)注入的電子-空穴對的結(jié)合產(chǎn)生的激子落到基態(tài)時，發(fā)光。當(dāng)具有S＝1/2的自旋(S)的電子-空穴對結(jié)合成激子時，以1∶3的比例產(chǎn)生具有S＝0的自旋的單態(tài)激子(singlet exciton)20和具有S＝1的自旋的三重態(tài)激子(triplet exciton)22。在單態(tài)激子20中，兩個自旋反向?qū)ΨQ，在三重態(tài)激子22中，兩個自旋是對稱的。即使由于相互作用而使三重態(tài)激子22具有比單態(tài)激子20低的能量，由于自旋改變，基本上禁止了從單態(tài)激子20向三重態(tài)激子22的躍遷。然而，由于自旋軌道耦合，單態(tài)激子20可以實質(zhì)上躍遷到三重態(tài)激子22。
由于有機(jī)分子的基態(tài)24是單態(tài)的，因此禁止了從三重態(tài)激子22向單態(tài)的基態(tài)24的躍遷并發(fā)光。相反，單態(tài)激子20躍遷到單態(tài)的基態(tài)24，并發(fā)熒光。然而，由于擾動(例如自旋軌道耦合)，三重態(tài)激子22可以實質(zhì)上躍遷到單態(tài)的基態(tài)24并發(fā)磷光。因而，在采用熒光材料的LED中，三重態(tài)激子對總的發(fā)光不起作用，而只有單態(tài)激子對總發(fā)光起作用。結(jié)果是，采用三重態(tài)激子的磷光材料在能量方面更有效并具有更長的材料使用壽命。
常規(guī)有機(jī)ELD通常采用熒光材料作為EML。然而，熒光材料EML不具有足夠的發(fā)光效率。具體而言，由于用于R、G和B的有機(jī)材料具有不同的發(fā)光效率，因此當(dāng)用相同電流驅(qū)動時，一種顏色的EML具有比其它顏色的EML低的發(fā)光效率。因此，可通過提高用于一個EML的驅(qū)動電流來提高該EML的發(fā)光效率，以便可以獲得全色有機(jī)ELD的充分的白色純度。然而，由于高驅(qū)動電流，產(chǎn)生高功耗的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明旨在提供有機(jī)電致發(fā)光顯示器和制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，本發(fā)明基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)造成的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的是提供為低發(fā)光效率的至少一種顏色使用磷光材料和為其它顏色使用熒光材料的全色有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
本發(fā)明的另一目的是提供制造全色有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其中該有機(jī)電致發(fā)光顯示器為低發(fā)光效率的至少一種顏色使用磷光材料和為其它顏色使用熒光材料。
本發(fā)明的再一目的是提供具有低功耗的寬面積的全色有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
本發(fā)明的又一目的是提供制造具有低功耗的寬面積的全色有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法。
在下面的說明中將體現(xiàn)本發(fā)明的另外的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，其中一部分可以從文字說明中明顯看出，或者可以通過實施本發(fā)明而學(xué)習(xí)到。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過在文字說明和權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)。
為實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如概括和廣義上介紹的，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括具有用于紅、綠和藍(lán)的多個子像素區(qū)的基片；在基片上的驅(qū)動器件；連接到驅(qū)動器件的第一電極，空穴從第一電極注入；在第一電極上的第二電極，電子從第二電極注入；和置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光材料層，多個子像素區(qū)中的至少一個的發(fā)光材料層包括磷光材料。
在另一方案中，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括基片；沿著第一方向設(shè)置在基片上的第一電極，空穴從第一電極注入；沿著垂直于第一方向的第二方向設(shè)置在第一電極上的第二電極，電子從第二電極注入；設(shè)置在第一和第二電極的交叉點(diǎn)的用于紅、綠和藍(lán)色的多個子像素區(qū)；和置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，至少一個子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括磷光材料。
在又一方案中，制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法包括在基片上形成用于紅、綠和藍(lán)色的多個子像素區(qū)；在基片上形成驅(qū)動器件；形成與驅(qū)動器件連接的第一電極，空穴從第一電極注入；在第一電極上形成第二電極，電子從第二電極注入；和形成置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，多個子像素區(qū)中的至少一個的發(fā)光材料層包括磷光材料。
在再一方案中，制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法包括在基片上沿著第一方向形成第一電極，空穴從第一電極注入；在第一電極上沿著垂直于第一方向的第二方向形成第二電極，電子從第二電極注入；形成設(shè)置在第一和第二電極的交叉點(diǎn)的用于紅、綠和藍(lán)色的多個子像素區(qū)；以及形成置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，至少一個子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括磷光材料。
應(yīng)該理解，前面一般性的說明和下面的詳細(xì)說明的都是說明性的和解釋性的，是為了提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。


用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并構(gòu)成本申請的一部分的附圖表示本發(fā)明的實施例并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)ELD的截面圖；圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的全色有機(jī)ELD的截面圖；圖3是表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)射材料的能量狀態(tài)的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的典型ELD的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一典型ELD的截面圖；圖6A-6C分別是表示根據(jù)本發(fā)明的CBP、Ir(ppy)3和PtOEP的典型化學(xué)組分的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一典型ELD的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的又一典型ELD的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的再一典型ELD的截面圖；和圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一典型ELD的截面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中附圖中示出了優(yōu)選實施例的例子。盡可能的，在附圖中采用相同的參考標(biāo)記表示相同或相近的部件。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的典型ELD的截面圖。在圖4中，驅(qū)動器件“T”可以形成在包括像素區(qū)(未示出)的基片100上。像素區(qū)可以包括多個子像素區(qū)，用于紅色(R)的RP、用于綠色(G)的GP、和用于藍(lán)色(B)的BP。驅(qū)動器件“T”可響應(yīng)從與多個子像素區(qū)RP、GP和BP相鄰的開關(guān)器件(未示出)接收的信號而驅(qū)動第一電極112。包括柵極102、有源層108和源極和漏極104和106的薄膜晶體管(TFT)可用作驅(qū)動器件“T”和開關(guān)器件(未示出)。還可以與多個子像素區(qū)RP、GP和BP相鄰地形成連接到驅(qū)動器件“T”和開關(guān)器件的存儲電容器(未示出)。
第一電極112可形成在每個子像素區(qū)中，第二電極124可形成在第一電極112上。多層的有機(jī)層120可置于第一和第二電極112和124之間。第一電極112可包括具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，例如銦-錫-氧化物(ITO)或銦-鋅-氧化物(IZO)，第二電極124可包括具有低功函數(shù)的金屬材料，例如鋁(Al)、鈣(Ca)或鎂(Mg)?；蛘撸诙姌O124可包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)例如包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。第一電極112可用作陽極，通過該陽極將空穴注入到有機(jī)層120中，其中第一電極112可電連接到漏極106。第二電極124可用作陰極，通過該陰極將電子注入到有機(jī)層120中，其中第二電極124可電連接到設(shè)置在基片100上的公共電極(未示出)上。開關(guān)器件(未示出)可電連接到選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)。
有機(jī)層120可包括空穴注入層(HIL)120a、空穴輸運(yùn)層(HTL)120b、發(fā)射材料層(EML)120c和電子輸運(yùn)層(ETL)120e。HIL 120a可用作緩沖層以降低HIL 120a和第一電極112之間的能量勢壘，以便從第一電極112順利地向HTL120b注入空穴。設(shè)置在紅色子像素區(qū)RP的EML 120c可由磷光材料形成。由于磷光材料即使在低驅(qū)動電壓時也具有高發(fā)光效率，因此可以以高紅色純度顯示紅色圖像。設(shè)置在綠色和藍(lán)色子像素區(qū)GP和BP中的EML 120c可由熒光材料形成。此外，空穴阻擋層(HBL)120d可形成在磷光材料的EML 120c上。由于三重態(tài)發(fā)光材料具有不同于單態(tài)發(fā)光材料的能帶，因此三重態(tài)材料具有比單態(tài)發(fā)光材料低的電子-空穴對復(fù)合概率。為提高電子-空穴對復(fù)合概率，空穴保留在EML 120c中的時間應(yīng)該增加。因而，HBL 120d使得空穴保持在EML 120c中的時間增加。即使在本發(fā)明中紅色像素區(qū)采用磷光材料，但磷光材料也可用于綠或藍(lán)色像素區(qū)。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一典型ELD的截面圖。在圖5中，驅(qū)動器件“T”可形成在具有像素區(qū)(未示出)的基片200上。像素區(qū)可包括多個子像素區(qū)，用于紅色(R)的RP、用于綠色(G)的GP、和用于藍(lán)色(B)的BP。驅(qū)動器件“T”可響應(yīng)從與多個子像素區(qū)RP、GP和BP相鄰的開關(guān)器件(未示出)接收的信號而驅(qū)動第一電極212。包括柵極202、有源層208和源極和漏極204和206的薄膜晶體管(TFT)可用作驅(qū)動器件“T”和開關(guān)器件(未示出)。還可以與多個子像素區(qū)RP、GP和BP相鄰地形成連接到驅(qū)動器件“T”和開關(guān)器件的存儲電容器(未示出)。
第一電極212可形成在每個子像素區(qū)中，第二電極224可形成在第一電極212上。多層的有機(jī)層220可置于第一和第二電極212和224之間。第一電極212可包括具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，例如銦-錫-氧化物(ITO)或銦-鋅-氧化物(IZO)，第二電極224可包括具有低功函數(shù)的金屬材料，例如鋁(Al)、鈣(Ca)或鎂(Mg)?；蛘?，第二電極224可包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)例如包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。第一電極212可用作陽極，通過該陽極將空穴注入到有機(jī)層220中，其中第一電極212可電連接到漏極206。第二電極224可用作陰極，通過該陰極將電子注入到有機(jī)層220中，其中第二電極224可電連接到設(shè)置在基片200上的公共電極(未示出)上。開關(guān)器件(未示出)可連接到選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)。
用于紅和藍(lán)的有機(jī)層220可包括空穴注入層(HIL)220a、空穴輸運(yùn)層(HTL)220b、磷光材料的發(fā)射材料層(EML)220c、空穴阻擋層(HBL)220d和電子輸運(yùn)層(ETL)220e。相反，具有熒光材料的EML220c的用于綠色的有機(jī)層220不包括HBL 220d。即使在本發(fā)明中磷光材料可用于紅色和藍(lán)色，但磷光材料也可用于其它兩種顏色的組。
HIL 220a和HTL 220b可以獨(dú)立地為每個子像素區(qū)RP、GP和BP形成，以便使EML 220c的發(fā)光效率最大化。例如，當(dāng)用于EML 220c的磷光材料是CBP(4，49-N，N9-二咔唑聯(lián)苯)時，BCP和BAlq3可用作HBL 220d。而且，Ir(ppy)3和PtOEP(2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，2 3H-卟吩鉑(II))可分別用作用于綠和藍(lán)的摻雜劑，如圖6A-6C所示。這里，相同材料可用于每個子像素區(qū)RP、GP和BP的ETL 220e。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一典型ELD的截面圖。在圖7中，驅(qū)動器件“T”可形成在具有像素區(qū)(未示出)的基片300上。該像素區(qū)可包括用于紅(R)的RP、用于綠(G)的GP和用于藍(lán)(B)的BP的多個子像素區(qū)。驅(qū)動器件“T”可響應(yīng)從與多個子像素區(qū)RP、GP和BP相鄰的開關(guān)器件(未示出)接收的信號而驅(qū)動第一電極312。包括柵極302、有源層308、和源極和漏極304和306的薄膜晶體管(TFT)可用做驅(qū)動器件“T”和開關(guān)器件(未示出)。還可以與多個子像素區(qū)RP、GP和BP相鄰地形成連接到驅(qū)動器件“T”和開關(guān)器件的存儲電容器(未示出)。
第一電極312可形成在每個子像素區(qū)中，第二電極324可形成在第一電極312上。多層有機(jī)層320可置于第一和第二電極312和324之間。第一電極312可包括具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，例如銦-錫-氧化物(ITO)或銦-鋅-氧化物(IZO)，第二電極324可包括具有低功函數(shù)的金屬材料，例如鋁(Al)、鈣(Ca)或鎂(Mg)?；蛘撸诙姌O324可包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)例如包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。第一電極312可用做陽極，通過該陽極將空穴注入到有機(jī)層320中，其中第一電極312可電連接到漏極306。第二電極324可用做陰極，通過該陰極向有機(jī)層320注入電子，其中第二電極324可電連接到基片300上的公共電極(未示出)。開關(guān)器件(未示出)可電連接到選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)。
用于紅、綠和藍(lán)的有機(jī)層320可包括空穴注入層(HIL)320a、空穴輸運(yùn)層(HTL)320b、發(fā)射材料層(EML)320c、空穴阻擋層(HBL)320d、和電子輸運(yùn)層(ETL)320e。EML 320c可例如通過磷光材料的淀積和構(gòu)圖而獨(dú)立地形成在每個子像素區(qū)RP、GP和BP中。
即使圖4、5和7表示了采用驅(qū)動器件和開關(guān)器件的有源矩陣型有機(jī)ELD，但是本發(fā)明可適用于無源矩陣型有機(jī)ELD。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的再一典型ELD的截面圖。在圖8中，第一電極412可沿著第一方向形成在具有像素區(qū)(未示出)的基片400上。該像素區(qū)可包括用于紅(R)的RP、用于綠(G)的GP和用于藍(lán)(B)的BP的多個子像素區(qū)。第二電極424可沿著垂直于第一方向的第二方向與第一電極412交叉地形成在第一電極412上。多個子像素區(qū)RP、GP和BP可設(shè)置在第一和第二電極412和424的交叉部分。多層有機(jī)層420可置于第一和第二電極412和424之間。第一電極412可包括具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，例如銦-錫-氧化物(ITO)或銦-鋅-氧化物(IZO)，第二電極424可包括具有低功函數(shù)的金屬材料，例如鋁(Al)、鈣(Ca)或鎂(Mg)。或者，第二電極424可包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)例如包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。第一電極412可用做陽極，通過該陽極將空穴注入到有機(jī)層420中，其中第一電極412可電連接到外部電路(未示出)。第二電極424可用做陰極，通過該陰極向有機(jī)層420注入電子，其中第二電極424也可電連接到該外部電路(未示出)。
有機(jī)層420可包括空穴注入層(HIL)420a、空穴輸運(yùn)層(HTL)420b、發(fā)射材料層(EML)420c、和電子輸運(yùn)層(ETL)420e。HIL 420a可用做緩沖層以降低HIL 420a和第一電極412之間的能量勢壘，以便從第一電極412向HTL420b順利地注入空穴。設(shè)置在紅子像素區(qū)RP中的EML 420c可由磷光材料形成。由于磷光材料即使在低驅(qū)動電壓時也具有高發(fā)光效率，因此可以高紅色純度顯示紅色圖像。設(shè)置在綠和藍(lán)子像素區(qū)GP和BP中的EML 420c可由熒光材料形成。此外，可在紅色子像素區(qū)RP的磷光材料的EML 420c上形成空穴阻擋層(HBL)420d。由于三重態(tài)發(fā)光材料具有不同于單態(tài)發(fā)光材料的能帶，因此三重態(tài)材料具有比單態(tài)發(fā)光材料低的電子-空穴對復(fù)合概率。為提高電子-空穴對的復(fù)合概率，空穴停留在EML 420c中的時間應(yīng)該增加。HBL 420d使空穴保持在EML 420c內(nèi)的時間增加。即使在本發(fā)明中磷光材料用于紅色，但是磷光材料也可用于綠色或藍(lán)色。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的又一典型ELD的截面圖。在圖9中，第一電極512可沿著第一方向形成在具有像素區(qū)(未示出)的基片500上。該像素區(qū)可包括用于紅(R)的RP、用于綠(G)的GP和用于藍(lán)(B)的BP的多個子像素區(qū)。第二電極524可沿著垂直于第一方向的第二方向形成在第一電極512上。包括多層的有機(jī)層520可置于第一和第二電極512和524之間。第一電極512可包括具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，例如銦-錫-氧化物(ITO)或銦-鋅-氧化物(IZO)，第二電極524可包括具有低功函數(shù)的金屬材料，例如鋁(Al)、鈣(Ca)或鎂(Mg)?；蛘?，第二電極524可包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)例如包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。第一電極512可用做陽極，通過該陽極將空穴注入到有機(jī)層520中，其中第一電極512可電連接到外部電路(未示出)。第二電極524可用做陰極，通過該陰極向有機(jī)層520注入電子，其中第二電極524也可電連接到該外部電路(未示出)。
用于紅和藍(lán)的有機(jī)層520可包括空穴注入層(HIL)520a、空穴輸運(yùn)層(HTL)520b、磷光材料的發(fā)射材料層(EML)520c、空穴阻擋層(HBL)520d、和電子輸運(yùn)層(ETL)520e。相反，具有熒光材料的EML 220c的用于綠色的有機(jī)層520可不包括HBL 520d。HIL 520a和HTL 520b可獨(dú)立地為每個子像素區(qū)RP、GP和BP形成，以便使EML 520c的發(fā)光效率最大化。此外，相同材料可用于每個子像素區(qū)RP、GP和BP的ETL 520e。即使在本發(fā)明磷光材料可用于紅色和藍(lán)色，但是磷光材料也可以用于其它兩種顏色的組。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的再一典型ELD的截面圖。在圖10中，第一電極612可沿著第一方向形成在具有像素區(qū)(未示出)的基片600上。該像素區(qū)可包括用于紅(R)的RP、用于綠(G)的GP和用于藍(lán)(B)的BP的多個子像素區(qū)。第二電極624可沿著垂直于第一方向的第二方向形成在第一電極612上。包括多層的有機(jī)層620可置于第一和第二電極612和624之間。第一電極612可包括具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料，例如銦-錫-氧化物(ITO)或銦-鋅-氧化物(IZO)，第二電極624可包括具有低功函數(shù)的金屬材料，例如鋁(Al)、鈣(Ca)或鎂(Mg)?；蛘?，第二電極624可包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)例如包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。第一電極612可用做陽極，通過該陽極將空穴注入到有機(jī)層620中，其中第一電極612可電連接到外部電路(未示出)。第二電極624可用做陰極，通過該陰極向有機(jī)層620注入電子，其中第二電極624也可電連接到該外部電路(未示出)。
用于紅、綠和藍(lán)的有機(jī)層620可包括空穴注入層(HIL)620a、空穴輸運(yùn)層(HTL)620b、發(fā)射材料層(EML)620c、空穴阻擋層(HBL)620d、和電子輸運(yùn)層(ETL)620e。EML 620c可例如通過磷光材料的淀積和構(gòu)圖而獨(dú)立地形成在每個子像素區(qū)RP、GP和BP中。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說很顯然，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可對本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器做各種修改和改變。因此，本發(fā)明覆蓋落入所附權(quán)利要求書范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和改變及其等價物。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括具有用于紅、綠和藍(lán)的多個子像素區(qū)的基片；在基片上的驅(qū)動器件；連接到驅(qū)動器件的第一電極，空穴從第一電極注入；在第一電極上的第二電極，電子從第二電極注入；和置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，多個子像素區(qū)中的至少一個的發(fā)光材料層包括磷光材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中多個子像素區(qū)中的其它子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括熒光材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中第一電極包括銦-錫-氧化物(ITO)和銦-鋅-氧化物(IZO)中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中第二電極包括鋁(Al)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中第二電極包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括在第一電極和發(fā)光材料層之間的空穴注入層和空穴輸運(yùn)層，以及在第二電極和發(fā)光材料層之間的電子輸運(yùn)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的器件，還包括在具有磷光材料的發(fā)光材料層和電子輸運(yùn)層之間的空穴阻擋層。
8.一種電致發(fā)光顯示器件，包括基片；沿著第一方向設(shè)置在基片上的第一電極，空穴從第一電極注入；沿著垂直于第一方向的第二方向設(shè)置在第一電極上的第二電極，電子從第二電極注入；設(shè)置在第一和第二電極的交叉點(diǎn)的用于紅、綠和藍(lán)的多個子像素區(qū)；和置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，至少一個子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括磷光材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中多個子像素區(qū)中的其它子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括熒光材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中第一電極包括銦-錫-氧化物(ITO)和銦-鋅-氧化物(IZO)中的一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中第二電極包括鋁(Al)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中第二電極包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，還包括在第一電極和發(fā)光材料層之間的空穴注入層和空穴輸運(yùn)層，以及在第二電極和發(fā)光材料層之間的電子輸運(yùn)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的器件，還包括在具有磷光材料的發(fā)光材料層和電子輸運(yùn)層之間的空穴阻擋層。
15.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，包括在基片上形成用于紅、綠和藍(lán)的多個子像素區(qū)；在基片上形成驅(qū)動器件；形成連接到驅(qū)動器件的第一電極，空穴從第一電極注入；在第一電極上形成第二電極，電子從第二電極注入；和形成置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，多個子像素區(qū)中的至少一個的發(fā)光材料層包括磷光材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中多個子像素區(qū)中的其它子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括熒光材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中第一電極包括銦-錫-氧化物(ITO)和銦-鋅-氧化物(IZO)中的一種。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中第二電極包括鋁(Al)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中第二電極包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還包括以下步驟在第一電極和發(fā)光材料層之間形成空穴注入層和空穴輸運(yùn)層；和在第二電極和發(fā)光材料層之間形成電子輸運(yùn)層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括在具有磷光材料的發(fā)光材料層和電子輸運(yùn)層之間形成空穴阻擋層的步驟。
22.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的方法，包括形成沿著第一方向設(shè)置在基片上的第一電極，空穴從第一電極注入；形成沿著垂直于第一方向的第二方向設(shè)置在第一電極上的第二電極，電子從第二電極注入；形成設(shè)置在第一和第二電極的交叉點(diǎn)的用于紅、綠和藍(lán)的多個子像素區(qū)；和形成置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，至少一個子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括磷光材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中多個子像素區(qū)中的其它子像素區(qū)的發(fā)光材料層包括熒光材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中第一電極包括銦-錫-氧化物(ITO)和銦-鋅-氧化物(IZO)中的一種。
25.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中第二電極包括鋁(Al)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的一種。
26.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中第二電極包括雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括氟化鋰/鋁(LiF/Al)。
27.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，還包括以下步驟在第一電極和發(fā)光材料層之間形成空穴注入層和空穴輸運(yùn)層；和在第二電極和發(fā)光材料層之間形成電子輸運(yùn)層。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，還包括在具有磷光材料的發(fā)光材料層和電子輸運(yùn)層之間形成空穴阻擋層的步驟。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件包括具有用于紅、綠和藍(lán)的多個子像素區(qū)的基片；在基片上的驅(qū)動器件；連接到驅(qū)動器件的第一電極，空穴從第一電極注入；在第一電極上的第二電極，電子從第二電極注入；和置于第一和第二電極之間的發(fā)光材料層，多個子像素區(qū)中的至少一個的發(fā)光材料層包括磷光材料。
文檔編號H01L27/28GK1407837SQ02142249
公開日2003年4月2日 申請日期2002年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月29日
發(fā)明者樸宰用, 俞忠根, 方熙皙 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司