專利名稱：多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及薄膜晶體管(TFT)及其制造方法，尤其涉及減小漏電流并改善TFT的電學(xué)特性的多晶硅薄膜晶體管(poly-Si TFT)及其制造方法。
背景技術(shù)：
與非晶硅薄膜晶體管(α-Si TFT)相比，通常poly-Si TFT具有高的載流子遷移率、減小的光電流和相對低電平的漂移電壓。因此，通常把poly-Si TFT作為開關(guān)元件用于液晶顯示板中以獲得高的分辨率，或用于投影屏中以獲得高的光強(qiáng)度。而且，poly-Si TFT可以制造成n溝道TFT和p溝道TFT以形成CMOS電路。
此外，因?yàn)閜oly-Si TFT的制造方法與硅晶片的CMOS工藝相似，通過利用現(xiàn)存的半導(dǎo)體制造工藝就可以制造poly-Si TFT。尤其是通過利用等離子化學(xué)汽相淀積(PCVD)方法或低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)方法在絕緣基板上形成本征非晶硅層。在非晶硅層具有大約500埃()的厚度之后，利用晶化方法把非晶硅層再結(jié)晶為多晶硅層。
結(jié)晶方法通常分類為準(zhǔn)分子激光晶化(ELC)方法、固相晶化(SPC)方法、金屬誘發(fā)晶化(MIC)方法和金屬誘發(fā)橫向晶化(MILC)之一。在ELC方法中，具有形成于其上的非晶硅層的絕緣基板被加熱到大約250℃的溫度。接著，向非晶硅層施加準(zhǔn)分子激光束以形成多晶硅層。在SPC方法中，非晶硅層在高溫下被熱處理很長時間以晶化為多晶硅層。
在MIC方法中，在非晶硅層上淀積金屬層且淀積的金屬被用于晶化。這里，大尺寸玻璃基板可以用作絕緣基板。在MILC方法中，在非晶硅層上首先形成金屬，接著晶化非晶硅層。還是在MILC方法中，在非晶硅層的預(yù)定有源部分上形成氧化圖形，且通過橫向晶粒生長使非晶硅層轉(zhuǎn)化成多晶硅。
因?yàn)镋LC方法可以在相對低的溫度在廉價的玻璃基板上實(shí)施，所以廣泛地采用ELC方法通過向淀積的非晶硅施加激光能量把非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅。而且，當(dāng)采用ELC方法形成的TFT作為液晶顯示器的陣列基板中的開關(guān)元件時，制造的TFT變成n溝道TFT且通過向液晶施加電壓來操縱液晶。
為了在液晶顯示器中具有高顯示質(zhì)量，需要TFT具有足夠低的截止電流(即當(dāng)TFT截止時流動的電流)。但是，poly-Si TFT相對于α-Si TFT具有高的導(dǎo)通和截止電流。因?yàn)槎嗑Ч璧妮d流子遷移率很大。由此，增加了在摻雜的源區(qū)以及漏區(qū)和未摻雜的溝道區(qū)之間的界面中的漏電流。
為了解決上述問題，poly-Si TFT的多晶硅層具有在源和漏區(qū)中的偏移區(qū)(offset area)或輕摻雜區(qū)(LDR)。偏移區(qū)是源區(qū)和漏區(qū)的未摻雜區(qū)而LDR是低濃度雜質(zhì)輕摻雜區(qū)。此外，poly-Si TFT的柵極具有多重結(jié)構(gòu)，例如雙重結(jié)構(gòu)，以減小漏電流。
圖1A至圖1E是按照現(xiàn)有技術(shù)多晶硅薄膜晶體管的剖面圖。在圖1A中，首先在基板10上形成緩沖層12。緩沖層12是硅絕緣材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)，且緩沖層12用于防止當(dāng)對基板10加熱時堿性材料從基板10擴(kuò)散。接著，在緩沖層12上淀積非晶硅例如α-SiH以形成非晶硅層14。然后，把具有非晶硅層14的基板10加熱到400至500℃的溫度以消除包含在非晶硅層14中的氫氣(H2)，其中加熱工藝是公知的脫氫工藝。在圖1B中，脫氫工藝之后，向圖1A所示的非晶硅層14施加激光束，由此把非晶硅層14轉(zhuǎn)化為多晶硅層16。
在圖1C中，接著把多晶硅層16(圖1B中)構(gòu)圖為島狀以形成有源層18。此外，在緩沖層12上淀積柵絕緣層20以覆蓋有源層18。柵絕緣層20是無機(jī)材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。而且，在柵絕緣層20上淀積導(dǎo)電金屬材料，并接著構(gòu)圖導(dǎo)電金屬材料在有源層18上形成柵極22。淀積的導(dǎo)電金屬材料可以是鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)或鎢化鉬(MoW)。而且，柵極22可以具有鉬/釹化鋁(Mo/AlNd)的雙層結(jié)構(gòu)。當(dāng)完成薄膜晶體管時，與柵極22對應(yīng)的部分有源層18是溝道區(qū)。另選地，柵極22可以由多晶硅制得。在形成柵極22之后，向基板10的整個表面施加低濃度n型摻雜劑(下文稱作n-離子)。但是，柵極22用作掩模，使得由n-離子摻雜除了與柵極22對應(yīng)的部分以外的有源層18。
在圖1D中，在柵絕緣層20上形成光刻膠圖形23以覆蓋柵極22。因此，認(rèn)為有源層18的摻雜部分被分成第一區(qū)A1和第二區(qū)A2，其中由光刻膠圖形23疊蓋第一區(qū)A1，且光刻膠圖形23沒有疊蓋第二區(qū)A2。在形成光刻膠圖形23之后，向基板10的整個表面施加高濃度n型摻雜劑(下文稱作n+離子)。接著，有源層18的第一區(qū)A1變成輕摻雜區(qū)(LDR)，且有源層18的第二區(qū)A2變成重?fù)诫s區(qū)(HDR)，由此形成源和漏區(qū)。因此，基板10包括在柵極22的兩側(cè)的，高濃度n-型離子摻雜的源區(qū)和漏區(qū)A2，和低濃度n-型離子摻雜的LDRs A1。
在圖1E中，除去光刻膠圖形23(圖1D中)，在柵絕緣層20的整個表面上形成鈍化層24以覆蓋柵極22。鈍化層24是無機(jī)材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)，或者有機(jī)材料，例如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸樹脂。接著，部分地蝕刻鈍化層24和柵絕緣層20以分別形成源接觸孔26和漏接觸孔28暴露源區(qū)和漏區(qū)A2。其后，在鈍化層24上形成源極和漏極30和32，其中源極和漏極30和32分別通過源和漏接觸孔26和28接觸源區(qū)和漏區(qū)A2。因此，由有源層的源區(qū)和漏區(qū)中的LDR和多重柵極(例如雙重柵極)來更多地減小漏電流。當(dāng)在poly-Si TFT中應(yīng)用多柵極時，在TFT中擴(kuò)大了LDR并減小了電場，由此降低了漏電流。
圖2A至2D是按照現(xiàn)有技術(shù)具有雙重柵極的另一多晶硅薄膜晶體管的剖面圖。在圖2A中，在基板50上形成緩沖層52。緩沖層52是硅絕緣材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。且在緩沖層52上形成多晶硅層，接著構(gòu)圖多晶硅層以形成多晶硅的島狀有源層54。
在圖2B中，在緩沖層52上形成柵絕緣層56以覆蓋有源層54，柵絕緣層56是無機(jī)材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。在形成柵絕緣層56之后，在有源層54之上的柵絕緣層56上形成雙重柵極58。雙重柵極58包括第一柵極58a和第二柵極58b，其中第一和第二柵極58a和58b接收同樣的電壓。其后，在基板50的整個表面進(jìn)行n-離子摻雜。由此，由n-離子摻雜除了由第一和第二柵極58a和58b疊蓋的部分以外的有源層54，其中雙重柵極58用作掩模。而且，在第一和第二柵極58a和58b之間的部分有源層54變成第一有源區(qū)B1，且由n-離子摻雜的有源層54的外圍部分變成第二有源區(qū)B2。
在圖2C中，在柵絕緣層56上形成光刻膠圖形60a和60b而覆蓋第一和第二柵極58a和58b。第一光刻膠圖形60a覆蓋并環(huán)繞第一柵極58a，第二光刻膠圖形60b覆蓋并環(huán)繞第二柵極58b。因?yàn)榈谝缓偷诙饪棠z圖形60a和60b彼此不連接，所以第一有源區(qū)B1被分成第三有源區(qū)B3和第五有源區(qū)B5，其中第三有源區(qū)B3被第一和第二光刻膠圖形60a和60b疊蓋，第五有源區(qū)B5之上不存在光刻膠圖形60。相應(yīng)地，第二有源區(qū)B2被分成第三有源區(qū)B3和第四有源區(qū)B4，其中在第三有源區(qū)B3之上存在光刻膠圖形60，在第四有源區(qū)B4之上不存在光刻膠圖形60。
在形成光刻較圖形60a和60b之后，n+離子(例如磷離子)被施加到基板50的整個表面。因此，第四和第五有源區(qū)B4和B5變成重?fù)诫s區(qū)(HDR)，由光刻膠圖形60a和60b疊蓋的第三有源區(qū)B3變成輕摻雜區(qū)(LDR)，由此形成了源區(qū)和漏區(qū)。在n+離子摻雜之后，順序地除去光刻膠圖形60a和60b。因此，有源層54包括在雙重柵極60周圍的LDR，和在LDR周圍的HDR。
在圖2D中，在柵絕緣層56的整個表面上形成鈍化層62以覆蓋雙重柵極58。接著，鈍化層62和柵絕緣層56被部分蝕刻以形成源接觸孔64和漏接觸孔66。源接觸孔64和漏接觸孔66分別暴露重?fù)诫s源區(qū)和漏區(qū)B4。此后，在鈍化層62上形成源極和漏極68和70。源極和漏極68和70通過源和漏接觸孔64和66分別接觸源區(qū)和漏區(qū)B4。由此形成的多晶硅薄膜晶體管具有雙重柵極和在有源層中的LDR。
但是，按照現(xiàn)有技術(shù)形成用于LDR的光刻膠圖形時，由于制造誤差，光刻膠圖形可能是未對準(zhǔn)的。結(jié)果，在柵極兩側(cè)設(shè)置的LDR可能有不同的尺寸。如果在有源層中不對稱地設(shè)置LDR，poly-Si TFT可能有不穩(wěn)定的和擺動的閾值電壓。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種多晶硅薄膜晶體管及其制造方法，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種具有多柵極的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法以減小漏電流。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有對稱設(shè)置的LDR(輕摻雜區(qū))的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法以獲得最佳的工作特性。
在以下的說明中將闡明發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，且從說明中部分特征和優(yōu)點(diǎn)將非常明顯，或可以通過發(fā)明的實(shí)踐得知。通過在所述說明書和權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)將實(shí)現(xiàn)和獲得發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了獲得這些和其它優(yōu)點(diǎn)和根據(jù)本發(fā)明的目的，作為具體化和廣泛地說明，一種薄膜晶體管器件，包括基板；在基板上的緩沖層；在緩沖層上的島狀有源層，島狀有源層由多晶硅構(gòu)成并包括第一未摻雜區(qū)、第二輕摻雜區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)；在緩沖層上并覆蓋島狀有源層的柵絕緣層；在柵絕緣層上并包括對應(yīng)于第一未摻雜區(qū)的第一和第二柵極的雙重柵極；在柵絕緣層上形成并覆蓋雙重柵極的層間絕緣層；穿透層間絕緣層和柵絕緣層以暴露第三重?fù)诫s區(qū)的源和漏接觸孔；穿透層間絕緣層以暴露部分雙重柵極的柵接觸孔；在層間絕緣層上形成并通過源和漏接觸孔接觸第三重?fù)诫s區(qū)的源極和漏極；和在層間絕緣層上形成并通過柵接觸孔接觸雙重柵極的暴露部分的第三柵極。
另一方面，一種薄膜晶體管器件的制造方法包括以下步驟在基板上形成緩沖層；在緩沖層上形成島狀多晶硅有源層，包括第一、第二和第三區(qū)；在緩沖層上形成柵絕緣層以覆蓋島狀多晶硅有源層；在柵絕緣層上形成雙重柵極以對應(yīng)于島狀多晶硅有源層的第一區(qū)，雙重柵極包括第一柵極和第二柵極；在第一和第二柵極之間的部分柵絕緣層上形成光刻膠圖形以部分地疊蓋部分第一和第二柵極；從柵絕緣層和第一和第二柵極除去光刻膠圖形；在柵絕緣層上形成層間絕緣層以覆蓋第一和第二柵極；通過部分地蝕刻層間絕緣層形成柵接觸孔以暴露部分雙重柵極；形成源和漏接觸孔以穿透層間絕緣層和柵絕緣層暴露島狀多晶硅有源層的第三區(qū)；和在層間絕緣層上形成源極和漏極和第三柵極，其中源極和漏極通過源和漏接觸孔接觸多晶硅有源層的第三區(qū)，第三柵極通過柵接觸孔接觸雙重柵極的暴露部分。
另一方面，一種薄膜晶體管器件的制造方法包括以下步驟在基板上形成緩沖層；在緩沖層上形成島狀多晶硅有源層，包括第一、第二和第三區(qū)；在緩沖層上形成柵絕緣層以覆蓋島狀多晶硅有源層；在柵絕緣層上形成雙重柵極以對應(yīng)于第一區(qū)，雙重柵極包括第一柵極和第二柵極；在第一和第二柵極之間的部分柵絕緣層上形成光刻膠圖形以完全覆蓋第一和第二柵極，填充在第一和第二柵極之間的空間并部分地疊蓋第三區(qū)；從柵絕緣層和第一和第二柵極除去光刻膠圖形；在柵絕緣層上形成層間絕緣層以覆蓋第一和第二柵極；通過部分地蝕刻層間絕緣層形成柵接觸孔以暴露部分雙重柵極；穿透層間絕緣層和柵絕緣層形成源和漏接觸孔以暴露第三區(qū)；和在層間絕緣層上形成源極和漏極和第三柵極，其中源極和漏極通過源和漏接觸孔接觸多晶硅有源層的第三區(qū)，并且第三柵極通過柵接觸孔接觸雙重柵極的暴露部分。
可以理解前面的概要說明和隨后的詳細(xì)說明是典型的和解釋性的，它們用于提供權(quán)利要求的進(jìn)一步的解釋。


附圖用于提供對發(fā)明的進(jìn)一步理解，并引入這里構(gòu)成該申請的一部分，

了發(fā)明的實(shí)施例并與說明書一起用于說明發(fā)明的原理。在附圖中圖1A至1E是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)一種多晶硅薄膜晶體管的剖面圖；圖2A至2D是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)另一種具有雙重柵極的多晶硅薄膜晶體管的剖面圖；圖3A至3D是根據(jù)本發(fā)明典型的多晶硅薄膜晶體管的剖面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明具有典型的多晶硅薄膜晶體管的陣列基板的像素平面圖；
圖5是從圖4的V-V’截取的剖面圖；圖6和7是根據(jù)本發(fā)明的典型多晶硅薄膜晶體管的電路圖；圖8A和8B是根據(jù)本發(fā)明的另一典型多晶硅薄膜晶體管的剖面圖；圖9A至9D是根據(jù)本發(fā)明的另一典型多晶硅薄膜晶體管的剖面圖；圖10是實(shí)現(xiàn)圖9A至9D的典型多晶硅薄膜晶體管的陣列基板的剖面圖；及圖11A至11B是根據(jù)本發(fā)明的另一典型多晶硅薄膜晶體管的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
將具體參照附圖中的例子對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明。
圖3A至3D是根據(jù)本發(fā)明典型的多晶硅薄膜晶體管的剖面圖。在圖3A中，在基板100上形成緩沖層102。緩沖層102可以是硅絕緣材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。而且可以在緩沖層102上形成多晶硅層，且多晶硅層隨后被構(gòu)圖以形成島狀多晶硅有源層104。例如，可以通過在非晶硅層上應(yīng)用脫氫方法，并接著通過激光晶化方法把非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層來形成多晶硅有源層104。而且，緩沖層102可以用于阻止當(dāng)向基板100加熱時堿性材料從基板100到多晶硅有源層104的擴(kuò)散。
在圖3B中，在緩沖層102的整個表面上形成柵絕緣層106以覆蓋有源層104。柵絕緣層106可以是無機(jī)材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。此外，在部分有源層104上的柵絕緣層106上形成具有第一和第二柵極108a和108b的雙重柵極。第一和第二柵極108a和108b之間的距離可以在從大約0.5到5微米的范圍內(nèi)。此外，可以把第一和第二柵極108a和108b設(shè)計(jì)成在TFT完成時從選通線(gate line)接收相同的電壓。而且，可以在基板100上實(shí)施n-離子摻雜，使得低濃度n型摻雜劑(例如磷離子)注入到有源層104未被第一和第二柵極108a和108b疊蓋的暴露部分。例如，雙重柵極108可以用作掩模，使得可以用n-離子摻雜有源層104的不由第一和第二柵極108a和108b疊蓋的部分。由此，設(shè)置在第一和第二柵極108a和108b之間并由n-離子摻雜的部分有源層104可以變成第一有源區(qū)C1，有源層104的也由n-離子摻雜的其余部分變成了第二有源區(qū)C2。
在圖3C中，可以直接在有源層104的第一有源區(qū)C1上形成光刻膠圖形110。具體地說，可以在第一和第二柵極108a和108b之間的部分柵絕緣層106上和部分第一和第二柵極108a和108b上形成光刻膠圖形110。此外，光刻膠圖形110可以填充第一和第二柵極108a和108b之間的空間且不必覆蓋第一和第二柵極108a和108b的整個表面。
另外，可以在基板100上實(shí)施n+離子摻雜，使得高濃度n型摻雜劑(例如高濃度磷離子)可以被注入到有源層104的暴露部分。因此，第一有源區(qū)C1可以仍保留作為輕摻雜區(qū)(LDR)，第二有源區(qū)C2可以被轉(zhuǎn)化為重?fù)诫s區(qū)(HDR)，由此在基板100中形成源區(qū)和漏區(qū)。由此，有源層104可以包括在第一和第二柵極108a和108b之間的LDR和在雙重柵極108的兩外圍側(cè)上HDR。
而且，與第一和第二柵極108a和108b對應(yīng)的部分有源層104可以是具有溝道長度L的有源溝道。此外，與每一柵極108a或108b對應(yīng)的有源溝道可以具有溝道長度L/2。因此，如果光刻膠圖形110疊蓋每一柵極108a或108b的一半，那么光刻膠圖形110具有四分之一溝道長度L/4的工藝余量。由此，即使在制造過程中產(chǎn)生誤差，例如光刻膠圖形110未對準(zhǔn)，有源區(qū)C1也可以由光刻膠圖形110遮蓋以避免形成任何局部的或不均勻的重?fù)诫s區(qū)。而且，因?yàn)橛性磪^(qū)C1可以與源區(qū)和漏區(qū)C2隔離，因此改善了TFT的工作特性并獲得了TFT的最佳工作狀態(tài)。
在圖3D中，可以除去光刻膠圖形110(在圖3C中)，并且可以在柵絕緣層106的整個表面上形成層間絕緣層112以覆蓋雙重柵極108。接著，可以部分地蝕刻層間絕緣層112和柵絕緣層106以形成源接觸孔113a和漏接觸孔113b。而且，當(dāng)形成源接觸孔113a和漏接觸孔113b時，可以同時形成柵接觸孔125(圖4中)。源接觸孔113a和漏接觸孔113b可以分別暴露部分源區(qū)和漏區(qū)C2，柵接觸孔可以暴露部分第一和第二柵極108a和108b。
此外，在層間絕緣層112上可以形成源極和漏極114和116。源極和漏極114和116可以通過源和漏接觸孔113a和113b分別接觸源區(qū)和漏區(qū)C2。而且，當(dāng)形成源極和漏極114和116時，在層間絕緣層112上源極和漏極114和116之間也可以形成第三柵極118。采用與源極和漏極114和116相同的材料，可以在有源層104之上附加地形成第三柵極118。尤其是第三柵極118可以直接設(shè)置在第一有源區(qū)C1上方并且在第一和第二柵極108a和108b之上。由此，在TFT完成時，當(dāng)?shù)谌龞艠O118導(dǎo)通時，第三柵極118使第一有源區(qū)C1的電阻最小化，由此改善了TFT的導(dǎo)通電流。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的具有典型的多晶硅薄膜晶體管的陣列基板的像素平面圖，圖5是從圖4的V-V’截取的剖面圖。在圖4中，可以沿橫向設(shè)置選通線121并沿縱向設(shè)置數(shù)據(jù)線115。數(shù)據(jù)線115可以垂直交叉選通線121，由此限定像素區(qū)P。在選通線和數(shù)據(jù)線121和115的交叉處可以設(shè)置多晶硅薄膜晶體管T。在像素區(qū)P中，可以形成像素電極124，通過接觸孔122接觸poly-Si TFT T。
此外，poly-Si TFT T可以包括從選通線121延伸的第一和第二柵極108a和108b，和從數(shù)據(jù)線115延伸的源極114。第一和第二柵極108a和108b可以形成U形，使得第一分支形成第一柵極108a且第二分支形成第二柵極108b。而且，poly-Si TFT T可以包括接觸選通線121的第三柵極118。由此，第一、第二和第三柵極108a、108b和118可以通過柵接觸孔125接收來自選通線121的相同選通信號。
在圖5中，可以在基板100的整個表面上形成鈍化層120。此后，部分地蝕刻鈍化層120以形成暴露部分漏極116的接觸孔122。接著，可以在鈍化層120上形成透明的導(dǎo)電材料，并構(gòu)圖透明導(dǎo)電材料以在像素區(qū)P(圖4中)中形成像素電極124。像素電極124可以通過接觸孔122接觸漏極116，使得像素電極124與poly-Si TFT T電連通。
圖6和7是根據(jù)本發(fā)明的典型多晶硅薄膜晶體管的電路圖。在圖6中，poly-Si TFT可以具有彼此電連接的第一、第二和第三柵極108a、108b和118，可以向第一、第二和第三柵極108a、108b和118同時施加相同的信號電壓。在圖7中，poly-Si TFT可以另選地具有獨(dú)立形成的第三柵極118以從選通線單獨(dú)地接收信號電壓?？梢韵虻谝缓偷诙艠O108a和108b施加相同或不同的信號電壓。
圖8A和8B是根據(jù)本發(fā)明的另一典型多晶硅薄膜晶體管的剖面圖。在圖8A中，可以在基板100上形成緩沖層102，且可以在緩沖層102上形成島狀有源層104。在緩沖層102上還可以形成柵絕緣層106以覆蓋有源層104。另外，可以在柵絕緣層106上、在部分有源層104的正上方形成第一和第二柵極108a和108b，并且可以在第一和第二柵極108a和108b之間的部分柵絕緣層106上形成光刻膠圖形110。而且，光刻膠圖形110可以疊蓋部分第一和第二柵極108a和108b。此后，在基板100上實(shí)施n+離子摻雜，使得由n+離子摻雜未被第一和第二柵極108a和108b和光刻膠圖形110遮蓋的部分有源層104。由此，在第一和第二柵極108a和108b之間的第一有源區(qū)D1可以仍保留作為未摻雜區(qū)，并且沿有源層104的外圍部分的第二區(qū)D2可以變成重?fù)诫s區(qū)(HDR)。
在圖8B中，可以除去光刻膠圖形110(圖8A中)，接著可以把n-離子注入到基板100的整個表面。由此有源層104的第一有源區(qū)D1可以變成輕摻雜區(qū)(LDR)，第二有源區(qū)D2可以仍保留作為重?fù)诫s區(qū)(HDR)。接著，例如基板100可以經(jīng)受如圖3D所示的處理。因?yàn)樵诘蜐舛入x子摻雜工藝之前實(shí)施高濃度離子摻雜工藝，所以可以首先形成源區(qū)和漏區(qū)(即第二有源區(qū)D2)，接著在第一和第二柵極108a和108b之間可以形成輕摻雜第一有源區(qū)D1。
圖9A至9D是根據(jù)本發(fā)明另一典型的多晶硅薄膜晶體管的剖面圖。在圖9A中，可以在基板200上形成緩沖層202。緩沖層202可以包括硅絕緣材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。接著可以在緩沖層202上形成多晶硅層，且多晶硅層被構(gòu)圖以形成島狀多晶硅有源層204。例如，可以通過在非晶硅層上應(yīng)用脫氫方法，并接著通過激光晶化方法把非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層來形成多晶硅有源層204。此外，緩沖層202可以用于阻止當(dāng)向基板200加熱時堿性材料從基板200到多晶硅有源層204的擴(kuò)散。
在圖9B中，可以在緩沖層202的整個表面上形成柵絕緣層206以覆蓋有源層204。柵絕緣層206可以是無機(jī)材料，例如氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiO2)。接著，可以在有源層204正上方的柵絕緣層206上形成第一和第二柵極208a和208b。第一和第二柵極208a和208b之間的距離可以在從大約0.5到5微米的范圍內(nèi)。此外，第一和第二柵極208a和208b可以接收來自選通線的相同的電壓。此外，可以在基板200的整個表面上實(shí)施n-離子摻雜，使得低濃度n型離子(例如磷離子)注入到有源層204的未被第一和第二柵極208a和208b疊蓋的暴露部分。尤其是，因?yàn)榈谝缓偷诙艠O208a和208b可以用作掩模，可以用低濃度n型離子摻雜有源層204的不被第一和第二柵極208a和208b疊蓋的部分。另外，設(shè)置在第一和第二柵極208a和208b之間并由n-離子摻雜的部分有源層204可以變成第一有源區(qū)E1，也由n-離子摻雜的有源層204的外圍部分變成了第二有源區(qū)E2。
在圖9C中，可以在有源層204正上方的柵絕緣層206上形成光刻膠圖形210。尤其是，光刻膠圖形210可以完全覆蓋第一和第二柵極208a和208b，使得光刻膠圖形210可以正好形成在整個第一有源區(qū)E1和部分第二有源區(qū)E2之上。此外，光刻膠圖形210可以填充第一和第二柵極208a和208b之間的空間，且可以形成在鄰近第一和第二柵極208a和208b的柵絕緣層的橫向部分上。在形成光刻膠圖形210之后，n+離子(即高濃度n型雜質(zhì))可以被注入到基板200的整個表面。因此第二有源區(qū)E2可以被分成第三和第四有源區(qū)E3和E4?？梢杂晒饪棠z圖形210疊蓋第三有源區(qū)E3，其中不注入n+離子。可以由光刻膠圖形210疊蓋第四有源區(qū)E4，其中注入n+離子。例如，由光刻膠圖形210遮蓋的第一和第三有源區(qū)E1和E3可以變成輕摻雜區(qū)(LDR)，未被光刻膠圖形210遮蓋的第四有源區(qū)E4可以變成重?fù)诫s區(qū)(HDR)，由此形成源區(qū)和漏區(qū)。因此，有源層204可以包括在第一和第二柵極208a和208b之間且在雙重柵極208周圍的LDR，還可以包括在LDR外圍部分周圍的HDR。
在圖9D中，可以除去光刻膠圖形210(在圖9C中)，并且可以在柵絕緣層206的整個表面上形成層間絕緣層212以覆蓋雙重柵極208。接著，可以部分地蝕刻層間絕緣層212和柵絕緣層206以形成源接觸孔214和漏接觸孔216。此外，當(dāng)形成源和漏接觸孔214和216時可以同時形成柵接觸孔(圖4中的125)，柵接觸孔穿透層間絕緣層212至雙重柵極208。源接觸孔214和漏接觸孔216可以暴露重?fù)诫s的源區(qū)和漏區(qū)E4，柵接觸孔(圖4中的125)可以暴露部分第一和第二柵極208a和208b。
此外，可以在層間絕緣層212上形成源極和漏極218和220。源極和漏極218和220可以通過源和漏接觸孔214和216接觸源區(qū)和漏區(qū)E4。而且，當(dāng)形成源極和漏極218和220時，在層間絕緣層212上源極和漏極218和220之間也可以形成第三柵極222。采用與源極和漏極218和220相同的材料，可以在有源層204之上附加地形成第三柵極222。尤其是，第三柵極222可以設(shè)置在第一和第三有源區(qū)E1和E3正上方和雙重柵極208之上。由此，當(dāng)?shù)谌龞艠O222導(dǎo)通時，第三柵極222使第一和第三有源區(qū)E1和E3的電阻最小化，由此改善了ploy-Si TFT的導(dǎo)通電流。
圖10是實(shí)現(xiàn)圖9A至9D的典型多晶硅薄膜晶體管的陣列基板的剖面圖。在圖10中，可以在基板200上形成鈍化層224以覆蓋和保護(hù)ploy-SiTFT。此外，可以部分地蝕刻鈍化層224以形成暴露部分漏極220的接觸孔226。接著，可以在鈍化層224上淀積透明的導(dǎo)電材料，并接著構(gòu)圖透明導(dǎo)電材料以形成像素電極228。像素電極228可以通過穿透鈍化層224的接觸孔226接觸漏極220。
圖11A和11B是根據(jù)本發(fā)明另一典型的多晶硅薄膜晶體管的剖面圖。在圖11A中，可以在基板200上形成緩沖層202，并在緩沖層202上形成島狀有源層204。可以在緩沖層202上形成柵絕緣層206以覆蓋有源層204，并且在有源層204上方的柵絕緣層206上形成第一和第二柵極208a和208b。此外，可以在有源層204正上方的部分柵絕緣層206上形成光刻膠圖形210以完全覆蓋第一和第二柵極208a和208b。尤其是，光刻膠圖形210可以形成在第一有源區(qū)F1正上方(填滿第一和第二柵極208a和208b之間的空間)和第二有源區(qū)F2正上方。
而且，可以在基板200的整個表面實(shí)施n+離子摻雜。因此，由n+離子摻雜沒有被第一和第二柵極208a和208b和光刻膠圖形210遮蓋的部分有源層204，由此限定第三有源區(qū)F3。由光刻膠210遮蓋的在第一和第二柵極208a和208b之間的第一有源區(qū)F1和第二有源區(qū)F2可以仍是未摻雜區(qū)。而且，沒有被光刻膠圖形210遮蓋的且由n+離子摻雜的第三有源區(qū)F3可以變成重?fù)诫s區(qū)(HDR)。
在圖11B中，可以除去光刻膠圖形210(在圖11A中)，n-離子被注入到基板200的整個表面。因此有源層204的第一和第二有源區(qū)F1和F2可以變成輕摻雜區(qū)(LDR)，第三有源區(qū)F3可以仍保留作為重?fù)诫s區(qū)(HDR)，使得第三有源區(qū)F3可以變成源區(qū)和漏區(qū)。由此可以首先形成源區(qū)和漏區(qū)(即重?fù)诫s第三有源區(qū)F3)，接著可以在第一和第二柵極208a和208b之間和鄰接第一和第二柵極208a和208b形成輕摻雜第一和第二有源區(qū)F1和F2。
雖然本發(fā)明的說明書公開了n型離子，但可利用p型離子代替n型離子。
不脫離本發(fā)明的精神和范圍對本發(fā)明的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法作出修改和變化對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，本發(fā)明覆蓋在所附權(quán)利要求和其等效的范圍內(nèi)的各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管器件，包括基板；在基板上的緩沖層；在緩沖層上的島狀有源層，島狀有源層由多晶硅構(gòu)成并包括第一未摻雜區(qū)、第二輕摻雜區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)；在緩沖層上并覆蓋島狀有源層的柵絕緣層；在柵絕緣層上并包括對應(yīng)于第一未摻雜區(qū)的第一和第二柵極的雙重柵極；在柵絕緣層上形成并覆蓋雙重柵極的層間絕緣層；穿透層間絕緣層和柵絕緣層以暴露第三重?fù)诫s區(qū)的源和漏接觸孔；穿透層間絕緣層以暴露部分雙重柵極的柵接觸孔；在層間絕緣層上形成并通過源和漏接觸孔接觸第三重?fù)诫s區(qū)的源極和漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括在層間絕緣層上形成并通過柵接觸孔接觸雙重柵極的暴露部分的第三柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中第二輕摻雜區(qū)包括n型和p型雜質(zhì)之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的器件，其中第二輕摻雜區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜低濃度n型和p型離子之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中第三重?fù)诫s區(qū)包括n型和p型雜質(zhì)之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的器件，其中第三重?fù)诫s區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜高濃度n型和p型離子之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中第一未摻雜區(qū)包括溝道區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的器件，其中第三柵極疊蓋第二輕摻雜區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中第三柵極包括與源極和漏極相同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中第一、第二和第三柵極與公共選通線電連接并接收來自公共選通線的同一信號電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中第二輕摻雜區(qū)位于第一和第二柵極之間的空間之下。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，其中島狀有源層還包括在第一未摻雜區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)之間的附加輕摻雜區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的器件，其中第三柵極疊蓋第二輕摻雜區(qū)和附加輕摻雜區(qū)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中雙重柵極具有U形，該U形具有包括第一柵極的第一分支和包括第二柵極的第二分支。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的器件，其中第一柵極和第二柵極之間的距離在大約0.5至5微米的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中用磷離子同時摻雜第二輕摻雜區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中用磷離子單獨(dú)地?fù)诫s第二輕摻雜區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層包括硅基絕緣材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的器件，其中硅基絕緣材料包括氧化硅和氮化硅之一。
20.一種薄膜晶體管器件的制造方法，包括以下步驟在基板上形成緩沖層；在緩沖層上形成島狀多晶硅有源層，包括第一、第二和第三區(qū)；在緩沖層上形成柵絕緣層以覆蓋島狀多晶硅有源層；在柵絕緣層上形成雙重柵極以對應(yīng)于島狀多晶硅有源層的第一區(qū)，雙重柵極包括第一柵極和第二柵極；形成完全覆蓋第一和第二柵極之間的部分柵絕緣層的光刻膠圖形；從柵絕緣層和第一和第二柵極除去光刻膠圖形；在柵絕緣層上形成層間絕緣層以覆蓋第一和第二柵極；通過部分地蝕刻層間絕緣層來形成柵接觸孔以暴露部分雙重柵極；形成源和漏接觸孔以穿透層間絕緣層和柵絕緣層，暴露島狀多晶硅有源層的第三區(qū)；和在層間絕緣層上形成源極和漏極和第三柵極，其中源極和漏極通過源和漏接觸孔接觸多晶硅有源層的第三區(qū)，并且第三柵極通過柵接觸孔接觸雙重柵極的暴露部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中光刻膠圖形部分地疊蓋部分第一和第二柵極。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中光刻膠圖形具有T形。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括在形成雙重柵極的步驟之后和在形成光刻膠圖形的步驟之前，把低濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中注入低濃度n型和p型離子之一的步驟在設(shè)置在第一和第二柵極之間的第二區(qū)中形成輕摻雜區(qū)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中第二區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜低濃度的n型和p型離子之一。
26.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，還包括在形成光刻膠圖形的步驟之后和在除去光刻膠圖形的步驟之前，把高濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中注入高濃度n型和p型離子之一的步驟在多晶硅有源層的第三區(qū)中形成重?fù)诫s區(qū)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中第三區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜高濃度的n型和p型離子之一。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中低濃度和高濃度n型離子包括磷離子。
30.根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中第三柵極疊蓋輕摻雜區(qū)。
31.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括在形成光刻膠圖形的步驟之后和在除去光刻膠圖形的步驟之前，把高濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中注入高濃度n型和p型離子之一的步驟在多晶硅有源層的第三區(qū)中形成重?fù)诫s區(qū)。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中第三區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜高濃度的n型和p型離子之一。
34.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，還包括在除去光刻膠圖形的步驟之后和在形成層間絕緣層的步驟之前，把低濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，其中注入低濃度n型和p型離子之一的步驟在設(shè)置在第一和第二柵極之間的第二區(qū)中形成輕摻雜區(qū)。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，其中第二區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜低濃度的n型和p型離子之一。
37.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，其中低濃度和高濃度n型離子包括磷離子。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中第三柵極疊蓋輕摻雜區(qū)。
39.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中與雙重柵極對應(yīng)的第一區(qū)形成溝道區(qū)。
40.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中第三柵極包括與源極和漏極相同的材料。
41.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中第一、第二和第三柵極與公共選通線電連接并接收來自公共選通線的同一信號電壓。
42.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中雙重柵極具有U形，該U形具有包括第一柵極的第一分支和包括第二柵極的第二分支。
43.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中第一柵極和第二柵極之間的距離在大約0.5至5微米的范圍內(nèi)。
44.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層包括硅基絕緣材料。
45.根據(jù)權(quán)利要求44的方法，其中硅基絕緣材料包括氧化硅和氮化硅之一。
46.一種薄膜晶體管器件的制造方法，包括以下步驟在基板上形成緩沖層；在緩沖層上形成島狀多晶硅有源層，包括第一、第二和第三區(qū)；在緩沖層上形成柵絕緣層以覆蓋島狀多晶硅有源層；在柵絕緣層上形成雙重柵極以對應(yīng)于第一區(qū)，雙重柵極包括第一柵極和第二柵極；在第一和第二柵極之間的部分柵絕緣層上形成光刻膠圖形以完全覆蓋第一和第二柵極，填充在第一和第二柵極之間的空間，并部分地疊蓋第三區(qū)；從柵絕緣層和第一和第二柵極除去光刻膠圖形；在柵絕緣層上形成層間絕緣層以覆蓋第一和第二柵極；通過部分地蝕刻層間絕緣層來形成柵接觸孔以暴露部分雙重柵極；形成源和漏接觸孔來穿透層間絕緣層和柵絕緣層以暴露第三區(qū)；和在層間絕緣層上形成源極和漏極和第三柵極，其中源極和漏極通過源和漏接觸孔接觸多晶硅有源層的第三區(qū)，并且第三柵極通過柵接觸孔接觸雙重柵極的暴露部分。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，還包括在形成雙重柵極的步驟之后和在形成光刻膠圖形的步驟之前，把低濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
48.根據(jù)權(quán)利要求47的方法，其中注入低濃度n型和p型離子之一的步驟在第二區(qū)和第三區(qū)中形成輕摻雜區(qū)，其中第二區(qū)設(shè)置在第一和第二柵極之間，第三區(qū)沿著未被第一和第二柵極遮蓋的多晶硅有源層的外圍部分。
49.根據(jù)權(quán)利要求48的方法，還包括在形成光刻膠圖形的步驟之后和在除去光刻膠圖形的步驟之前，把高濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
50.根據(jù)權(quán)利要求49的方法，其中注入高濃度n型和p型離子之一的步驟在未被光刻膠圖形疊蓋的部分第三區(qū)中形成重?fù)诫s區(qū)。
51.根據(jù)權(quán)利要求50的方法，其中低濃度和高濃度n型離子包括磷離子。
52.根據(jù)權(quán)利要求51的方法，其中第三柵極疊蓋輕摻雜區(qū)。
53.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，還包括在形成光刻膠圖形的步驟之后和在除去光刻膠圖形的步驟之前，把高濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
54.根據(jù)權(quán)利要求53的方法，其中注入高濃度n型和p型離子之一的步驟在未被光刻膠圖形疊蓋的部分第三區(qū)中形成重?fù)诫s區(qū)。
55.根據(jù)權(quán)利要求54的方法，還包括在除去光刻膠圖形的步驟之后和在形成層間絕緣層的步驟之前，把低濃度n型和p型離子之一注入到基板的整個表面的步驟。
56.根據(jù)權(quán)利要求55的方法，其中注入低濃度n型和p型離子之一的步驟在第二區(qū)和第三區(qū)中形成輕摻雜區(qū)，其中第二區(qū)設(shè)置在第一和第二柵極之間，第三區(qū)沿著未被第一和第二柵極遮蓋的多晶硅有源層的外圍部分。
57.根據(jù)權(quán)利要求56的方法，其中低濃度和高濃度n型離子包括磷離子。
58.根據(jù)權(quán)利要求57的方法，其中第三柵極疊蓋輕摻雜區(qū)。
59.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，其中與雙重柵極對應(yīng)的第一區(qū)形成溝道區(qū)。
60.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，其中第三柵極包括與源極和漏極相同的材料。
61.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，其中第一、第二和第三柵極與公共選通線電連接并接收來自公共選通線的同一信號電壓。
62.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，其中雙重柵極具有U形，該U形具有包括第一柵極的第一分支和包括第二柵極的第二分支。
63.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，其中第一柵極和第二柵極之間的距離在大約0.5至5微米的范圍內(nèi)。
64.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，其中緩沖層、柵絕緣層和層間絕緣層包括硅基絕緣材料。
65.根據(jù)權(quán)利要求64的方法，其中硅基絕緣材料包括氧化硅和氮化硅之一。
66.一種薄膜晶體管器件，包括包括第一和第二重?fù)诫s區(qū)、第三輕摻雜區(qū)和第四和第五未摻雜本征區(qū)的半導(dǎo)體層；覆蓋半導(dǎo)體層的柵絕緣層；在柵絕緣層上和半導(dǎo)體層上方的第一和第二柵極；在柵絕緣層上形成并覆蓋第一和第二柵極的層間絕緣層，其中層間絕緣層和柵絕緣層具有從其穿透以暴露第一和第二重?fù)诫s區(qū)的接觸孔；和在層間絕緣層上并分別通過接觸孔接觸第一和第二重?fù)诫s區(qū)的源極和漏極。
67.根據(jù)權(quán)利要求66的器件，其中第三輕摻雜區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜低濃度n型和p型離子之一。
68.根據(jù)權(quán)利要求66的器件，其中第一和第二重?fù)诫s區(qū)是單一區(qū)，其中僅摻雜高濃度的n型和p型離子之一。
69.根據(jù)權(quán)利要求66的器件，其中第四和第五未摻雜本征區(qū)的位置與第一和第二電極對應(yīng)，且在第四和第五未摻雜本征區(qū)之間設(shè)置第三輕摻雜區(qū)。
70.一種薄膜晶體管器件，包括包括第一和第二重?fù)诫s區(qū)，第三、第四和第五輕摻雜區(qū)和第六和第七未摻雜本征區(qū)的半導(dǎo)體層；覆蓋半導(dǎo)體層的柵絕緣層；在柵絕緣層上和半導(dǎo)體層上方的第一和第二柵極；在柵絕緣層上形成并覆蓋第一和第二柵極的層間絕緣層，其中層間絕緣層和柵絕緣層具有從其穿透以暴露第一和第二重?fù)诫s區(qū)的接觸孔；和在層間絕緣層上并分別通過接觸孔接觸第一和第二重?fù)诫s區(qū)的源極和漏極。
71.根據(jù)權(quán)利要求70的器件，其中在第六和第七未摻雜本征區(qū)之間設(shè)置第三輕摻雜區(qū)。
72.根據(jù)權(quán)利要求70的器件，其中在第六未摻雜本征區(qū)和第一重?fù)诫s區(qū)之間和在第七未摻雜本征區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)之間分別設(shè)置第四和第五輕摻雜區(qū)。
73.根據(jù)權(quán)利要求70的器件，還包括位于第三、第四和第五輕摻雜區(qū)和第六和第七未摻雜本征區(qū)之上的第三柵極。
全文摘要
一種薄膜晶體管器件，包括基板；在基板上的緩沖層；在緩沖層上的有源層，有源層由多晶硅構(gòu)成并包括第一未摻雜區(qū)、第二輕摻雜區(qū)和第三重?fù)诫s區(qū)；在緩沖層上的柵絕緣層；在柵絕緣層上的包括對應(yīng)于第一區(qū)的第一和第二柵極的雙重柵極；在柵絕緣層上覆蓋雙重柵極的層間絕緣層；暴露第三區(qū)的源和漏接觸孔；穿透層間絕緣層以暴露部分雙重柵極的柵接觸孔；在層間絕緣層上通過源和漏接觸孔接觸第三區(qū)的源極和漏極；和在絕緣層上通過柵接觸孔接觸雙重柵極的暴露部分的第三柵極。
文檔編號H01L21/336GK1452250SQ0310989
公開日2003年10月29日 申請日期2003年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月15日
發(fā)明者鄭訓(xùn)周 申請人:Lg.飛利浦Lcd有限公司