專利名稱：制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法及其形成抗蝕圖的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，以及一種用于形成制造薄膜半導(dǎo)體器件所需的抗蝕圖的方法。特別涉及一種用于制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，以及一種用于形成制造薄膜半導(dǎo)體器件所需的抗蝕圖的方法，通過(guò)所述方法，可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化薄膜半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程，并在制造薄膜半導(dǎo)體器件的過(guò)程中提高對(duì)準(zhǔn)精度。
本發(fā)明要求日本專利第2002-163083的優(yōu)先權(quán)，申請(qǐng)日為2002年6月4日，引入此處作為參考。
現(xiàn)在解釋常規(guī)的技術(shù)，如圖6A所示，例如，假設(shè)曝光掩模120用于形成光截?cái)鄥^(qū)121、作為光傳送部分的對(duì)準(zhǔn)圖形區(qū)122，以及在抗蝕劑層14的表面上形成離子摻雜區(qū)123。
此處，如該圖所示，在透明的表面上，將絕緣玻璃基片11形成為由諸如二氧化硅構(gòu)成的、作為位于下層的(下面涂敷的)保護(hù)膜12的絕緣膜在于下層的保護(hù)膜12的表面上，形成位于下面的由非晶硅(以下簡(jiǎn)稱“a-Si”)構(gòu)成的硅層13。將抗蝕劑層14涂敷在位于下面的硅層13上。
如圖6B所示，在上述假設(shè)狀態(tài)下進(jìn)行曝光和顯影的操作后，在除光截?cái)鄥^(qū)121外的對(duì)準(zhǔn)圖形區(qū)122和離子摻雜區(qū)123中，通過(guò)曝光除去抗蝕劑層14，并形成抗蝕劑層14(0)。即，在抗蝕劑層14(0)中形成了對(duì)準(zhǔn)圖形部分2，該部分構(gòu)成了到達(dá)位于下面的硅層13的空間，并對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)圖6A所示的構(gòu)圖區(qū)122。構(gòu)成到達(dá)位于下面的硅層13的空間并對(duì)應(yīng)于圖6A所示的離子摻雜區(qū)123的離子摻雜部分3、以及對(duì)應(yīng)于光截?cái)鄥^(qū)121的光截?cái)鄻?gòu)圖部分1。
如果通過(guò)使用抗蝕劑層14(0)作為掩模，在這種狀態(tài)下進(jìn)行離子摻雜操作，因?yàn)椴粌H離子摻雜部分3被摻雜，而且構(gòu)成在對(duì)準(zhǔn)圖形部分2之下的下面的硅層13也同時(shí)被用離子摻雜，因此，對(duì)準(zhǔn)圖形部分2的曝光部分必須與離子摻雜部分3具有相同材料。然后，當(dāng)除去抗蝕劑層14(0)以進(jìn)行隨后的過(guò)程時(shí)，在對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖部分2和離子摻雜部分3之間的光鑒別是不可能的，因此，不能識(shí)別對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
因此，如圖6C所示，必須通過(guò)不使用抗蝕劑層14(0)來(lái)進(jìn)行蝕刻操作，該抗蝕劑層14(0)具有多個(gè)作為掩模的圖形，而是使用單獨(dú)準(zhǔn)備的僅有一個(gè)對(duì)準(zhǔn)圖形區(qū)域222的蝕刻掩模220。因此，通過(guò)蝕刻的過(guò)程，在下面的硅層13上形成對(duì)準(zhǔn)圖形4。結(jié)果，如圖6D所示，由于能從其他區(qū)域中鑒別出對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖4，因此，在隨后的過(guò)程中，通過(guò)使用抗蝕劑層14(0)作為掩模，可將該對(duì)準(zhǔn)圖形4用于定位。
而且，在首先進(jìn)行的離子摻雜的過(guò)程中，通過(guò)準(zhǔn)備僅用于形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模，并通過(guò)使用準(zhǔn)備的掩模來(lái)加入形成光致抗蝕劑層14(0)的過(guò)程，可以獲得如圖6D所示的相同的狀態(tài)。即，因?yàn)樾纬蓪?duì)準(zhǔn)標(biāo)記后，隨后進(jìn)行離子摻雜的步驟，因此在這兩個(gè)過(guò)程中，必須分開地和單獨(dú)地形成光致抗蝕劑層14(0)。
因此，用于制造薄膜半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法，以及形成抗蝕圖的常規(guī)方法的問(wèn)題不僅在于，當(dāng)必須在第一階段進(jìn)行諸如離子摻雜的過(guò)程時(shí)，需要不必要的過(guò)程，該過(guò)程包括通過(guò)單獨(dú)地準(zhǔn)備的蝕刻掩模產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的過(guò)程、或在隨后的過(guò)程中通過(guò)準(zhǔn)備僅用于定位于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模進(jìn)行的主要處理，而且問(wèn)題還在于在隨后的過(guò)程中的間接對(duì)準(zhǔn)使調(diào)整精度降低。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，包括在基片的表面上形成位于下面的硅層的過(guò)程；使用具有半色(halftone)區(qū)域的光掩模，在位于下面的硅層的表面上，形成多個(gè)抗蝕劑區(qū)域的過(guò)程，其中每個(gè)區(qū)域作為抗蝕圖具有不同的膜厚度，每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于多個(gè)彼此之間互不相同的圖形中的每個(gè)圖形；當(dāng)曝光位于下面的層時(shí)，至少一個(gè)除去抗蝕圖中具有最小的膜厚度的抗蝕劑區(qū)域的過(guò)程；通過(guò)使用抗蝕圖作為掩模蝕刻第一孔圖形，在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形的過(guò)程；以及在除去具有最小膜厚度且作為掩模的抗蝕劑區(qū)域后，使用抗蝕圖形成除對(duì)準(zhǔn)圖形外的圖形的過(guò)程。
在上述第一方面中，優(yōu)選模式是除在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程，其包括使用抗蝕圖作為掩模，通過(guò)使用除蝕刻的方法外的方法來(lái)制造的過(guò)程。
另一優(yōu)選的模式是除在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程，其包括使用抗蝕圖作為掩模的離子注入的過(guò)程。
再一優(yōu)選的模式是除在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程，其包括使用抗蝕圖作為掩模的蝕刻的過(guò)程。
另一優(yōu)選的模式是其中將透明的絕緣基片用作基片。
另一優(yōu)選的模式是其中將對(duì)準(zhǔn)圖形形成為抗蝕圖，在位于下面的硅層的表面上形成，以成為孔的圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，包括在基片的表面上形成位于下面的硅層的過(guò)程；使用具有半色區(qū)域的光掩模，在位于下面的硅層的表面上，形成多個(gè)抗蝕劑區(qū)域的過(guò)程，其中每個(gè)區(qū)域作為抗蝕圖具有不同的膜厚度，及每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于多個(gè)彼此之間互不相同的圖形中的每個(gè)圖形；當(dāng)曝光位于下面的層時(shí)，通過(guò)灰化方法除去抗蝕圖中具有最小的膜厚度的抗蝕劑區(qū)域的至少一個(gè)過(guò)程；通過(guò)使用抗蝕圖作為掩模蝕刻第一孔圖形，在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形的過(guò)程；以及在進(jìn)行灰化方法作為掩模后，使用抗蝕圖形成除對(duì)準(zhǔn)圖形外的圖形的過(guò)程。
在上述第二方面，優(yōu)選模式是其中除在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程，其包括使用抗蝕劑構(gòu)圖作為掩模，通過(guò)使用除蝕刻的方法外的方法來(lái)制造的過(guò)程。
另一優(yōu)選的模式是其中的除在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程，其包括使用抗蝕劑圖形作為掩模的離子注入的過(guò)程。
再一優(yōu)選的模式是其中的除在位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程，其包括使用抗蝕圖作為掩模的蝕刻的過(guò)程。
另一優(yōu)選的模式是其中將透明的絕緣基片用作基片。
另一優(yōu)選的模式是其中將對(duì)準(zhǔn)圖形形成為抗蝕圖，在位于下面的硅層的表面上形成，以成為孔的圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種用于在位于下面的硅層表面形成抗蝕劑圖形的方法，該硅層是在基片的表面形成的，該方法包括通過(guò)涂敷光致抗蝕劑來(lái)形成抗蝕劑層的過(guò)程；形成對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖部分、用于形成對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖部分的隨后過(guò)程的主構(gòu)圖部分、光透射掩模區(qū)、半色曝光區(qū)、以及在用于在抗蝕劑層上形成圖形的光掩模上的光截?cái)鄥^(qū)的過(guò)程；以及在形成的抗蝕劑層上，使用光掩模進(jìn)行曝光操作和顯影操作的過(guò)程，以產(chǎn)生多個(gè)具有不同膜厚度的抗蝕劑層和產(chǎn)生至少一個(gè)除去抗蝕劑的區(qū)域。
在上述第三方面中，優(yōu)選的模式是其中通過(guò)光透射掩模區(qū)產(chǎn)生至少一個(gè)除去抗蝕劑的區(qū)域，以作為孔的圖形。
利用上述配置，可通過(guò)使用具有最小膜厚度的抗蝕劑層部分，如光掩模、具有半色區(qū)域的半色掩模、以及通過(guò)在抗蝕劑層部分上進(jìn)行蝕刻過(guò)程來(lái)形成對(duì)準(zhǔn)圖形。
而且，由于能夠組合兩個(gè)或多個(gè)光致抗蝕劑的產(chǎn)生過(guò)程，因此實(shí)現(xiàn)了制造過(guò)程的簡(jiǎn)化，而且由于不需要多個(gè)光致抗蝕劑的定位調(diào)整，因此，進(jìn)一步提高了對(duì)準(zhǔn)精度。


通過(guò)以下結(jié)合附圖的描述，會(huì)使本發(fā)明的上述目的、優(yōu)點(diǎn)及特征更為顯而易見。
圖1A-1E是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法的橫截面圖；圖2A-2C是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的圖1C所示過(guò)程的詳細(xì)制造過(guò)程的圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜半導(dǎo)體器件的平面圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的同時(shí)形成對(duì)準(zhǔn)圖形和絕緣區(qū)域的圖形的圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的防止污染位于下面的硅層的過(guò)程的例子的圖；圖6A-6D是常規(guī)薄膜半導(dǎo)體器件的橫截面圖，以解釋制造的過(guò)程。
如圖1A所示的薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法中，在透明的、絕緣的玻璃基片11上形成絕緣膜，該絕緣膜由諸如二氧化硅的材料構(gòu)成，該絕緣膜具有約3000埃的厚度，并作為下面(下面涂敷的)的保護(hù)膜12。接下來(lái)，如圖1B所示，在位于下面的保護(hù)膜12的表面上，通過(guò)LP-CVD(低壓化學(xué)氣相淀積)或PE-CVD(等離子體-增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)方法，形成位于下面的由a-Si構(gòu)成的硅層13，其具有約600埃的厚度。在下面的保護(hù)膜12的表面上形成了作為下面的硅層13的a-Si后，對(duì)其進(jìn)行脫氫，使其氫含量在1％或以下。
以下參照?qǐng)D2A、2B和2C，描述圖1C所示的抗蝕劑層14a的形成方法。
首先，如圖2A所示，將厚度約為2μm的抗蝕劑層14涂敷在圖1B所示的位于下面的硅層13的上表面。然后，如圖2B所示，使用半色掩模20進(jìn)行曝光的過(guò)程。即，半色掩模20包括光截?cái)嘌谀２糠?1，其在進(jìn)行曝光過(guò)程后，保持了抗蝕劑層14的原始厚度；光透射掩模部分22，其在進(jìn)行曝光過(guò)程后，沒(méi)有保留抗蝕劑層14；以及半透明(以下簡(jiǎn)稱“半色”)掩模部分23，其保留了預(yù)定厚度的抗蝕劑層14，即，例如，在進(jìn)行曝光過(guò)程后，保留了抗蝕劑層14的中間厚度。
如圖2B所示，光透射掩模部分22用于形成圖3所示的對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖部分31。而且，圖2所示的半色掩模部分23用于在圖3所示的晶體管形成區(qū)32內(nèi)進(jìn)行離子摻雜操作。
如圖2C所示，在曝光和顯影的過(guò)程完成后，由于通過(guò)曝光除去了抗蝕劑層14的不需要的部分，因此形成了具有3級(jí)厚度的抗蝕劑層14a。即，抗蝕劑層14a包括光截圖形部分1a，其保留了抗蝕劑層14的原始厚度，光傳送圖形部分2a，其沒(méi)有保留抗蝕劑層14，以及半色構(gòu)圖部分3a，其保留了預(yù)定厚度的抗蝕劑層14。
雖然在進(jìn)行半色曝光操作的半色圖形部分3a上保留抗蝕劑層14a的厚度根據(jù)所采用的處理?xiàng)l件的不同而不同，但是，優(yōu)選地，在干蝕刻的情況下為3000?；蛞陨?，在濕蝕刻的情況下為1000埃或以上。
再參照?qǐng)D1A-1E，以下將進(jìn)一步描述薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法。如圖1C所示的薄膜半導(dǎo)體器件與圖2C所示的參照?qǐng)D2A-2C進(jìn)行描述的過(guò)程制造的半導(dǎo)體器件具有相同的橫截面結(jié)構(gòu)。
然后，如圖1D所示，使用抗蝕劑層14a作為掩模，在位于下面的硅層13上進(jìn)行干蝕刻操作，其中該硅層13僅在抗蝕劑層14a中的光傳送構(gòu)圖部分2a中曝光。結(jié)果，將位于下面的硅層13形成為具有對(duì)準(zhǔn)圖形4的位于下面的硅層13a。
其次，如圖1E所示，使用硼離子作為控制諸如N溝道晶體管的門限，在主圖形區(qū)域5的位于下面的硅層13a的曝光的部分上，進(jìn)行離子注入操作或離子摻雜操作，在該區(qū)域5中，通過(guò)灰化過(guò)程，已使抗蝕劑層14a的膜厚度從整體上減小，并已除去半色圖形部分中的抗蝕劑層14a。最后，通過(guò)除去抗蝕劑14b，在一個(gè)掩模過(guò)程中，形成了用于隨后過(guò)程的對(duì)準(zhǔn)掩模4和選擇性地注入硼的主圖形部分5。
在上述描述中，解釋了干蝕刻和N溝道晶體管的溝道區(qū)域的形成。但是，不必指出的是，除了干蝕刻以外，也可以使用濕蝕刻，以及也可以選擇性地將雜質(zhì)注入到P溝道晶體管的溝道區(qū)域，而不是N溝道晶體管。而且，本發(fā)明不應(yīng)局限于選擇性地注入晶體管雜質(zhì)的過(guò)程，而且可以應(yīng)用于選擇性地注入所有需要注入雜質(zhì)的器件的雜質(zhì)的過(guò)程。同樣，在半色構(gòu)圖部分中形成半色掩模部分，而且不僅可以應(yīng)用于摻雜過(guò)程，而且還可以應(yīng)用于第二蝕刻的過(guò)程。而且，在上述實(shí)施例中，使用a-Si作為位于下面的硅層的材料，但除a-Si外，同樣可以使用多晶硅。
接下來(lái)，通過(guò)參照?qǐng)D4來(lái)描述同時(shí)形成對(duì)準(zhǔn)圖形和絕緣區(qū)域的圖形的過(guò)程。在上述實(shí)施例中，本發(fā)明應(yīng)用于形成隨后過(guò)程所需的對(duì)準(zhǔn)圖形的過(guò)程，以及選擇性地注入雜質(zhì)的過(guò)程。但是本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)地形成對(duì)準(zhǔn)圖形和絕緣區(qū)域6的圖形。即，如圖4所示，由于能夠同時(shí)形成對(duì)準(zhǔn)圖形4和絕緣區(qū)域6的圖形，因此可以僅通過(guò)一個(gè)光致抗蝕劑涂敷過(guò)程實(shí)現(xiàn)包括形成對(duì)準(zhǔn)掩模、形成絕緣區(qū)域圖形和形成摻雜圖形的三個(gè)過(guò)程。第二實(shí)施例圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的防止污染位于下面的硅層的過(guò)程的例子的示例圖。
如圖5所示，通過(guò)使用LP-CVD或PE-CVD，在圖5和圖1B所示的玻璃基片11上形成的位于下面的硅層13的表面上形成由二氧化硅構(gòu)成的、具有約1000埃厚度的氧化膜15。通過(guò)在位于下面的硅層13上形成氧化膜15，可以防止由抗蝕劑層14a產(chǎn)生的對(duì)位于下面的硅層13的污染。
很明顯，本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例，而且在不背離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，存在許多變化與修改。例如，在上述描述中，將抗蝕劑層形成為三層結(jié)構(gòu)。但是，通過(guò)在光掩模形成半色區(qū)域來(lái)形成多層結(jié)構(gòu)，抗蝕劑層也可以是四層或更多層。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，包括在基片的表面上形成位于下面的硅層的過(guò)程；使用具有半色區(qū)域的光掩模，在所述位于下面的硅層的表面上，形成多個(gè)抗蝕劑區(qū)域的過(guò)程，其中每個(gè)區(qū)域作為抗蝕圖具有不同的膜厚度，而且每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于多個(gè)彼此之間互不相同的圖形中的每個(gè)圖形；當(dāng)曝光位于下面的層時(shí)，至少一個(gè)除去所述抗蝕圖中具有最小的膜厚度的抗蝕劑區(qū)域的過(guò)程；通過(guò)使用所述抗蝕圖作為掩模蝕刻第一孔圖形，在所述位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形的過(guò)程；以及在除去所述具有最小膜厚度且作為掩模的所述抗蝕劑區(qū)域后，使用抗蝕圖形成除所述對(duì)準(zhǔn)圖形外的圖形的過(guò)程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中除在所述位于下面的硅層上形成所述對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程包括使用所述抗蝕圖作為掩模，通過(guò)使用除蝕刻的方法外的方法來(lái)制造的過(guò)程。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中除在所述位于下面的硅層上形成所述對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程包括使用所述抗蝕圖作為掩模的離子注入的過(guò)程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中除在所述位于下面的硅層上形成所述對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程包括使用所述抗蝕圖作為掩模的蝕刻的過(guò)程。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一權(quán)利要求所述的制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中將透明的絕緣基片用作所述基片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中將對(duì)準(zhǔn)圖形形成為在所述位于下面的硅層的所述表面上形成的所述抗蝕圖，以成為孔的圖形。
7.一種制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，包括在基片的表面上形成位于下面的硅層的過(guò)程；使用具有半色區(qū)域的光掩模，在所述位于下面的硅層的表面上，形成多個(gè)抗蝕劑區(qū)域的過(guò)程，其中每個(gè)區(qū)域作為抗蝕圖具有不同的膜厚度，及每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于多個(gè)彼此之間互不相同的圖中的每個(gè)圖形；當(dāng)曝光位于下面的層時(shí)，通過(guò)灰化方法除去所述抗蝕劑構(gòu)圖中具有最小的膜厚度的抗蝕劑區(qū)的至少一個(gè)過(guò)程；通過(guò)使用所述抗蝕圖作為掩模蝕刻第一孔圖形，在所述位于下面的硅層上形成對(duì)準(zhǔn)圖形的過(guò)程；以及在進(jìn)行所述灰化方法作為掩模后，使用所述抗蝕圖形成除所述對(duì)準(zhǔn)圖形外的圖形的過(guò)程。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中除在所述位于下面的硅層上形成所述對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程包括使用所述抗蝕圖作為掩模，通過(guò)使用除蝕刻的方法外的方法來(lái)制造的過(guò)程。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中除在所述位于下面的硅層上形成所述對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程包括使用所述抗蝕圖作為掩模的離子注入的過(guò)程。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中除在所述位于下面的硅層上形成所述對(duì)準(zhǔn)圖形過(guò)程之外的過(guò)程包括使用所述抗蝕圖作為掩模的蝕刻的過(guò)程。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中將透明的絕緣基片用作所述基片。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，其中將對(duì)準(zhǔn)圖形形成為在所述位于下面的硅層的所述表面上形成的所述抗蝕圖，以成為孔的圖形。
13.一種用于在基片表面上形成的位于下面的硅層表面上形成抗蝕劑構(gòu)圖的方法，包括通過(guò)涂敷光致抗蝕劑來(lái)形成抗蝕劑層的過(guò)程；形成對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖部分、用于形成所述對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖部分的隨后過(guò)程的主構(gòu)圖部分、光透射掩模區(qū)、半色曝光區(qū)、以及在用于在所述抗蝕劑層上形成圖形的光掩模上的光截?cái)鄥^(qū)的過(guò)程；以及在形成的抗蝕劑層上，使用光掩模進(jìn)行曝光操作和顯影操作的過(guò)程，以產(chǎn)生多個(gè)具有不同膜厚度的抗蝕劑區(qū)域和具有至少一個(gè)除去抗蝕劑的區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的抗蝕劑構(gòu)圖形成方法，其中通過(guò)所述光透射掩模區(qū)產(chǎn)生至少一個(gè)所述除去抗蝕劑的區(qū)域，以作為孔的圖形。
全文摘要
一種制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，它能夠?qū)崿F(xiàn)制造過(guò)程的簡(jiǎn)化，并在不使用多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情況下，能夠提高對(duì)準(zhǔn)精度。通過(guò)使用具有多個(gè)區(qū)域的抗蝕劑層，形成對(duì)準(zhǔn)構(gòu)圖，每個(gè)所述多個(gè)區(qū)域具有對(duì)應(yīng)于多個(gè)圖形中每個(gè)圖形的不同的膜厚度，其中使用具有半色曝光區(qū)域作為掩模的半色掩模，并通過(guò)將光傳送區(qū)域形成為孔構(gòu)圖，以及通過(guò)蝕刻位于下面的硅層而產(chǎn)生所述圖形。通過(guò)使位于下面的硅層曝光，并將離子注入到整個(gè)抗蝕劑層，使只有主構(gòu)圖區(qū)域被摻雜了離子。
文檔編號(hào)H01L23/544GK1469429SQ0313729
公開日2004年1月21日 申請(qǐng)日期2003年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月4日
發(fā)明者高橋美朝 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社