專利名稱：具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種發(fā)光元件，尤其關(guān)于一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
發(fā)光元件的應(yīng)用頗為廣泛，例如，可應(yīng)用于光學(xué)顯示裝置、激光二極管、交通標(biāo)志、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置。在此技藝中，目前技術(shù)人員重要課題之一為如何提高發(fā)光元件的發(fā)光效率。
于美國專利公開第2002/0017652號(hào)中，公開一種具有埋藏式微反射結(jié)構(gòu)AlGalnP發(fā)光元件，如圖1所示，其利用蝕刻技術(shù)，將一發(fā)光元件的外延生長層(磊晶層)蝕刻成一微反射結(jié)構(gòu)，該微反射結(jié)構(gòu)包含半圓球形、金字塔形或角錐形等，接著沉積一金屬反射層于該外延生長層上，再將微反射結(jié)構(gòu)外延生長層的頂端與一導(dǎo)電載體(硅晶片)鍵結(jié)在一起，再移除原先外延生長層的不透明基板，使得射向該不透明基板的光線可以射出。該微反射結(jié)構(gòu)可將射向反射結(jié)構(gòu)的光線經(jīng)由反射帶出，以提高發(fā)光元件的亮度。由于該發(fā)光元件僅靠反射結(jié)構(gòu)的頂端與該載體局部相接合，接觸面積較小，此結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度不夠強(qiáng)，易造成接合面剝離。
另外，對外延生長層進(jìn)行蝕刻形成該微反射結(jié)構(gòu)，因此該外延生長層必須成長到足夠的厚度，否則蝕刻形成的微反射結(jié)構(gòu)，無法達(dá)成光反射的功能，但是厚外延生長層成長需花費(fèi)較長的時(shí)間，不僅耗時(shí)，成本也相對提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有一微反射結(jié)構(gòu)載體，該微反射結(jié)構(gòu)載體是利用蝕刻技術(shù)，將一載體蝕刻成具有微反射結(jié)構(gòu)的載體，該微反射結(jié)構(gòu)包含半圓球形、金字塔形或角錐形，再于該載體上形成一反射層，再利用一透明粘接層與一發(fā)光疊層粘接在一起；其中不需耗時(shí)進(jìn)行外延生長程序，僅利用一載體便可達(dá)到足夠的厚度來形成該特定幾何圖案，因此可達(dá)到降低成本，提升亮度的目的。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其利用該透明粘接層與發(fā)光疊層各面緊密接合，如此可以提升其機(jī)械強(qiáng)度，避免接合面剝離，簡化制程，增加信賴度。
依本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，包含一具有微反射結(jié)構(gòu)載體、形成于該具有微反射結(jié)構(gòu)載體上的一反射層、形成于該反射層上的一第一反應(yīng)層、形成于該第一反應(yīng)層上的一透明粘結(jié)層、形成于該透明粘結(jié)層上的一第二反應(yīng)層、形成于該第二反應(yīng)層上的一透明導(dǎo)電層，其中，該透明導(dǎo)電層的上表面包含一第一表面區(qū)域與一第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層、形成于該第二表面區(qū)域上的一第一接線電極、以及形成于該第二接觸層上的一第二接線電極。
前述的微反射結(jié)構(gòu)包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀；前述微反射結(jié)構(gòu)載體，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、Si、SiC、玻璃、BN、AlN或Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的透明氧化導(dǎo)電層包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的反射層包含選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn或AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一束縛層，包含選自AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述發(fā)光層，包含選自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二束縛層，包含選自AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二接觸層，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一接觸層，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述透明粘結(jié)層包含選自于聚酰亞胺(Pl)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一反應(yīng)層包含選自于SiNX、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二反應(yīng)層包含選自于SiNX、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。


圖1為一示意圖，顯示一現(xiàn)有技藝的埋藏式微反射器AlGaInP發(fā)光元件；圖2為一示意圖，顯示依本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件；圖3為一示意圖，顯示依本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件；以及圖4為一示意圖，顯示依本發(fā)明又一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件。
附圖中的附圖標(biāo)記說明如下1發(fā)光元件10微反射結(jié)構(gòu)載體11反射層 100第一反應(yīng)層101透明粘結(jié)層102第二反應(yīng)層12透明導(dǎo)電層 13第一接觸層14第一束縛層 15發(fā)光層16第二束縛層 17第二接觸層18第一接線電極 19第二接線電極2發(fā)光元件20微反射結(jié)構(gòu)載體21反射層 200第一反應(yīng)層201透明粘結(jié)層202第二反應(yīng)層203透明載體 22透明導(dǎo)電層23第一接觸層 24第一束縛層25發(fā)光層 26第二束縛層27第二接觸層 28第一接線電極29第二接線電極 3發(fā)光元件30微反射結(jié)構(gòu)載體 31反射層
300第一反應(yīng)層301透明導(dǎo)電粘結(jié)層302第二反應(yīng)層32透明導(dǎo)電層33第一接觸層 34第一束縛層35發(fā)光層 36第二束縛層37第二接觸層 38第一接線電極39第二接線電極具體實(shí)施方式
本發(fā)明人于思考如何解決前述的問題時(shí)，認(rèn)為若利用一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有一微反射結(jié)構(gòu)載體，該微反射結(jié)構(gòu)載體是利用蝕刻技術(shù)，將一載體蝕刻成具有微反射結(jié)構(gòu)的載體，再于該載體上形成一反射層，再利用一透明粘接層與一發(fā)光疊層粘接在一起。由于本發(fā)明不需成長厚的外延生長層便可利用該載體形成微反射結(jié)構(gòu)，因此可達(dá)到降低成本，提升亮度的目的。再者本發(fā)明以一透明粘接層將載體與發(fā)光疊層的一表面粘接在一起，而不是前述現(xiàn)有技藝僅靠反射器的頂端與載體局部相接合，因此更可解決結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度不夠強(qiáng)的缺點(diǎn)。
請參閱圖2，依本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件1，包含一微反射結(jié)構(gòu)載體10、形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體10上的一反射層11、形成于該反射層上的一第一反應(yīng)層100、形成于該第一反應(yīng)層上的一透明粘結(jié)層101、形成于該透明粘結(jié)層101上的一第二反應(yīng)層102、形成于該第二反應(yīng)層102上的一透明導(dǎo)電層12，其中，該透明導(dǎo)電層12的上表面包含一第一表面區(qū)域與一第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層13、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層14、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層15、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層16、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層17、形成于該第二表面區(qū)域上的一第一接線電極18、以及形成于該第二接觸層上的一第二接線電極19。前述的第一反應(yīng)層及第二反應(yīng)層的目的在于輔助該透明粘接層與反射層或透明導(dǎo)電層之間的結(jié)合力。
請參閱圖3，依本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件2，包含一微反射結(jié)構(gòu)載體20、形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體20上的一反射層21、形成于該反射層21上的一第一反應(yīng)層200、形成于該第一反應(yīng)層200上的一透明粘結(jié)層201、形成于該透明粘結(jié)層201上的一第二反應(yīng)層202、形成于該第二反應(yīng)層202上的一透明載體203、形成于該透明載體203上的一透明導(dǎo)電層22，其中，該透明導(dǎo)電層22的上表面包含一第一表面區(qū)域與一第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層23、形成于該第一接觸層23上的一第一束縛層24、形成于該第一束縛層24上的一發(fā)光層25、形成于該發(fā)光層25上的一第二束縛層26、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層27、形成于該第二表面區(qū)域上的一第一接線電極28、以及形成于該第二接觸層上的一第二接線電極29。前述的第一反應(yīng)層及第二反應(yīng)層的目的在于輔助該透明粘接層與反射層或第二載體之間的結(jié)合力。
請參閱圖4，依本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件3，包含一微反射結(jié)構(gòu)導(dǎo)電載體30、形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體30上表面上的一反射層31、形成于該反射層31上的一第一反應(yīng)層300、形成于該第一反應(yīng)層300上的一透明導(dǎo)電粘結(jié)層301、形成于該透明導(dǎo)電粘結(jié)層301上的一第二反應(yīng)層302、形成于該第二反應(yīng)層302上的一透明導(dǎo)電層32、形成于該透明導(dǎo)電層32上的一第一接觸層33、形成于該第一接觸層33上的一第一束縛層34、形成于該第一束縛層34上的一發(fā)光層35、形成于該發(fā)光層35上的一第二束縛層36、形成于該第二束縛層36上的一第二接觸層37、形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體下表面上的一第一接線電極38、以及形成于該第二接觸層37上的一第二接線電極39。前述的透明導(dǎo)電粘接層具有導(dǎo)電的功能；前述的第一反應(yīng)層及第二反應(yīng)層的目的在于輔助該透明導(dǎo)電粘接層與反射層或透明導(dǎo)電層之間的結(jié)合力，同時(shí)使其接合面形成歐姆接觸。
前述的三個(gè)實(shí)施例中，亦可于第二接線電極與第二接觸層之間形成一透明導(dǎo)電層；前述的微反射結(jié)構(gòu)包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀；前述微反射結(jié)構(gòu)載體，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、Si、SiC、玻璃、BN、AlN或Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述微反射結(jié)構(gòu)導(dǎo)電載體，包含選自Si、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、BN或AlN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述透明載體，包含選自于GaP、SiC、Al2O3或玻璃所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述反射層，包含選自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述的透明導(dǎo)電層包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一束縛層，包含選自AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述發(fā)光層，包含選自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二束縛層，包含選自AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二接觸層，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一接觸層，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一材料；前述透明粘結(jié)層包含選自于聚酰亞胺(Pl)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一反應(yīng)層包含選自于SiNX、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二反應(yīng)層包含選自于SiNX、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述透明導(dǎo)電粘結(jié)層包含選自于本征導(dǎo)電高分子(Intrinsically conducting polymer)或高分子中摻雜導(dǎo)電材質(zhì)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電材質(zhì)包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Au及Ni/Au所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
本發(fā)明的發(fā)光元件的應(yīng)用頗為廣泛，例如，可應(yīng)用于光學(xué)顯示裝置、激光二極管、交通標(biāo)志、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置。
雖然本發(fā)明的發(fā)光元件已以優(yōu)選實(shí)施例公開于上，但是本發(fā)明的范圍并不限于上述優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)以所附權(quán)利要求書所確定的為準(zhǔn)。因此本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍及精神的情況下，當(dāng)可做任何改變。
權(quán)利要求
1.一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，包含一微反射結(jié)構(gòu)載體；一反射層，形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體之上；一透明粘接層，形成于該反射層之上；以及一發(fā)光疊層，形成于該透明粘接層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中于該反射層與該透明粘接層之間還包含一第一反應(yīng)層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中于該透明粘接層與該發(fā)光疊層之間還包含一第二反應(yīng)層。
4.如權(quán)利要求1所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中于該發(fā)光疊層的同一正面形成一第一電極及一第二電極。
5.如權(quán)利要求1所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中分別于該發(fā)光疊層的正面及微反射結(jié)構(gòu)載體反面形成一第一電極及一第二電極。
6.一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，包含一微反射結(jié)構(gòu)載體；形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體上的一反射層；形成于該反射層上的一第一反應(yīng)層；形成于該第一反應(yīng)層上的一透明粘結(jié)層；形成于該透明粘結(jié)層上的一第二反應(yīng)層；形成于該第二反應(yīng)層上的一透明導(dǎo)電層，其中，該透明導(dǎo)電層的上表面包含一第一表面區(qū)域與一第二表面區(qū)域；形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；形成于該第二表面區(qū)域上的一第一接線電極；以及形成于該第二接觸層上的一第二接線電極。
7.一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，包含一微反射結(jié)構(gòu)載體；形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體上的一反射層；形成于該反射層上的一第一反應(yīng)層；形成于該第一反應(yīng)層上的一透明粘結(jié)層；形成于該透明粘結(jié)層上的一第二反應(yīng)層；形成于該第二反應(yīng)層上的一透明載體；形成于該透明載體上的一透明導(dǎo)電層，其中，該透明導(dǎo)電層的上表面包含一第一表面區(qū)域與一第二表面區(qū)域；形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；形成于該第二表面區(qū)域上的一第一接線電極；以及形成于該第二接觸層上的一第二接線電極。
8.一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，包含一微反射結(jié)構(gòu)導(dǎo)電載體；形成于該微反射結(jié)構(gòu)導(dǎo)電載體上的一反射層；形成于該反射層上的一第一反應(yīng)層；形成于該第一反應(yīng)層上的一透明導(dǎo)電粘結(jié)層；形成于該透明導(dǎo)電粘結(jié)層上的一第二反應(yīng)層；形成于該第二反應(yīng)層上的一透明導(dǎo)電層；形成于該透明導(dǎo)電層上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；形成于該微反射結(jié)構(gòu)載體下表面上的一第一接線電極；以及形成于該第二接觸層上的一第二接線電極。
9.如權(quán)利要求1、6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該微反射結(jié)構(gòu)形狀，包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀或其他可替代的形狀。
10.如權(quán)利要求1、6或7所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該微反射結(jié)構(gòu)載體，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、Si、SiC、玻璃、BN、AlN或Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其他可替代的材料。
11.如權(quán)利要求8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該微反射結(jié)構(gòu)導(dǎo)電載體，包含選自Si、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、BN或AlN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
12.如權(quán)利要求7所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該透明載體，包含選自于GaP、SiC、Al2O3或玻璃所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
13.如權(quán)利要求1、6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該反射層，包含選自Sn、Al、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
14.如權(quán)利要求1、6或7所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該透明粘結(jié)層包含選自于聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烷或過氟環(huán)丁烷所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
15.如權(quán)利要求2、6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該第一反應(yīng)層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
16.如權(quán)利要求3、6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該第二反應(yīng)層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
17.如權(quán)利要求8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該透明導(dǎo)電粘結(jié)層包含選自于本征導(dǎo)電高分子或高分子中摻雜導(dǎo)電材質(zhì)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
18.如權(quán)利要求17所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電材質(zhì)包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Au及Ni/Au所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。
19.如權(quán)利要求6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該第一束縛層，包含選自于AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其他可替代的材料。
20.如權(quán)利要求6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該發(fā)光層，包含選自于AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGAN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其他可替代的材料。
21.如權(quán)利要求6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該第二束縛層，包含選自于AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其他可替代的材料。
22.如權(quán)利要求6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該第一接觸層包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其他可替代的材料。
23.如權(quán)利要求6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該第二接觸層，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其他可替代的材料。
24.如權(quán)利要求6、7或8所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，還于該第二接線電極與該第二接觸層之間形成一透明導(dǎo)電層。
25.如權(quán)利要求6、7、8或24所述的一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，其中該透明導(dǎo)電層，包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
全文摘要
本發(fā)明公開一種具有微反射結(jié)構(gòu)載體的發(fā)光元件，該元件具有一微反射結(jié)構(gòu)的載體，藉由該微反射結(jié)構(gòu)的載體，將由發(fā)光層射向該載體的光反射后導(dǎo)出，以提高發(fā)光元件的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/00GK1976066SQ03156668
公開日2007年6月6日 申請日期2003年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月5日
發(fā)明者謝明勛, 劉文煌 申請人:晶元光電股份有限公司