專利名稱：具有芯片和載體的設(shè)置結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括芯片和芯片載體的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其中芯片適于借助于粘合部件附接到載體上的接觸表面。本發(fā)明還涉及一種位于具有創(chuàng)造性的設(shè)置結(jié)構(gòu)中的芯片，以及位于具有創(chuàng)造性的設(shè)置結(jié)構(gòu)中的載體。
背景技術(shù)：
功率放大器芯片(PA芯片)多數(shù)通過某些20μπι到ΙΟΟμπι銀環(huán)氧樹脂粘合劑附接于其載體處。這并不是理想的，因為銀環(huán)氧樹脂粘合劑的導(dǎo)熱性較低，其視類型而定通常在 7到65瓦/米 開(攝氏)(Wm-IK-I)的范圍內(nèi)。應(yīng)將這與針對銅的380Wm-lK_l、針對金的^OWm-IK-I以及針對銀的420Wm-lK-l進(jìn)行比較。粘合層厚的原因之一是因為芯片“浮” 在粘合劑上。解決增加用于將芯片附接到載體的粘合劑的導(dǎo)熱性的問題的一般方式是增加粘合劑中的銀含量、使用薄銀片，以及使用較薄的粘合層。然而，增加粘合劑中的銀含量也增加了成本且降低了粘合強(qiáng)度。通過常規(guī)粘合技術(shù)使兩個平坦表面彼此附接。這意味著芯片依據(jù)粘合劑的粘度而 “浮”在粘合劑上。不可能將芯片向下按壓過多，因為芯片相當(dāng)脆弱，且表面可能因芯片上的門區(qū)域處的氣橋(air-bridge)而敏感。通常，在裸片接合期間使用在邊緣上“抓取”芯片的芯片工具。載體可由不同材料制成，但許多時候，用于PA芯片的載體是鍍銀銅薄片。芯片的面向載體的一側(cè)通常鍍有薄金層。這意味著待彼此附接的兩個平坦表面由具有高導(dǎo)熱性的材料制成。芯片上的組件位于背對載體的一側(cè)，且芯片材料本身具有相對較差的導(dǎo)熱性，例如針對GaAs為55Wm-lK-l且針對硅為149Wm-lK_l。對于小于60GHz的操作頻率，芯片厚度/高度通常在ΙΟΟμπι的范圍內(nèi)。所述組件的部分(例如在PA的門區(qū)域處)產(chǎn)生熱量， 其將在芯片的面向載體的一側(cè)上形成熱點。
發(fā)明內(nèi)容
問題當(dāng)芯片借助于粘合部件附接到載體時在芯片與載體之間提供良好的熱接觸是成問題的。如果使用銀環(huán)氧樹脂粘合劑，那么維持良好的粘合強(qiáng)度、增加粘合劑的導(dǎo)熱性且同時因成本原因而降低粘合劑的銀含量是成問題的。在芯片與載體之間，尤其是在芯片上的任何熱點的區(qū)域中提供良好的導(dǎo)熱性和冷卻效應(yīng)也是成問題的。而且，促進(jìn)良好的熱接觸而不使附接到載體的芯片斷裂或損壞是成問題的。另一問題是針對高于60GHz的操作頻率為芯片(例如PA芯片)提供良好的熱接觸。
解決方案為了解決上文所指示問題中的一者或一者以上，且從上文所指示的本發(fā)明的領(lǐng)域的觀點來看，本發(fā)明教示將脊?fàn)钗锇仓糜谛酒c載體之間，所述脊?fàn)钗镞m于增加芯片與載體之間的熱接觸。建議將脊?fàn)钗锇仓糜谛酒拿嫦蜉d體的一側(cè)處的熱點的位置處。如果芯片包括分組在一起的若干單獨熱點，那么建議將脊?fàn)钗锇仓糜谛酒臒狳c群組的位置處。如果芯片包括若干單獨熱點，那么建議所述設(shè)置結(jié)構(gòu)包括若干脊?fàn)钗?，且芯片的每一熱點的位置處安置一個脊?fàn)钗?。本發(fā)明教示脊?fàn)钗锟蔀樾酒蜉d體的一部分。如果脊?fàn)钗锸切酒囊徊糠?，那么建議將脊?fàn)钗锷襄冇谛酒拿嫦蜉d體的一側(cè)上。此脊?fàn)钗锟?例如)在晶片級鍍敷于芯片上。如果脊?fàn)钗锸禽d體的一部分，那么建議將脊?fàn)钗锷襄冇谳d體的接觸表面上。在此情況下，還建議調(diào)整脊?fàn)钗锏拇笮?，使得在將芯片附接到載體期間，考慮可能的未對準(zhǔn)而向芯片上的熱點提供所需的熱接觸。如果脊?fàn)钗锸禽d體的一部分，且如果載體是鍍銀銅薄片，那么建議在最終銀鍍敷之前，通過銅板上的圖案鍍敷來弓I入所述脊?fàn)钗?。脊?fàn)钗锏母鞣N高度是可能的，且載體上的脊?fàn)钗锟?例如)由約20 μ m的圖案鍍敷層以及具有約5 μ m的厚度的銀鍍敷層形成。不管脊?fàn)钗锸切酒囊徊糠诌€是載體的一部分，本發(fā)明的一般原理在于脊?fàn)钗锏母叨壬孕∮谡澈喜考暮穸?，使得?dāng)芯片附接到載體時，脊?fàn)钗锱c載體或芯片之間形成較薄的粘合膜。一個所建議的實施例是脊?fàn)钗锏母叨缺日澈喜考暮穸刃? μ m到2 μ m。由于脊?fàn)钗飳⒃谛酒臒狳c處提供芯片與載體之間的增加的熱接觸，因此粘合部件上的導(dǎo)熱性要求不再那么至關(guān)重要，這意味著粘合部件可為不具有銀含量的環(huán)氧樹脂粘合劑，或銀環(huán)氧樹脂粘合劑，但在此情況下，具有低銀含量環(huán)氧樹脂粘合劑可為足夠的。本發(fā)明還建議有可能使用低傳導(dǎo)性粘合劑作為粘合部件。這將允許使用較薄的粘合層，同時維持粘合強(qiáng)度，且不具有高銀含量的費用。本發(fā)明非常適合與需要與載體的良好熱接觸的組件(例如功率放大器芯片(PA芯片))一起使用，在此情況下，可通過對脊?fàn)钗锏陌仓靡蕴峁π酒拈T區(qū)域的冷卻。本發(fā)明還涉及一種包括如上文所述的一個或若干個脊?fàn)钗锏男酒?，以及一種包括如上文所述的一個或若干個脊?fàn)钗锏妮d體。優(yōu)點根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置結(jié)構(gòu)-芯片和載體的優(yōu)點是本發(fā)明將提供芯片與芯片的載體之間的較好導(dǎo)熱性，尤其是在芯片的熱點區(qū)域中，從而實現(xiàn)需要良好冷卻條件的組件(例如PA芯片)的較好冷卻。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置結(jié)構(gòu)-芯片或載體還將對芯片與載體之間所使用的粘合部件的導(dǎo)熱性提出較低要求，這將允許使用較低廉的粘合部件，且當(dāng)不存在對粘合部件中的高銀含量的要求時，還有可能使用較薄的粘合部件，且所有這些與背景技術(shù)中已知的情況相比具有得以維持或甚至增加的粘合強(qiáng)度。根據(jù)本發(fā)明的實例實施例與當(dāng)前技術(shù)水平相比要求較少的壓縮力來實現(xiàn)良好或極佳的熱接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，近似具有50 μ m的厚度的60GHz到70GHz (或更高)的實例芯片被高效地冷卻，且在組裝過程中具有降低的斷裂風(fēng)險。
現(xiàn)在將參看附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置結(jié)構(gòu)-芯片和載體，附圖中圖1是位于芯片與載體之間的脊?fàn)钗锏氖疽庑郧液喕恼f明，在此實施例中，將脊?fàn)钗镎故緸樾酒囊徊糠?，圖2是作為芯片的部分的若干脊?fàn)钗锏氖疽庑郧液喕恼f明，圖3是作為載體的一部分的脊?fàn)钗锏氖疽庑郧液喕恼f明，圖4是可如何將脊?fàn)钗镥兎笥谳d體上的示意性且簡化的說明，圖5是可如何設(shè)計脊?fàn)钗锏某叽绲氖疽庑郧液喕恼f明，以及圖6是作為載體的部分的若干脊?fàn)钗锏氖疽庑郧液喕恼f明。
具體實施例方式現(xiàn)在將參看圖1描述本發(fā)明，圖1展示了設(shè)置結(jié)構(gòu)A，其包括芯片1和芯片的載體 2，其中芯片1適于借助于粘合部件3附接到載體2上的接觸表面21。該圖還展示了屬于芯片1的接地盤12。應(yīng)理解，各圖僅僅是本發(fā)明的簡化表示，其中尺寸不一定對應(yīng)于真實組件的尺寸。本發(fā)明具體教示了如下特征將脊?fàn)钗?安置于芯片1與載體2之間，其中脊?fàn)钗?4用于增加芯片1與載體2之間的熱接觸。此增加的熱接觸是通過當(dāng)芯片附接到載體時，芯片1與載體2之間在脊?fàn)钗?的區(qū)域中的小得多的距離來實現(xiàn)的。由此實現(xiàn)的一個可能令人驚訝的實例特征是盡管物理接觸表面減小，但歸因于熱接觸的特性，導(dǎo)熱性可增加。本發(fā)明教示了 將脊?fàn)钗?安置于芯片的面向載體的一側(cè)13處的熱點11的位置處。熱點11來自芯片1中存在的組件的熱或暖部分5。圖1展示了一個熱點，且應(yīng)理解，如果芯片包括分組在一起的若干個單獨熱點，那么這些熱點將看似一個熱點11，且脊?fàn)钗?將位于看似一個熱點11的此熱點群組的位置處。圖2展示了以下實例其中芯片1包括歸因于組件的若干個熱或暖部分5、5'、 5"而導(dǎo)致的若干個單獨熱點11、11'、11"，在此情況下，建議設(shè)置裝置A包括若干個脊?fàn)钗?、4'、4〃，且芯片的每一熱點的位置處安置一個脊?fàn)钗?。圖1和圖2展示了一個實施例，在該實施例中，脊?fàn)钗?或脊?fàn)钗?、4'、4"為芯片1的一部分。在此情況下，建議脊?fàn)钗?上鍍敷于芯片1的面向載體2的一側(cè)13上。將脊?fàn)钗?4鍍敷到芯片1的一種可能方式是在晶片級將脊?fàn)钗?鍍敷于芯片1上。圖3展示了一個替代實施例，其中脊?fàn)钗?是載體2的一部分。載體2上的脊?fàn)钗?可以不同方式制成，且一個所建議的實施例是將脊?fàn)钗?上鍍敷于載體2的接觸表面21上。當(dāng)芯片1附接到載體2時，芯片到載體的安置位置存在某一不確定性。在這種不確定性下，芯片可能在任何位置附接時都會出現(xiàn)未對齊的情況，為了對這種情況下的芯片提供良好的熱接觸，建議調(diào)整脊?fàn)钗?的大小，這樣，可以考慮到在將芯片1附接到載體2 期間可能出現(xiàn)的未對齊情況，為芯片1上的熱點提供所需的熱接觸。圖4展示了載體2為鍍銀22的銅薄片23的實例，在此情況下，建議在最終銀鍍敷 22之前，通過銅板上的圖案鍍敷41來引入脊?fàn)钗?。脊?fàn)钗锏乃ㄗh大小或高度為25 μ m，在此情況下，如果圖案鍍敷層的厚度約為 20 μ m,且銀鍍敷層具有約5 μ m的厚度，那么將實現(xiàn)所述所建議的大小或高度。 顯然脊?fàn)钗镏谱鰰r可以有不同的高度，且如圖5所示不管脊?fàn)钗?是芯片的一部分還是載體的一部分，且不管高度如何，均建議脊?fàn)钗?的高度h稍小于粘合部件3的厚度 t，從而允許粘合部件3的較薄部分t'保持在脊?fàn)钗?與相對部分6之間，如果脊?fàn)钗锸切酒囊徊糠?，那么相對部?是載體，且如果脊?fàn)钗锸禽d體的一部分，那么相對部分6是芯片。這意味著脊?fàn)钗?與相對部分6將不具有機(jī)械接觸，從而限制在芯片附接到載體時芯片的斷裂風(fēng)險。粘合部件3的此剩余部分3'可具有不同厚度，視對導(dǎo)熱性的要求而定。如果需要較高的導(dǎo)熱性，那么有可能將粘合部件3的非常薄的部分3'留在脊?fàn)钗?與相對部分6 之間，如果(例如)脊?fàn)钗锏母叨萮比粘合部件3的厚度t小1 μ m到2 μ m,那么情況將是如此。建議粘合部件3為環(huán)氧樹脂粘合劑，且如果需要，則為銀環(huán)氧樹脂粘合劑，在此情況下，較低銀含量的環(huán)氧樹脂粘合劑可能就已足夠。本發(fā)明允許使用作為低傳導(dǎo)性粘合劑的粘合部件3。本發(fā)明非常適合與上面存在需要其熱點11的良好冷卻的組件的芯片1(例如功率放大器芯片(PA芯片))一起使用，在此情況下，可通過安置脊?fàn)钗飦硖峁π酒拈T區(qū)域的冷卻。在典型的PA芯片上，門具有約150x 800 μ m的面積，且由門散布的熱量將產(chǎn)生具有約350x 1000 μ m的面積的熱點。這意味著用于提供此熱點的冷卻的脊?fàn)钗?在安置于芯片1上時將具有350x IOOOym的面積，然而，在安置于載體2上時，脊?fàn)钗?將稍大，例如500x 1200 μ m，從而也將芯片1的可能未對準(zhǔn)考慮在內(nèi)。應(yīng)理解，這僅僅是一個實例，且熟練的技術(shù)人員認(rèn)識到，必須計算脊?fàn)钗锏谋砻娣e和高度，且使其適于本發(fā)明的特定實施方案，其中脊?fàn)钗?的面積取決于熱點11的面積，熱點11的面積取決于芯片1上的實際組件，且脊?fàn)钗?的高度h取決于粘合部件3的厚度t。重新參看圖1，其展示了本發(fā)明還涉及用于借助于粘合部件3附接到載體2上的接觸表面21的芯片1。本發(fā)明的芯片1包括安置于面向載體2的一側(cè)13上的脊?fàn)钗?，且脊?fàn)钗?用于增加芯片1與載體2之間的熱接觸。為了優(yōu)化此增加的熱接觸的效應(yīng)，建議將脊?fàn)钗?安置于芯片1的熱點11的位置處。如果芯片包括分組在一起的若干單獨熱點(其可被視為一個熱點11)，那么在此情況下建議將脊?fàn)钗?安置于芯片的熱點群組11的位置處。
圖2展示還有可能使用若干個不同脊?fàn)钗?、4'、4"，且如果芯片包括若干個單獨熱點11、11'、11〃，那么建議在芯片1的每一熱點11、11'、11〃的位置處安置一個脊?fàn)钗?4、4' 、4"?？梢圆煌绞皆谛酒?上制作脊?fàn)钗铮乙环N所建議的在芯片上制作脊?fàn)钗锏姆绞绞菍⒓範(fàn)钗?上鍍敷于芯片1的經(jīng)調(diào)整為面向載體2的一側(cè)13上。有可能在晶片級將脊?fàn)钗镥兎笥谛酒?上。如圖5中所指示，建議脊?fàn)钗?的高度h稍小于所使用的粘合部件3的厚度t，例如有可能將脊?fàn)钗镏谱鳛槭沟眉範(fàn)钗锏母叨缺人褂玫恼澈喜考暮穸刃? μ m到2 μ m， 這將提供非常好的導(dǎo)熱性，即使粘合部件將為低傳導(dǎo)性粘合劑時也是如此。如果芯片1具有需要良好冷卻的組件，例如功率放大器芯片(PA芯片)，那么建議通過安置脊?fàn)钗飦硖峁π酒拈T區(qū)域的冷卻。重新參看圖3，其展示本發(fā)明還涉及適于為芯片1借助于粘合部件3的附接提供接觸表面21的載體2，所述載體2包括位于接觸表面21上的脊?fàn)钗?，其中脊?fàn)钗?適于增加載體2與芯片1之間的熱接觸。建議將脊?fàn)钗?安置于當(dāng)將芯片1附接到載體2時芯片1的面向載體2的一側(cè)13 處的熱點11將位于的位置處。如果芯片包括分組在一起的若干個單獨的熱點，那么這可視為一個熱點11，且脊?fàn)钗?可位于載體2處在芯片的熱點群組的位置上。圖6展示還有可能芯片1包括若干個單獨熱點11、11'、11"，在此情況下，建議載體2包括若干個脊?fàn)钗?、4'、4〃，且在芯片1的每一熱點11、1Γ、11"的位置處安置一個脊?fàn)钗?。如圖4中所說明，建議在載體2上制作脊?fàn)钗?的一種方式是將脊?fàn)钗?上鍍敷 41于載體2的接觸表面上。建議調(diào)整載體2上的脊?fàn)钗?的大小，使得在將芯片1附接到載體2期間，考慮可能的未對準(zhǔn)而向芯片1上的熱點11提供所需的熱接觸。如果載體2是鍍銀銅薄片23，那么引入脊?fàn)钗?的一種可能方式是在最終銀鍍敷 22之前將脊?fàn)钗?圖案鍍敷41于銅板23上。建議圖案鍍敷層的厚度可為約20 μ m,且銀鍍敷層可具有約5 μ m的厚度，這將提供具有約25 μ m的高度的脊?fàn)钗?。圖5展示不管高度如何，建議脊?fàn)钗?的高度h稍小于所使用的粘合部件3的厚度t。舉例來說，脊?fàn)钗锏母叨瓤杀日澈喜考暮穸刃ym到2μπι。將理解，本發(fā)明不限于前面所描述并說明的本發(fā)明的示范實施例，且可在如所附權(quán)利要求書中所說明的發(fā)明性概念的范圍內(nèi)做出修改。
權(quán)利要求
1.一種包括芯片和所述芯片的載體的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其中所述芯片適于借助于粘合部件附接到所述載體上的接觸表面，所述設(shè)置結(jié)構(gòu)的特征在于脊?fàn)钗镂挥谒鲂酒c所述載體之間，且所述脊?fàn)钗镉糜谠黾铀鲂酒c所述載體之間的熱接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗镂挥谒鲂酒拿嫦蛩鲚d體的一側(cè)的熱點的位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片包括分組在一起的若干個單獨熱點，且所述脊?fàn)钗镂挥谒鲂酒乃鰺狳c群組的位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片包括若干個單獨熱點，所述設(shè)置結(jié)構(gòu)包括若干個脊?fàn)钗?，且在所述芯片的每一熱點的位置處安置一個脊?fàn)钗铩?br>
5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锸撬鲂酒囊徊糠帧?br>
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锷襄兎笥谒鲂酒拿嫦蛩鲚d體的所述側(cè)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗镆言诰夊兎笥谒鲂酒稀?br>
8.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锸撬鲚d體的一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锷襄兎笥谒鲚d體的所述接觸表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锝?jīng)調(diào)整大小，使得在將所述芯片附接到所述載體期間，考慮可能的未對準(zhǔn)而向所述芯片上的熱點提供所需的熱接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求8到10中任一權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述載體為鍍銀銅薄片，且所述脊?fàn)钗锸窃谧罱K銀鍍敷之前通過所述銅板上的圖案鍍敷而引入。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述圖案鍍敷層的厚度約為20μ m, 且所述銀鍍敷層具有約5 μ m的厚度。
13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锏母叨壬孕∮谒稣澈喜考暮穸取?br>
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锏母叨缺人稣澈喜考暮穸刃ym至Ij 2μ 0
15.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述粘合部件為環(huán)氧樹脂粘合劑。
16.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述粘合部件為銀環(huán)氧樹脂粘合劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述粘合部件為低銀含量環(huán)氧樹脂粘合劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求15到17中任一權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述粘合部件為低傳導(dǎo)性粘合劑。
19.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片為功率放大器芯片(PA芯片)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)置結(jié)構(gòu)，其特征在于所述脊?fàn)钗锝?jīng)安置以提供對所述芯片的門區(qū)域的冷卻。
21.一種具有包括以下各項中的至少一者的表面的裝置 脊?fàn)钗?，峰，以及樁，其中脊?fàn)钗?、峰以及樁中的至少一者的尺寸對?yīng)于以下各項中的至少一者 所述裝置的脆性， 粘合層的厚度，以及粘合劑的粘度。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述表面為包括脊?fàn)钗?、峰以及樁中的所述至少一者的平面表面?br>
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述裝置為射頻RF裝置或微波裝置。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述裝置適合于大于60GHz的操作頻率。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述裝置適合于大于70GHz的操作頻率。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述裝置為以下各項中的至少一者 電子芯片，電子芯片的載體。
27.一種根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置以及用于提供在所述裝置與附接的接觸表面之間包括熱接觸橋的結(jié)合的粘合劑的用法。
28.一種適于借助于粘合部件附接到載體上的接觸表面的芯片，其特征在于所述芯片包括位于面向所述載體的一側(cè)上的脊?fàn)钗?，且所述脊?fàn)钗镞m于增加所述芯片與所述載體之間的熱接觸。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的芯片，其特征在于所述脊?fàn)钗锇仓糜谒鲂酒臒狳c的位置處。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的芯片，其特征在于所述芯片包括分組在一起的若干個單獨熱點，且所述脊?fàn)钗镂挥谒鲂酒乃鰺狳c群組的位置處。
31.根據(jù)權(quán)利要求四所述的芯片，其特征在于所述芯片包括若干個單獨熱點，所述芯片包括若干個脊?fàn)钗铮以谒鲂酒拿恳粺狳c的位置處安置一個脊?fàn)钗铩?br>
32.根據(jù)權(quán)利要求觀到31中任一權(quán)利要求所述的芯片，其特征在于所述脊?fàn)钗锷襄兎笥谒鲂酒慕?jīng)調(diào)整為面向所述載體的所述側(cè)上。
33.根據(jù)權(quán)利要求觀或32中任一權(quán)利要求所述的芯片，其特征在于所述脊?fàn)钗镆言诰夊兎笥谒鲂酒稀?br>
34.根據(jù)權(quán)利要求觀到32中任一權(quán)利要求所述的芯片，其特征在于所述脊?fàn)钗锏母叨壬孕∮谒稣澈喜考暮穸取?br>
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的芯片，其特征在于所述脊?fàn)钗锏母叨缺人稣澈喜考暮穸刃? μ m至Ij 2 μ m0
36.根據(jù)權(quán)利要求觀到35中任一權(quán)利要求所述的芯片，其特征在于所述芯片為功率放大器芯片(PA芯片)。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的芯片，其特征在于所述脊?fàn)钗锝?jīng)安置以提供對所述芯片的門區(qū)域的冷卻。
38.一種適于為芯片借助于粘合部件的附接提供接觸表面的載體，其特征在于所述載體包括位于所述接觸表面上的脊?fàn)钗?，且所述脊?fàn)钗镞m于增加所述載體與所述芯片之間的熱接觸。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的載體，其特征在于所述脊?fàn)钗镂挥谒鲂酒拿嫦蛩鲚d體的一側(cè)的熱點的位置處。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的載體，其特征在于如果所述芯片包括分組在一起的若干個單獨熱點，那么所述脊?fàn)钗镂挥谒鲂酒乃鰺狳c群組的位置處。
41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的載體，其特征在于如果所述芯片包括若干個單獨熱點，那么所述載體包括若干個脊?fàn)钗?，且在所述芯片的每一熱點的位置處安置一個脊?fàn)钗铩?br>
42.根據(jù)權(quán)利要求38到41中任一權(quán)利要求所述的載體，其特征在于所述脊?fàn)钗锷襄兎笥谒鲚d體的所述接觸表面上。
43.根據(jù)權(quán)利要求38到42中任一權(quán)利要求所述的載體，其特征在于所述脊?fàn)钗锝?jīng)調(diào)整大小，使得在將所述芯片附接到所述載體期間，考慮可能的未對準(zhǔn)而向所述芯片上的熱點提供所需的熱接觸。
44.根據(jù)權(quán)利要求38到43中任一權(quán)利要求所述的載體，其特征在于所述載體為鍍銀銅薄片，且所述脊?fàn)钗锸窃谧罱K銀鍍敷之前在所述銅板上引入的圖案鍍敷層。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的載體，其特征在于所述圖案鍍敷層的厚度約為20μ m,且所述銀鍍敷層具有約5 μ m的厚度。
46.根據(jù)權(quán)利要求38到45中任一權(quán)利要求所述的載體，其特征在于所述脊?fàn)钗锏母叨壬孕∮谒稣澈喜考暮穸取?br>
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的載體，其特征在于所述脊?fàn)钗锏母叨缺人稣澈喜考暮穸刃? μ m至Ij 2 μ m0
全文摘要
本發(fā)明揭示芯片(1)和所述芯片的載體(2)，其中脊?fàn)钗?4)位于所述芯片(1)與所述載體(2)之間，所述脊?fàn)钗?4)適于增加所述芯片(1)與所述載體(2)之間的熱接觸。實例用法是借助于粘合部件(3)附接到所述載體(2)的接觸表面(21)。
文檔編號H01L23/485GK102473691SQ201080030026
公開日2012年5月23日 申請日期2010年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月28日
發(fā)明者雷夫·貝里斯泰特 申請人:華為技術(shù)有限公司