專利名稱：固體電解電容器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠提高耐電壓和抑制反流(refow)后的LC變化的固體電解電容器的制造方法。此外，本發(fā)明涉及能夠制備靜電容量高的固體電解電容器的固體電解電容器的制造方法。
背景技術(shù)：
對于使用鉭或鋁等這種具有閥作用的金屬的電解電容器，使作為陽極側(cè)對向電極的閥作用金屬成為燒結(jié)體或蝕刻箔等的形狀，將電介質(zhì)擴面化，由此可以實現(xiàn)小型而大電容的電容器，因此通常被廣泛地使用。特別是使用固體電解質(zhì)用作電解質(zhì)的固體電解電容器，除了小型、大電容、低等值串聯(lián)電阻等方面以外，還具有容易芯片化、適于表面安裝等特性，因此其成為實現(xiàn)電子器械的小型化、高功能化、低成本化所不可缺少的元素。
關(guān)于這種固體電解電容器，作為小型、大電容的用途，一般具有下述的結(jié)構(gòu)在由鋁等閥作用金屬形成的陽極箔和陰極箔之間插入隔離板，然后將其環(huán)繞起來形成電容器元件，將驅(qū)動用電解液浸漬到該電容器元件中，將電容器元件容納在鋁等的金屬制殼體或合成樹脂制殼體中，進行密封。另外，作為陽極材料，以鋁為代表，還可以使用鉭、鈮、鈦等，陰極材料使用和陽極材料相同的金屬。
此外，作為用于固體電解電容器的固體電解質(zhì)，已知的有二氧化錳和7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)絡(luò)合物，近年來，還出現(xiàn)了著眼于反應(yīng)速度緩慢、并且與陽極電極的氧化膜層的密合性優(yōu)良的聚亞乙基二氧噻吩(以下記作PEDT)等導(dǎo)電性聚合物的技術(shù)(特開平2-15611號公報)。
在該環(huán)繞型的電容器元件中形成由PEDT等導(dǎo)電性聚合物組成的固體電解質(zhì)層的這種類型的固體電解電容器是如下所示制作的。首先，由鋁等閥作用金屬形成的陽極箔的表面通過在氯化物水溶液中的電化學(xué)蝕刻處理而使其表面粗糙化，形成多個蝕刻坑后，在硼酸銨等的水溶液中加以電壓形成作為電介質(zhì)的氧化膜層(化成)。和陽極箔同樣地，陰極膜也是由鋁等閥作用金屬形成的，但是僅對其表面進行蝕刻處理。
如此，在表面形成了氧化膜層的陽極箔和僅形成蝕刻坑的陰極箔之間，插入隔離板環(huán)繞起來形成電容器元件。接著，將3，4-亞乙基二氧噻吩(以下記作EDT)等聚合性單體和氧化劑溶液分別噴出至實施了修復(fù)化成的電容器元件上，或者將其浸漬在這兩者的混合液中，促進電容器元件內(nèi)的聚合反應(yīng)，生成由PEDT等導(dǎo)電性聚合物形成的固體電解質(zhì)層。然后，將該電容器元件收容在有底筒狀的外裝殼體中，用封口橡膠將殼體的開口部密封，制成固體電解電容器。
另外，近年來，上述這種固體電解電容器還被用于車載的用途。通常車載用電路的驅(qū)動電壓為12V，因此對于固體電解電容器需要有25V的高耐電壓。
以往，為了制備這種高耐電壓品，一直使用以下的方法。即，通過使箔Vfs提高到16WV，耐壓不斷提高，但在20W以上，由于依存于箔Vfs的形式，多發(fā)生短路，因此耐電壓的提高困難。因此，本發(fā)明者等對這點進行了研究，其結(jié)果推定原因在于氧化劑在箔上的加成和聚合物耐壓自身的限度(平均為20V左右)。因此，通過改變聚合物和氧化劑的配合比的方法、改善隔離板，在20W和25W的制品化方面取得成功。
但是，即使使用上述的方法，實現(xiàn)近年來開發(fā)要求提高的30W、35W是困難的。
此外，除了上述的問題外，在現(xiàn)有的固體電解電容器中還存在以下的問題。
即，近年來電子信息機器數(shù)字化，而且作為這些電子信息機器的心臟部的微處理器(MPU)的驅(qū)動頻率的高速化在不斷發(fā)展。與其相伴，電力消費不斷增大化，發(fā)熱產(chǎn)生的可靠性的問題日益明顯化，作為其對策已實現(xiàn)了驅(qū)動電壓的降低化。
為了實現(xiàn)上述驅(qū)動電壓的降低化，廣泛使用稱作電壓控制模塊的DC-DC轉(zhuǎn)換器作為向微處理器供給高精度電力的電路，在其輸出側(cè)電容器中多數(shù)使用用于防止電壓降低的ESR低的電容器。作為具有該低ESR特性的電容器，上述的固體電解電容器已實現(xiàn)了使用化，多被加以使用。
但是，微處理器的驅(qū)動頻率的高速化顯著，與其相伴消費電力進一步增大，為了對其進行應(yīng)對，要求來自用于防止電壓降低的電容器的供給電力進一步增大化。即，必須能夠以短時間供給大電力，因此對于固體電解電容器，在要求大容量化、小型化、低電壓化的同時，還要求具有優(yōu)異的ESR特性。
該問題并不限于使用EDT作為聚合性單體的情況，在使用其他的噻吩衍生物、吡咯、苯胺等的情況下也同樣地產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第1目的在于提供能夠提高耐電壓和抑制反流后的LC變化的固體電解電容器的制造方法。
本發(fā)明的第2目的在于提供能夠制備靜電容量高的固體電解電容器的固體電解電容器的制造方法。
本發(fā)明所涉及的第1的固體電解電容器的制造方法，通過將電容器元件修復(fù)化成后，將該電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅濃度為2-10wt％的酮類溶液中，然后使聚合性單體和氧化劑含浸，形成由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成的固體電解質(zhì)層，從而可以形成阻截電子的皮膜，因此可以制備可以提高耐電壓和抑制反流后的LC變化的固體電解電容器。
此外，本發(fā)明所涉及的第2的固體電解電容器的制造方法，通過將電容器元件修復(fù)化成后，將該電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅濃度為0.05wt％以上、不足2.0wt％的酮類溶液中，然后使聚合性單體和氧化劑含浸，形成由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成的固體電解質(zhì)層，從而可以形成具有粘接性能的聚酰亞胺硅層，因此可以制備靜電容量優(yōu)異的固體電解電容器。


圖1是表示噻吩衍生物的結(jié)構(gòu)式的圖，圖2是比較本發(fā)明品和以往例的耐電壓的圖，圖3是表示添加的聚酰亞胺硅的濃度和容量的關(guān)系的圖，圖4是表示添加的聚酰亞胺硅的濃度和ESR的關(guān)系的圖，圖5是表示添加的聚酰亞胺硅的濃度和反流前后的LC的舉動的圖。
具體實施例方式
(A)第1實施方式(提高耐電壓和抑制反流后的LC變化)本發(fā)明者們?yōu)榱藢崿F(xiàn)上述第1目的的固體電解電容器的提高耐電壓和抑制反流后的LC變化，進行了認真的研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明者們著眼于電傳導(dǎo)機構(gòu)，對于導(dǎo)電性聚合物等的固體電解質(zhì)中的電傳導(dǎo)進行了研究。
一般而言，電子放出大致分為電子的隧道電子和電位屏蔽的飛躍(不依存于皮膜破損的電子的飛躍)兩種，固體電解電容器中的漏電流被認為不是短路狀態(tài)而是由于電位屏蔽的飛躍引起的。
此外，作為反流后的LC的上升原因，被認為是氣體產(chǎn)生所引起的反流中的機械應(yīng)力(stress)(物理應(yīng)力)和化學(xué)應(yīng)力(氧化劑的加成、電子的飛躍等)。
即，在固體電解電容器的高耐壓化中，短路是電子增大，變成雪崩狀態(tài)，成為隧道狀態(tài)，在反流中的LC的上升中，由于不是由于絕緣破損而由于電子的飛躍，在兩者中共通的是電子。因此，認為通過將電子阻截，抑制電位屏蔽的飛躍，可以實現(xiàn)高耐壓化、抑制反流中的LC的上升。
以這些見識為基礎(chǔ)，本發(fā)明者們對于能夠防止電位屏蔽的飛躍的方法進行了各種研究，發(fā)現(xiàn)通過使用聚酰亞胺硅，可以提高制品的耐壓，抑制反流后的LC上升。
(A-1)固體電解電容器的制造方法第1實施方式中的固體電解電容器的制造方法如下所述。即在表面形成了氧化膜層的陽極箔和陰極箔之間，插入隔離板，進行環(huán)繞形成電容器元件，對該電容器元件實施修復(fù)化成。然后，將該電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅的10wt％以下、優(yōu)選2.0-9wt％、更優(yōu)選5-8wt％的溶解于酮類溶劑中所得溶液中，取出后在40-100℃下使溶劑蒸發(fā)，然后在150-200℃下進行熱處理。濃度如果不足該范圍，耐壓不充分，如果超過該范圍，靜電容量降低。
接著，將該電容器元件浸漬在聚合性單體和氧化劑的混合液中，在電容器元件內(nèi)發(fā)生導(dǎo)電性聚合物的聚合反應(yīng)，形成固體電解質(zhì)層。然后，將該電容器元件裝入至外殼框體中，用封口橡膠將開口端部密封，形成固體電解電容器。
(A-2)聚酰亞胺硅作為溶解聚酰亞胺硅的溶劑，優(yōu)選聚酰亞胺硅的溶解性良好的酮類溶劑，可以使用環(huán)己酮、丙酮、甲基乙基酮等。
此外，聚酰亞胺硅溶液的濃度為2-10wt％，優(yōu)選為2.0-9wt％，更優(yōu)選為5-8wt％。
(A-3)EDT和氧化劑當(dāng)用EDT作為聚合性單體時，作為含浸到電容器元件中的EDT，可以使用EDT單體，也可以使用將EDT和揮發(fā)性溶劑以1∶0～1∶3的體積比混合的單體溶液。
作為上述揮發(fā)性溶劑，可以使用戊烷等烴類、四氫呋喃等醚類、甲酸乙酯等酯類、丙酮等酮類、甲醇等醇類、乙腈等氮化合物等，其中優(yōu)選甲醇、乙醇、丙酮等。
此外，作為氧化劑，可以使用溶解于乙醇的對甲苯磺酸鐵、過碘酸或碘酸的水溶液，氧化劑相對于溶劑的濃度優(yōu)選為40～65重量％，更優(yōu)選為45～57重量％。氧化劑相對于溶劑的濃度越高，ESR越減低。另外，作為氧化劑的溶劑，可以使用上述單體溶液中所使用的揮發(fā)性溶劑，其中優(yōu)選乙醇。認為乙醇是優(yōu)選作為氧化劑的溶劑是由于其蒸氣壓低容易蒸發(fā)，因此殘留量較少。
(A-4)修復(fù)化成的化成液作為修復(fù)化成的化成液，可以使用磷酸二氫銨、磷酸氫二銨等磷酸類的化成液、硼酸銨等硼酸類的化成液、己二酸銨等己二酸類的化成液，其中優(yōu)選使用磷酸二氫銨。此外，浸漬時間優(yōu)選為5～120分鐘。
(A-5)其它聚合性單體作為本發(fā)明中所用的聚合性單體，除了上述EDT以外，若是EDT以外的噻吩衍生物、苯胺、吡咯、呋喃、乙炔或它們的衍生物，并可以通過一定的氧化劑氧化聚合而形成導(dǎo)電性聚合物的物質(zhì)，則都可以適用。另外，作為噻吩衍生物，可以使用具有圖1所示的結(jié)構(gòu)式的物質(zhì)。在圖1中，X表示0或S。X為0時，A為亞烷基、或聚氧化烯。此外，當(dāng)X的至少一個為S時，A為亞烷基、聚氧化烯、取代亞烷基、或取代聚氧化烯。這里，取代基為烷基、鏈烯基、烷氧基。
(A-6)第1實施方式的作用、效果以本發(fā)明的構(gòu)成獲得提高耐電壓和抑制反流后的LC變化的效果的原因認為如下所述。
即，認為通過在修復(fù)化成后將電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅溶液中，在氧化皮膜的表面形成了防止上述電子的飛躍的皮膜(以下稱為電子阻截層)。
此外，由于該電子阻截層，耐壓提高，可以防止氧化劑加成到箔上，初期的LC得以降低。此外，也進行了tab coat，獲得了在反流中的LC的上升抑制效果。此外，認為很難對靜電容量、ESR產(chǎn)生影響，通過控制該電子阻截層的膜厚，也可以對耐電壓進行控制。此外，可以降低現(xiàn)在使用的箔的VF，因此在固體電解電容器的小型化、容量提高等方面發(fā)揮效果。
(A-7)第1實施方式的實施例接著，根據(jù)如下制造的實施例A1～A3和以往例，對第1實施方式的發(fā)明進行更詳細的說明。
(實施例Al)將電極引出手段連接到表面形成了氧化膜層的陽極箔和陰極箔上，在兩個電極箔之間插入隔離板后環(huán)繞起來，形成電容器元件。然后，將該電容器元件在磷酸二氫銨水溶液中浸漬40分鐘進行修復(fù)化成。然后，將該電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅的2wt％環(huán)己酮溶液中，取出后，在170℃下進行1小時熱處理。
接著，在規(guī)定的容器中注入EDT和對甲苯磺酸鐵的40wt％的丁醇溶液，使其重量比為1∶3，調(diào)制混合液，將電容器元件在上述混合液中浸漬10秒鐘，使EDT和氧化劑含浸于半導(dǎo)體元件。然后，在120℃的恒溫槽內(nèi)將該電容器元件放置1小時，在電容器元件內(nèi)發(fā)生PEDT的聚合反應(yīng)，形成固體電解質(zhì)層。然后，將該電容器元件裝入有底筒狀的鋁外殼中，用封口橡膠密封，形成固體電解電容器。
(實施例A2)將電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅的6wt％環(huán)己酮溶液中，取出后，在170℃下進行1小時熱處理。其它條件和工序與實施例A1相同，作成固體電解電容器。
(實施例A3)將電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅的10wt％環(huán)己酮溶液中，取出后，在170℃下進行1小時熱處理。其它條件和工序與實施例A1相同，作成固體電解電容器。
(以往例)不將電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅的環(huán)己酮溶液中，以與實施例A1相同的條件和工序，作成固體電解電容器。
對于通過上述方法得到的實施例A2和以往例，對反流前后的耐壓的變化進行研究，得到如圖2所示的結(jié)果。從圖2可以看到，反流后的耐壓也提高了。
對于通過上述方法得到的實施例A1-A3和以往例，對聚酰亞胺硅的濃度和初期容量的減少率進行研究，得到如圖3所示的結(jié)果。初期容量的減少率用相對于空白(以往例)的百分率表示。
此外，對于通過上述方法得到的實施例A1-A3，對聚酰亞胺硅的濃度和ESR的關(guān)系進行研究，得到如圖4所示的結(jié)果。

對于通過上述方法得到的實施例A2、實施例A3和以往例，對聚酰亞胺硅的濃度和反流前后的LC的舉動進行研究，得到如圖5所示的結(jié)果。反流的條件為在無鉛條件下，樣品數(shù)為10，峰溫度為250℃，230℃以上的滯留時間為40秒。此外，圖中表示為“初期”的是初期特性，表示為“1次”的是進行1次上述反流試驗后的LC的值，表示為“2次”的是其后再進行1次反流試驗后的LC的值。
從圖5可以看到，反流后的漏電流也提高了。這里，6wt％的漏電流與2wt％相比，控制在了10μA以下，得到更為良好的結(jié)果。
對于通過上述方法得到的實施例A1-A3和以往例，對電特性進行研究，得到如表1所示的結(jié)果。
表1

由表1可以看出，修復(fù)化成后將電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅溶液中的實施例A1-A3與以往例比較，耐壓均提高，反流后的LC大幅度下降。
(B)第2實施方式(提高靜電容量)本發(fā)明者們?yōu)榱藢崿F(xiàn)作為上述第2目的的固體電解電容器的靜電容量的提高，進行了認真的研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明者們著眼于聚酰亞胺硅的粘接性，對于能更有效地體現(xiàn)該粘接性的聚酰亞胺硅處理的條件進行了研究，發(fā)現(xiàn)如果使聚酰亞胺硅的濃度為0.05wt％以上、不足2wt％，可以獲得良好的結(jié)果。
(B-1)固體電解電容器的制造方法第2實施方式中的固體電解電容器的制造方法如下所述。即在表面形成氧化膜層的陽極箔和陰極箔之間，插入隔離板，進行環(huán)繞形成電容器元件，對該電容器元件實施修復(fù)化成。然后，將該電容器元件浸漬于濃度調(diào)制為0.05wt％以上、不足2wt％的聚酰亞胺硅的酮類溶液中，取出后在40-100℃下使溶劑蒸發(fā)，然后在150-200℃下進行熱處理。濃度如果不足該范圍，耐壓不充分，如果超過該范圍，靜電容量降低。
接著，將該電容器元件浸漬在聚合性單體和氧化劑的混合液中，在電容器元件內(nèi)發(fā)生導(dǎo)電性聚合物的聚合反應(yīng)，形成固體電解質(zhì)層。然后，將該電容器元件裝入至外殼框體中，用封口橡膠將開口端部密封，形成固體電解電容器。
(B-2)聚酰亞胺硅作為溶解聚酰亞胺硅的溶劑，優(yōu)選聚酰亞胺硅的溶解性良好的酮類溶劑，可以使用環(huán)己酮、丙酮、甲基乙基酮等。
此外，聚酰亞胺硅溶液的濃度優(yōu)選為0.05wt％以上、不足2wt％。聚酰亞胺硅的濃度如果為2wt％以上，形成的聚酰亞胺硅層的絕緣性提高，因此靜電容量降低。另一方面，如果不足0.05wt％，不能獲得充分的靜電容量。
(B-3)EDT和氧化劑當(dāng)用EDT作為聚合性單體時，作為含浸到電容器元件中的EDT，可以使用EDT單體，也可以使用將EDT和揮發(fā)性溶劑以1∶0～1∶3的體積比混合的單體溶液。
作為前述揮發(fā)性溶劑，可以使用戊烷等烴類、四氫呋喃等醚類、甲酸乙酯等酯類、丙酮等酮類、甲醇等醇類、乙腈等氮化合物等，尤其優(yōu)選甲醇、乙醇、丙酮等。
此外，作為氧化劑，可以使用溶解于乙醇的對甲苯磺酸鐵、過碘酸或碘酸的水溶液，氧化劑相對于溶劑的濃度優(yōu)選為40～65重量％，更優(yōu)選為45～57重量％。氧化劑相對于溶劑的濃度越高，ESR越減低。另外，作為氧化劑的溶劑，可以使用上述單體溶液中所使用的揮發(fā)性溶劑，其中優(yōu)選乙醇。認為優(yōu)選乙醇作為氧化劑的溶劑是由于其蒸氣壓低容易蒸發(fā)，因此殘留量少。
(B-4)修復(fù)化成的化成液作為修復(fù)化成的化成液，可以使用磷酸二氫銨、磷酸氫二銨等磷酸類的化成液，硼酸銨等硼酸類的化成液，己二酸銨等己二酸類的化成液，其中優(yōu)選使用磷酸二氫銨。此外，浸漬時間優(yōu)選為5～120分鐘。
(B-5)其它聚合性單體作為本發(fā)明中所用的聚合性單體，除了上述EDT以外，若是EDT以外的噻吩衍生物、苯胺、吡咯、呋喃、乙炔或它們衍生物，并可以通過一定的氧化劑氧化聚合而形成導(dǎo)電性聚合物的物質(zhì)，則可以適用。另外，作為噻吩衍生物，可以使用具有圖1所示的結(jié)構(gòu)式的物質(zhì)。
(B-6)第2實施方式的作用、效果以本發(fā)明的構(gòu)成獲得靜電容量的提高效果的原因認為如下所述。
即，當(dāng)聚酰亞胺硅的濃度為0.05wt％以上、不足2wt％的范圍內(nèi)時，靜電容量增大的理由認為如下所述。即，認為構(gòu)成聚酰亞胺硅的聚酰亞胺和PEDT等導(dǎo)電性聚合物均為有機化合物，因此粘接性良好，而且聚酰亞胺硅中的Si和電介質(zhì)氧化膜(Al2O3)均為無機化合物，因此粘接性良好，其結(jié)果通過聚酰亞胺硅層，導(dǎo)電性聚合物和電介質(zhì)氧化膜的粘接性提高，靜電容量增大。
(B-7)第2實施方式的相關(guān)實施例接著，根據(jù)如下制造的實施例和比較例，對本實施方式的發(fā)明進行更詳細的說明。
(實施例B1)將電極引出手段連接到表面形成了氧化膜層的陽極箔和陰極箔上，在兩個電極箔之間插入隔離板后環(huán)繞起來，形成電容器元件。然后，將該電容器元件在磷酸二氫銨水溶液中浸漬40分鐘，進行修復(fù)化成。然后，將該電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅的0.5wt％環(huán)己酮溶液中，取出后，在170℃下進行1小時熱處理。
接著，在規(guī)定的容器中注入EDT和對甲苯磺酸鐵的45wt％丁醇溶液，使其摩爾比為6∶1，調(diào)制混合液，將電容器元件在上述混合液中浸漬10秒鐘，使EDT和氧化劑含浸于半導(dǎo)體元件中。然后，在120℃的恒溫槽內(nèi)將該電容器元件放置1小時，在電容器元件內(nèi)發(fā)生PEDT的聚合反應(yīng)，形成固體電解質(zhì)層。然后，將該電容器元件裝入有底筒狀的鋁外殼中，用封口橡膠密封，形成固體電解電容器。另外，該固體電解電容器的額定電壓為25WV、額定電容為10μF。
(實施例B2)使聚酰亞胺硅的環(huán)己酮溶液的濃度為1.0wt％。其它條件和工序與實施例B1相同，制作固體電解電容器。
(實施例B3)使聚酰亞胺硅的環(huán)己酮溶液的濃度為1.5wt％。其它條件和工序與實施例B1相同，制作固體電解電容器。
(實施例B4)使聚酰亞胺硅的環(huán)己酮溶液的濃度為2.0wt％。其它條件和工序與實施例B1相同，制作固體電解電容器。
(比較例)不實施聚酰亞胺硅處理，其它條件與上述實施例B1相同，制作固體電解電容器。
對通過上述方法得到的實施例和比較例的靜電容量進行研究，得到如表2所示的結(jié)果。
表2

由表2可以看出，使聚酰亞胺硅的濃度為0.5-1.5wt％的實施例B1-實施例B3與沒有進行聚酰亞胺硅處理的比較例相比，靜電容量上升了5-12％。
根據(jù)第1實施方式的發(fā)明，通過修復(fù)化成后將電容器元件浸漬于濃度為2wt％-10wt％的聚酰亞胺硅溶液中，可以提供能夠提高耐電壓和抑制反流后的LC變化的固體電解電容器的制造方法。
此外，根據(jù)第2實施方式的發(fā)明，通過修復(fù)化成后將電容器元件浸漬于濃度為0.05wt％以上、不足2wt％的聚酰亞胺硅溶液中，可以提供能夠提高靜電容量的固體電解電容器的制造方法。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)需要靜電容量特性時，通過將修復(fù)化成后浸漬的聚酰亞胺硅溶液的濃度調(diào)制為0.05wt％以上、不足2wt％，當(dāng)靜電容量特性不重要時，通過將聚酰亞胺硅溶液的濃度調(diào)制在2-10wt％的范圍，可以得到能夠提高耐電壓和抑制反流后的LC變化的固體電解電容器。
權(quán)利要求
1.固體電解電容器的制造方法，該固體電解電容器由陽極體和固體電解質(zhì)構(gòu)成，其中陽極體由表面形成了氧化膜的閥金屬構(gòu)成，其特征在于將形成了所述固體電解質(zhì)的元件浸漬于聚酰亞胺硅溶液中，形成阻截電子的膜。
2.固體電解電容器的制造方法，其是通過在陽極箔和陰極箔之間插入隔離板，進行環(huán)繞形成電容器元件，在該電容器元件中含浸聚合性單體和氧化劑形成由導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成的固體電解質(zhì)層而構(gòu)成的，其特征在于將所述電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅溶液中，形成阻截電子的膜，然后形成由所述導(dǎo)電性聚合物構(gòu)成的固體電解質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求1或2所記載的固體電解電容器的制造方法，其特征在于所述聚酰亞胺硅溶液的濃度為2.0wt％-10wt％。
4.如權(quán)利要求1或2所記載的固體電解電容器的制造方法，其特征在于所述聚酰亞胺硅溶液的濃度為0.05wt％以上、不足2.0wt％。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所記載的固體電解電容器的制造方法，其特征在于；所述聚合性單體是噻吩衍生物。
6.如權(quán)利要求5所記載固體電解電容器的制造方法，其特征在于上述噻吩衍生物為3，4-亞乙基二氧噻吩。
全文摘要
在表面形成了氧化膜層的陽極箔和陰極箔之間，插入隔離板，進行環(huán)繞形成電容器元件，對該電容器元件實施修復(fù)化成。然后，將該電容器元件浸漬于聚酰亞胺硅的10wt％以下、優(yōu)選2－9wt％、更優(yōu)選5－8wt％溶解于酮類溶劑中所得溶液中，取出后在40－100℃下使溶劑蒸發(fā)，然后在150－200℃下進行熱處理。接著，將該電容器元件浸漬在聚合性單體和氧化劑的混合液中，在電容器元件內(nèi)發(fā)生導(dǎo)電性聚合物的聚合反應(yīng)，形成固體電解質(zhì)層。然后，將該電容器元件插入至外裝殼體中，用封口橡膠將開口端部密封，形成固體電解電容器。
文檔編號H01G9/008GK1685456SQ0382332
公開日2005年10月19日 申請日期2003年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月30日
發(fā)明者山田篤, 阿部克己, 村上敏行, 新井孝, 玉井裕也, 松崎具弘 申請人:日本貴彌功株式會社