專利名稱：具有薄金屬層的陶瓷生片及制造陶瓷電容器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有薄金屬層的陶瓷生片(green sheet)，以及制造陶瓷電容器的方法。更具體地，本發(fā)明涉及適于制造陶瓷電容器的具有薄金屬層的陶瓷生片，以及制造采用具有薄金屬層的陶瓷生片的陶瓷電容器的方法。
背景技術(shù)：
作為一種制造陶瓷電容器的方法，例如，日本專利第2,990,621號(hào)、第2,970,238號(hào)等公開了一種制造層疊陶瓷電容器的方法，該疊層陶瓷電容器具有作為內(nèi)部電極的具有預(yù)定圖形的薄金屬層，其在底膜(base film)上形成具有預(yù)定圖形的薄金屬層，在包含所述薄金屬層的底膜表面上形成陶瓷生片以覆蓋所述薄金屬層，由此形成具有支撐在底膜上的薄金屬層的陶瓷生片，隨后，通過(guò)在為了每次疊置而剝離底膜后依次疊置形成由多個(gè)如此獲得的具有所述薄金屬層的陶瓷生片構(gòu)成的疊層，并隨后燒制所得的疊層。
更具體地，日本專利第2,990,621號(hào)公開了一種制造包括陶瓷生片和形成在陶瓷生片表面上的電極的疊層陶瓷電子元件的方法，其包括以下步驟(a)通過(guò)汽相沉積在膜上形成第一金屬層；(b)通過(guò)濕式電鍍?cè)诘谝唤饘賹由闲纬傻诙饘賹樱?c)圖形化第一和第二金屬層；(d)利用陶瓷漿料涂敷該膜以便覆蓋所述金屬層，形成陶瓷生片；(e)將支撐在該膜上的集成有金屬的生片壓力接合到陶瓷生片或其它集成有金屬的生片上，以進(jìn)行疊置；(f)剝離該膜；以及(g)燒制疊層陶瓷生片。
另外，日本專利第2,970,238號(hào)公開了一種制造疊層陶瓷電容器的方法，其包括第一步驟，通過(guò)薄膜形成工藝在底膜上形成具有預(yù)定圖形的金屬膜；第二步驟，在該底膜上形成陶瓷介電層以便覆蓋該金屬膜，從而制備具有底膜的生片；第三步驟，疊置具有底膜的所述生片到介電片上，使得所述介電片與具有底膜的所述陶瓷介電層相連，并且隨后剝離該底膜；第四步驟，將通過(guò)第一步驟和第二步驟獲得的具有底膜的另一生片疊置在通過(guò)第三步驟獲得的生片上，使得前一陶瓷介電層與后一陶瓷介電層相連，并且隨后剝離前一陶瓷介電層的底膜，以便進(jìn)一步進(jìn)行疊置；第五步驟，以相同的方式重復(fù)第四步驟的操作預(yù)定次數(shù)，以獲得疊層生片；第六步驟，切割所獲得的生片以制備一薄片(chip)并燒制該薄片；以及第七步驟，在該薄片上形成外部電極。
但是，在上述的方法中燒制疊層陶瓷生片時(shí)，各個(gè)陶瓷生片中的粘合劑消失，使得整個(gè)陶瓷生片收縮。此時(shí)，形成用作內(nèi)部電極的薄金屬層的部分具有與沒(méi)有形成薄金屬層的部分不同的收縮百分比，這造成不均勻的收縮，使得在整個(gè)陶瓷生片上誘發(fā)應(yīng)變。這有時(shí)導(dǎo)致內(nèi)部電極與絕緣層之間分離、上部和下部絕緣層之間分離或者在最終的疊層陶瓷電容器中的絕緣層中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋。
另外，當(dāng)陶瓷生片形成在底膜上時(shí)，用于陶瓷生片的漿料首先涂敷到底膜上。但是，由于對(duì)于底膜表面漿料的潤(rùn)濕性低，所以漿料有時(shí)在底膜的表面上受到排斥，造成無(wú)法獲得均勻的涂層。
而且，在用于形成薄金屬層的掩模薄膜形成在底膜上的情況下，薄金屬層的形成可能超出預(yù)定的布線電路圖形，除非底膜和掩模薄膜之間的粘接力足夠大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是在考慮到以上事實(shí)的情況下做出的。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供具有薄金屬層的陶瓷生片，當(dāng)燒制疊層分散陶瓷粉末層時(shí)其均勻地收縮，以便防止內(nèi)部電極與絕緣層之間分離、上部和下部絕緣層之間分離或者在絕緣層中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋，其中所述分散陶瓷粉末層均勻地形成，此外所述薄金屬層被作為高精度圖形來(lái)形成。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種用于制造采用具有薄金屬層的陶瓷生片的陶瓷電容器的方法。
本發(fā)明的其它目的和效果通過(guò)以下描述將變得清楚。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種具有薄金屬層的陶瓷生片，包括底膜；第一薄金屬層，形成在所述底膜的整個(gè)表面上的；第二薄金屬層，以預(yù)定的圖形形成在所述第一薄金屬層上；以及分散陶瓷粉末層，包括分散在其中的粘合劑和陶瓷粉末，并形成在包括第二薄金屬層表面的第一金屬層表面上。
取決于這些具有薄金屬層的陶瓷生片，當(dāng)它們被用在陶瓷電容器的制造中并且當(dāng)燒制通過(guò)堆疊陶瓷生片所獲得的疊層，整個(gè)分散陶瓷粉末由于其中所含的粘合劑的消失而收縮時(shí)，由于位于相鄰的分散陶瓷粉末層之間的各個(gè)第一薄金屬層使得在整個(gè)分散陶瓷粉末層的表面上均勻地收縮得以保證，由此允許整個(gè)分散陶瓷粉末層均勻地收縮。因此，可以有效地防止內(nèi)部電極與絕緣層之間分離、上部和下部絕緣層之間分離或者在絕緣層中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋。
此外，分散陶瓷粉末層形成在包括第二薄金屬層表面的第一金屬層表面上，而不是形成在底膜上。因此，例如在制造具有薄金屬層陶瓷生片過(guò)程中通過(guò)將漿料涂敷到包括第二薄金屬層表面的第一薄金屬層表面上來(lái)形成所述分散陶瓷粉末層時(shí)，漿料與包括第二薄金屬層表面的第一薄金屬層表面之間良好的潤(rùn)濕性使得可以均勻地形成分散陶瓷粉末層。
再者，第二薄金屬層形成在第一薄金屬層上，而不是形成在底膜上。因此，例如在通過(guò)使用掩模薄膜以預(yù)定圖形形成第二薄金屬層時(shí)，可以保證第一薄金屬層與掩模薄膜之間良好的粘接性，由此形成作為高精度圖形的第二薄金屬層。
而且，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是在底膜和第一薄金屬層之間提供一樹脂層。
當(dāng)樹脂層形成在底膜和第一薄金屬層之間時(shí)，包括第二薄金屬層的第一薄金屬層可以形成在樹脂層上，而不是形成在底膜上。因此，在制造陶瓷電容器過(guò)程中底膜被剝離掉時(shí)，底膜可以在與樹脂層形成的界面處剝離，使得當(dāng)剝離底膜時(shí)防止包括第二薄金屬層的第一薄金屬層的損傷。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的是樹脂層包括與分散陶瓷粉末層的粘合劑大致相同的材料。
在樹脂層由與分散陶瓷粉末層的粘合劑大致相同的材料構(gòu)成的情況下，在制造陶瓷電容器過(guò)程中的燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片所獲得的疊層時(shí)可以允許樹脂層在與粘合劑相同的條件下消失。
另外，優(yōu)選地，第一薄金屬層具有0.001到1.0μm的厚度。
當(dāng)?shù)谝槐〗饘賹泳哂?.001到1.0μm的厚度時(shí)，在制造陶瓷電容器過(guò)程中的燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片所獲得的疊層時(shí)第一薄金屬層上沒(méi)有形成有第二薄金屬層的部分可以確實(shí)被球化處理或分割。因此，第一薄金屬層造成的連續(xù)性可以確實(shí)避免，而可以確保以預(yù)定圖形形成的第二薄金屬層的連續(xù)性。因而，使用具有薄金屬層的陶瓷生片的陶瓷電容器的可靠性可以提高。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選地，第二薄金屬層的厚度是第一薄金屬層的厚度的兩倍或更多。
當(dāng)?shù)诙〗饘賹拥暮穸刃∮诘谝槐〗饘賹拥暮穸鹊膬杀稌r(shí)，在制造陶瓷電容器過(guò)程中的燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片所獲得的疊層時(shí)第一薄金屬層的球化處理或分割變得重要，由此造成第二薄金屬層損傷。然而，當(dāng)?shù)诙〗饘賹拥暮穸仁堑谝槐〗饘賹拥暮穸鹊膬杀痘蚋鄷r(shí)，這種損傷得以避免，以保證內(nèi)部電極的可靠形成。
另外，本發(fā)明還提供一種制造陶瓷電容器的方法，包括以下步驟制備多個(gè)如上所述的具有薄金屬層的陶瓷生片；剝離所述多個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片中的一個(gè)的底膜；通過(guò)使另一個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片的分散陶瓷粉末層與所述剝離了底膜的陶瓷生片的第一薄金屬層或樹脂層相接觸，在所述剝離了底膜的陶瓷生片上疊置所述另一個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片；重復(fù)所述剝離步驟和所述疊置步驟預(yù)定次數(shù)，以形成所述多個(gè)陶瓷生片的疊層產(chǎn)物；以及燒制所述疊層產(chǎn)物。
根據(jù)這種用于制造陶瓷電容器的方法，由于使用本發(fā)明的具有薄金屬層的陶瓷生片，所以在燒制具有薄金屬層的陶瓷生片的疊層的步驟中可以允許整個(gè)分散陶瓷粉末層均勻地收縮。因此，可以有效地防止由于不均勻收縮造成的內(nèi)部電極與絕緣層之間分離、上部和下部絕緣層之間分離或者在絕緣層中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋，因而使得制造具有高可靠性的陶瓷電容器成為可能。


圖1構(gòu)成一組流程圖，顯示了用于制造本發(fā)明的具有薄金屬層的陶瓷生片的一示例的方法的一實(shí)施例，其中圖1(a)示出了準(zhǔn)備底膜的步驟；
圖1(b)示出了在所述底膜上形成樹脂膜的步驟；圖1(c)示出了在所述樹脂膜的整個(gè)表面上形成第一薄金屬層的步驟；圖1(d)示出了在第一薄金屬層上以預(yù)定布線電路圖形形成第二薄金屬層的步驟；以及圖1(e)示出了在包括第二薄金屬層表面的第一薄金屬層表面上形成分散陶瓷粉末層的步驟；圖2構(gòu)成一組流程圖，顯示了在如圖1所示的具有薄金屬層的陶瓷生片的制造方法中在第一薄金屬層上以預(yù)定布線電路圖形形成第二薄金屬層的步驟的一實(shí)施例，其如圖1(d)所示，其中圖2(a)示出了在第一薄金屬層上以與所述布線電路圖形相反的圖形形成電鍍抗蝕劑的步驟；圖2(b)示出了通過(guò)電鍍?cè)趶乃鲭婂兛刮g劑暴露出的第一薄金屬層上形成作為布線電路圖形的第二薄金屬層的步驟；以及圖2(c)示出了去除所述電鍍抗蝕劑的步驟；圖3構(gòu)成一組流程圖，顯示了本發(fā)明的陶瓷電容器的制造方法的一實(shí)施例，其中圖3(a)示出了剝離具有薄金屬層的第一陶瓷生片的底膜的步驟；圖3(b)示出了具有薄金屬層的第一陶瓷生片上疊置第二陶瓷生片的步驟，使得具有薄金屬層的第二陶瓷生片的分散陶瓷粉末層的表面與具有薄金屬層的第一陶瓷生片的樹脂層的表面相接觸；圖3(c)示出了剝離具有薄金屬層的第二陶瓷生片的底膜的步驟；圖3(d)示出了堆疊所需數(shù)目的具有薄金屬層的陶瓷生片的步驟；以及圖3(e)示出了燒制步驟；圖4為一示意性的剖視圖，顯示了通過(guò)圖3所示的陶瓷電容器的制造方法獲得的疊層陶瓷電容器的一實(shí)施例；圖5構(gòu)成一組流程圖，顯示了制造本發(fā)明的具有薄金屬層的陶瓷生片的另一示例的方法的一實(shí)施例，其中圖5(a)示出了準(zhǔn)備底膜的步驟；圖5(b)示出了在所述底膜的整個(gè)表面上形成第一薄金屬層的步驟；圖5(c)示出了在第一薄金屬層上以預(yù)定布線電路圖形形成第二薄金屬層的步驟；以及圖5(d)示出了在包括第二薄金屬層表面的第一薄金屬層表面上形成分散陶瓷粉末層的步驟；圖6構(gòu)成一組流程圖，顯示了制造對(duì)照示例1的具有薄金屬層的陶瓷生片的步驟，其中圖6(a)示出了準(zhǔn)備底膜的步驟；圖6(b)示出了在所述底膜的整個(gè)表面上形成第一薄金屬層的步驟；圖6(c)示出了在第一薄金屬層上以預(yù)定布線電路圖形形成第二薄金屬層的步驟；圖6(d)示出了將第一薄金屬層加工成預(yù)定布線電路圖形的形狀的步驟；以及圖6(e)示出了在包含有第二薄金屬層表面的底膜上形成分散陶瓷粉末層的步驟；圖7構(gòu)成一組流程圖，顯示了用于制造對(duì)照示例2的具有薄金屬層的陶瓷生片的方法，其中圖7(a)示出了準(zhǔn)備底膜的步驟；圖7(b)示出了在所述底膜上形成樹脂層的步驟；圖7(c)示出了在所述樹脂層的整個(gè)表面上形成第一薄金屬層的步驟；圖7(d)示出了在第一薄金屬層上以預(yù)定布線電路圖形形成第二薄金屬層的步驟；圖7(e)示出了將第一薄金屬層加工成預(yù)定布線電路圖形的形狀的步驟；以及圖7(f)示出了在包括第二薄金屬層表面的所述樹脂層表面上形成分散陶瓷粉末層的步驟。
具體實(shí)施例方式
圖1構(gòu)成一組流程圖，顯示了用于制造本發(fā)明的具有薄金屬層的陶瓷生片的一示例的方法的一實(shí)施例。請(qǐng)參照?qǐng)D1，用于制造本發(fā)明的具有薄金屬層的陶瓷生片的一示例的方法描述如下。
首先，在該方法中，如圖1(a)所示準(zhǔn)備底膜2。
對(duì)于底膜2沒(méi)有特別的限制，它的示例包括已知的塑料膜(plastic film)，例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚苯乙烯膜、聚氯乙稀膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚碳酸酯膜、TPX(甲基戊烯樹脂)膜、醋酸樹脂膜、聚酰亞胺膜、聚砜膜、聚苯醚砜膜、聚酰胺膜、聚酰胺亞胺(polyamideimide)膜、聚醚酮(po1yetherketone)膜和聚亞苯基膜。盡管對(duì)于底膜2的厚度沒(méi)有特別的限制，但優(yōu)選地其厚度為從5到500μm，更優(yōu)選地為從10μm到100μm。
對(duì)于底膜2，優(yōu)選地使用具有已進(jìn)行脫模(mold releasing)處理的表面的膜。對(duì)于脫模處理，優(yōu)選地使用已知的脫模處理。例如，如硅酮化合物、氟化硅酮(silicone fluoride)化合物、含氟化合物或者長(zhǎng)鏈醇酸化合物的脫模劑(release agent)可以被涂敷到底膜2的表面上。附帶說(shuō)明的是，具有例如聚丙烯膜或TPX膜的脫模能力(mold releasability)的塑料膜在不經(jīng)任何脫模處理的情況下可以同樣被使用。
隨后，在該方法中，如圖1(b)所示在底膜2上形成樹脂層3。
形成樹脂層3的樹脂為在隨后描述的制造陶瓷電容器11的過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片1獲得的疊層時(shí)消失的樹脂，并且只要它相對(duì)于底膜2具有良好的釋放性質(zhì)就沒(méi)有特殊限制。它的示例包括例如乙基纖維素、羥基丙基纖維素和羧甲基纖維素的纖維素樹脂，例如甲基丙烯酸丁酯和甲基丙烯酸甲酯的丙烯酸樹脂，聚乙烯醇縮丁醛樹脂，聚乙烯醇樹脂，乙酸乙烯樹脂以及氨基甲酸酯樹脂。
這些樹脂可以單獨(dú)使用或者作為它們中的兩個(gè)或更多的組合來(lái)使用。
另外，形成樹脂層3的樹脂優(yōu)選地為與隨后描述的分散陶瓷粉末層7的粘合劑相同的材料。當(dāng)所述樹脂為與分散陶瓷粉末層7的粘合劑相同的材料時(shí)，它可以允許在陶瓷電容器11的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片1所獲得的疊層時(shí)在與用于所述粘合劑相同的條件下消失。
對(duì)于在底膜2上形成樹脂層3的方法沒(méi)有特別的限制。例如，所述樹脂層可以通過(guò)制備所述樹脂的溶液，將所述溶液涂敷到底膜2上，并干燥該涂敷的溶液來(lái)形成。
對(duì)于制備所述樹脂溶液的方法沒(méi)有特別限制。例如，上述的樹脂可以溶解在與隨后描述的用于粘合劑的分散媒介物相同或相似的溶劑中，以便給出重量百分比為1到50％的樹脂濃度(固體濃度)，優(yōu)選地重量百分比為3到30％。
另外，為了涂敷所述樹脂溶液，可以使用例如旋涂、刮刀式涂敷(doctorblade coating)和噴涂的已知方法。
在涂敷之后，干燥溫度可以根據(jù)樹脂或者溶劑的類型加以適當(dāng)?shù)剡x擇，例如為從40到200℃，優(yōu)選地為60到150℃。
由此形成的樹脂層3的厚度，例如，優(yōu)選地為0.1到1.0μm，更優(yōu)選地為0.1到0.5μm。當(dāng)樹脂層3的厚度在此范圍內(nèi)時(shí)，可以保證底膜2的良好的釋放性質(zhì)。
隨后，在該方法中，第一薄金屬層4被形成在樹脂層3的整個(gè)表面上。
對(duì)于形成第一薄金屬層4的金屬?zèng)]有特別的限制，只要它是用作疊層陶瓷電容器11的內(nèi)部電極的金屬，并且它的示例包括銅、鎳、鉻、鈀或者它們的合金。
盡管對(duì)于在樹脂層3上形成第一薄金屬層4的方法沒(méi)有特別限制，例如，可以使用諸如真空沉積、離子鍍或者濺射的真空薄膜形成方法。當(dāng)?shù)谝槐〗饘賹?通過(guò)真空薄膜形成方法形成時(shí)，第一薄金屬層4上未形成第二薄金屬層5的部分(單獨(dú)由第一薄金屬層4構(gòu)成的部分)，在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片1所獲得的疊層時(shí)，可以確定地被球化處理或分割，例如，以形成大約1nm到大約10μm的顆粒尺寸。
由此形成的第一薄金屬層4的厚度，例如，優(yōu)選地為0.001到1.0μm，更優(yōu)選地為0.05到0.2μm。當(dāng)?shù)谝槐〗饘賹?的厚度在此范圍內(nèi)時(shí)，第一薄金屬層4在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片1所獲得的疊層時(shí)，可以確定地被球化處理或分割。
接著，在該方法中，第二薄金屬層5以預(yù)定的布線電路圖形形成在第一薄金屬層4上，如圖1(d)所示。
與第一薄金屬層4類似，對(duì)于形成第二薄金屬層5的金屬?zèng)]有特別限制，只要它是用作疊層陶瓷電容器11的內(nèi)部電極的金屬，并且它的示例包括銅、鎳、鉻、鈀或者它們的合金。形成第二薄金屬層5的金屬可以與形成第一薄金屬層4的金屬相同或者不同。
對(duì)于以預(yù)定布線圖形的形式在第一薄金屬層4上形成第二薄金屬層5的方法沒(méi)有特別限制。例如，其可以如此形成首先以與所述布線電路圖形相反的圖形在第一薄金屬層4上形成電鍍抗蝕劑6，接著通過(guò)電鍍?cè)诒┞冻龅淖鳛樗霾季€電路圖形的第一薄金屬層4的剩余表面上形成第二薄金屬層5，其中使用電鍍抗蝕劑6作為掩模，隨后去除電鍍抗蝕劑6。
更具體地，首先，以與所述布線電路圖形相反的圖形(以反轉(zhuǎn)圖形)在第一薄金屬層4上形成電鍍抗蝕劑6，如圖2(a)所示。對(duì)于形成電鍍抗蝕劑6的方法沒(méi)有特殊限制。例如，可以使用印刷方法或者干膜(dry film)方法。
另外，盡管對(duì)于電鍍抗蝕劑的厚度沒(méi)有特別限制，優(yōu)選地例如為1到100μm，更優(yōu)選地為5到25μm。
接著，通過(guò)電鍍?cè)趶碾婂兛刮g劑6暴露出的作為所述布線電路圖形(也就是，與電鍍抗蝕劑6的圖形相反的圖形)的第一薄金屬層4的剩余表面上形成第二薄金屬層5，如圖2(b)所示。
盡管電鍍的方式?jīng)]有特別限制，并可以使用電解電鍍或者非電解電鍍，然而優(yōu)選地是使用第一薄金屬層4作為電極的電解電鍍。如果第二薄金屬層5通過(guò)電鍍形成，那么第二薄金屬層5開始球化處理或分割的溫度變得比通過(guò)真空薄膜形成方法形成第二薄金屬層5的情況下的更高。因此，在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片1所獲得的疊層時(shí)，可以防止其上形成有第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分的球化處理和分割。
根據(jù)前述的用于形成第二薄金屬層5的方法，電鍍抗蝕劑6可以形成在第一薄金屬層4上，而不是在底膜2上，隨后進(jìn)行電鍍，使得第一薄金屬層4可以與電鍍抗蝕劑6形成良好的粘接，以形成作為高精度布線電路圖形的第二薄金屬層5。
接著，由此以預(yù)定布線電路圖形的形式形成的第二薄金屬層5的厚度，例如，優(yōu)選地為0.002到2.0μm，更優(yōu)選地為0.1到0.6μm。另外，第二薄金屬層5的厚度優(yōu)選地為第一薄金屬層4的厚度的兩倍或更多，更優(yōu)選地為3到10倍。
當(dāng)?shù)诙〗饘賹?的厚度小于第一薄金屬層4的厚度的兩倍，第一薄金屬層4的球化處理或分割在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片1所獲得的疊層時(shí)變得重要，由此造成第二薄金屬層5損傷。然而，當(dāng)?shù)诙〗饘賹?的厚度為第一薄金屬層4的厚度的兩倍或更多時(shí)，可以避免這種損傷，以保證內(nèi)部電極的可靠形成。
另外，依賴與其目的和使用，第二薄金屬層5也可以被形成具有兩層或者更多層的多層結(jié)構(gòu)。
接著，如圖2(c)所示，去除電鍍抗蝕劑6。對(duì)于去除電鍍抗蝕劑6的方法沒(méi)有特別限制。例如，電鍍抗蝕劑6可以被剝離或者蝕刻掉。
在該方法中，分散陶瓷粉末層7形成在具有第二薄金屬層5表面的第一薄金屬層4的表面上，由此獲得具有薄金屬層的陶瓷生片1，如圖1(e)所示。
對(duì)于形成分散陶瓷粉末層7的方法沒(méi)有特殊限制。例如，它可以通過(guò)制備至少含有陶瓷粉末和粘合劑的漿料，并將這種漿料涂敷到包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的整個(gè)表面上，且隨后加以干燥而形成。
對(duì)于制備所述漿料的方法沒(méi)有特別限制，只要它是制造用在陶瓷生片制造過(guò)程中的漿料的方法。例如，它可以通過(guò)在分散媒介物(溶劑)調(diào)制(blend)陶瓷粉末和粘合劑并隨后加以混合(mix)來(lái)制備。
對(duì)于所述陶瓷粉末沒(méi)有特別限制，它的示例包括例如鈦酸鋇粉末、鈦酸鍶粉末和鈦酸鉛粉末的電介質(zhì)陶瓷粉末，例如鐵氧體粉末的磁性陶瓷粉末，壓電陶瓷粉末以及例如氧化鋁和氧化硅的絕緣陶瓷粉末。所述陶瓷粉末可以單獨(dú)使用或者以其中的兩種或更多的組合物來(lái)使用，特別是，它們可以根據(jù)它們的目的和用途加以適當(dāng)?shù)倪x擇。
對(duì)于所述粘合劑沒(méi)有特別限制，它的示例包括與上述形成樹脂層3的樹脂類似的樹脂，也即，例如乙基纖維素、羥基丙基纖維素和羧甲基纖維素的纖維素樹脂，例如甲基丙烯酸丁酯和甲基丙烯酸甲酯的丙烯酸樹脂，聚乙烯醇縮丁醛樹脂，聚乙烯醇樹脂，乙酸乙烯樹脂以及氨基甲酸酯樹脂。所述粘合劑可以單獨(dú)使用或者以其中兩種或更多的組合物形式來(lái)使用，特別是，它們可以根據(jù)它們的目的和用途加以適當(dāng)?shù)倪x擇。
所述分散媒介物包括，例如，水，例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇和丁醇的醇類溶劑，例如乙烯乙二醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、甲基卡必醇和乙基卡必醇的乙二醇類溶劑，例如丙酮、甲基乙基酮和甲基異丁酮(methyl isobutyl ketone)的酮類溶劑，例如乙酸乙酯和乙酸丁酯的酯類溶劑，例如苯、甲苯、二甲苯和溶劑石腦油的芳香族的溶劑，以及例如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、乙脲和氮-甲基吡咯烷酮的極性溶劑。所述分散媒介物可以單獨(dú)使用或者以其中兩種或更多的組合物形式來(lái)使用。
在所述漿料的制備過(guò)程中，可以根據(jù)它的目的和用途適當(dāng)?shù)靥砑右阎奶砑觿?，例如增塑?plasticizer)和分散劑。例如，對(duì)于所述增塑劑沒(méi)有特別限制，它的示例包括聚乙二醇及其衍生物、脂肪酸酯、鄰苯二甲酸酯和磷酸酯(phosphoric ester)。
盡管對(duì)于所述漿料的制備方法沒(méi)有特殊限制，它可以例如通過(guò)調(diào)制(blend)和混合(mix)上述的各種組分來(lái)制備，所述混合是通過(guò)使用已知的粉末混合設(shè)備，例如珠磨(bead mill)、球磨或砂磨。每一組分的調(diào)制比例沒(méi)有特別限制，并且可以根據(jù)它的目的和用途加以適當(dāng)?shù)倪x擇。
在這種方法中，由此制得的漿料被涂敷到包括第二薄金屬層5的表面的第一薄金屬層4的整個(gè)表面上，并隨后被干燥，由此形成分散陶瓷粉末層7。
將漿料涂敷到包括第二薄金屬層5的表面的第一薄金屬層4的整個(gè)表面上的方法沒(méi)有特殊限制。例如，可以使用如刮刀式涂敷或者輥涂(rollcoating)的已知的涂敷方法。
因而，分散陶瓷粉末層7形成在包括第二薄金屬層5表面的第一薄金屬層4的表面上，而不是形成在底膜2上。因此，當(dāng)所述漿料被涂敷到包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4上時(shí)，可以保證所述漿料與包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4之間的良好潤(rùn)濕性。因此均勻地形成分散陶瓷粉末層7是可能的。
另外，所涂敷的漿料的干燥溫度沒(méi)有特別限制，并且所述漿料可以例如在50到200℃的溫度下干燥，優(yōu)選地為80到150℃。
根據(jù)由此獲得的具有薄金屬層的陶瓷生片1，當(dāng)?shù)啄?在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中被剝離時(shí)，底膜2可以在與樹脂層3形成的界面處剝離，因?yàn)榘ǖ诙〗饘賹?的第一薄金屬層4形成在樹脂層3上，而不是形成在底膜2上。因此，可以避免剝離底膜2時(shí)包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4被損傷。
另外，根據(jù)由此獲得的具有薄金屬層的陶瓷生片1，當(dāng)整個(gè)分散陶瓷粉末層7，在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊具有薄金屬層的陶瓷生片1所獲得的疊層時(shí)，由于分散陶瓷粉末層7中的粘合劑的消失而收縮時(shí)，由于插入在相鄰分散陶瓷粉末層7之間的各個(gè)第一薄金屬層4分布在它的整個(gè)表面上，故而一致的收縮百分比可以被保證，由此允許整個(gè)分散陶瓷粉末層7均勻地收縮。因此，可以有效地防止由于不均勻收縮造成的內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離、上部和下部絕緣層13之間分離或者在絕緣層13中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋。
因此，具有薄金屬層的陶瓷生片1可以很適合地用于疊層陶瓷電容器11的制造方法中，該方法包括依序地在為了每次疊置而剝離底膜2之后堆疊多個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片1，并隨后燒制所得的疊層，由此制成疊層陶瓷電容器11。
通過(guò)參照?qǐng)D3描述這種用于制造疊層陶瓷電容器11的方法。在圖3中，為了將多個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片1彼此區(qū)分開來(lái)，為了方便起見，具有薄金屬層的第一陶瓷生片被指定為101，具有薄金屬層的第二陶瓷生片被指定為102，...，而具有薄金屬層的第n個(gè)陶瓷生片被指定為10n。
在該方法中，多個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片1被制備，并且如圖3(a)所示具有薄金屬層的第一陶瓷生片101被剝離。因而，底膜201被很容易地從與樹脂層301的界面出脫開。因此，可以有效地防止包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4在剝離底膜2時(shí)受到損傷。
接著，在該方法中，具有薄金屬層的第二陶瓷生片102被疊置在具有薄金屬層的第一陶瓷生片101上，使得具有薄金屬層的第二陶瓷生片102的分散陶瓷粉末層702的表面與具有薄金屬層的第一陶瓷生片101的樹脂層301的表面相接觸，如圖3(b)所示。
接著，所得到的疊層進(jìn)行利用熱的壓力接合。所述熱壓力接合可以在例如2到70MPa及50到150℃的條件下執(zhí)行。
此后，在該方法中，具有薄金屬層的第二陶瓷生片102的底膜202以上述的相同方式被剝離，如圖3(c)所示。
接著，在該方法中，疊置操作以上述相同的方式重復(fù)所需數(shù)量的具有薄金屬層的生片(n片)，如圖3(d)所示，隨后切割成所需的薄片(chip)形狀。所得到的疊層隨后在樹脂層3合分散陶瓷粉末層7的粘合劑的消失溫度(利用火加以破壞的溫度)或更高的溫度(例如，大約400℃到1500℃)下進(jìn)行燒制處理，由此使得樹脂層3和分散陶瓷粉末層7消失(被燒盡)，并且同時(shí)，球化或分割其上沒(méi)有形成第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分(單獨(dú)由第一薄金屬層4構(gòu)成的部分)，如圖3(e)所示。因而，制備出如圖4所示的疊層陶瓷電容器11。
各個(gè)第一薄金屬層4在各個(gè)界面的整個(gè)表面上插入在相鄰的分散陶瓷粉末層7之間。因此，當(dāng)各個(gè)分散陶瓷粉末層7在上述的燒制步驟中由于分散陶瓷粉末層7中的粘合劑的消失而收縮時(shí)，可以保證整體的均勻收縮。因此，在所得到的疊層陶瓷電容器11中，可以有效地防止由于不均勻收縮造成的內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離、上部和下部絕緣層13之間分離或者在絕緣層13中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋。
另外，在該燒制步驟中，其上形成有第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分(由第二薄金屬層5和第一薄金屬層4構(gòu)成的部分)的球化或分割被禁止，使得通過(guò)第二薄金屬層5和第一薄金屬層4形成高精度布線電路圖形。在另一方面，其上沒(méi)有形成第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分(單獨(dú)由第一薄金屬層4構(gòu)成的部分)被球化或分割，以形成絕緣部分，這可靠地防止由第一薄金屬層4造成的連續(xù)性，并可以保證以預(yù)定圖形的形式形成的第二薄金屬層5的連續(xù)性。因此，可以改善使用具有薄金屬層的陶瓷生片1的陶瓷電容器11的可靠性。
圖4示意性地顯示了沿垂直圖3的方向的剖視圖。在這種疊層陶瓷電容器11中，第二薄金屬層5(包括其上形成有第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分)形成內(nèi)部電極12，并且樹脂層3和分散陶瓷粉末層7的粘合劑在燒制時(shí)允許消失，以形成絕緣層13。因此，疊層結(jié)構(gòu)得以獲得，在該疊層結(jié)構(gòu)中內(nèi)部電極12和絕緣層13交替疊置。此外，在該疊層陶瓷電容器11中，外部電極14在燒制后形成在它的兩個(gè)端面處。
在根據(jù)本發(fā)明的用于制造疊層陶瓷電容器11的方法中，由于使用上述的具有薄金屬層的陶瓷生片1，所以可以有效地防止由于不均勻收縮造成的內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離、上部和下部絕緣層13之間分離或者在絕緣層13中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋，因而使得制造具有高可靠性的陶瓷電容器11成為可能。
在以上描述中，樹脂層3設(shè)置在具有薄金屬層的陶瓷生片1中的底膜2和第一薄金屬層4之間。但是，例如圖5(d)所示，可以忽略在底膜2和第一薄金屬層4之間設(shè)置樹脂層3。在這種具有薄金屬層陶瓷生片1的制造中，例如，如圖1(b)所示的在底膜2上形成樹脂層3的步驟被忽略，該工藝可以為如下。首先，以與圖1(a)所示的相同的方式制備底膜2(見圖5(a))，并且第一薄金屬層4以與圖1(c)所示的相似的方式形成在底膜2的整個(gè)表面上。接著，第二薄金屬層以與圖1(d)所示的相似的方式以預(yù)定的布線電路圖形的形式形成在第一薄金屬層4上(見圖5(c))，并且隨后，分散陶瓷粉末層7以與圖1(e)所示的相似的方式形成在包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4上(見圖5(d))。
也根據(jù)由此獲得的具有薄金屬層的陶瓷生片1，在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊陶瓷生片1所獲得的疊層時(shí)，利用在各個(gè)界面的整個(gè)表面上插入在相鄰的分散陶瓷粉末層7之間的各個(gè)第一薄金屬層4，可以保證均勻的收縮百分比，由此允許整個(gè)分散陶瓷粉末層7均勻地收縮。因此，可以有效地防止由于不均勻收縮造成的內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離、上部和下部絕緣層13之間分離或者在絕緣層13中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋。
實(shí)施例參照以下實(shí)施例和比較例，將更加詳細(xì)地展示本發(fā)明，但是本發(fā)明不應(yīng)該被認(rèn)為僅限于該些實(shí)施例。
第一實(shí)施例位于經(jīng)過(guò)硅酮脫模處理的表面上的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜制成的底膜2被制備(見圖5(a))，而由薄的鎳膜制成的第一薄金屬層4通過(guò)使用真空沉積設(shè)備形成在底膜2的整個(gè)表面上，并且厚度為0.08μm(見圖5(b))。
接著，由干膜抗蝕劑制成的電鍍抗蝕劑6利用熱被壓力接合在第一薄金屬層4的整個(gè)表面上，此后，電鍍抗蝕劑6被曝光并顯影，由此形成與布線電路圖形相反的圖形(見圖2(a)，然而，在本實(shí)施例中，樹脂層3被忽略了)。
接著，第二薄金屬層5通過(guò)電解鎳電鍍采用第一薄金屬層4做電極被形成在第一薄金屬層4上，并且厚度為0.2μm(見圖2(b)，然而，在本實(shí)施例中，樹脂層3被忽略了)。此后，電鍍抗蝕劑6被從第一薄金屬層4上移除(見圖2(c)，然而，在本實(shí)施例中，樹脂層3被忽略了)，由此以預(yù)定布線電路圖形的形式在第一薄金屬層4上形成第二薄金屬層5(見圖5(c))。由于第一薄金屬層4和電鍍抗蝕劑6之間的粘著力良好，所以第二薄金屬層5可以以預(yù)定布線電路圖形的形式高精度地形成。
此后，以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷粉末并以乙基纖維素為粘合劑的漿料被涂敷到包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4上，并在100℃干燥，以在包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4上形成具有1.0μm厚度的分散陶瓷粉末層7(見圖5(d))，由此獲得具有薄金屬層的陶瓷生片1。所示漿料可以均勻地涂敷且在第一薄金屬層4上沒(méi)有被排斥，使得分散陶瓷粉末層7可以形成為均勻的層。
接著，在為了每次疊置而剝離相應(yīng)的底膜2后，1000片由此獲得的具有薄金屬層的陶瓷生片1被依序堆疊，隨后所得到的疊層在1300℃下被燒制，由此制造疊層陶瓷電容器11(見圖3，然而，在本實(shí)施例中，樹脂層3被忽略了)。
燒制后所獲得的疊層陶瓷電容器11的截面在電子顯微鏡下加以觀察。結(jié)果，對(duì)于其上形成有第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分，確認(rèn)了球化處理被禁止以通過(guò)第二薄金屬層5和第一薄金屬層4形成高精度布線電路圖形。在另一方面，確認(rèn)了其上沒(méi)有形成第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分被球化或分割以形成絕緣部分。還確認(rèn)了沒(méi)有產(chǎn)生內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離、上部和下部絕緣層13之間分離或者在絕緣層13中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋。
第一比較例位于經(jīng)過(guò)硅酮脫模處理的表面上的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜制成的底膜2被制備(見圖6(a))，而由薄的鎳膜制成的第一薄金屬層4通過(guò)使用真空沉積設(shè)備形成在底膜2的整個(gè)表面上，并且厚度為0.08μm(見圖6(b))。
接著，由干膜抗蝕劑制成的電鍍抗蝕劑6利用熱被壓力接合在第一薄金屬層4的整個(gè)表面上，此后，電鍍抗蝕劑6被曝光并顯影，由此形成與布線電路圖形相反的圖形(見圖2(a)，然而，在本實(shí)施例中，樹脂層3被忽略了)。
接著，第二薄金屬層5通過(guò)電解鎳電鍍采用第一薄金屬層4做電極被形成在第一薄金屬層4上，并且厚度為0.2μm(見圖2(b)，然而，在本實(shí)施例中，樹脂層3被忽略了)。此后，電鍍抗蝕劑6被從第一薄金屬層4上移除(見圖2(c)，然而，在本實(shí)施例中，樹脂層3被忽略了)，由此以預(yù)定布線電路圖形的形式在第一薄金屬層4上形成第二薄金屬層5(見圖6(c))。由于第一薄金屬層4和電鍍抗蝕劑6之間的粘著力良好，所以第二薄金屬層5可以以預(yù)定布線電路圖形的形式高精度地形成。
此后，其上沒(méi)有形成第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分(從第二薄金屬層5暴露出的部分)利用被硝酸的水溶液加以蝕刻，由此將第一薄金屬層4加工成具有與第二薄金屬層5的圖形相似的形狀的布線電路圖形(見圖6(d))。
接著，以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷粉末并以乙基纖維素為粘合劑的漿料被涂敷到包括第二薄金屬層5的底膜2上，并在100℃干燥，以在包括第二薄金屬層5的底膜2上形成具有1.0μm厚度的分散陶瓷粉末層7(見圖6(e))，由此獲得具有薄金屬層的陶瓷生片1。
接著，在為了每次疊置而剝離相應(yīng)的底膜2后，1000片由此獲得的具有薄金屬層的陶瓷生片1被依序堆疊，隨后所得到的疊層在1300℃下被燒制，由此制造疊層陶瓷電容器11(見圖3，然而，在本實(shí)施例中，第一薄金屬層4被形成為布線電路圖形，而樹脂層3被忽略了)。
燒制后所獲得的疊層陶瓷電容器11的截面在電子顯微鏡下加以觀察。結(jié)果，對(duì)于其上形成有第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分，確認(rèn)了球化處理被禁止以通過(guò)第二薄金屬層5和第一薄金屬層4形成高精度布線電路圖形。
但是，內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離以及上部和下部絕緣層13之間分離被觀察到，并且絕緣層13中的內(nèi)部裂紋也被部分地觀察到。
第二實(shí)施例位于經(jīng)過(guò)硅酮脫模處理的表面上的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜制成的底膜2被制備(見圖1(a))，并且在甲苯和一甲基乙二醇(monomethyl glycol)的混合溶劑中，與分散陶瓷粉末層7的粘合劑的材料相同的乙基纖維素的溶液通過(guò)旋涂被涂敷到底膜2上以作為樹脂層3，其厚度為0.5μm(見圖1(b))。
接著，由薄的鎳膜制成的第一薄金屬層4通過(guò)使用真空沉積設(shè)備形成在樹脂層3的整個(gè)表面上，并且厚度為0.08μm(見圖1(c))。
接著，由干膜抗蝕劑制成的電鍍抗蝕劑6利用熱被壓力接合在第一薄金屬層4的整個(gè)表面上，此后，電鍍抗蝕劑6被曝光并顯影，由此形成與布線電路圖形相反的圖形(見圖2(a))。
接著，第二薄金屬層5通過(guò)電解鎳電鍍采用第一薄金屬層4做電極被形成在第一薄金屬層4上，并且厚度為0.2μm(見圖2(b))。此后，電鍍抗蝕劑6被從第一薄金屬層4上移除(見圖2(c))，由此以預(yù)定布線電路圖形的形式在第一薄金屬層4上形成第二薄金屬層5(見圖1(d))。由于第一薄金屬層4和電鍍抗蝕劑6之間的粘著力良好，所以第二薄金屬層5可以以預(yù)定布線電路圖形的形式高精度地形成。
此后，以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷粉末并以乙基纖維素為粘合劑的漿料被涂敷到包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4上，并在100℃干燥，以在包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4上形成具有1.0μm厚度的分散陶瓷粉末層7(見圖1(e))，由此獲得具有薄金屬層的陶瓷生片1。所示漿料可以均勻地涂敷且在第一薄金屬層4上沒(méi)有被排斥，使得分散陶瓷粉末層7可以形成為均勻的層。
接著，在為了每次疊置而剝離相應(yīng)的底膜2后，1000片由此獲得的具有薄金屬層的陶瓷生片1被依序堆疊，隨后所得到的疊層在1300℃下被燒制，由此制造疊層陶瓷電容器11(見圖3)。
在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中底膜2被從具有薄金屬層的陶瓷生片1的樹脂層3剝離時(shí)，確認(rèn)了100％保留了第二薄金屬層5而沒(méi)有被分隔。
燒制后所獲得的疊層陶瓷電容器11的截面在電子顯微鏡下加以觀察。結(jié)果，對(duì)于其上形成有第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分，確認(rèn)了球化處理被禁止以通過(guò)第二薄金屬層5和第一薄金屬層4形成高精度布線電路圖形。在另一方面，確認(rèn)了其上沒(méi)有形成第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分被球化或分割以形成絕緣部分。還確認(rèn)了沒(méi)有產(chǎn)生內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離、上部和下部絕緣層13之間分離或者在絕緣層13中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋。
第二比較例位于經(jīng)過(guò)硅酮脫模處理的表面上的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜制成的底膜2被制備(見圖7(a))，并且在甲苯和一甲基乙二醇(monomethyl glycol)的混合溶劑中，與分散陶瓷粉末層7的粘合劑的材料相同的乙基纖維素的溶液通過(guò)旋涂被涂敷到底膜2上以作為樹脂層3，其厚度為0.5μm(見圖7(b))。
接著，由薄的鎳膜制成的第一薄金屬層4通過(guò)使用真空沉積設(shè)備形成在樹脂層3的整個(gè)表面上，并且厚度為0.08μm(見圖7(c))。
接著，由干膜抗蝕劑制成的電鍍抗蝕劑6利用熱被壓力接合在第一薄金屬層4的整個(gè)表面上，此后，電鍍抗蝕劑6被曝光并顯影，由此形成與布線電路圖形相反的圖形(見圖2(a))。
接著，第二薄金屬層5通過(guò)電解鎳電鍍采用第一薄金屬層4做電極被形成在第一薄金屬層4上，并且厚度為0.2μm(見圖2(b))。此后，電鍍抗蝕劑6被從第一薄金屬層4上移除(見圖2(c))，由此以預(yù)定布線電路圖形的形式在第一薄金屬層4上形成第二薄金屬層5(見圖7(d))。由于第一薄金屬層4和電鍍抗蝕劑6之間的粘著力良好，所以第二薄金屬層5可以以預(yù)定布線電路圖形的形式高精度地形成。
此后，其上沒(méi)有形成第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分(從第二薄金屬層5暴露出的部分)利用被硝酸的水溶液加以蝕刻，由此將第一薄金屬層4加工成具有與第二薄金屬層5的圖形相似的形狀的布線電路圖形(見圖7(e))。
此后，以鈦酸鋇為主要成分的陶瓷粉末并以乙基纖維素為粘合劑的漿料被涂敷到包括第二薄金屬層5的樹脂層3上，并在100℃干燥，以在包括第二薄金屬層5的第一薄金屬層4上形成具有1.0μm厚度的分散陶瓷粉末層7(見圖7(f))，由此獲得具有薄金屬層的陶瓷生片1。所示漿料可以均勻地涂敷且在第一薄金屬層4上沒(méi)有被排斥，使得分散陶瓷粉末層7可以形成為均勻的層。
接著，在為了每次疊置而剝離相應(yīng)的底膜2后，1000片由此獲得的具有薄金屬層的陶瓷生片1被依序堆疊，隨后所得到的疊層在1300℃下被燒制，由此制造疊層陶瓷電容器11(見圖3，然而，在本實(shí)施例中，第一薄金屬層4形成為所述布線電路圖形)。
在疊層陶瓷電容器11的制造過(guò)程中底膜2被從具有薄金屬層的陶瓷生片1的樹脂層3剝離時(shí)，確認(rèn)了100％保留了第二薄金屬層5而沒(méi)有被分隔。
另外，燒制后所獲得的疊層陶瓷電容器11的截面在電子顯微鏡下加以觀察。結(jié)果，對(duì)于其上形成有第二薄金屬層5的第一薄金屬層4的部分，確認(rèn)了球化處理被禁止以通過(guò)第二薄金屬層5和第一薄金屬層4形成高精度布線電路圖形。
但是，內(nèi)部電極12與絕緣層13之間分離以及上部和下部絕緣層13之間分離被觀察到，并且絕緣層13中的內(nèi)部裂紋也被部分地觀察到。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的具有薄金屬層的陶瓷生片，在陶瓷電容器的制造過(guò)程中燒制通過(guò)堆疊陶瓷生片所獲得的疊層時(shí)，利用在各個(gè)界面的整個(gè)表面上插入在相鄰的分散陶瓷粉末層之間的各個(gè)第一薄金屬層，可以保證均勻的收縮百分比，由此允許整個(gè)分散陶瓷粉末層均勻地收縮。
因此，根據(jù)本發(fā)明的用于制造陶瓷電容器的方法，在燒制具有薄金屬層的陶瓷生片的步驟中可以允許整個(gè)分散陶瓷粉末層均勻地收縮。因此，可以有效地防止由于不均勻收縮造成的內(nèi)部電極與絕緣層之間分離、上部和下部絕緣層之間分離或者在絕緣層中出現(xiàn)內(nèi)部裂紋，因而使得制造具有高可靠性的陶瓷電容器成為可能。
雖然本發(fā)明通過(guò)參照它的特殊實(shí)施例已經(jīng)被詳細(xì)地加以描述，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，很顯然的是在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以做出各種變化和改動(dòng)。
本申請(qǐng)以2002年11月27日提交的日本專利申請(qǐng)第2002-343754號(hào)為基礎(chǔ)，該日本專利申請(qǐng)的內(nèi)容在此引用作為參考。
權(quán)利要求
1.一種具有薄金屬層的陶瓷生片，包括底膜；第一薄金屬層，形成在所述底膜的整個(gè)表面上；第二薄金屬層，以預(yù)定圖形的方式形成在所述第一薄金屬層上；以及分散陶瓷粉末層，包括粘合劑和分散在其中的陶瓷粉末，并且形成在包括第二薄金屬層表面的第一薄金屬層表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其還包括插入在所述底膜和所述第一薄金屬層之間的樹脂層。
3.如權(quán)利要求2所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述樹脂層包括與所述分散陶瓷粉末層的粘合劑基本上相同的材料。
4.如權(quán)利要求3所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第一薄金屬層具有0.001到1.0μm的厚度。
5.如權(quán)利要求3所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第二薄金屬層具有第一薄金屬層的厚度的兩倍或更多倍的厚度。
6.如權(quán)利要求3所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第一薄金屬層通過(guò)真空薄膜形成方法來(lái)形成。
7.如權(quán)利要求3所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第二薄金屬層通過(guò)電解電鍍來(lái)形成。
8.如權(quán)利要求1所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第一薄金屬層具有0.001到1.0μm的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第二薄金屬層具有第一薄金屬層的厚度的兩倍或更多倍的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第一薄金屬層通過(guò)真空薄膜形成方法來(lái)形成。
11.如權(quán)利要求1所述的具有薄金屬層的陶瓷生片，其中所述第二薄金屬層通過(guò)電解電鍍來(lái)形成。
12.一種制造陶瓷電容器的方法，包括以下步驟制備多個(gè)如權(quán)利要求1所述的具有薄金屬層的陶瓷生片；剝離所述多個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片之一的底膜；通過(guò)使另一具有薄金屬層的陶瓷生片與第一薄金屬層或所述剝離掉底膜的陶瓷生片相接觸，在所述剝離掉底膜的陶瓷生片上疊置所述另一陶瓷生片；重復(fù)所述剝離步驟和所述疊置步驟預(yù)定次數(shù)，以形成所述多個(gè)陶瓷生片的疊層產(chǎn)物；以及燒制所述疊層產(chǎn)物。
13.如權(quán)利要求12所述的制造陶瓷電容器的方法，其中所述多個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片還包括插入在所述底膜和所述第一薄金屬層之間的樹脂層，所述樹脂層包括與所述分散陶瓷粉末層的粘合劑基本上相同的材料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有薄金屬層的陶瓷生片，包括底膜；形成在所述底膜的整個(gè)表面上的第一薄金屬層；以預(yù)定圖形的方式形成在第一薄金屬層上的第二薄金屬層；以及分散陶瓷粉末層，其包括粘合劑和分散在其中的陶瓷粉末，并形成在包括第一薄金屬層和第二薄金屬層的金屬層。本發(fā)明還公開了一種用于制造使用多個(gè)具有薄金屬層的陶瓷生片的陶瓷電容器的方法。
文檔編號(hào)H01G4/30GK1505073SQ20031011964
公開日2004年6月16日 申請(qǐng)日期2003年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月27日
發(fā)明者大內(nèi)一男, 小田高司, 桶結(jié)卓司, 司 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社