專利名稱：靜電卡盤、基片支持、夾具和電極結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種靜電卡盤(electrostatic chuck)，其與基片(substrate)進(jìn)行點接觸使用多個支持球以使接觸面積最小以便于防止半導(dǎo)體基片的接觸損壞；一種基片支持；一種用于基片固定的夾具；以及其制造方法。
另外，本發(fā)明涉及一種在等離子體處理設(shè)備中提供的電極的結(jié)構(gòu)及其制造方法，更具體而言，涉及這樣一種電極，其用于防止高頻功率損失并通過以下形成均勻的等離子體形成電極基體材料和絕緣層之間的總體區(qū)域上的金屬層或者形成具有所述電極基體材料和所述絕緣層之間的特定形狀的金屬層，以及其制造方法。
背景技術(shù)：
近些年來，產(chǎn)生了當(dāng)在半導(dǎo)體干蝕刻處理中圖案化半導(dǎo)體基片時對提高定位精度的迫切需要。靜電卡盤是一種被用于使用靜電力來提高所述定位精度的裝置。
常規(guī)靜電卡盤的實例被公開于題為“Electrostatic Chuck memberand Fabrication Method thereof”的日本專利公開No.2002-70340中。如圖1中所示，所公開的靜電卡盤組件包括底涂層2，其由金屬層制成并且被形成于基體的至少一個表面上；下絕緣層3，其由Al2O3陶瓷制成并被形成于底涂層2上；金屬電極層4，其被形成于下絕緣層上；以及上絕緣層5，其由Al2O3陶瓷制成并被形成于金屬電極層上作為頂涂層。
然而，這種常規(guī)靜電卡盤具有這樣的缺點當(dāng)該靜電卡盤與基片10進(jìn)行接觸時在基片10上出現(xiàn)顆粒，而且，當(dāng)基片的總體表面與靜電卡盤進(jìn)行接觸時，具有維持基片平整度方面的困難。因此，所產(chǎn)生的問題在于當(dāng)制造基片時，難以均勻地處理基片的表面并且保證基片的結(jié)構(gòu)平整度。
另外，在靜電卡盤與基片進(jìn)行接觸時，所產(chǎn)生的另一個問題在于當(dāng)對基片執(zhí)行蝕刻處理或沉積處理時，難以保證諸如溫度和壓力的處理條件的均勻性。
作為常規(guī)靜電卡盤的另一個實例，有這樣一種靜電卡盤，其中靜電卡盤和基片之間的接觸平面被壓紋以減小接觸平面的面積。
然而，在此情況下，所存在的問題是難以準(zhǔn)備和大規(guī)模生產(chǎn)壓紋平面。另外，存在對基片上出現(xiàn)顆粒并且由于壓紋平面的接觸造成的磨損而導(dǎo)致?lián)p壞基片的擔(dān)心，并且存在壓紋平面的壽命短并因此制造靜電卡盤的花費大的問題。
此外，常規(guī)靜電卡盤的上述問題對于被用于檢查基片的基片支持和用于抓住基片的夾具也是真實的。
上述等離子體處理設(shè)備包括下電極和上電極。
圖2是一個斷面圖，其說明用作在等離子體處理設(shè)備中提供的上和下電極的電極的結(jié)構(gòu)。如圖2中所示，常規(guī)電極包括被形成為電極體的基體材料4a和被形成于基體材料4a上的絕緣層4b。在此，基體材料4a通常是通過對鋁(Al)進(jìn)行加工而形成的，然后絕緣層4b被形成于基體材料4a上。
然而，由于被用于基體材料4a的鋁具有低硬度，通過機械加工形成的基體材料4a的表面是很粗糙的。也就是說，具有1.6到0.8um尺寸的大量凸起被形成于基體材料的表面上。因此，根據(jù)沿導(dǎo)體表面?zhèn)鞑サ母哳l信號的功率特性，導(dǎo)體表面的粗糙度或不均勻性對高頻信號的功率傳遞有很大影響，這可導(dǎo)致高頻信號的功率損失。另外，高頻信號的功率傳遞處理中的功率損失被轉(zhuǎn)換成熱能，這導(dǎo)致電極溫度的增加。
因此，常規(guī)電極具有以下問題高頻信號的功率損失、由于功率損失而導(dǎo)致的電極溫度的增加以及由于電極溫度增加而導(dǎo)致的電極損壞。
此外，最近，隨著由等離子體處理設(shè)備處理的基片的變大，出現(xiàn)了這樣的問題由于在等離子體處理設(shè)備中產(chǎn)生的等離子體的密度的不均勻性而導(dǎo)致基片的不同部分經(jīng)歷不同的處理程度。由于高頻信號的功率不被均勻地施加給常規(guī)電極，等離子體不能被均勻地產(chǎn)生。還有，隨著電極面積的增加并因此電極的中心部分和邊緣部分之間的等離子體的均勻性上的差異的增加，出現(xiàn)了待處理的基片的蝕刻或沉積的不均勻性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種靜電卡盤，其能防止基片上顆粒的出現(xiàn)和基片的損壞并且在包括蝕刻、沉積等的處理中保證基片溫度和壓力的均勻性和處理均勻性。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種具有功能和制造的穩(wěn)定性以及延長的壽命的靜電卡盤及其制造方法。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種能防止基片損壞和變形并使顆粒的出現(xiàn)最小的基片支持及其制造方法。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種夾具，其能防止基片的損壞和顆粒的出現(xiàn)并減輕對基片的沖擊。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種電極結(jié)構(gòu)，其能防止高頻信號的功率損失。
依照本發(fā)明的一個方面，以上和其它目的可通過提供一種靜電卡盤來實現(xiàn)，該靜電卡盤包括支持組件，其頂表面是平的，并且具有電極棒；下絕緣層，其由支持組件的頂表面上涂敷的絕緣材料形成；多個電極圖案，其被附著于下絕緣層并電連接于電極棒；上絕緣層，其由電極圖案上涂敷的絕緣材料形成；結(jié)(junction)層，其由上絕緣層上涂敷的結(jié)材料形成；以及多個支持球，其以預(yù)定形式被安排在結(jié)層上并且被結(jié)合和固定于結(jié)層。
依照本發(fā)明的另一個方面，以上和其它目的可通過提供一種基片支持來實現(xiàn)，該基片支持包括支持組件，其頂表面是平的；絕緣層，其由支持組件的頂表面上涂敷的絕緣材料形成；結(jié)層，其由絕緣層上涂敷的結(jié)材料形成；以及多個支持球，其以預(yù)定形式被安排在結(jié)層上并且被結(jié)合到結(jié)層。優(yōu)選地，阻尼層(damper)被附著于絕緣層上并且結(jié)層由阻尼層上涂敷的結(jié)材料形成。
依照本發(fā)明的又一個方面，以上和其它目的可通過提供一種用于制造基片支持的方法來實現(xiàn)，該方法包括以下步驟通過在支持組件上涂敷絕緣材料來形成絕緣層，所述支持組件的頂表面是平的；通過在絕緣層上涂敷結(jié)材料來形成結(jié)層；以及以預(yù)定形式在結(jié)層上安排多個支持球并且結(jié)合到結(jié)層。
依照本發(fā)明的又一個方面，以上和其它目的可通過提供一種用于基片固定的夾具來實現(xiàn)，該夾具包括阻尼層，其被附著于夾具的基片固定組件；結(jié)層，其由阻尼層上涂敷的結(jié)材料形成；以及多個支持球，其以預(yù)定形式被安排在結(jié)層上并且被結(jié)合到結(jié)層。
依照本發(fā)明的又一個方面，以上和其它目的可通過提供一種用于制造用于基片固定的夾具的方法來實現(xiàn)，該方法包括以下步驟將阻尼層附著于夾具的基片固定組件；通過在阻尼層上涂敷結(jié)材料來形成結(jié)層；以及以預(yù)定形式在結(jié)層上安排多個支持球并將支持球結(jié)合到結(jié)層。
依照本發(fā)明的又一個方面，以上和其它目的可通過提供一種用于制造靜電卡盤的方法來實現(xiàn)，該方法包括以下步驟通過在支持組件上涂敷絕緣材料來形成下絕緣層，所述支持組件的頂表面是平的，并且具有電極棒；將多個電極圖案附著于下絕緣層并將該多個電極圖案電連接于電極棒；通過在電極圖案上涂敷絕緣材料來形成上絕緣層；通過在上絕緣層上涂敷結(jié)材料來形成結(jié)層；以及以預(yù)定形式在結(jié)層上安排多個支持球并且將支持球結(jié)合到結(jié)層。
依照本發(fā)明的又一個方面，以上和其它目的可通過提供一種被用于等離子體處理設(shè)備中的上電極或下電極的電極結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)，該電極結(jié)構(gòu)包括基體材料；在基體材料上形成的金屬層；以及在金屬層上形成的絕緣層。優(yōu)選地，所述電極結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在基體材料和金屬層之間形成的粘結(jié)材料層。
依照本發(fā)明的又一個方面，以上和其它目的可通過提供一種用于制造電極的方法來實現(xiàn)，該電極被用于等離子體處理設(shè)備中的上電極或下電極，所述方法包括以下步驟準(zhǔn)備用于形成電極體基體材料；在基體材料上形成金屬層；以及在金屬層上形成絕緣層。


從結(jié)合附圖進(jìn)行的以下詳述來看，本發(fā)明的以上和其它目的、特點和其它優(yōu)點將被更清楚地理解，在附圖中圖1是說明常規(guī)靜電卡盤的概念圖；圖2是說明常規(guī)等離子體處理設(shè)備中的電極結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖3是說明依照本發(fā)明的靜電卡盤的斷面圖；
圖4是說明依照本發(fā)明的基片支持的斷面圖；圖5是說明依照本發(fā)明的夾具的局部斷面圖；圖6是說明依照本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中的電極結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖7是說明依照本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中的另一個電極結(jié)構(gòu)的斷面圖；并且圖8是說明依照本發(fā)明用于制造等離子體處理設(shè)備中的電極的方法的流程圖。
具體實施例方式
在以下將參照附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
參考圖3，依照本發(fā)明實施例的靜電卡盤100包括支持組件101；下絕緣層110，其由支持組件101上涂敷的絕緣材料形成；多個電極圖案，其被附著于下絕緣層110；上絕緣層130，其由電極圖案上涂敷的絕緣材料形成；結(jié)層，其由上絕緣層130上涂敷的結(jié)材料形成；多個支持球，其被安排并且結(jié)合到結(jié)層140；以及多個泄漏防止壩160，其被固定地安排在所述多個支持球之間。
支持組件101具有平的頂表面和在支持組件101的中心的上和下側(cè)處形成的孔。電極棒103被插入在所述孔中，用來將電壓施加給將在以后描述的電極圖案。另一方面，每個都由倒轉(zhuǎn)的梯形槽組成的多個氦通路105被提供于支持組件101上。氦通路105用作氦氣的傳遞通路。
下絕緣層110被形成于支持組件101上并由Al2O3制成。下絕緣層110的厚度在100到400um的范圍內(nèi)是均勻的。
電極圖案120被附著于下絕緣層110并被連接于支持組件101的電極棒103。另外，電極圖案120的厚度在3到30um的范圍內(nèi)是均勻的。電極圖案120由諸如銅(Cu)、鎳(Ni)和鎢(W)的金屬制成。
上絕緣層130被形成于電極圖案120上并由Al2O3制成。上絕緣層130的厚度在100到400um的范圍內(nèi)是均勻的。
結(jié)層140由聚酰亞胺或環(huán)氧(epoxy)制成并具有在幾um到幾百um的范圍內(nèi)均勻的厚度。
支持球150是通過使用包括沖擊(impact)、散射、分布等的方法而均勻地安排在結(jié)層140上的，并且具有在幾十um到幾百um范圍內(nèi)均勻的直徑。另外，支持球150優(yōu)選地由諸如陶瓷和聚酰亞胺的電介質(zhì)制成，或者可替換地，由諸如塑料的一般材料制成。另外，當(dāng)支持球150被結(jié)合到結(jié)層140時，分離的粘結(jié)劑141被施加于支持球150的側(cè)部分上以加強結(jié)合力，如在圖3中的放大部分中所示。因此，支持球150被較強地結(jié)合到結(jié)層140。
泄漏防止壩160以所述多個支持球150之間的均勻間隔固定地安排，并用來防止從氦通路105排放的氦氣的泄漏并將基片的總體底部維持在恒定溫度和恒定壓力，這是通過中斷熱的入口和出口來進(jìn)行的。
另一方面，連通容器107被連接于支持組件101的每個氦通路105并從氦通路105經(jīng)過上述元件到達(dá)結(jié)層140的頂表面。另外，氦通路105的上部通過塞子109從外部封閉，所述塞子具有在其中心形成的孔并且支持插在該孔中的連通容器107。
在以下將根據(jù)本發(fā)明的實施例來描述如以上構(gòu)建的靜電卡盤的操作。
首先，基片10被放置在多個支持球150上，同時恒定溫度和恒定壓力的氦氣被排放到一個空間中，在該空間中，多個支持球150被安排經(jīng)過支持101的氦通路105。之后，電壓被施加給支持組件101的電極棒103并因此被施加給與其連接的多個電極圖案120，而與被施加給電極棒103的電壓不同的電壓被施加給基片10。因此，基片10通過一個電力(electrical force)而固定于多個支持球150上，所述電力是由被施加給電極棒103的電壓和被施加給基片10的電壓之間的差而產(chǎn)生的。因此，在基片10與多個支持球150進(jìn)行點接觸時，基片的損壞和基片上顆粒的出現(xiàn)可被防止。另一方面，通過氦通路105向上排放的氦氣被均勻地分布在基片10的底部上以使適合于處理基片10的溫度和壓力被恒定地維持。由于被固定地安排在支持球150之間的泄漏防止壩160，氦氣不被泄漏出來。
另一方面，在使用等離子體源的處理中，可通過在包括結(jié)層140或粘結(jié)劑141和支持球150的靜電卡盤100的最上部分上涂敷氧化鋁來提高介電常數(shù)。
接下來，將參照圖4來詳細(xì)說明依照本發(fā)明另一個實施例的基片支持。
如圖4中所示，基片支持200包括支持組件201，被附著于支持組件201的絕緣層210，由在絕緣層210上涂敷的結(jié)材料形成的結(jié)層240，以及在結(jié)層240上安排并被結(jié)合到結(jié)層240的多個支持球250。
支持組件201具有平的頂表面。
絕緣層210被形成于支持組件201上并由Al2O3制成。絕緣層210的厚度在100到400um的范圍內(nèi)是均勻的。
結(jié)層240由聚酰亞胺或環(huán)氧制成并具有在幾um到幾百um的范圍內(nèi)均勻的厚度。
支持球250是通過使用包括沖擊、散射、分布等的方法而均勻地安排在結(jié)層240上的，并且具有在幾十um到幾百um范圍內(nèi)均勻的直徑。另外，支持球250優(yōu)選地由諸如陶瓷和聚酰亞胺的電介質(zhì)制成，或者可替換地，由諸如塑料的一般材料制成，如在靜電卡盤中。另外，當(dāng)支持球250被結(jié)合到結(jié)層240時，分離的粘結(jié)劑被施加于支持球250的側(cè)部分上以加強結(jié)合力，從而使支持球250被更強地結(jié)合到結(jié)層240，如在靜電卡盤100中。
在如以上構(gòu)建的基片支持200中，基片10以這樣的方式被放置在多個支持球250上，即它由多個支持球上的多個點接觸來支持。因此，基片的損壞和基片上顆粒的出現(xiàn)可被防止。
接下來，將參照圖5來詳細(xì)描述依照本發(fā)明又一個實施例的夾具。
如示出夾具300的局部斷面圖的圖5中所示，夾具300包括抓住(grip)組件301，用于抓住基片10；無沖擊(shockless)阻尼層370，其被附著于抓住組件301的底部；結(jié)層340，其由阻尼層370底部上涂敷的結(jié)材料形成；多個支持球350，其被安排在結(jié)層340的底部上并被結(jié)合到結(jié)層340；以及分離的粘結(jié)劑341，其被涂敷在支持球350的側(cè)部分上。在本描述中，為簡潔起見，已結(jié)合靜電卡盤100或基片支持200而描述的部分的說明將被省略。
抓住組件301被形成于用于夾具300的末端部分以抓住基片10。
阻尼層370被附著于抓住組件301的底部上以便于緩解對基片10的沖擊，并且由可用于阻尼的諸如橡膠的常規(guī)一般材料制成。
借助如以上構(gòu)建的夾具300，在被夾具300抓住的基片10與支持球350進(jìn)行點接觸時，基片10的損壞可被防止。另外，當(dāng)基片10被夾具300抓住時，對基片10的沖擊可通過阻尼層370的阻尼動作來緩解。
接下來，將參照圖6來描述依照本發(fā)明又一個實施例的待用作等離子體處理設(shè)備中的上電極或下電極的電極的結(jié)構(gòu)。
如圖6中所示，所述電極包括基體材料121、金屬層和絕緣層123。
在被用于制造平板顯示器基片的等離子體處理設(shè)備中，基體材料121形成電極體并通常具有矩形形狀。基體材料121由傳導(dǎo)性金屬制成，優(yōu)選為鋁(Al)合金，高頻信號的功率可以施加給它。也就是說，優(yōu)選的是通過使用機械加工方法來平面化鋁合金的表面而形成矩形基體材料。
另外，金屬層125被形成于基體材料121上。金屬層125優(yōu)選地由金(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉻(Cr)和銅(Cu)之一制成，其具有比被用作基體材料121的金屬更好的傳導(dǎo)率。也就是說，高頻信號的功率可被容易地傳遞的通路是通過在基體材料121上形成在傳導(dǎo)率上優(yōu)于基體材料121的金屬層而形成的?；w材料121具有粗糙表面，這是因為該表面是被機械加工的，而與基體材料121相比，金屬層125具有很平且光滑的表面，這是因為它是通過涂敷而形成的。因此，高頻信號的功率可被傳遞通過金屬層而沒有高頻信號功率的損失。
另外，盡管金屬層125可被形成于基體材料121的整個表面上，亦有可能通過以下僅在基體材料121的頂表面的特定區(qū)域上以特定形狀形成金屬層125使用光刻(photolithography)處理來形成特定的圖案化掩模并通過使用金屬沉積處理或涂敷處理在所述圖案化掩模內(nèi)形成金屬層。因此，等離子體密度可在期望區(qū)域處被選擇性地提高。換句話說，在用于處理大基片的等離子體處理設(shè)備中，電極的中心、側(cè)和邊緣之間的等離子體均勻性上的差異可通過在電極的所述側(cè)和邊緣上以特定圖案形成金屬層125而顯著減小。
因此，由于可形成用于僅在特定區(qū)域中選擇性地增加等離子體密度的電極，可提供適合于處理大基片的等離子體處理設(shè)備。
另外，如圖7中所示，優(yōu)選的是提供金屬層125和基體材料121之間的粘結(jié)材料127以使金屬層125被更強地附著于基體材料121。
另外，絕緣層123被形成于金屬層125上以保護(hù)基體材料121和金屬層125并且將它們與外部隔離。一般而言，絕緣層123是通過使用陽極化方法來形成的。
在以下將參照圖8來描述依照本發(fā)明的又一個實施例用于制造電極的方法。
首先執(zhí)行基體材料準(zhǔn)備步驟，其被稱為將基體材料121加工成電極本身的形狀的步驟。一般而言，由于使用等離子體氣體的平板顯示器制造設(shè)備具有矩形電極，一般將基體材料121加工成矩形形狀。在此情況下，基體材料121由鋁合金制成，并且其表面是通過機械加工方法來加工的。因此，考慮到鋁合金的低硬度，鋁合金具有明顯粗糙的表面。
在基體材料準(zhǔn)備步驟之后執(zhí)行金屬層形成步驟，用于在基體材料121上形成金屬層125。優(yōu)選的是，在基體材料121上形成例如具有大約2um到30um的很薄厚度的金屬層125。在此情況下，金屬層125可使用電鍍方法或離子電鍍方法來形成，或者可替換地使用其它方法，包括噴涂方法、真空蒸發(fā)處理(例如濺射方法、化學(xué)蒸發(fā)方法)等。
另外，依照本發(fā)明的實施例用于制造電極的方法可包括粘結(jié)材料形成步驟，用于在形成金屬層125之前在基體材料121上形成粘結(jié)材料，從而使金屬層125被更強地附著于基體材料121。
另外，在金屬層形成步驟之前，可進(jìn)一步包括在基體材料121上形成特定的圖案化掩模的掩模形成步驟。在此，圖案化掩模是指在基體材料121上以特定形狀形成的圖案，目的是以特定形狀形成金屬層125?？墒褂霉庵驴刮g劑(photoresist)來形成該圖案化掩模。執(zhí)行該步驟的原因是電極上的特定區(qū)域中的等離子體密度可通過在特定區(qū)域上以特定形狀形成金屬層125而選擇性地提高。在此，可使用光刻處理或可替換地，使用采用屏蔽帶(masking tape)的帶敷處理(taping process)來形成圖案化掩模。
應(yīng)指出，在金屬層125被形成之后絕緣層123被形成之前必須去除圖案化掩模。因此，當(dāng)使用圖案化掩模形成金屬層125時，可在金屬層形成步驟和絕緣層形成步驟之間進(jìn)一步執(zhí)行去除圖案化掩模的掩模去除步驟。
最后執(zhí)行用于在金屬層125上形成絕緣層123的絕緣層形成步驟。絕緣層通常是使用涂敷方法形成的，具體而言是陽極化方法或氧化鋁(Al2O3)熱噴涂或蒸發(fā)方法。
如從以上描述顯而易見的，本發(fā)明提供了一種靜電卡盤，其能防止半導(dǎo)體基片上顆粒的出現(xiàn)和基片的損壞，提高靜電卡盤的介電常數(shù)并且在包括蝕刻、沉積等的處理中保證基片溫度和壓力的均勻性和處理均勻性；并且提供了一種具有功能和制造的穩(wěn)定性以及延長的壽命的靜電卡盤。
另外，本發(fā)明提供了一種能防止基片損壞和變形并使顆粒出現(xiàn)最小的基片支持。
另外，本發(fā)明提供了一種夾具，其能防止基片的損壞和基片上顆粒的出現(xiàn)并減輕對基片的沖擊。
另外，本發(fā)明提供了一種電極，其能通過機械地和電地穩(wěn)定金屬層和基體材料之間的界面來防止高頻信號的功率損失，并因此提高高頻信號功率的傳遞效率。
另外，本發(fā)明提供了一種電極，其能便于高頻信號功率的均勻傳遞并且當(dāng)該電極被用作等離子體處理設(shè)備中的上電極或下電極時產(chǎn)生均勻的等離子體。
此外，本發(fā)明提供了一種電極，其能通過以下而選擇性地提高等離子體密度和效率形成特定的圖案化金屬層以使用于高效高頻信號通路的電極可被形成為期望的形狀。具體而言，可提供一種被用于處理大基片的等離子體處理設(shè)備，其能克服電極的中心部分和側(cè)部分之間的等離子體均勻性上的差異。
盡管已為了說明的目的而公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在如被公開于所附權(quán)利要求中的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種修改、添加和替換是可能的。
權(quán)利要求
1.一種靜電卡盤，包括支持組件，其頂表面是平的，并且具有電極棒；下絕緣層，其由支持組件的頂表面上涂敷的絕緣材料形成；多個電極圖案，其被附著于下絕緣層并電連接到電極棒；上絕緣層，其由電極圖案上涂敷的絕緣材料形成；結(jié)層，其由上絕緣層上涂敷的結(jié)材料形成；以及多個支持球，其以預(yù)定形式被安排在結(jié)層上并且被結(jié)合和固定到結(jié)層。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，進(jìn)一步包括多個氦通路，其被形成于支持組件上；多個連通容器，其經(jīng)過所述氦通路到達(dá)結(jié)層的頂表面；以及多個塞子，其封閉氦通路的上部并支持連通容器。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電卡盤，進(jìn)一步包括多個泄漏防止壩，其被固定地安排在結(jié)層上以使通過氦通路排放的氦氣的溫度和壓力分布是均勻的。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其中氧化鋁被涂敷于靜電卡盤的最上部分上。
5.一種基片支持，包括支持組件，其頂表面是平的；絕緣層，其由支持組件的頂表面上涂敷的絕緣材料形成；結(jié)層，其由絕緣層上涂敷的結(jié)材料形成；以及多個支持球，其以預(yù)定形式被安排在結(jié)層上并且被結(jié)合到結(jié)層。
6.如權(quán)利要求5所述的基片支持，其中阻尼層被附著于絕緣層上并且結(jié)層由阻尼層上涂敷的結(jié)材料形成。
7.一種用于基片固定的夾具，包括阻尼層，其被附著于夾具的基片固定組件；結(jié)層，其由阻尼層上涂敷的結(jié)材料形成；以及多個支持球，其以預(yù)定形式被安排在結(jié)層上并且被結(jié)合到結(jié)層。
8.如權(quán)利要求1到7中的任何一項所述的靜電卡盤，其中支持球由電介質(zhì)制成。
9.如權(quán)利要求1到7中的任何一項所述的靜電卡盤，其中結(jié)層是通過涂敷聚酰亞胺或環(huán)氧來形成的。
10.一種用于制造靜電卡盤的方法，包括以下步驟通過在支持組件上涂敷絕緣材料來形成下絕緣層，所述支持組件的頂表面是平的，并且具有電極棒；將多個電極圖案附著于下絕緣層并將該多個電極圖案電連接到電極棒；通過在電極圖案上涂敷絕緣材料來形成上絕緣層；通過在上絕緣層上涂敷結(jié)材料來形成結(jié)層；以及以預(yù)定形式在結(jié)層上安排多個支持球并且將支持球結(jié)合到結(jié)層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在支持組件上形成多個氦通路；安排多個連通容器，其經(jīng)過所述氦通路到達(dá)結(jié)層的頂表面；以及安排多個塞子，其封閉氦通路的上部并支持連通容器。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在結(jié)層上固定地安排多個泄漏防止壩，以使通過氦通路排放的氦氣的溫度和壓力分布是均勻的。
13.一種用于制造基片支持的方法，包括以下步驟通過在支持組件上涂敷絕緣材料來形成絕緣層，所述支持組件的頂表面是平的；通過在絕緣層上涂敷結(jié)材料來形成結(jié)層；以及以預(yù)定形式在結(jié)層上安排多個支持球并且結(jié)合到結(jié)層。
14.一種用于制造用于基片固定的夾具的方法，包括以下步驟將阻尼層附著于用于基片固定的夾具的基片固定組件；通過在阻尼層上涂敷結(jié)材料來形成結(jié)層；以及以預(yù)定形式在結(jié)層上安排多個支持球并將支持球結(jié)合到結(jié)層。
15.一種電極結(jié)構(gòu)，包括基體材料；在基體材料上形成的金屬層；以及在金屬層上形成的絕緣層。
16.如權(quán)利要求15所述的電極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括在基體材料和金屬層之間形成的粘結(jié)材料層。
17.如權(quán)利要求15所述的電極結(jié)構(gòu)，其中基體材料由鋁(Al)制成。
18.如權(quán)利要求15所述的電極結(jié)構(gòu)，其中金屬層由具有比被用作基體材料的材料更好的傳導(dǎo)率的金屬制成。
19.如權(quán)利要求18所述的電極結(jié)構(gòu)，其中所述金屬是從一個由金(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉻(Cr)和銅(Cu)組成的組中選擇的一個。
20.如權(quán)利要求15所述的電極結(jié)構(gòu)，其中金屬層以2um到30um的厚度被形成。
21.如權(quán)利要求15所述的電極結(jié)構(gòu)，其中金屬層在基體材料的特定區(qū)域上以特定圖案被形成。
22.一種用于制造電極的方法，包括以下步驟準(zhǔn)備用于形成電極體的基體材料；在基體材料上形成金屬層；以及在金屬層上形成絕緣層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中形成金屬層的步驟包括使用鍍處理、涂敷處理和真空蒸發(fā)處理之一來形成金屬層。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中鍍處理是電鍍處理或離子電鍍過程。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中涂敷處理是熱噴涂處理。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中真空蒸發(fā)處理是濺射處理或化學(xué)蒸發(fā)處理。
27.如權(quán)利要求22所述的方法，其中形成絕緣層的步驟包括使用涂敷處理來形成絕緣層。
28.如權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在形成金屬層之前形成圖案化掩模；以及在形成金屬層之后去除圖案化掩模。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中圖案化掩模是使用光刻處理來形成的。
30.如權(quán)利要求28所述的方法，其中圖案化掩模是通過將預(yù)定形狀的屏蔽帶附著于基體材料而形成的。
31.如權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在形成金屬層之前在基體材料上形成粘結(jié)材料。
全文摘要
公開了一種靜電卡盤，其通過以下與基片進(jìn)行點接觸使用多個支持球以使接觸面積最小，以便于防止半導(dǎo)體基片的接觸損壞；一種基片支持；一種用于基片固定的夾具；以及其制造方法。另外，公開了一種被用作在等離子體處理設(shè)備中提供的上電極或下電極的電極結(jié)構(gòu)及其制造方法。
文檔編號H01L21/67GK1638084SQ200410090840
公開日2005年7月13日 申請日期2004年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月14日
發(fā)明者許光虎, 崔浚泳, 李哲源, 曹生賢, 安成一 申請人:愛德牌工程有限公司