專利名稱：雜質(zhì)導(dǎo)入方法、導(dǎo)入裝置以及由其形成的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及雜質(zhì)導(dǎo)入方法、雜質(zhì)導(dǎo)入裝置以及由其形成的半導(dǎo)體裝置，特別是，涉及等離子體摻雜的雜質(zhì)導(dǎo)入輪廓的控制。
背景技術(shù)：
近年來，隨著半導(dǎo)體器件的細微化，要求形成淺接合的技術(shù)。在以往的半導(dǎo)體制造技術(shù)中，廣泛使用在半導(dǎo)體基板表面上以低能量離子注入硼(B)、磷(P)、砷(As)元素等各種導(dǎo)電型雜質(zhì)的方法。
使用該離子注入的方法形成半導(dǎo)體器件的淺接合，雖然能夠形成淺接合，但在由離子注入形成的深度上具有界限。例如，難以較淺地導(dǎo)入硼雜質(zhì)，在離子注入中，導(dǎo)入?yún)^(qū)域的深度具有距離基體表面100nm左右的界限。
因此，近年來，作為能夠形成更淺的接合的手段，提案有各種摻雜方法，其中，等離子體摻雜技術(shù)作為適于實用化的技術(shù)而越來越受到注目。該等離子體摻雜是將含有要導(dǎo)入的雜質(zhì)的反應(yīng)氣體進行等離子體激勵，在上述基體表面上照射等離子體并導(dǎo)入雜質(zhì)的技術(shù)。根據(jù)該技術(shù)，即使是硼雜質(zhì)也能夠形成深70nm的淺接合(例如參照專利文獻1，2)。
非專利文獻1プラズマド一ピング技術(shù)水野分二著(等離子體摻雜技術(shù)水野文二著)(第70卷、第12號、p1458～1462(2001))；非專利文獻2低バイアスパラズマド一ピングによつてド一プされたサブ-0.1ミクロンpMOSFET の性能Reliable and enhanced performancesof sub-0.1μm pMOSFETs doped by low biased Plasma Doping、DamienLenoble、VLSIシンポジウム、LEEE/“日本応用物理學(xué)會”主辦、P.110、2000年。
目前，半導(dǎo)體器件的微細化正在急速發(fā)展，其批量制造的設(shè)計尺寸小于或等于100nm。另一方面，硅晶片(半導(dǎo)體基板)正在從Ф200mm向Ф300mm大口徑化。這其中，在向半導(dǎo)體基板表面導(dǎo)入雜質(zhì)中，如以下那樣要求有高精度的控制技術(shù)。
第一，是穩(wěn)定地控制進行雜質(zhì)導(dǎo)入的基板表面附近的深度小于或等于100nm的淺接合的形成的技術(shù)。第二，是控制如上所述大口徑化了的基板面內(nèi)的雜質(zhì)分布的均一性的技術(shù)。
但是，在上述的離子注入方法中，特別是在導(dǎo)入硼雜質(zhì)時，難以使B離子或BF2離子的加速能量成為數(shù)keV的低能量，具有難以形成后來的雜質(zhì)導(dǎo)入?yún)^(qū)域的深度小于或等于100nm的淺接合的問題。對此，在現(xiàn)有的等離子體摻雜方法中，容易使等離子體的能量小于或等于100eV，能夠如上所述控制深度小于或等于50nm的淺接合，但存在仍不能充分控制大口徑化了的基板面內(nèi)的雜質(zhì)分布的均勻性的問題。
另外，正在推進半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的客戶定制化，其必須對應(yīng)于多品種少量生產(chǎn)。在此，為了提高多品種產(chǎn)品的生產(chǎn)效率，在向半導(dǎo)體基板表面導(dǎo)入雜質(zhì)的技術(shù)中，能夠在基板面內(nèi)自如地控制雜質(zhì)的導(dǎo)入量的技術(shù)非常有效。
但是，在上述的離子注入以及目前的等離子體摻雜的任一方法中，都難以在上述的大口徑化了的基板面內(nèi)自如地控制雜質(zhì)的導(dǎo)入量。雜質(zhì)導(dǎo)入的上述問題不限于形成半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體基板，在成為形成液晶顯示器件的液晶顯示基板的矩陣基板等的情況下也同樣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而研發(fā)的，其目的在于提供在向基板導(dǎo)入雜質(zhì)中能夠進行高精度控制的雜質(zhì)導(dǎo)入方法及雜質(zhì)導(dǎo)入裝置。
本發(fā)明的另一目的在于控制雜質(zhì)導(dǎo)入量，高精度地實現(xiàn)深度極淺的雜質(zhì)的導(dǎo)入。
本發(fā)明的其他目的在于降低由位置而引起的雜質(zhì)導(dǎo)入深度或濃度的波動，在大面積基板上深度均一地導(dǎo)入雜質(zhì)。
本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入方法對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將被激勵的所述雜質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)，其特征在于，調(diào)整所述基體表面附近的所述物質(zhì)的分布，以使所述等離子體的分布的至少一部分相抵消。即，根據(jù)所述等離子體的分布來調(diào)整所述基體表面附近的所述物質(zhì)的分布。
即，以等離子體自身的分布、即最終產(chǎn)生的等離子體的分布(離子及基團、中性粒子等的分布)相抵消的形式，根據(jù)等離子體自身的分布來進行調(diào)整。實際上，進行模擬或者根據(jù)實際的雜質(zhì)導(dǎo)入結(jié)果來調(diào)整基體表面附近的物質(zhì)分布。所謂等離子體的分布的至少一部分相抵消，是指施加改變原有的粒子分布這樣的物質(zhì)分布，是指產(chǎn)生不依存于原有的等離子體分布的等離子體分布這樣的物質(zhì)分布。因此，在此，不僅將原有的等離子體的分布相抵消而變得均勻，而且原有的等離子體分布進一步擴大的分布的一部分也能夠相抵消。
或者，本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入方法包括如下工序調(diào)整所述基體表面附近的所述物質(zhì)的分布，以具有對應(yīng)于所述等離子體分布的分布，將所述物質(zhì)向腔室內(nèi)供給；在所述物質(zhì)于所述基體表面上成為平衡狀態(tài)之后產(chǎn)生所述物質(zhì)的等離子體。
在通常的等離子體發(fā)生裝置中，高頻或微波等用于等離子體激勵的電力在空間均一性上有界限。因此，在本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入方法中提案有如下方法，即，通過控制被等離子體激勵的物質(zhì)的分布，能夠得到不依賴于該空間均一性程度的雜質(zhì)分布。
例如，供給將該不均一性抵消而被等離子體激勵的物質(zhì)。由此，能夠從基體表面向極淺的區(qū)域?qū)刖恍苑浅８叩碾s質(zhì)。并且，即使是半導(dǎo)體基板或液晶顯示基板這樣大口徑化的基體，也容易控制雜質(zhì)分布的均一性。
另外，本發(fā)明由于能夠在雜質(zhì)導(dǎo)入中高精度地控制輪廓，故具有如下特征在物質(zhì)于基體表面上成為平衡狀態(tài)之后進行等離子體激勵；根據(jù)等離子體激勵的電力分布等使最終產(chǎn)生的等離子體輪廓(離子及基團、中性離子的分布)相抵消而調(diào)整基體表面的物質(zhì)；在基體表面等離子體產(chǎn)生階段性的分布而調(diào)整基體表面的物質(zhì)，或者以上特征的組合，通過這些方法能夠進行所希望的輪廓的等離子體摻雜。
另外，本發(fā)明的對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵并且將激勵的所述雜質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)的雜質(zhì)導(dǎo)入方法中，在配置基體的腔室內(nèi)，在空間上具有任意的分布而供給所述物質(zhì)，對具有該空間分布的所述物質(zhì)進行等離子體激勵而導(dǎo)入雜質(zhì)。
這樣，能夠由一次雜質(zhì)導(dǎo)入處理就自如地在基體內(nèi)形成雜質(zhì)分布的不同區(qū)域。因此，在半導(dǎo)體集成電路的形成中，不需要形成對齊掩模的裕量，能夠更加細微化、高集成化。另外，能夠具有多種不同的性能在一張基板內(nèi)裝入半導(dǎo)體裝置。并且，迅速地對應(yīng)半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的多品種少量生產(chǎn)，同時提高多品種產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。在此，所謂雜質(zhì)分布是指在面內(nèi)的雜質(zhì)分布的基礎(chǔ)上含有深度方向上的雜質(zhì)分布。
另外，在本發(fā)明中，在停止所述物質(zhì)供給的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體。在停止供給及排出所述物質(zhì)的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體。在供給到配置有所述基體的腔室內(nèi)的所述物質(zhì)在所述基體表面上成為平衡裝置之后產(chǎn)生等離子體?；蛘卟捎萌缦碌姆椒?，即所述物質(zhì)的流速以換算速度小于或等于100meV之后，產(chǎn)生等離子體。
由此，能夠?qū)⒐┙o的物質(zhì)在上述腔室內(nèi)的流動準確并且穩(wěn)定化。通過將該穩(wěn)定的物質(zhì)進行等離子體激勵，能夠進一步提高基體表面的雜質(zhì)分布。這樣，通過物質(zhì)的流動而產(chǎn)生的變動成分降低，僅抑制等離子體引起的散亂。流速以換算速度小于或等于100meV是指大致接近室溫的狀態(tài)，在等離子體化時不產(chǎn)生大的分布變動，能夠維持等離子體化前的分布。
另外，在本發(fā)明中，向腔室內(nèi)供給一定量的上述物質(zhì)，然后產(chǎn)生等離子體。在此，根據(jù)導(dǎo)入到所述基體內(nèi)的雜質(zhì)量來決定供給的所述物質(zhì)的一定量。
由此，能夠控制雜質(zhì)向基體表面的導(dǎo)入量成為所希望的設(shè)定量。另外，也能夠高精度地控制極淺的導(dǎo)入，能夠高精度地形成極淺的接合。
另外，本發(fā)明中，通過微細噴嘴向配置有所述基體的腔室內(nèi)供給所述物質(zhì)。在此，所述物質(zhì)是含有雜質(zhì)的氣體。或者，也可以是含有雜質(zhì)的微粒子、微細液滴。將多個具有微細開口徑的微細噴嘴進行排列，通過獨立控制各微細噴嘴而能夠改變流量。
這樣，能夠高精度地控制配置基體的腔室內(nèi)的物質(zhì)的空間分布，進一步促進基體表面的雜質(zhì)量的控制及其空間的分布的自如控制。
另外，本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將所述雜質(zhì)從被激勵的所述物質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)，其包括配置所述基體的腔室；向所述腔室內(nèi)供給一定量的所述物質(zhì)的裝置；對所述腔室內(nèi)進行真空排氣的裝置；使所述一定量的物質(zhì)成為等離子體的等離子體發(fā)生裝置。并且，供給一定量的所述物質(zhì)的裝置具有計量并存儲所述物質(zhì)的機構(gòu)，該機構(gòu)控制存儲容器的容積、壓力、溫度，將所述物質(zhì)保持為一定量。另外，上述存儲的容器收納具有與導(dǎo)入到上述基體的雜質(zhì)量相對應(yīng)的量的物質(zhì)。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在短時間內(nèi)單張進行向大口徑半導(dǎo)體基板或作為液晶顯示基板的基體導(dǎo)入雜質(zhì)的處理。因此，提高了半導(dǎo)體器件或液晶顯示器件的批量生產(chǎn)能力，可降低生產(chǎn)成本。另外，所述物質(zhì)為氣體、微粒子或微細液滴。
例如，作為氣體，具有B2H6、BF3、AsH3、PH3中任一種。另外，作為微粒子或固體，可以使用B、As、P、Sb、In、Al中任一種。在此，液滴是指將這些微粒子及氣體溶解或混濁而成的物質(zhì)。之外，也有如潤濕那樣覆蓋表面的情況。
另外，產(chǎn)生等離子體的時間，也可以模擬基體表面附近的雜質(zhì)濃度的輪廓，根據(jù)其結(jié)果來進行。另外，也可以代替雜質(zhì)濃度的輪廓的模擬，選擇氣體、微粒子或微細液滴的流速、氣體分子數(shù)、壓力組中至少一種進行測量，在其標準偏差小于2％的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體。
另外，本發(fā)明由于能夠在雜質(zhì)導(dǎo)入中高精度地控制形態(tài)，故具有如下特征在物質(zhì)于基體表面上成為平衡狀態(tài)之后等離子體激勵；根據(jù)等離子體激勵的電力分布等使最終產(chǎn)生的等離子體分布(離子及基團、中性離子的分布)相抵消而調(diào)整基體表面的物質(zhì)；在基體表面等離子體產(chǎn)生階段性的分布而調(diào)整基體表面的物質(zhì)，或者以上特征的組合，通過這些方法能夠進行所希望的形態(tài)的等離子體摻雜。


圖1是本發(fā)明第一實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的示意剖面圖；圖2是用于說明本發(fā)明第一實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入方法的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部的示意剖面圖；圖3是表示本發(fā)明第一實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的驅(qū)動時間的圖；圖4是表示本發(fā)明第二實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的驅(qū)動時間的圖；圖5是表示本發(fā)明第三實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部的示意剖面圖；圖6是本發(fā)明第四實施方式的另一的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的示意剖面圖；圖7是用于說明本發(fā)明第五實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入方法的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部的示意剖面圖；圖8是本發(fā)明第五實施方式的說明圖，(a)是表示等離子體強度的圖，(b)是表示供給的物質(zhì)(摻雜劑)分布的圖，(c)是表示等離子體分布的圖；圖9是用于說明本發(fā)明第六實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入方法的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部的示意剖面圖；圖10是表示本發(fā)明第六實施方式的雜質(zhì)分布的硅晶片基板的平面圖；圖11是表示由本發(fā)明第六實施方式形成的MOSFET的特性的曲線圖；圖12是用于說明本發(fā)明第七實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入方法的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部的示意剖面圖；圖13是表示本發(fā)明第七實施方式的雜質(zhì)分布的曲線圖；圖14是本發(fā)明第八實施方式的說明圖，(a)是表示等離子體強度的圖，(b)是表示供給的物質(zhì)(摻雜劑)分布的圖，(c)是表示等離子體分布的圖。
圖中符號1表示真空腔室、2表示等離子體發(fā)生部、3表示電源、4表示保持臺、5表示被處理基板、6表示真空泵、7a、7b表示計量腔室、8、14表示噴嘴、9表示供給裝置、10表示質(zhì)量流控制輥、11表示壓力調(diào)節(jié)器、12表示等離子體、13表示旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸、15表示氣體流、16表示高頻電源、17表示相對電極、18表示氣體導(dǎo)入管、19表示微細噴嘴、20表示偏向等離子體、P1、P2表示壓力計、T1、T2表示溫度計。
具體實施例方式
(第一實施方式)以下參照圖1和圖2說明發(fā)明第一實施方式。本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的特征在于，通過調(diào)整基體表面附近的物質(zhì)分布，能夠調(diào)整雜質(zhì)導(dǎo)入形態(tài)。圖1是示意地表示本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的剖面圖，圖2是用于說明本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入方法的上述裝置的主體部。
如圖1所示，該裝置具有真空腔室1、等離子體發(fā)生部2及其電力供給用的電源3。在真空腔室1內(nèi)設(shè)有保持臺4，載置被處理基板5。并且，設(shè)有調(diào)節(jié)真空腔室1的真空度的真空泵6。這樣，構(gòu)成雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部，但由于該裝置為單張型并且能夠進行快速處理，故整體容積、特別是真空腔室1的容積成為必要的最小限是重要的。在此，等離子體發(fā)生部2是螺旋波等離子體源、ECR(Electron Cyclotron Resonance電子回旋共振)等離子體源等，最好為響應(yīng)速度高的等離子體發(fā)生源。通過這樣的等離子體發(fā)生源，含有用于向被處理物5導(dǎo)入的雜質(zhì)的物質(zhì)在此將氣體等離子體激勵。
在含有上述雜質(zhì)的氣體物質(zhì)的供給系統(tǒng)中，設(shè)有計量腔室7a、7b，上述氣體物質(zhì)通過計量腔室7a或7b從噴嘴8向真空腔室1供給一定量。在此，計量腔室7a、7b存儲一定量的氣體物質(zhì)。該存儲量由計量腔室7a、7b的容積、氣體溫度、氣體壓力來決定，分別由溫度計T1、T2以及壓力計P1、P2監(jiān)測并分別由未圖示的溫度控制部、壓力控制部穩(wěn)定地控制氣體溫度、壓力。另外，該計量腔室還可根據(jù)需要而增設(shè)。
從供給裝置9通過質(zhì)量流控制輥10向上述計量腔室供給氣體，向計量腔室7a、7b供給的氣體分量可由壓力調(diào)節(jié)器11的壓力控制而嚴格地規(guī)定。在此，氣體是B2H6、BF3、AsH3、PH3或?qū)⑺鼈冇刹换顫姎怏w稀釋后的氣體。
本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵并將雜質(zhì)摻雜到基板上，與將反應(yīng)氣體連續(xù)供給到反應(yīng)腔室并生成等離子體的RIE(Reactive Ion Etching反應(yīng)離子蝕刻)這樣的干式蝕刻或CVD(ChemicalVapor Deposition化學(xué)氣相淀積)不同，在本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置中，能夠高精度地將與向基板導(dǎo)入的雜質(zhì)導(dǎo)入量(劑量)相對應(yīng)的一定量的氣體等離子體化。根據(jù)該結(jié)果，能夠?qū)肷疃葮O淺的雜質(zhì)，能夠高精度地控制雜質(zhì)的導(dǎo)入深度。
另外，能夠快速處理向大口徑的半導(dǎo)體基板即基體進行的雜質(zhì)導(dǎo)入，能夠在短時間內(nèi)進行單張?zhí)幚怼Ｓ纱?，能夠生產(chǎn)性良好地形成高精度、可靠性高的半導(dǎo)體器件。另外，在用于液晶顯示基板的情況下，能夠提高液晶顯示裝置的批量生產(chǎn)能力，降低生產(chǎn)成本。
在圖1所示的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置中，可以由導(dǎo)電體構(gòu)成保持臺4，在保持臺4上安裝直流(DC)電源或作為高頻電源的RF電源。這里，RF電源是頻率為100kHz～10MHz的高頻電源?？稍谟蛇@些電源生成的等離子體與被處理基板5之間形成數(shù)eV～1keV范圍的DC電位。另外，也可以安裝能夠旋轉(zhuǎn)保持臺4的機構(gòu)。通過由該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)在被處理基板5上于水平面上施加例如10rpm左右的旋轉(zhuǎn)，由此能夠進一步提高被處理基板5面內(nèi)的雜質(zhì)劑量的均一性。
另外，作為含有雜質(zhì)的物質(zhì)，除了上述的常溫、常壓下的氣體之外，也可以使用B、As、P、Sb、In、Al、Si微粒子這樣的固體、含有上述雜質(zhì)的液體或由液體包圍固體微粒子的物質(zhì)。其中，在這種情況下，圖1所示的供給系統(tǒng)稍有些不同，必須能夠一定量供給含雜質(zhì)的物質(zhì)。
接下來根據(jù)圖2及圖3說明本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入方法。在此，與圖1所示的部位相同的部位由同一符號表示。圖3(a)～(c)分別是表示真空泵6、氣體供給用的供給噴嘴8、等離子體激勵用的電源3的驅(qū)動狀態(tài)的時間圖表。如圖2所示，在保持臺4上例如作為被處理基板5載置直徑Ф300mm的硅晶片并通過靜電吸附使其固定。然后，在使真空泵6動作并使真空腔室1內(nèi)的真空度成為10-3Pa左右之后，停止由真空泵6的排氣。
在成為該狀態(tài)之后，將計量腔室7a、7b內(nèi)的上述一定量的氣體物質(zhì)通過噴嘴8供給到真空腔室1內(nèi)。在此，由于真空泵6為停止狀態(tài)，故流入到振動腔室1的氣體物質(zhì)的流速與時間一同降低。在被處理基板5表面附近或真空腔室1內(nèi)的上述氣體物質(zhì)的流動成為平衡狀態(tài)并且穩(wěn)定于標準狀態(tài)的時刻，通過電源3驅(qū)動等離子體發(fā)生部2，將充滿真空腔室1內(nèi)的氣體物質(zhì)等離子體激勵(區(qū)間P參照圖3)。在此，通過實際地進行測定或模擬，在該氣體物質(zhì)的流速小于或等于規(guī)定值(換算值100meV)的時刻，驅(qū)動等離子體發(fā)生部2，對充滿真空腔室1內(nèi)的氣體物質(zhì)進行等離子體激勵。
這樣，生成具有均勻的空間分布的等離子體12，在規(guī)定的時間內(nèi)(例如1分鐘)使被處理基板5表面暴露于等離子體12中。在此，等離子體12是電子溫度與離子溫度極其不同的熱不平衡等離子體，通常，離子溫度為數(shù)十度，其熱動量小。
通過向上述被處理基板5照射等離子體，含有導(dǎo)入的雜質(zhì)的物質(zhì)以吸附狀態(tài)或低能量(上述數(shù)eV～1keV)離子注入狀態(tài)導(dǎo)入到被處理基板5表面或其內(nèi)部。在此，在吸附狀態(tài)下，在上述被處理基板5表面上物理吸附上述物質(zhì)，同時，主要化學(xué)吸附由上述等離子體激勵生成的上述物質(zhì)的中性基團這樣的活性種。
另外，在離子注入狀態(tài)下，將上述物質(zhì)中的雜質(zhì)測量離子化的物質(zhì)，一部分由熱運動而注入到表面內(nèi)(其中，如上所述熱動能小，其量微乎其微)，并且，主要利用等離子體12和被處理基板5表面生成的離子鞘或所謂自偏壓這樣的DC電源進行加速注入。
然后，在圖1未圖示的多腔結(jié)構(gòu)的其它腔室內(nèi)實施RTA(快速熱處理)。這樣，在本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入方法中，能夠在被處理基板5表面附近均勻且淺地導(dǎo)入雜質(zhì)。另外，由于將一定量的氣體物質(zhì)供給到真空腔室1內(nèi)，故能夠?qū)⑾蚧w表面導(dǎo)入的雜質(zhì)量控制成所希望的設(shè)定量。
(第二實施方式)在所述第一實施方式中，如圖3圖表所示，一邊供給成為雜質(zhì)的物質(zhì)一邊進行等離子體激勵，但在本實施方式中改變等離子體激勵的時間，如圖4圖表所示，在停止雜質(zhì)供給之后進行等離子體激勵。
圖4(a)表示真空泵的時間圖表。即，如上所述，在真空腔室1內(nèi)的真空度達到10-3Pa左右之后，停止排氣(圖4(b))。并且，將計量腔室7a、7b內(nèi)的上述一定量的氣體物質(zhì)通過噴嘴8供給到真空腔室1內(nèi)之后，由未圖示的電磁閥也停止上述供給。
然后，驅(qū)動等離子體發(fā)生部2生成等離子體12(圖4(c))。之后與上述同一，在區(qū)間P之間，向被處理基板5表面部導(dǎo)入雜質(zhì)。這樣的方法中不必一定需要計量腔室7a、7b。即使從圖1所示的供給裝置9直接向真空腔室1導(dǎo)入氣體物質(zhì)，也能夠由質(zhì)量流控制輥10嚴格地控制氣體物質(zhì)的分量。
該情況下也在如上所述那樣真空腔室1內(nèi)的上述氣體物質(zhì)的流動成為水平狀態(tài)并穩(wěn)定于標準狀態(tài)的時刻，對氣體物質(zhì)進行等離子體激勵。
(第三實施方式)接下來參照圖5說明本發(fā)明第三實施方式。
該實施方式與所述第一及第二實施方式不同，其特征在于，有意地使導(dǎo)入到真空腔室1內(nèi)的含有雜質(zhì)的氣體具有規(guī)定的空間分布，提高向被處理基板5摻雜的雜質(zhì)劑量的均一性。圖5是本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部的示意剖面圖。在此，與第一實施方式的部位相同的部位由同一符號表示。
在該裝置中，具有多個噴出口的噴嘴14與計量腔室連接，使含有來自噴嘴的雜質(zhì)的噴嘴的噴出量具有一定分布而進行調(diào)整。
在圖5中，與第一實施方式說明的相同，設(shè)有真空腔室1、等離子體發(fā)生部2及其電力供給用電源3，在真空腔室1內(nèi)設(shè)有保持臺4并載置被處理基板5。在此，在保持臺4上安裝有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸13，其沿箭頭標記方向旋轉(zhuǎn)。
另外，還設(shè)有調(diào)節(jié)真空腔室1的真空度的真空泵6。并且，如圖5所示，在上述的計量腔室7上連接有具有多個噴出口的嘖嘴14，該噴嘴14插入到真空腔室1內(nèi)。在此，噴嘴14可以為管狀，也可以具有平面的擴寬。在此，噴出口可以由微米級的微細噴嘴的集合體構(gòu)成。并且，在從計量腔室7導(dǎo)入氣體時，可以如圖5箭頭標記的分布所示，生成空間上不均勻的氣體流15。
這樣，通過控制來自噴嘴的氣體的供給量，將位置等諸多條件引起的等離子體的波動抵消，能夠形成均勻的分布。
(第四實施方式)接下來說明本發(fā)明第四實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置。如圖6所示，該雜質(zhì)導(dǎo)入裝置與螺旋波等離子體、ECR等離子體生成不同，在平行平板電機上施加頻率13.56MHz的高頻而生成等離子體。在圖5中，與第一實施方式說明的結(jié)構(gòu)相同，在真空腔室1內(nèi)設(shè)置保持臺4并載置被處理基板5。在此，在由導(dǎo)電體構(gòu)成的保持臺4上安裝有高頻電源16，其成為平行平板電極的單電極。并且設(shè)有對電極17、調(diào)節(jié)真空腔室1的真空度的真空泵6。
在上述對電極17上設(shè)置多個噴出口，通過氣體導(dǎo)入管18與計量腔室7連接。在此，噴出口由口徑十微米級的微細噴嘴的集合體構(gòu)成。并且，在從計量腔室7向真空腔室1導(dǎo)入氣體物質(zhì)時，如圖6所示，能夠生成空間上不均勻的氣體流15。在本例中，由于在構(gòu)成電極的保持臺4和對電極17的周邊部附近的電場弱于中心部，故通過調(diào)整周邊部的氣流15成為更高濃度，等離子體分布在基板面內(nèi)變得均勻。
另外，也可以由永久磁鐵等施加與平行平板電極并行的磁場，在這種情況下也能夠容易地生成高密度等離子體。圖6所示的磁場表示上述情況，同樣也表示高頻的電場。
(第五實施方式)接下來參照圖7和圖8說明第五實施方式。該情況也以第一實施方式說明的方法為基本，在本實施方式中具有如下特征，即，如上所述使氣體物質(zhì)的導(dǎo)入具有空間分布。通常，由等離子體激勵使用的高頻或微波的電磁能量密度具有空間分布，并且其分布未必相同等理由，在生成的等離子體上產(chǎn)生空間分布。
因此，在本實施方式中，為使上述原因產(chǎn)生的等離子體的空間分布(以下將其稱為等離子體分布)相抵消而使氣體物質(zhì)的供給具有空間分布。在此，能夠通過公知的等離子體發(fā)光分光測定、法拉第杯(フアラデイカツプ)或朗繆爾探針(ラングミユア一プロ一ブ)等測量上述的等離子體分布。
如圖7所示，在保持臺4上例如載置被處理基板5并通過靜電吸附使其固定，由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸13使其旋轉(zhuǎn)。例如以20rpm水平旋轉(zhuǎn)。并且，在使真空泵6動作并使真空腔室1內(nèi)的真空度達到10-3Pa左右之后，停止真空泵6內(nèi)的排氣。在成為該狀態(tài)之后，將計量腔室7內(nèi)的上述的一定量的等離子體發(fā)生用的物質(zhì)通過噴嘴14導(dǎo)入到真空腔室1內(nèi)。在此，在噴嘴14上設(shè)有多個微細噴嘴19，通過該微細噴嘴19在真空腔室1內(nèi)產(chǎn)生空間上不均勻的氣流15。并且，在被處理基板5表面附近或真空腔室1內(nèi)的上述等離子體產(chǎn)生用的物質(zhì)流動成為平衡狀態(tài)并且穩(wěn)定于標準狀態(tài)的時刻，通過電源3驅(qū)動等離子體發(fā)生部2并對充滿真空腔室1內(nèi)的等離子體發(fā)生用的物質(zhì)(氣體物質(zhì))進行等離子體激勵。
例如，在該氣體物質(zhì)的流速小于或等于規(guī)定值(換算值100meV)的時刻，驅(qū)動等離子體發(fā)生部，將不均勻地導(dǎo)入到真空腔室1內(nèi)的氣體物質(zhì)等離子體激勵。由該等離子體激勵調(diào)整上述氣體流15，使在電磁能量密度低的空間存在大量的氣體物質(zhì)，在電磁能量密度高的空間存在少量的氣體物質(zhì)。并且，在規(guī)定的時間(例如1分鐘)內(nèi)使被處理基板5表面暴露于等離子體中。之后，進行與第一實施例說明的相同的處理。
根據(jù)圖8說明該結(jié)果，如圖8(a)所示，從等離子體激勵使用的高頻或微波的電磁能量密度的空間分布等產(chǎn)生等離子體分布。即，從旋轉(zhuǎn)的被處理基板5看，等離子體分布通常成為同心圓狀的分布形狀。因此，具有圖8(b)所示的等離子體發(fā)生用的物質(zhì)(氣體物質(zhì))的空間分布，以通過該等離子體激勵的電力分布等使結(jié)果產(chǎn)生的等離子體的分布(離子及基團、中性粒子的分布)相抵消。
在此，空間分布可以在被處理基板5表面附近，也可以在真空腔1內(nèi)。這樣的氣體物質(zhì)的空間分布可以從所謂的加入了熱運動的氣流的模擬或試行實驗中求出。該情況也表示從旋轉(zhuǎn)中的被處理基板5看到的氣體物質(zhì)的空間分布。對具有這樣的空間分布的氣體物質(zhì)進行等離子體激勵，則如圖8(c)所示，生成具有與從被處理基板5看到的同樣的空間分布的等離子體，該被處理基板5暴露于均勻的等離子體中。這樣，能夠在被處理基板5面內(nèi)導(dǎo)入均勻的雜質(zhì)。另外，如上所述的通過微細噴嘴進行的氣體物質(zhì)的供給能夠高精度地控制配置基體的腔室內(nèi)的物質(zhì)的空間分布。
如第一實施方式所述，通過向被處理基板5照射等離子體而導(dǎo)入的雜質(zhì)以吸附形態(tài)或低能量的離子注入形態(tài)導(dǎo)入。在此，在吸附形態(tài)中化學(xué)吸附中性基團這樣的活性種。另外，在離子注入形態(tài)中，將上述物質(zhì)離子化，但通過等離子體和被處理基板5表面生成的離子鞘或所謂的自偏壓DC電壓加速注入。圖8(a)～(c)所示的結(jié)果為，通過控制氣體物質(zhì)的空間分布，可以調(diào)整吸附形態(tài)的雜質(zhì)的導(dǎo)入。
(第六實施方式)接下來說明第六實施方式的雜質(zhì)導(dǎo)入方法。該實施方式與第三實施方式不同，有意地使導(dǎo)入到真空腔1內(nèi)的氣體物質(zhì)具有規(guī)定的空間分布，控制向被處理基板5摻雜的雜質(zhì)劑量，使其在面內(nèi)不均勻。這種情況的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置也可以使用與第二實施方式說明的裝置相同的裝置。
在圖9所示的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部中，在真空腔1內(nèi)在保持臺4上例如載置被處理基板5，通過靜電吸附而使其固定。如圖所示，使設(shè)于真空腔1的左下端部的位置上的真空泵6動作。另外，向真空腔1供給的氣體物質(zhì)通過設(shè)于真空腔1右上端部的噴嘴8而從計量腔7導(dǎo)入。
這樣，在真空腔1內(nèi)形成從右上向左下的氣體物質(zhì)流動，然后通過電源3驅(qū)動等離子體發(fā)生部2，對不均勻地導(dǎo)入到真空腔1內(nèi)的氣體物質(zhì)進行等離子體激勵。
這樣，如圖9斜線示意所示，生成等離子體密度從右向左逐漸降低的偏向等離子體20。并且，在規(guī)定的時間內(nèi)(例如10秒鐘)使被處理基板5表面暴露于偏向等離子體20中。然后，進行與第一實施方式所說明的相同的處理。
參照圖10說明其結(jié)果。圖9是將硼雜質(zhì)導(dǎo)入到Ф300mm的硅晶片(被處理基板5)后的硅晶片面內(nèi)的雜質(zhì)分布。在被處理基板5上表示片電阻分布。在圖10的箭頭標記方向上片電阻逐漸增大。在此，圖10所示的被處理基板5的上部與圖9的右手側(cè)對應(yīng)，圖10所示的被處理基板5的下部與圖9的左側(cè)對應(yīng)。這樣，在真空腔1內(nèi)具有氣體物質(zhì)的空間分布，由此能夠?qū)朐诒惶幚砘?面內(nèi)具有所希望的不均勻性的雜質(zhì)。
圖11表示進行圖10所示的具有不均一性的雜質(zhì)導(dǎo)入并且進行MOSFET用的溝道摻雜之后的晶體管特性，表示柵極電壓一定的情況下漏極電流與漏極電壓的關(guān)系。在此，圖中的X、Y分別對應(yīng)圖10所示的X、Y位置的半導(dǎo)體芯片的MOSFET。這樣，能夠通過向被處理基板5一次導(dǎo)入雜質(zhì)而制造多個具有特性不同的MOSFET的半導(dǎo)體芯片。
(第七實施方式)接下來說明本發(fā)明第七實施方式的其他的雜質(zhì)導(dǎo)入方法。該情況的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置與圖7所示的第三實施方式說明的裝置相同。在這種情況下，沒有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸13，不使被處理基板5旋轉(zhuǎn)。在圖11所示的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的主體部中，在真空腔1內(nèi)在保持臺4上例如載置被處理基板5并通過靜電吸附使其固定。使真空泵6動作并使真空腔室1內(nèi)的真空度達到10-3Pa左右后，停止真空泵6的排氣。
將計量腔室7內(nèi)的等離子體發(fā)生用的物質(zhì)(氣體物質(zhì))通過噴嘴14導(dǎo)入到真空腔室1內(nèi)。在此，在噴嘴14上設(shè)有多個微細噴嘴19，通過該微細噴嘴19在真空腔室1內(nèi)產(chǎn)生空間上不均勻的氣流15。通過電源3驅(qū)動等離子體發(fā)生部2，對不均勻地導(dǎo)入到真空腔室1內(nèi)的氣體物質(zhì)進行等離子體激勵，在規(guī)定的時間(例如10秒鐘)內(nèi)使被處理基板5表面暴露于等離子體中。然后，進行與第一實施方式說明相同的處理。
結(jié)果，如圖13所示，在真空腔室1內(nèi)生成具有階梯形等離子體密度的等離子體。即，可從被處理基板5的左側(cè)到右側(cè)生成臺階狀降低的等離子體。這種情況下通過微細噴嘴進行的氣體物質(zhì)的供給能夠高精度地控制配置基體的腔室內(nèi)的物質(zhì)的空間分布。并且，能夠進一步促進基體表面的雜質(zhì)量的控制及其分布的自如控制。
因此，能夠以比圖10所示的情況高的精度進行具有不均一性的雜質(zhì)的導(dǎo)入。在MOSFET溝道摻雜以外還能夠高精度實現(xiàn)成為源極、漏極區(qū)域的擴散層的形成、阱層的形成。
在本發(fā)明的第七實施方式中，在向半導(dǎo)體基板表面導(dǎo)入雜質(zhì)時，由于容易在基板面內(nèi)自如地控制雜質(zhì)的導(dǎo)入量，故能夠在同一基板內(nèi)由一次雜質(zhì)導(dǎo)入處理就自如地形成雜質(zhì)分布的不同區(qū)域。因此，在半導(dǎo)體集成電路的形成中，不需要掩模對齊的裕量，能夠更加細微化、高集成化。另外，能夠迅速對應(yīng)多品種少批量生成的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。另外，在半導(dǎo)體裝置的試作中，能夠形成以不同的多個條件將雜質(zhì)導(dǎo)入到一張晶片上半導(dǎo)體芯片，故能夠迅速地進行半導(dǎo)體制造的最佳化。并且，在半導(dǎo)體裝置的制造中能夠迅速進行半導(dǎo)體裝置制造的最佳化。并且，在半導(dǎo)體裝置的制造中能夠謀求對應(yīng)客戶需求的迅速化。
(第八實施方式)在以上的實施方式中，將形成半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體基板作為被處理基板進行了說明，本發(fā)明在被處理基板形成液晶顯示器件的矩陣基板的情況也完全同樣適用。使用與所示第一實施方式所使用的裝置相同的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置，但在大面積基板的情況，在真空腔室內(nèi)容易在等離子體的激勵電力上出現(xiàn)分布，如圖14(a)所示，特別是端部容易降低。因此在該情況下，如圖14(b)所示，作為本發(fā)明的第八實施方式，在端部增加氣體的供給量，如圖14(c)所示，作為結(jié)果可實現(xiàn)均勻的氣體密度。因此，能夠形成大面積基板。
另外，本發(fā)明不限于上述實施方式，在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)可將實施方式進行適當?shù)刈兏＠?，在第三、第七實施方式中記載有，從計量腔室7向真空腔室1內(nèi)導(dǎo)入一定量的等離子體發(fā)生用的物質(zhì)(氣體物質(zhì))，對其進行等離子體激勵的情況，但不通過計量腔室7而是從供給裝置9通過質(zhì)量流控制輥10導(dǎo)入氣體物質(zhì)也可以產(chǎn)生同樣的效果。在這種情況下，可以使真空泵6動作并對氣體物質(zhì)進行排氣，同時進行等離子體激勵。此時的雜質(zhì)劑量可通過由質(zhì)量流控制輥10求積得到的氣體物質(zhì)的總導(dǎo)入量來進行控制。另外，本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置的特種是能夠快速進行處理。因此，等離子體發(fā)生部2可以生成ICP(Inductive Coupled Plasma電感藕合等離子體)這樣高密度的等離子體。在該情況下，需要如前所述地能夠高速地響應(yīng)。
另外，在所述實施方式中，說明了減壓下導(dǎo)入雜質(zhì)的方法，也可以在常壓下導(dǎo)入。
參照詳細或特定的實施方式說明了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在不脫離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)進行各種變更和修改。
本申請是基于2003年6月9日申請的日本專利申請No.2003-164249而提出的，其內(nèi)容參照所述申請而編入。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性以上所述的本發(fā)明的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將雜質(zhì)從被激勵的所述物質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)，其中，根據(jù)等離子分布來調(diào)整配置有基體的腔室內(nèi)的物質(zhì)的空間分布。
或者，本發(fā)明的裝置導(dǎo)入方法包括以下工序調(diào)整上述基體表面附近的物質(zhì)的分布，以具有對應(yīng)于等離子分布的分布，將上述物質(zhì)供給到腔室內(nèi)；在上述物質(zhì)于基體表面成為平衡狀態(tài)后產(chǎn)生等離子體。
因此，本發(fā)明提供一種雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其具有如下效果，即使用于對高頻或微波等等離子體及其的電力等的空間均勻性變差，也能夠均勻性非常高地將雜質(zhì)從基體表面導(dǎo)入到極淺的區(qū)域。
權(quán)利要求
1.一種雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其對含有要導(dǎo)入的雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將所述雜質(zhì)的等離子體從已被激勵的所述物質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)，其特征在于，調(diào)整所述基體表面附近的所述物質(zhì)的分布，以使所述等離子體的分布的至少一部分可相互抵消。
2.如權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，包括如下工序所述基體表面附近的所述物質(zhì)的分布使所述等離子體的分布的至少一部分相抵消而進行調(diào)整，將所述物質(zhì)供給到配置有所述基體的腔室內(nèi)；在所述物質(zhì)在所述基體表面上成為平衡狀態(tài)之后產(chǎn)生等離子體。
3.如權(quán)利要求2所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，供給所述物質(zhì)的工序中，進行調(diào)整使導(dǎo)入到所述基體的所述雜質(zhì)變得均勻。
4.如權(quán)利要求2所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，供給所述物質(zhì)的工序，進行調(diào)整使導(dǎo)入到所述基體的雜質(zhì)具有規(guī)定的分布。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，在使所述物質(zhì)的供給停止的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體。
6.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，在使所述物質(zhì)的供給及排出停止的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體。
7.一種雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將所述雜質(zhì)從被激勵的所述物質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)，其特征在于，在停止向配置有所述基體的腔室內(nèi)供給所述物質(zhì)的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體。
8.一種雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將所述雜質(zhì)從被激勵的所述物質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)，其特征在于，在停止向配置有所述基體的腔室內(nèi)供給及排出所述物質(zhì)的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體。
9.一種雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將所述雜質(zhì)從被激勵的所述物質(zhì)導(dǎo)入到基體內(nèi)，其特征在于，在供給到配置有所述基體的腔室內(nèi)的所述物質(zhì)在所述基體表面成為平衡狀態(tài)之后產(chǎn)生等離子體。
10.如權(quán)利要求1～9中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，所述物質(zhì)的流速以換算速度小于或等于100meV之后產(chǎn)生等離子體。
11.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，向配置有所述基體的腔室內(nèi)供給一定量的所述物質(zhì)之后產(chǎn)生等離子體。
12.如權(quán)利要求11所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，供給的所述物質(zhì)的一定量根據(jù)導(dǎo)入到所述基體的雜質(zhì)量而決定。
13.如權(quán)利要求1～12中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，通過微細噴嘴一邊調(diào)整所述雜質(zhì)的分布一邊向配置有所述基體的腔室內(nèi)供給所述物質(zhì)。
14.如權(quán)利要求1～13中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，所述物質(zhì)是氣體。
15.如權(quán)利要求14所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，所述氣體是含有B2H6、BF3、AsH3、PH3中的任一種。
16.如權(quán)利要求1～13中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，所述物質(zhì)是微粒子。
17.如權(quán)利要求1～13中任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，所述物質(zhì)是微細液滴。
18.如權(quán)利要求16或17所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，所述微粒子含有B、As、P、Sb、In、Al中任一種。
19.一種雜質(zhì)導(dǎo)入裝置，其對含有雜質(zhì)的物質(zhì)進行等離子體激勵，將所述雜質(zhì)從被激勵的所述物質(zhì)向基體內(nèi)導(dǎo)入，其特征在于，包括配置所述基體的腔室；對所述腔室內(nèi)供給所述物質(zhì)的裝置；對所述腔室內(nèi)進行真空排氣的裝置；將所述物質(zhì)維持成平衡狀態(tài)的同時進行等離子體化的等離子體發(fā)生裝置。
20.如權(quán)利要求19所述的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置，其特征在于，供給所述物質(zhì)的裝置具有計量并存儲所述物質(zhì)的機構(gòu)。
21.如權(quán)利要求20所述的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置，其特征在于，計量并存儲所述物質(zhì)的機構(gòu)控制存儲容器的容積、壓力、溫度，并且將所述物質(zhì)保持成一定量。
22.如權(quán)利要求20～21任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置，其特征在于，用于計量并存儲所述物質(zhì)的容器能夠存儲具有與導(dǎo)入到所述基體的雜質(zhì)量對應(yīng)的量的物質(zhì)。
23.如權(quán)利要求19～22任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置，其特征在于，所述物質(zhì)是氣體、微粒子或微細液滴。
24.如權(quán)利要求1～18任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法，其特征在于，包括對所述物質(zhì)的動作進行模擬的工序，根據(jù)所述模擬結(jié)果來調(diào)整產(chǎn)生所述等離子體的時間。
25.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用權(quán)利要求1～18、24任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入方法或權(quán)利要求15～23任一項所述的雜質(zhì)導(dǎo)入裝置而形成，具有通過導(dǎo)入所述雜質(zhì)而形成的元件區(qū)域。
26.如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述元件區(qū)域包括具有多個不同的雜質(zhì)輪廓的雜質(zhì)導(dǎo)入?yún)^(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在向基板導(dǎo)入雜質(zhì)中能夠進行高精度控制的雜質(zhì)導(dǎo)入方法及雜質(zhì)導(dǎo)入裝置。在保持臺(4)上載置被處理基板(5)并且由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸(13)旋轉(zhuǎn)。在使真空泵(6)動作之后，停止利用真空泵(6)的排氣，將計量腔室(7)內(nèi)的一定量的等離子體發(fā)生用的物質(zhì)(氣體物質(zhì))通過噴嘴(14)導(dǎo)入到真空腔室(1)內(nèi)。噴嘴(14)上具有多個微細噴嘴(19)，根據(jù)等離子體的激勵強度，通過該微細噴嘴(19)在真空腔室(1)內(nèi)產(chǎn)生空間上不均勻的氣體流(15)。并且，由電源(3)驅(qū)動等離子體發(fā)生部(2)，對不均勻地導(dǎo)入到真空腔室(1)內(nèi)的氣體物質(zhì)進行等離子體激勵，在規(guī)定的時間內(nèi)使被處理基板(5)暴露于等離子體中。
文檔編號H01L21/22GK1806314SQ20048001619
公開日2006年7月19日 申請日期2004年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月9日
發(fā)明者水野文二, 佐佐木雄一朗, 中山一郎, 金田久隆 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社