雜質(zhì)擴(kuò)散方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種雜質(zhì)擴(kuò)散方法，該方法是使用虛設(shè)的被處理基板并且使雜質(zhì)相對(duì)于被處理基板所具有的被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其具備：將前述被處理基板及前述虛設(shè)的被處理基板載置于基板載置夾具的工序；將載置有前述被處理基板及前述虛設(shè)的被處理基板的前述基板載置夾具收納于處理裝置的處理室的工序；以及，在收納有前述基板載置夾具的前述處理室內(nèi)，使雜質(zhì)相對(duì)于前述被處理基板的前述被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的工序，在前述氣相擴(kuò)散工序中，前述要進(jìn)行氣相擴(kuò)散的雜質(zhì)是硼時(shí)，使用前述虛設(shè)的被處理基板的外表面是具有不吸附硼的性質(zhì)的物質(zhì)的基板作為前述虛設(shè)的被處理基板。
【專利說明】雜質(zhì)擴(kuò)散方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002]本申請(qǐng)基于并要求于2012年7月30日提出的日本特許申請(qǐng)第2012-168724號(hào)及2013年5月13日提出的日本特許申請(qǐng)第2013-101309號(hào)的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，并將該日本申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容援引于此，作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本申請(qǐng)涉及雜質(zhì)擴(kuò)散方法。
【背景技術(shù)】
[0004]作為現(xiàn)有技術(shù)，公知有如下的熱處理方法:在批量式熱處理裝置中，為了很好地維持熱處理的面內(nèi)、面間均勻性及重現(xiàn)性，即使是未載置被處理基板的空閑空間也使用虛設(shè)晶圓(dummy waf er )。
[0005]在這樣的現(xiàn)有技術(shù)中，存在空閑空間時(shí)，以靠近處理氣的流動(dòng)方向的上游側(cè)的狀態(tài)保持產(chǎn)品晶圓，并使虛設(shè)晶圓保持在該產(chǎn)品晶圓組的非常近的下游側(cè)。由此，具有如下優(yōu)點(diǎn):即使存在空閑空間時(shí)，也能夠很好地維持熱處理的面內(nèi)、面間均勻性及重現(xiàn)性。

【發(fā)明內(nèi)容】

_6] 發(fā)明要解決的問題
[0007]近來，隨著晶體管的細(xì)微化，逐漸要求更嚴(yán)格地控制雜質(zhì)導(dǎo)入量。這是因?yàn)椋艟w管的細(xì)微化推進(jìn)，則即使是至今為止過于微觀而不會(huì)成為問題之類的雜質(zhì)導(dǎo)入量的微小偏差，也會(huì)作為例如功函數(shù)的變動(dòng)、電阻值的變動(dòng)而顯著地體現(xiàn)出來。
[0008]在批量式熱處理裝置中使用虛設(shè)的被處理基板、所謂虛設(shè)晶圓是用于更嚴(yán)格地控制雜質(zhì)導(dǎo)入量的有效方法之一。與未使用虛設(shè)晶圓的情況相比，使用虛設(shè)晶圓能夠提高雜質(zhì)導(dǎo)入量的面內(nèi)均勻性以及批量處理單位中的多個(gè)產(chǎn)品晶圓間的面間均勻性。
[0009]然而，確認(rèn)了如下現(xiàn)象:在批量式熱處理裝置中，在使用虛設(shè)晶圓并且使雜質(zhì)例如硼進(jìn)行氣相擴(kuò)散時(shí)，每次反復(fù)進(jìn)行氣相擴(kuò)散時(shí)向產(chǎn)品晶圓導(dǎo)入的硼導(dǎo)入量雖然微量但也在增加。因此，產(chǎn)生了在批量處理單位之間難以獲得雜質(zhì)導(dǎo)入量的穩(wěn)定性的新問題。
[0010]本發(fā)明提供一種即使使用虛設(shè)的被處理基板也能夠在批量處理單位間獲得雜質(zhì)導(dǎo)入量的穩(wěn)定性的雜質(zhì)擴(kuò)散方法。
[0011]用于解決問題的方案
[0012]本發(fā)明的一個(gè)方面涉及的雜質(zhì)擴(kuò)散方法是使用虛設(shè)的被處理基板并且使雜質(zhì)相對(duì)于被處理基板所具有的被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其具備:將前述被處理基板及前述虛設(shè)的被處理基板載置于基板載置夾具的工序；將載置有前述被處理基板及前述虛設(shè)的被處理基板的前述基板載置夾具收納于處理裝置的處理室的工序；以及，在收納有前述基板載置夾具的前述處理室內(nèi)，使雜質(zhì)相對(duì)于前述被處理基板的前述被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的工序，在前述氣相擴(kuò)散工序中，前述要進(jìn)行氣相擴(kuò)散的雜質(zhì)是硼時(shí)，使用前述虛設(shè)的被處理基板的外表面是具有不吸附硼的性質(zhì)的物質(zhì)的基板作為前述虛設(shè)的被處
理基板。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]包括在本說明書中并構(gòu)成本說明書一部分的【專利附圖】

【附圖說明】了本發(fā)明的實(shí)施方案，并與以上所給出的一般性描述以及以下所給出的實(shí)施方案的詳細(xì)描述一起，用于解釋本發(fā)明的原理。
[0014]圖1的(A)和圖1的⑶是示出監(jiān)控晶圓(monitor wafer)的一個(gè)制造例的截面圖；
[0015]圖2是示出向晶圓舟載置監(jiān)控晶圓及虛設(shè)晶圓的一個(gè)載置例的截面圖；
[0016]圖3是示出無氧氣吹掃的工藝處方(process recipe)的一例的時(shí)間圖；
[0017]圖4是示出有氧氣吹掃的工藝處方的一例的時(shí)間圖；
[0018]圖5是示出硅虛設(shè)晶圓的一例的截面圖；
[0019]圖6是示出硅氧化物虛設(shè)晶圓的一例的截面圖；
[0020]圖7是示出評(píng)價(jià)例I的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖，評(píng)價(jià)例I為硅虛設(shè)晶圓、無氧氣吹掃；
[0021]圖8是示出評(píng)價(jià)例2的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖，評(píng)價(jià)例2為硅虛設(shè)晶圓、有氧氣吹掃；
[0022]圖9是示出評(píng)價(jià)例3的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖，評(píng)價(jià)例3為硅氧化物虛設(shè)晶圓、有氧氣吹掃；
[0023]圖10是示出評(píng)價(jià)例4的評(píng)價(jià)結(jié)果的圖，評(píng)價(jià)例4為硅氧化物虛設(shè)晶圓、無氧氣吹掃；
[0024]圖11的⑷?圖11的⑶是示出自摻雜(autodoping)的模型例的截面圖；
[0025]圖12是示出研究了硼氣相擴(kuò)散后的硅虛設(shè)晶圓的表面組成的結(jié)果的圖；
[0026]圖13是示出研究了硼氣相擴(kuò)散后的硅氧化物虛設(shè)晶圓的表面組成的結(jié)果的圖；
[0027]圖14是示出評(píng)價(jià)例4的工藝處方的一例的時(shí)間圖；
[0028]圖15是概略示出能夠?qū)嵤┑谝粚?shí)施方式涉及的雜質(zhì)擴(kuò)散方法的立式批量式熱處理裝置的一例的截面圖；
[0029]圖16是示出使用了石英基板的虛設(shè)晶圓的一例的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]現(xiàn)將詳細(xì)參考各實(shí)施方案，且附圖中說明了其實(shí)例。在以下詳細(xì)描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)，以便提供對(duì)本發(fā)明的深入理解。然而，本發(fā)明可在沒有這些具體細(xì)節(jié)下實(shí)施，這對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。在其他情況下，未詳細(xì)描述公知的方法、步驟、體系和組分，以免不必要地使各實(shí)施方案的方面難以理解。
[0031]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。需要說明的是，在整個(gè)附圖中，相同部分標(biāo)注相同符號(hào)。
[0032](第一實(shí)施方式)
[0033]〈制作監(jiān)控晶圓〉
[0034]制作模擬了產(chǎn)品晶圓的監(jiān)控晶圓。
[0035]圖1的(A)及圖1的⑶是示出監(jiān)控晶圓的一個(gè)制造例的截面圖。[0036]首先，如圖1的(A)所示，在硅基板I上形成硅氧化物膜2后，通過使用甲硅烷或乙硅烷作為原料氣體的CVD法，形成膜厚約20nm的非摻雜非結(jié)晶硅膜3。
[0037]然后，如圖1的(B)所示，對(duì)非摻雜非結(jié)晶硅膜3進(jìn)行溫度850度、氮?dú)鈿夥铡?0分鐘的退火，使非摻雜非結(jié)晶硅膜3結(jié)晶化，成為非摻雜多晶硅膜3a。這樣，制作了監(jiān)控晶圓MW。
[0038]在第一實(shí)施方式中，使雜質(zhì)例如硼相對(duì)于監(jiān)控晶圓MW的非摻雜多晶娃膜3a進(jìn)行氣相擴(kuò)散。非摻雜多晶硅膜3a是雜質(zhì)被擴(kuò)散的被擴(kuò)散部位。
[0039]〈清洗監(jiān)控晶圓〉 [0040]在進(jìn)行氣相擴(kuò)散之前，充分清洗監(jiān)控晶圓MW。為此，首先用濃度1%的稀氟酸(HF)對(duì)監(jiān)控晶圓MW進(jìn)行3分鐘清洗。然后，對(duì)監(jiān)控晶圓MW進(jìn)行10分鐘水洗，充分沖掉稀氟酸。之后，對(duì)監(jiān)控晶圓MW進(jìn)一步進(jìn)行10分鐘水洗。然后，對(duì)監(jiān)控晶圓MW進(jìn)行10分鐘旋轉(zhuǎn)干燥。旋轉(zhuǎn)干燥后，在10分鐘內(nèi)載置到晶圓舟中并收納于熱處理裝置的處理室。
[0041]這樣，通過在使硼進(jìn)行氣相擴(kuò)散之前，充分清洗監(jiān)控晶圓MW以及管理(自然氧化膜的生長管理)從清洗后到收納于處理室的時(shí)間，從而提高后述監(jiān)控評(píng)價(jià)中的精度以及可靠性。
[0042]<載置監(jiān)控晶圓及虛設(shè)晶圓>
[0043]圖2是示出向晶圓舟載置監(jiān)控晶圓及虛設(shè)晶圓的一個(gè)載置例的截面圖。
[0044]在第一實(shí)施方式中，制作多個(gè)監(jiān)控晶圓MW。
[0045]如圖2所示，在作為基板載置夾具的晶圓舟WB中沿高度方向?qū)盈B載置充分清洗后的多個(gè)監(jiān)控晶圓MW。高度方向例如是相對(duì)于水平方向垂直的方向。而且，在晶圓舟WB中，除多個(gè)監(jiān)控晶圓MW之外，還載置有多個(gè)虛設(shè)晶圓DW。在圖2中，作為一個(gè)載置例，示出有在晶圓舟WB的上層側(cè)載置多個(gè)監(jiān)控晶圓MW，在下層側(cè)載置多個(gè)虛設(shè)晶圓DW的例子。
[0046]這樣，在晶圓舟WB中載置了多個(gè)監(jiān)控晶圓MW和多個(gè)虛設(shè)晶圓DW的狀態(tài)下將其收納于處理室內(nèi)，在處理室內(nèi)，硼相對(duì)于監(jiān)控晶圓MW各自的非摻雜多晶娃膜3a同時(shí)進(jìn)行氣相擴(kuò)散。
[0047]〈監(jiān)控晶圓評(píng)價(jià)〉
[0048]作為監(jiān)控晶圓評(píng)價(jià)，進(jìn)行以下4個(gè)評(píng)價(jià)。
[0049]評(píng)價(jià)例I
[0050]氣相擴(kuò)散溫度:700°C
[0051]氣相擴(kuò)散時(shí)間:60分鐘
[0052]虛設(shè)晶圓:硅虛設(shè)晶圓
[0053]氧氣吹掃--無
[0054]用5個(gè)批量處理單位(Runl~Run5)連續(xù)進(jìn)行上述條件的硼氣相擴(kuò)散，并對(duì)5個(gè)批量處理單位各自的非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量進(jìn)行計(jì)測(cè)。而且，不更換硅虛設(shè)晶圓，但每個(gè)批量處理單位更換監(jiān)控晶圓WL
[0055]評(píng)價(jià)例2
[0056]氣相擴(kuò)散溫度:700°C
[0057]氣相擴(kuò)散時(shí)間:60分鐘
[0058]虛設(shè)晶圓:硅虛設(shè)晶圓[0059]氧氣吹掃:有
[0060]用3個(gè)批量處理單位(Runl~Run3)連續(xù)進(jìn)行上述條件的硼氣相擴(kuò)散，并對(duì)3個(gè)批量處理單位各自的非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量進(jìn)行計(jì)測(cè)。而且，不更換硅虛設(shè)晶圓，但每個(gè)批量處理單位更換監(jiān)控晶圓WL
[0061]評(píng)價(jià)例3
[0062]氣相擴(kuò)散溫度:700°C
[0063]氣相擴(kuò)散時(shí)間:60分鐘
[0064]虛設(shè)晶圓:硅氧化物虛設(shè)晶圓
[0065]氧氣吹掃:有
[0066]用3個(gè)批量處理單位(Runl~Run3)連續(xù)進(jìn)行上述條件的硼氣相擴(kuò)散，并對(duì)3個(gè)批量處理單位各自的非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量進(jìn)行計(jì)測(cè)。而且，不更換硅氧化物虛設(shè)晶圓，但每個(gè)批量處理單位更換監(jiān)控晶圓MW。
[0067]評(píng)價(jià)例4
[0068]氣相擴(kuò)散溫度:7 00°C
[0069]氣相擴(kuò)散時(shí)間:20分鐘
[0070]虛設(shè)晶圓:硅氧化物虛設(shè)晶圓
[0071]氧氣吹掃--無
[0072]用5個(gè)批量處理單位(Runl~Run5)連續(xù)進(jìn)行上述條件的硼氣相擴(kuò)散，并對(duì)5個(gè)批量處理單位各自的非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量進(jìn)行計(jì)測(cè)。而且，不更換硅氧化物虛設(shè)晶圓，但每個(gè)批量處理單位更換監(jiān)控晶圓MW。
[0073]<無氧氣吹掃的工藝處方>
[0074]無氧氣吹掃的工藝處方的時(shí)間圖的一例不于圖3。
[0075]如圖3所示，首先，在時(shí)刻t0，將載置有監(jiān)控晶圓MW及虛設(shè)晶圓DW的晶圓舟WB收納于處理室內(nèi)。收納時(shí)的裝載溫度例如為400°C。
[0076]接著，在時(shí)刻tl，處理室內(nèi)的壓力由大氣壓開始下降，將處理室內(nèi)抽真空。
[0077]接著，在時(shí)刻t2，向處理室內(nèi)供給的非活性氣體的流量、本例中為氮?dú)?N2)的流量是650sccm，處理室內(nèi)的壓力從抽真空的壓力開始向9310Pa(約70Torr:以ITorr為133Pa計(jì)算)上升。
[0078]接著，在時(shí)刻t3，一旦處理室內(nèi)的壓力到達(dá)9310Pa，則使處理室內(nèi)的溫度以10°C /分鐘的升溫速度由裝載溫度400°C升溫至氣相擴(kuò)散溫度700°C。
[0079]接著，在時(shí)刻t4，一旦處理室內(nèi)的溫度到達(dá)700°C，則使處理室內(nèi)壓力由93IOPa向5998Pa(約 45.1Torr)下降。
[0080]接著，在時(shí)刻t5，一旦處理室內(nèi)的壓力到達(dá)5998Pa，則使雜質(zhì)來源氣體、本例中是三氯化硼(BCl3)氣體以Isccm的流量流到處理室內(nèi)。由此，開始硼氣相擴(kuò)散處理。
[0081]接著，在時(shí)刻t6，一旦經(jīng)過了硼氣相擴(kuò)散的預(yù)定處理時(shí)間、本例中為60分鐘，則停止三氯化硼氣體的供給。由此，硼氣相擴(kuò)散工序結(jié)束。而且，在硼氣相擴(kuò)散工序結(jié)束的同時(shí)，使處理室內(nèi)的壓力從5998Pa開始下降，將處理室內(nèi)抽真空。
[0082]接著，在時(shí)刻t7，再次向處理室內(nèi)供給氮?dú)?，同時(shí)使處理室內(nèi)的壓力從抽真空的壓力開始向133Pa(約ITorr)上升。[0083]接著，在時(shí)刻t8，一旦處理室內(nèi)的壓力到達(dá)133Pa，則使處理室內(nèi)的溫度從700°C開始向卸載溫度例如400°C下降。
[0084]接著，在時(shí)刻t9，一旦處理室內(nèi)的溫度到達(dá)400°C，則使處理室內(nèi)的壓力從133Pa開始下降，并抽真空。
[0085]接著，在時(shí)刻tlO，使處理室內(nèi)的壓力從抽真空的壓力開始向大氣壓上升。
[0086]接著，在時(shí)刻111，一旦處理室內(nèi)的壓力到達(dá)大氣壓，則將載置有監(jiān)控晶圓MW及虛設(shè)晶圓DW的晶圓舟WB從處理室內(nèi)搬出。
[0087]這樣，基于無氧氣吹掃的工藝處方的一例的、對(duì)監(jiān)控晶圓MW進(jìn)行的氣相擴(kuò)散處理結(jié)束。
[0088]<有氧氣吹掃的工藝處方>
[0089]有氧氣吹掃的工藝處方的時(shí)間圖的一例不于圖4。
[0090]如圖4所示，有氧氣吹掃的工藝處方與無氧氣吹掃的工藝處方在直至?xí)r刻t6為止是相同的。時(shí)刻t6之后追加氧氣吹掃處理。
[0091]首先，在時(shí)刻t6之后的時(shí)刻tl2，使處理室內(nèi)的壓力從抽真空的壓力向133Pa上升，同時(shí)以1000sccm的流量向處理室內(nèi)供給氮?dú)狻Ｓ纱?，處理室?nèi)被氮?dú)獯祾摺?br> [0092]接著，在時(shí)刻tl3，一旦經(jīng)過了氮?dú)獯祾叩念A(yù)定處理時(shí)間，則停止氮?dú)獾墓┙o，同時(shí)以1000sccm的流量向處理室內(nèi)供給氧氣(O2)。由此，處理室內(nèi)被氧氣吹掃。
[0093]接著，在時(shí)刻tl4 ，一旦經(jīng)過了氧氣吹掃的預(yù)定處理時(shí)間、本例中為5分鐘，則停止氧氣供給，同時(shí)使處理室內(nèi)的壓力從133Pa開始下降，對(duì)處理室內(nèi)抽真空。
[0094]接著，在時(shí)刻t7，再次向處理室內(nèi)供給氮?dú)猓瑫r(shí)使處理室內(nèi)的壓力從抽真空的壓力向133Pa(約ITorr)上升。此后的處理與無氧氣吹掃的工藝處方的從時(shí)刻t8到時(shí)刻til為止的處理相同。
[0095]<硅虛設(shè)晶圓及硅氧化物虛設(shè)晶圓>
[0096]圖5是示出硅虛設(shè)晶圓的一例的截面圖，圖6是示出硅氧化物虛設(shè)晶圓的一例的截面圖。
[0097]如圖5所不,對(duì)于娃虛設(shè)晶圓DW(Si),在娃基板10的外表面形成有非摻雜非結(jié)晶硅膜11。非摻雜非結(jié)晶硅膜11是例如與監(jiān)控晶圓MW的非摻雜非結(jié)晶硅膜3同樣地使用甲硅烷或乙硅烷作為原料氣體通過CVD法而形成的膜。
[0098]而且，如圖6所示，對(duì)于硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)，在硅基板10的外表面形成有娃氧化物膜12。娃氧化物膜12是使用例如TEOS (四乙氧基甲硅烷，tetraethoxysilane)作為原料氣體而在硅基板10的外表面上通過CVD法而形成的膜，或者是對(duì)硅基板10的外表面進(jìn)行熱氧化而形成的膜。
[0099]<評(píng)價(jià)結(jié)果>
[0100]評(píng)價(jià)例I~評(píng)價(jià)例4的結(jié)果示于圖7~圖10。
[0101]評(píng)價(jià)例I的結(jié)果
[0102]評(píng)價(jià)例I的結(jié)果示于圖7。
[0103]如圖7所示，在評(píng)價(jià)例I中，從最初的批量處理單位Runl開始，至第2次的批量處理單位Run2、……、第5次的批量處理單位Run5，每進(jìn)行一次硼氣相擴(kuò)散，非摻雜多晶硅膜3a中的硼吸收量就會(huì)增加。[0104]在圖7所示的評(píng)價(jià)結(jié)果中，硼吸收量從批量處理單位Runl時(shí)的1.36X 1014atoms/cm2增加到批量處理單位Run5時(shí)的1.95X 1014atoms/cm2。
[0105]另外，在本說明書中，硼吸收量定義為每Icm2中存在的硼原子的數(shù)量。使用X射線熒光光譜法(XRF:X-ray Fluorescence analysis)測(cè)定硼氣相擴(kuò)散后的非摻雜多晶硅膜3a中硼的X射線熒光強(qiáng)度，并由測(cè)得的X射線熒光強(qiáng)度求出硼原子的數(shù)量。
[0106]評(píng)價(jià)例2的結(jié)果
[0107]評(píng)價(jià)例2的結(jié)果示于圖8。
[0108]如圖8所示，評(píng)價(jià)例2也與評(píng)價(jià)例I同樣地，最初的批量處理單位Runl、第2次的批量處理單位Run2乃至第3次的批量處理單位Run3，每進(jìn)行一次硼氣相擴(kuò)散，非摻雜多晶硅膜3a中的硼吸收量就會(huì)增加。
[0109]在圖8所示的評(píng)價(jià)結(jié)果中，硼吸收量從批量處理單位Runl時(shí)的1.24X 1014atoms/cm2增加到批量處理單位Run3時(shí)的2.03 X 1014atoms/cm2。
[0110]另外，評(píng)價(jià)例I與評(píng)價(jià)例2在是否進(jìn)行氧氣吹掃的這點(diǎn)上存在不同。不進(jìn)行氧氣吹掃的評(píng)價(jià)例I的硼吸收量的面內(nèi)均勻性是7.8%?10.2%，而進(jìn)行氧氣吹掃的評(píng)價(jià)例2的硼吸收量的面內(nèi)均勻性是4.2%?6.4%。由該結(jié)果可知，通過進(jìn)行氧氣吹掃能夠提高硼吸收量的面內(nèi)均勻性。
[0111]而且，評(píng)價(jià)例I與評(píng)價(jià)例2在使用圖5所示的硅虛設(shè)晶圓DW(Si)作為虛設(shè)晶圓DW這點(diǎn)上一致。如果使用硅虛設(shè)晶圓DW (Si)，則存在每進(jìn)行一次硼氣相擴(kuò)散、非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量就會(huì)增加的傾向。
[0112]以該見解為基礎(chǔ)，將虛設(shè)晶圓DW變更為圖6所示的硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)，繼續(xù)評(píng)價(jià)。
[0113]評(píng)價(jià)例3的結(jié)果
[0114]評(píng)價(jià)例3的結(jié)果示于圖9。
[0115]如圖9所示，在將虛設(shè)晶圓DW變更為硅氧化物虛設(shè)晶圓DW (SiO2)的評(píng)價(jià)例3中，與評(píng)價(jià)例1、2相比，在最初的批量處理單位Runl、第2次的批量處理單位Run2、第3次的批量處理單位Run3中，非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量穩(wěn)定。
[0116]在圖9所示的評(píng)價(jià)結(jié)果中，如下所示，硼吸收量穩(wěn)定。
[0117]批量處理單位Runl:3.64X 1014atoms/cm2
[0118]批量處理單位Run2:3.87 X 1014atoms/cm2
[0119]批量處理單位Run3:3.87 X 1014atoms/cm2
[0120]這樣，通過將虛設(shè)晶圓DW變更為硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)，能夠在批量處理單位Runl?Run3間獲得雜質(zhì)導(dǎo)入量、本例中為硼吸收量的穩(wěn)定性。
[0121]而且，硼吸收量的面內(nèi)均勻性是0.9%?2.7%，即使與同樣進(jìn)行氧氣吹掃的評(píng)價(jià)例2相比也有進(jìn)一步提聞。
[0122]而且，對(duì)于硼氣相擴(kuò)散處理的條件，雖然與評(píng)價(jià)例1、2同為700°C、60分鐘，但最初的批量處理單位Runl的硼吸收量與評(píng)價(jià)例1、2相比增加約3倍。
[0123]如果考慮這樣的評(píng)價(jià)例3的結(jié)果，即硼吸收量在批量處理單位間穩(wěn)定并且相同氣相擴(kuò)散條件下硼吸收量增加，那么“在處理室內(nèi)發(fā)生了由硅虛設(shè)晶圓DW(Si)引起的自摻雜，，的推測(cè)成立。[0124]圖11的(A)~圖11的⑶是示出自摻雜的模型例的截面圖。
[0125]如圖11的⑷及圖11的⑶所示，在最初的批量處理單位Runl中，如果使硼進(jìn)行氣相擴(kuò)散，則硼13吸附在硅虛設(shè)晶圓DW(Si)的表面。
[0126]接著，如圖11的(C)及圖11的⑶所示，如果將吸附有硼13的硅虛設(shè)晶圓DW(Si)直接用在下一個(gè)批量處理單位Run2中，則硼13的一部分從硅虛設(shè)晶圓DW(Si)的表面脫離，脫離后的硼13被導(dǎo)入監(jiān)控晶圓的非摻雜多晶硅膜3a。
[0127]這樣，除了供給到處理室內(nèi)的雜質(zhì)來源氣體例如三氯化硼氣體之外，進(jìn)而加上從硅虛設(shè)晶圓DW(Si)的表面脫離的硼13，因此批量處理單位Run2中非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量比之前的批量處理單位Runl增加。
[0128]可以認(rèn)為，相對(duì)于這樣的由硅虛設(shè)晶圓DW(Si)引起的自摻雜，硅氧化物虛設(shè)晶圓Dff(SiO2)的表面不吸附硼，因此，不發(fā)生自摻雜。
[0129]然后，使用X射線光電子能譜法(XPS:X_ray Photoelectron Spectroscopy)研究硼氣相擴(kuò)散后的硅虛設(shè)晶圓及硅氧化物虛設(shè)晶圓的表面組成。
[0130]圖12是示出研究硼氣相擴(kuò)散后的硅虛設(shè)晶圓的表面組成的結(jié)果的圖，圖13是示出研究硼氣相擴(kuò)散后的硅氧化物虛設(shè)晶圓的表面組成的結(jié)果的圖。
[0131]如圖12所示，硼氣相擴(kuò)散后的硅虛設(shè)晶圓DW(Si)的表面組成是硼83.9%、硅12.0%、氧4.1%。由此可知，硅虛設(shè)晶圓DW(Si)表面的硼:硅的比例大致是7:1，表面幾乎全部被硼覆蓋。
[0132]與此相對(duì)，如圖13所示，硼氣相擴(kuò)散后的硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)的表面組成是硅34.7%、氧65.3%，未檢出硼。由此可知，硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)的外表面被硅氧化物膜12覆蓋，硅氧化物膜12的表面未吸附硼。也就是說，硅氧化物膜12是具有不吸附硼的性質(zhì)的膜。
[0133]因此，如評(píng)價(jià)例3所示，在使硼進(jìn)行氣相擴(kuò)散時(shí)，使用硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)作為虛設(shè)晶圓DW，從而能夠抑制由于使用虛設(shè)晶圓DW而引起的自摻雜。其結(jié)果，能夠得到即使使用虛設(shè)晶圓DW也能在批量處理單位間獲得雜質(zhì)導(dǎo)入量的穩(wěn)定性的雜質(zhì)擴(kuò)散方法。
[0134]而且，對(duì)于評(píng)價(jià)例3，供給到處理室內(nèi)的雜質(zhì)來源氣體例如三氯化硼氣體中含有的硼沒有因被硅虛設(shè)晶圓DW(Si)的表面吸附而消耗。因此，還可以同時(shí)獲得能夠使非摻雜多晶硅膜3a的各單位時(shí)間的硼吸收量增加的優(yōu)點(diǎn)。
[0135]評(píng)價(jià)例4的結(jié)果
[0136]針對(duì)評(píng)價(jià)例4，根據(jù)評(píng)價(jià)例3的見解，對(duì)評(píng)價(jià)例3進(jìn)一步進(jìn)行以下的考慮(I)、(2)。
[0137]考慮(I)評(píng)價(jià)例3能夠得到硼吸收量的良好的面內(nèi)均勻性，那么，無氧氣吹掃也能得到良好的面內(nèi)均勻性嗎？
[0138]考慮(2)評(píng)價(jià)例3能夠增加各單位時(shí)間的硼吸收量，那么，能夠縮短硼氣相擴(kuò)散處理時(shí)間嗎？
[0139]評(píng)價(jià)例4的工藝處方的一例示于圖14。
[0140]如圖14所示，在評(píng)價(jià)例4中采納上述考慮(I)及考慮(2)，省略氧氣吹掃，并將硼氣相擴(kuò)散時(shí)間縮短到20分鐘。
[0141]另外，圖14中的時(shí)刻tO~til與參照?qǐng)D3說明的時(shí)刻tO~til對(duì)應(yīng)。
[0142]評(píng)價(jià)例4的結(jié)果示于圖10。[0143]如圖10所示,評(píng)價(jià)例4也與評(píng)價(jià)例3同樣地,在批量處理單位Runl?Run5之間，非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量穩(wěn)定。
[0144]具體如下。
[0145]批量處理單位Runl: 1.53 X 1014atoms/cm2
[0146]批量處理單位Run2: 1.53 X 1014atoms/cm2
[0147]批量處理單位Run3: 1.45 X 1014atoms/cm2
[0148]批量處理單位Run4: 1.47 X 1014atoms/cm2
[0149]批量處理單位Run5: 1.47 X 1014atoms/cm2
[0150]而且，硼吸收量的面內(nèi)均勻性是1.1%?2.2%，即使無氧氣吹掃，也與評(píng)價(jià)例3同樣地得到良好的面內(nèi)均勻性。
[0151]當(dāng)然，不是不需要氧氣吹掃，為了得到更加良好的面內(nèi)均勻性，也可以像評(píng)價(jià)例3那樣地進(jìn)行氧氣吹掃。相反，根據(jù)評(píng)價(jià)例4可以證實(shí)，例如在為了提高生產(chǎn)量而想縮短處理時(shí)間時(shí)，如評(píng)價(jià)例4所示，可以省略氧氣吹掃。也就是說，是否進(jìn)行氧氣吹掃是可以適當(dāng)選擇的事項(xiàng)。
[0152]進(jìn)一步地，在評(píng)價(jià)例4中，將氣相擴(kuò)散處理的條件相對(duì)于評(píng)價(jià)例I?3的700°C、60分鐘縮短到700°C、20分鐘，即氣相擴(kuò)散時(shí)間縮短到1/3。作為硼吸收量，在評(píng)價(jià)例4中為1.45X 1014atoms/cm2?1.53X 1014atoms/cm2,相對(duì)于氣相擴(kuò)散時(shí)間為60分鐘的評(píng)價(jià)例
1、2的批量處理單位Runl，能夠得到同等以上的值。
[0153]如果是這樣的評(píng)價(jià)例4，在使硼進(jìn)行氣相擴(kuò)散時(shí)，使用硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)作為虛設(shè)晶圓DW，因此，與評(píng)價(jià)例3同樣地能夠使非摻雜多晶硅膜3a的硼吸收量在批量處理單位Runl?Run5間穩(wěn)定。
[0154]而且，通過使用硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)，即使省略氧氣吹掃，也能夠維持硼吸收量的良好的面內(nèi)均勻性。
[0155]而且，由于硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)不吸附硼，因此硼不被虛設(shè)晶圓DW消耗，所以能夠使各單位時(shí)間的硼吸收量提高。
[0156]因此，與使用硅虛設(shè)晶圓DW(Si)的評(píng)價(jià)例1、2相比，能夠縮短用于達(dá)到期望的硼吸收量的氣相擴(kuò)散時(shí)間，并能夠使氣相擴(kuò)散處理的生產(chǎn)量提高。而且，如上所述，如果省略氧氣吹掃，則能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)量。
[0157](第二實(shí)施方式)
[0158]第二實(shí)施方式涉及能夠?qū)嵤┑谝粚?shí)施方式的雜質(zhì)擴(kuò)散方法的處理裝置的例子。
[0159]圖15是概略示出能夠?qū)嵤┑谝粚?shí)施方式涉及的雜質(zhì)擴(kuò)散方法的立式批量式熱處理裝置的一例的截面圖。
[0160]如圖15所示，立式批量式熱處理裝置(以下稱為熱處理裝置)100具備有頂且圓筒狀的外壁101。外壁101例如是石英制，外壁101的內(nèi)側(cè)是收納多個(gè)被處理體并一并對(duì)多個(gè)被處理體實(shí)施熱處理的處理室102。在本例中，作為被處理體而例示了硅晶圓這樣的半導(dǎo)體晶圓W，在處理室102內(nèi)一并對(duì)半導(dǎo)體晶圓W實(shí)施熱處理、本例中為雜質(zhì)的氣相擴(kuò)散處理。雜質(zhì)的一例如第一實(shí)施方式所述，是硼。而且，半導(dǎo)體晶圓W對(duì)應(yīng)第一實(shí)施方式中說明的監(jiān)控晶圓麗。
[0161]外壁101的下端是開口的，在該開口連接有圓筒狀的歧管103。歧管103例如是不銹鋼。外壁101的下端與歧管103的上端經(jīng)由O環(huán)等密封部件104連結(jié)。歧管103的下端是開口的，晶圓舟WB經(jīng)由該開口被插入到處理室102的內(nèi)部。晶圓舟WB例如是石英制，具有多根支柱105。支柱105中形成有未圖示的溝，通過該溝一次支撐多片半導(dǎo)體晶圓W、例如多片硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)。由此，晶圓舟WB能夠多層地載置多片例如50?150片半導(dǎo)體晶圓W及硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)。
[0162]晶圓舟WB通過石英制的保溫筒106而載置在臺(tái)子107之上。臺(tái)子107被支撐在例如貫穿不銹鋼制的蓋部108的旋轉(zhuǎn)軸109上。蓋部108開閉歧管103的下端的開口。蓋部108的貫通部例如設(shè)有磁性流體密封件110，氣密性地密封旋轉(zhuǎn)軸109，同時(shí)可旋轉(zhuǎn)地支撐旋轉(zhuǎn)軸109。而且，在蓋部108的周邊部與歧管103的下端之間，例如設(shè)有由O環(huán)構(gòu)成的密封部件111，保持處理室102的內(nèi)部的密封性。旋轉(zhuǎn)軸109被安裝在例如被晶舟升降機(jī)等升降機(jī)構(gòu)(未圖示)支撐的臂112的前端。由此，晶圓舟WB及蓋部108等一體地在鉛垂方向升降，并相對(duì)于處理室102進(jìn)行插拔。
[0163]在外壁101的頂部連接有排氣管113。排氣管113與排氣裝置114連接。排氣裝置114被構(gòu)成為包含未圖示的真空泵等，將熱處理中使用后的氣體從處理室102的內(nèi)部排出，而且，將處理室102的內(nèi)部的壓力調(diào)整為適合處理的壓力。
[0164]在外壁101的外側(cè)，以包圍處理室102的周圍的方式設(shè)有加熱裝置115。加熱裝置115將處理室102的內(nèi)部的溫度調(diào)整為適合處理的溫度，并加熱被處理體、本例中為多個(gè)半導(dǎo)體晶圓W。
[0165]熱處理裝置100具有向處理室102的內(nèi)部供給熱處理中使用的氣體的處理氣體供給機(jī)構(gòu)130。
[0166]本例的處理氣體供給機(jī)構(gòu)130包括雜質(zhì)來源氣體供給源131a以及非活性氣體供給源131b。雜質(zhì)來源氣體在本例中使用三氯化硼(BCl3)氣體。另外，非活性氣體使用氮?dú)?N2)。雜質(zhì)來源氣體用于第一實(shí)施方式中已說明的氣相擴(kuò)散處理，非活性氣體用作吹掃所使用的吹掃氣體以及氣相擴(kuò)散處理中的稀釋氣體。
[0167]雜質(zhì)來源氣體供給源131a經(jīng)由流量控制器(MFC) 132a及開閉閥133a連接到氣體供給口 134a。同樣地，非活性氣體供給源131b經(jīng)由流量控制器(MFC) 132b及開閉閥133b連接到氣體供給口 134b。氣體供給口 134a、134b被設(shè)置為分別沿水平方向貫穿歧管103的側(cè)壁，以使被供給的氣體向位于歧管103上方的處理室102的內(nèi)部擴(kuò)散。
[0168]熱處理裝置100連接有控制部150?？刂撇?50具備例如包含微處理器(計(jì)算機(jī))的處理控制器151，熱處理裝置100的各構(gòu)成部的控制由處理控制器151進(jìn)行。處理控制器151連接有用戶界面152和存儲(chǔ)部153。
[0169]用戶界面152具備:包含為了便于操作員管理熱處理裝置100而用于進(jìn)行指令的輸入操作等的觸摸面板顯示器、鍵盤等的輸入部；以及包含可視化地顯示熱處理裝置100的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的顯示器等的顯示部。
[0170]存儲(chǔ)部153中存儲(chǔ)有包含以下程序的所謂工藝處方:用于通過處理控制器151的控制來實(shí)現(xiàn)熱處理裝置100要執(zhí)行的各種處理的控制程序；用于使熱處理裝置100的各構(gòu)成部執(zhí)行與處理?xiàng)l件對(duì)應(yīng)的處理的程序。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是硬盤、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，也可以是⑶-R0M、DVD、閃存等便攜性存儲(chǔ)介質(zhì)。而且，工藝處方也可以從其他裝置例如經(jīng)由專用電路適當(dāng)傳送。[0171]根據(jù)需要，基于來自用戶界面152的操作員的指示等，從存儲(chǔ)部153讀取工藝處方，處理控制器151執(zhí)行基于讀到的工藝處方的處理，從而熱處理裝置100在處理控制器151的控制下執(zhí)行被要求的處理。在本例中，熱處理裝置100在處理控制器151的控制下執(zhí)行上述第一實(shí)施方式中說明的雜質(zhì)擴(kuò)散方法。在本例中，處理氣體供給機(jī)構(gòu)130不具有氧氣供給源。因此，圖15所示的熱處理裝置100執(zhí)行基于第一實(shí)施方式中的評(píng)價(jià)例4的處理。特別是，雖然未圖示，但如果使處理氣體供給機(jī)構(gòu)130具有氧氣供給源，則能夠執(zhí)行基于第一實(shí)施方式中的評(píng)價(jià)例3的處理。
[0172]上述第一實(shí)施方式涉及的雜質(zhì)擴(kuò)散方法例如能夠通過圖15所示的立式批量式熱處理裝置100來實(shí)施。
[0173]以上根據(jù)第一、第二實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于上述第一、第二實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。
[0174]例如，在上述第一實(shí)施方式中，雖然具體例示了處理?xiàng)l件，但處理?xiàng)l件不限于上述具體的例示，可以適當(dāng)變更。
[0175]而且，在上述第二實(shí)施方式中，雖然例示了立式批量式熱處理裝置，但第一實(shí)施方式涉及的雜質(zhì)擴(kuò)散方法也可以用立式以外的批量式熱處理裝置來實(shí)施。
[0176]而且，在上述第一實(shí)施方式中，作為雜質(zhì)被擴(kuò)散的被擴(kuò)散部位、例如使雜質(zhì)擴(kuò)散的膜而例示了非摻雜多晶硅膜3a，但使雜質(zhì)擴(kuò)散的膜還可以是非摻雜非結(jié)晶硅膜，也可以是非摻雜單晶硅膜。
[0177]這樣，在被擴(kuò)散部位為例如硅這樣的半導(dǎo)體材料時(shí)，半導(dǎo)體材料的狀態(tài)可以是“非結(jié)晶”和“結(jié)晶”中的某種狀態(tài)。而且，在半導(dǎo)體材料的狀態(tài)是“結(jié)晶”時(shí)，其“結(jié)晶”可以是“單晶”，也可以是“多晶”。
[0178]而且，被擴(kuò)散部位不限于非摻雜，也可以預(yù)先含有雜質(zhì)。此時(shí)，對(duì)被擴(kuò)散部位追加擴(kuò)散雜質(zhì)。
[0179]而且，被擴(kuò)散部位不限于非摻雜多晶硅膜3a這樣的膜，也可以將被處理基板自身例如半導(dǎo)體晶圓W(硅基板I)自身作為被擴(kuò)散部位。
[0180]而且，在上述第一實(shí)施方式中，作為虛設(shè)晶圓DW，使用外表面被硅氧化物膜覆蓋的硅氧化物虛設(shè)晶圓DW(SiO2)15但是，虛設(shè)晶圓DW不限于其外表面被硅氧化物膜覆蓋。作為虛設(shè)晶圓DW，只要是其外表面被具有不吸附硼的性質(zhì)的膜覆蓋，則都能夠得到與上述第一實(shí)施方式中論述的優(yōu)點(diǎn)相同的優(yōu)點(diǎn)。也就是說，在進(jìn)行硼氣相擴(kuò)散時(shí)，即使使用虛設(shè)晶圓DW，在批量處理單位之間也能夠獲得雜質(zhì)導(dǎo)入量的穩(wěn)定性。
[0181]作為可構(gòu)成具有不吸附硼的性質(zhì)的膜的物質(zhì)，除上述第一實(shí)施方式中論述的氧化物之外，例如可以列舉氮化物。
[0182]作為氧化物的例子，除上述第一實(shí)施方式中論述的硅的氧化物之外，例如可以列舉金屬的氧化物。
[0183]作為氮化物的例子，可以列舉硅的氮化物。
[0184]而且，作為虛設(shè)晶圓DW的基板，雖然在第一實(shí)施方式中使用了硅基板10，但除硅基板10之外，也可以使用SiC基板、化合物半導(dǎo)體基板等。此時(shí)，SiC基板、化合物半導(dǎo)體基板等硅以外的基板的外表面預(yù)先用具有不吸附硼的性質(zhì)的膜覆蓋。為此，例如，在硅以外的基板的外表面上堆積CVD硅氧化物或CVD金屬氧化物等氧化物、或者CVD硅氮化物等氮化物。像這樣，只要用具有不吸附硼的性質(zhì)的膜覆蓋硅以外的基板的外表面即可。
[0185]而且,作為虛設(shè)晶圓DW，也可以使用石英基板。圖16中示出使用了石英基板的虛設(shè)晶圓DW(石英，Quartz)的一例。石英是硅的氧化物。因此，如圖16所示，石英基板20的外表面是具有不吸附硼的性質(zhì)的物質(zhì)。所以，在使用了石英基板20的虛設(shè)晶圓DW(Quartz)中，其表面并不一定要用具有不吸附硼的性質(zhì)的膜覆蓋。
[0186]這樣，虛設(shè)晶圓DW不只是其外表面被具有不吸附硼的性質(zhì)的膜覆蓋，也可以其整體例如像虛設(shè)晶圓DW(Quartz)所具有的石英基板20那樣，是具有不吸附硼的性質(zhì)的物質(zhì)。
[0187]而且，雖然是上述第二實(shí)施方式中已說明的熱處理裝置，但在熱處理裝置中，對(duì)于處理室內(nèi)的構(gòu)成材料，作為代表例，除與外壁101對(duì)應(yīng)的加工用管、晶圓舟WB、保溫筒106等為石英制以外，也可以將處理室內(nèi)的構(gòu)成材料中暴露在處理室內(nèi)部的外表面預(yù)先用硅氧化物或金屬氧化物等氧化物、或者硅氮化物等氮化物覆蓋。通過預(yù)先用上述氧化物覆蓋處理室內(nèi)的構(gòu)成材料，能夠抑制由處理室內(nèi)的構(gòu)成材料引起的自摻雜，能夠使批量處理單位之間的雜質(zhì)導(dǎo)入量的穩(wěn)定性進(jìn)一步提聞。
[0188]根據(jù)本發(fā)明，提供一種即使使用虛設(shè)的被處理基板也能夠在批量處理單位之間獲得雜質(zhì)導(dǎo)入量的穩(wěn)定性的雜質(zhì)擴(kuò)散方法。
[0189]除此之外，本發(fā)明在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。
【權(quán)利要求】
1.一種雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其是使用虛設(shè)的被處理基板并且使雜質(zhì)相對(duì)于被處理基板所具有的被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其具備: 將所述被處理基板及所述虛設(shè)的被處理基板載置于基板載置夾具的工序； 將載置有所述被處理基板及所述虛設(shè)的被處理基板的所述基板載置夾具收納于處理裝置的處理室的工序；以及 在收納有所述基板載置夾具的所述處理室內(nèi)，使雜質(zhì)相對(duì)于所述被處理基板的所述被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的工序， 在所述氣相擴(kuò)散工序中，所述要進(jìn)行氣相擴(kuò)散的雜質(zhì)是硼時(shí)，使用所述虛設(shè)的被處理基板的外表面是具有不吸附硼的性質(zhì)的物質(zhì)的基板作為所述虛設(shè)的被處理基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，對(duì)批量處理單位的多個(gè)被處理基板及所述虛設(shè)的被處理基板進(jìn)行所述載置工序、所述收納工序及所述氣相擴(kuò)散工序， 對(duì)于下一個(gè)批量處理單位，對(duì)后續(xù)的被處理基板及所述批量處理單位的所述虛設(shè)的被處理基板進(jìn)行所述載置工序、所述收納工序及所述氣相擴(kuò)散工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，在所述氣相擴(kuò)散工序之后，進(jìn)行氧氣吹掃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，在所述氣相擴(kuò)散工序之后，不進(jìn)行氧氣吹掃，并結(jié)束處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，所述具有不吸附硼的性質(zhì)的物質(zhì)是氧化物、氮化物中的任意種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法,其中,所述氧化物選自娃的氧化物、金屬的氧化物中的任意種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，所述氮化物是硅的氮化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，所述虛設(shè)的被處理基板是石英基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，所述被處理基板的所述被擴(kuò)散部位是半導(dǎo)體材料，在所述氣相擴(kuò)散工序中，使所述硼向所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行氣相擴(kuò)散。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，所述半導(dǎo)體材料的狀態(tài)是非結(jié)晶、結(jié)晶中的任意狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其中，當(dāng)所述半導(dǎo)體材料的狀態(tài)是所述結(jié)晶時(shí)，所述結(jié)晶是單晶、多晶中的任意狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雜質(zhì)擴(kuò)散方法,其中,所述氣相擴(kuò)散中使用的雜質(zhì)來源氣體是二氯化硼氣體。
13.一種雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其是使用虛設(shè)的被處理基板并且使雜質(zhì)相對(duì)于被處理基板所具有的被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的雜質(zhì)擴(kuò)散方法，其具備: 將所述被處理基板及所述虛設(shè)的被處理基板載置于基板載置夾具的工序； 將載置有所述被處理基板及所述虛設(shè)的被處理基板的所述基板載置夾具收納于處理裝置的處理室的工序；以及 在收納有所述基板載置夾具的所述處理室內(nèi)，使雜質(zhì)相對(duì)于所述被處理基板的所述被擴(kuò)散部位進(jìn)行氣相擴(kuò)散的工序， 在所述氣相擴(kuò)散工序中，所述虛設(shè)的被處理基板的外表面使用具有不吸附所述雜質(zhì)的性質(zhì)的物質(zhì) 。
【文檔編號(hào)】H01L21/223GK103578939SQ201310325943
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月30日
【發(fā)明者】高橋和也, 古澤純和, 岡田充弘 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社