專利名稱：電子部件、電子部件制造方法及電子器械的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由半導(dǎo)體裝置等的由單個(gè)有源元件或者由有源元件和無(wú)源元件構(gòu)成的模塊而形成的電子部件、這樣的電子部件的制造方法及安裝有這樣的電子部件的電子器械。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置包含在電極位置形成貫穿孔的半導(dǎo)體元件、設(shè)置在包括貫穿孔內(nèi)面領(lǐng)域的絕緣材料、以穿過(guò)貫穿孔中心軸方式設(shè)置的導(dǎo)電材料(比如、參照專利文獻(xiàn)1)。以下，稱該技術(shù)為第一現(xiàn)有例。
另外，現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，在配置在半導(dǎo)體芯片的端子側(cè)的絕緣層上形成布線，布線與端子通過(guò)貫穿絕緣層端子區(qū)域的第一轉(zhuǎn)接部分電連接，并且布線連接貫穿半導(dǎo)體芯片的第二轉(zhuǎn)接部分，在與半導(dǎo)體芯片的端子側(cè)相反一側(cè)的第二轉(zhuǎn)接部分上形成作為外部端子的凸出部分(比如，參照專利文獻(xiàn)2)。以下，稱該技術(shù)為第二現(xiàn)有例。
還有，現(xiàn)有的半導(dǎo)體部件是在包含有第一表面層、第二表面層、第一表面層與第二表面層接合的接合層的多層電路基板上倒裝安裝有半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體部件，其包括第一半導(dǎo)體裝置，其倒裝安裝在第一表面層上；第一基板，其在第一半導(dǎo)體裝置的第一正下方區(qū)域內(nèi)形成第一表面層，該第一表面層與第一半導(dǎo)體裝置的電極電連接；第一內(nèi)部布線，其形成在接合第一表面層與接合層的第一接合面；第一導(dǎo)電孔，其形成在第一正下方區(qū)域內(nèi)，電連接第一基板端子和第一內(nèi)部布線；第二半導(dǎo)體裝置，其倒裝安裝在以接合面作為對(duì)稱面，相對(duì)于安裝第一半導(dǎo)體裝置位置成面對(duì)稱的第二表面層位置；第二基板端子，其形成在第二半導(dǎo)體裝置的第二正下方區(qū)域內(nèi)，與第二半導(dǎo)體裝置電連接；第二內(nèi)部布線，其形成在接合第二表面層和接合層的第二接合層；第三導(dǎo)電孔，其形成在第二正下方區(qū)域內(nèi)，電連接第二基板端子和第二內(nèi)部布線(比如，參照專利文獻(xiàn)3)。以下，稱該技術(shù)為第三現(xiàn)有例。
上述第一～第三現(xiàn)有例，分別以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置小型化、抑制由在安裝在基板上的狀態(tài)下的溫度變化造成的芯片破裂、彎曲、緩和在表面層產(chǎn)生的應(yīng)力、變形以提供電子部件可靠性為目的，公開(kāi)了適于實(shí)現(xiàn)各目的的半導(dǎo)體裝置或電子部件。因此，在基板上安裝這些半導(dǎo)體裝置或電子部件時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，必須使用安裝器。由于安裝器是由高精度、高敏感度部件構(gòu)成，比如僅電子部件的吸附部分，就包括吸附電子部件用吸附噴嘴、將電子部件按照預(yù)定間隔輸送至吸附噴嘴附近的送料器、檢測(cè)電子部件吸附噴嘴的吸附不良情況的傳感器、補(bǔ)正電子部件吸附位置的XY平臺(tái)等，因而價(jià)格高昂。為此，如使用這樣高價(jià)安裝器，安裝電子部件以組裝電子器械，則組裝成的電子器械本身也成為高價(jià)品。
其結(jié)果，導(dǎo)致電子器械的價(jià)格也很昂貴，比如生產(chǎn)IC卡等那樣的、安裝電子部件少而整體又為大量生產(chǎn)的情況。另一方面，比如使用有機(jī)LED(OLEDOrganic Light Emitting Diode)、等離子顯示板(PDPPlasmaDisplay Panel)、液晶顯示器(LCDLiquid Crystal Display)等顯示器件的顯示裝置安裝有多個(gè)具有相同形狀及相同功能的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。這里，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器是指根據(jù)從外部供給的一行顯示數(shù)據(jù)，向顯示器的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電極施加數(shù)據(jù)信號(hào)，按每多個(gè)像素(比如大約330像素)設(shè)置一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。因此，顯示器畫(huà)面越大，應(yīng)安裝的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的個(gè)數(shù)就越多。如這樣的顯示裝置，盡管對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的安裝精度本身不太要求，如必須使用上述高價(jià)的安裝器，則導(dǎo)致顯示裝置的價(jià)格也高昂。
另外，現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置，由于只在半導(dǎo)體裝置一面形成有用于與其他裝置等連接的外部連接端子和將該外部連接端子與半導(dǎo)體芯片端子連接的連接線，所有半導(dǎo)體裝置的安裝限定在利用選定面的安裝。還有，現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置，由于熱應(yīng)力的作用，導(dǎo)致了可靠性或壽命低的問(wèn)題。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2002-50738號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求18，0035、0036、0050～0075段落，圖1，圖2)；專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2002-170904號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求6，0007、0012～0014段落，圖3)；專利文獻(xiàn)3特開(kāi)平11-87402號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求13，0031、0067～0069段落，圖6)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述課題，其第一目的在于得到即使采用電子部件的表面或者底面的任一面也能容易實(shí)現(xiàn)安裝的電子部件，其中電子部件可以由半導(dǎo)體裝置等的單個(gè)有源元件或者有源元件與無(wú)源元件構(gòu)成的模塊而形成。本發(fā)明的第二目的在于得到即使加大熱應(yīng)力也能抑制可靠性或壽命降低的上述電子部件。本發(fā)明的第三目的在于得到可以不使用高價(jià)安裝器，而采用簡(jiǎn)單且便宜的裝置安裝上述電子部件。另外，還提出了這些電子部件的制造方法及包括電子部件的電子器械的方案。
有關(guān)本發(fā)明的電子部件，包括功能部，形成在基板的表面或者底面的至少一面上并實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能；多個(gè)端子，形成于上述基板的表面或者底面上并與上述功能部連接；多個(gè)外部電極，形成于上述基板的表面和底面上；和再配置布線，形成于上述基板的表面和底面上并將形成于上述基板的表面或者底面上的上述端子與上述外部電極連接。
本發(fā)明的電子部件，在具有功能部的基板的表面和底面兩面上包含通過(guò)再配置布線與功能部端子連接的外部電極，因此可以利用電子部件的表面、底面或者其兩面來(lái)安裝，顯著提高了安裝的自由度。另外，由于在基板的表面及底面兩面上形成有外部電極，在安裝后也可以進(jìn)行電氣檢查。
上述多個(gè)外部電極，優(yōu)選其間隔比上述多個(gè)端子的間隔大。通過(guò)此，可以提高電子部件的安裝操作性或電子部件的與外部器械連接操作性。
優(yōu)選在上述基板的表面及底面上形成應(yīng)力緩沖層，在該應(yīng)力緩沖層上形成上述外部電極和上述再配置布線。如這樣通過(guò)在表面及底面上具有緩沖層，即使施加熱應(yīng)力，也能得到可抑制降低可靠性或壽命的電子部件。
優(yōu)選上述多個(gè)外部電極呈面對(duì)稱地配置在上述基板的表面和底面之間，在上述表面和上述底面上分別設(shè)置多個(gè)與同一上述端子連接的上述外部電極，在上述表面和上述底面上分別呈線對(duì)稱或者點(diǎn)對(duì)稱地配置與同一上述端子連接的上述外部電極。
具有本發(fā)明那樣結(jié)構(gòu)的電子部件，沒(méi)有必要區(qū)分其表背，可以采用比如將電子部件邊振動(dòng)邊導(dǎo)入安裝基板上預(yù)定位置的所謂振動(dòng)位置配合方式的安裝方法，或者將電子部件根據(jù)其外形鑲嵌配合于預(yù)定位置的外形定位方式的安裝方法。因此，可以不使用高價(jià)的安裝器，從而能大幅度簡(jiǎn)化安裝工序。其結(jié)果，生產(chǎn)IC卡等那樣應(yīng)安裝電子部件個(gè)數(shù)少但其整體被大量生產(chǎn)的電子器械本身的價(jià)格也能降低。還有，即使是安裝數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器多的、使用OLED、PDP、LCD等的大型顯示器的顯示裝置，也能降低其價(jià)格。
優(yōu)選上述端子通過(guò)貫穿上述基板的貫穿孔或者插柱，形成于上述基板的表面或者底面上。通過(guò)此，可以回繞布線而將功能部的端子分別引出基板的表面和底面。
優(yōu)選上述貫穿孔或者上述插柱形成于上述端子的正下方。端子的正下方通常不存在有源元件的情況多，因此通過(guò)這樣的設(shè)定，不必僅為了形成貫穿孔或者插拄而分配功能部面積，從而能將功能部、進(jìn)而將基板面積限制于最小限度的大小內(nèi)。另外，通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，可以活用電子部件所不可缺少的端子，因此可以不特別設(shè)計(jì)電子部件特別是半導(dǎo)體裝置，而沿用通用類型。
在上述電子部件中，優(yōu)選對(duì)連接同一上述端子的外部電極施行同一表面處理。通過(guò)此，可以在安裝電子部件時(shí)不必考慮其表背，能使用回流焊安裝、倒裝芯片安裝、面朝下安裝等同一安裝方法，從而可大幅度簡(jiǎn)化安裝工序。
在上述電子部件中，優(yōu)選用金或者焊料對(duì)外部電極的表面進(jìn)行表面處理。通過(guò)此，可以使用更一般的安裝方法，從而大幅度簡(jiǎn)化安裝工序。
在上述電子部件中，優(yōu)選基板為正方形形狀。通過(guò)此，可以省去區(qū)分半導(dǎo)體裝置的方向性的麻煩，從而能大幅度簡(jiǎn)化安裝工序。
在上述電子部件中，優(yōu)選其整體形狀為在寬和深方向比厚度大。通過(guò)此，可穩(wěn)定地將電子部件安裝于應(yīng)將其安裝的凹部?jī)?nèi)。
上述基板為半導(dǎo)體基板，上述功能部包括形成于上述半導(dǎo)體基板上的有源元件。通過(guò)此，可以使用簡(jiǎn)單并且廉價(jià)的裝置來(lái)安裝為半導(dǎo)體裝置的電子部件。
上述功能部包括安裝于上述基板上的半導(dǎo)體裝置。通過(guò)此，可以使用簡(jiǎn)單并且廉價(jià)的裝置來(lái)安裝具有這樣結(jié)構(gòu)的模塊等的電子部件。
進(jìn)一步，電子部件還可以是通過(guò)任意組合上述任一種記載的電子部件并通過(guò)上述外部電極多級(jí)層疊而成的電子部件。另外，電子部件也可以是通過(guò)將上述任一種記載的電子部件與其他部件通過(guò)上述外部電極多級(jí)層疊而形成的電子部件。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)形式，能更進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的安裝密度。
有關(guān)本發(fā)明的電子部件的制造方法，具有功能部形成工序，在基板的表面或者底面的至少一面上、形成實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能的功能部；端子引出工序，將連接上述功能部的多個(gè)端子貫穿上述基板以將各端子分別引出上述基板的表面和底面上；和外部電極形成工序，在上述基板的表面和底面上形成多個(gè)外部電極并將上述外部電極連接于對(duì)應(yīng)的上述端子。
通過(guò)本發(fā)明的方法制造的電子部件，可以利用電子部件的表面、底面或者其兩面進(jìn)行安裝，從而提高了安裝的自由度。另外，由于在基板的表面及底面兩面上形成有外部電極，在安裝后也可以進(jìn)行電氣檢查。
在上述方法中，優(yōu)選在上述基板的表面及底面上形成應(yīng)力緩沖層后，在上述應(yīng)力緩沖層上進(jìn)行上述外部電極形成工序。
通過(guò)該方法制造的電子部件，通過(guò)應(yīng)力緩沖層的作用，針對(duì)安裝后的安裝基板與電子部件的熱膨脹系數(shù)差所引起的耐溫度循環(huán)來(lái)講，也顯著提高了可靠性。
優(yōu)選在上述外部電極形成工序中，將上述多個(gè)外部電極呈面對(duì)稱地配置在上述基板的表面和底面之間，將連接于同一上述端子的上述外部電極呈線對(duì)稱或者點(diǎn)對(duì)稱地配置在上述基板的表面和底面上。
通過(guò)該方法制造的電子部件，由于沒(méi)有必要區(qū)分其表背，可以采用比如將電子部件邊振動(dòng)邊導(dǎo)入安裝基板上預(yù)定位置的所謂振動(dòng)位置配合方式的安裝方法，或者將電子部件根據(jù)其外形鑲嵌配合于預(yù)定位置的外形定位方式的安裝方法。因此，可以不使用高價(jià)的安裝器，從而能大幅度簡(jiǎn)化安裝工序。其結(jié)果，生產(chǎn)IC卡等那樣應(yīng)安裝電子部件個(gè)數(shù)少但其整體被大量生產(chǎn)的電子器械本身的價(jià)格也能降低。還有，即使是安裝數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器多的、使用OLED、PDP、LCD等的大型顯示器的顯示裝置，也能降低其價(jià)格。
有關(guān)本發(fā)明的電子器械，是安裝有上述任一種電子部件的電子器械。按照該方式，可以簡(jiǎn)單并且多形式地安裝電子部件于電子器械中，從而可以實(shí)現(xiàn)該電子器械的小型化和低價(jià)格。另外，安裝了在應(yīng)力緩沖層上形成有外部電極和再配置布線的電子部件的電子器械，由于提高了該電子部件的可靠性，進(jìn)而提高了電子器械的可靠性和壽命。


圖1表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
圖2表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
圖3表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置另一結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
圖4表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式的層疊型半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
圖5表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式的另一層疊型半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
圖6表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置表面端子和外部電極的配置圖。
圖7表示圖6的半導(dǎo)體裝置底面端子和外部電極的配置圖。
圖8表示圖6的半導(dǎo)體裝置的X-X’剖視圖。
圖9表示外部電極61、67、611、及617位置關(guān)系的概略俯視圖。
圖10表示半導(dǎo)體裝置的制造工序圖。
圖11表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
圖12表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
圖13表示搭載本發(fā)明電子部件的電子器械顯示裝置的示例圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施方式1圖1表示本發(fā)明實(shí)施方式1的電子部件的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖2表示圖1的電子部件表面的俯視圖。該半導(dǎo)體裝置100，具有矩形硅基板101，并在硅基板101的表面101a上形成有功能部102。功能部102的上面優(yōu)選為預(yù)先形成由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)構(gòu)成的鈍化層103。功能部102由單個(gè)有源元件或者由有源元件和無(wú)源元件構(gòu)成，為實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能，通過(guò)執(zhí)行各種信號(hào)處理，比如演算處理、圖像處理、聲音合成處理、聲音分析處理、噪音去除處理、頻率分析處理、加密處理、解密處理、認(rèn)證處理等各種信號(hào)處理，針對(duì)從輸入端子供給的輸入信號(hào)生成輸出信號(hào)，并由輸出端子輸出。另外，作為功能部102的端子，除這些輸入、輸出端子之外，通過(guò)還包括用于供給電源電壓的電源端子及用于供給接地電壓的接地端子，在此一并統(tǒng)稱為端子104。
硅基板101的表面(上面)101a形成的各端子104，通過(guò)貫穿硅基板101的貫穿孔或者插拄105，在硅基板101的底面(里面)101b也分別引出。因此，在硅基板101的各面101a、101b引出的各端子104通過(guò)在硅基板101上形成的再配置布線106，與外部電極(外部器械或電纜的連接端子)107電連接。硅基板101的各面分別設(shè)置的多個(gè)外部電極107可以在表面101a和底面101b按不同的圖案配置，也可以按相同的圖案配置。另外，端子104或再配置布線106優(yōu)選為預(yù)先用焊接保護(hù)膜予以保護(hù)。
上述半導(dǎo)體裝置100，在其表面101a和底面101b兩面上，由于分別形成有與功能部102的端子104對(duì)應(yīng)的外部電極107和再配置布線106，因此利用半導(dǎo)體裝置100的表面101a和底面101b的任一面，都可以將半導(dǎo)體裝置100安裝在安裝基板上。另外，半導(dǎo)體裝置100的表面101a和底面101b各面上，通過(guò)在硅基板101的表面101a和底面101b分別設(shè)置多個(gè)連接同一端子104的外部電極107，因此可以改變所利用的外部電極位置。通過(guò)這些，可以顯著提高安裝自由度。
還有，優(yōu)選將多個(gè)外部電極107面對(duì)稱地配置在硅基板101的表面101a和底面101b之間，并且分別在表面101a和底面101b設(shè)置多個(gè)連接同一端子104的外部電極107，而連接同一端子104的外部電極107在各面101a、101b上又分別配置為線對(duì)稱或者點(diǎn)對(duì)稱。
通過(guò)這種方式，不必區(qū)分半導(dǎo)體裝置100的表背，可以利用其表面或背面的任一面來(lái)容易地安裝半導(dǎo)體裝置100。另外，假定硅基板101為正方形，則還不必區(qū)分半導(dǎo)體裝置100的方向，能更容易地安裝半導(dǎo)體裝置100。
圖3表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置100A的另一例概略的剖面圖。與圖1所示的半導(dǎo)體裝置100不同，在硅基板101的表面101a的功能部102的外側(cè)面和硅基板101的底面101b上以相同形狀及相同配置形成有應(yīng)力緩沖層109。此時(shí)，再配置布線106或外部電極107形成在這些應(yīng)力緩沖層109上。應(yīng)力緩沖層109由感光性聚酰亞胺樹(shù)脂、硅變性聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、硅變性環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成。
如這樣，通過(guò)在硅基板101的表面101a和底面101b以同樣形態(tài)設(shè)置應(yīng)力緩沖層109，即使利用該表面101a、底面101b的任一面或利用該兩面，將半導(dǎo)體裝置100A安裝在安裝基板等上，也能吸收半導(dǎo)體裝置100A與安裝基板的熱膨脹系數(shù)。因此，能顯著提高半導(dǎo)體裝置100A的安裝可靠性。
圖4表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式的層疊型半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。這是將圖3所示的半導(dǎo)體裝置100A，通過(guò)外部電極107，在厚度方向上層疊而形成的，但以可以適用于如圖1所示的沒(méi)有應(yīng)力緩沖層的半導(dǎo)體裝置100。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)形式，可以容易地提高半導(dǎo)體裝置的安裝密度。
圖5表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式的另一層疊型半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。這是將多個(gè)以圖1或圖3方式形成的有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100B～100E，通過(guò)外部電極107，在厚度方向上層疊而形成的，另外，在最上段層疊的是非有關(guān)本發(fā)明的其他半導(dǎo)體裝置200、300、400。再有，半導(dǎo)體裝置100B～100E是大小或功能不同的半導(dǎo)體裝置。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)形式，能更進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的安裝密度。還有，還能將功能不同的半導(dǎo)體裝置層疊以形成一個(gè)系統(tǒng)塊。
另外，在形成圖4、圖5的結(jié)構(gòu)時(shí)，根據(jù)需要，事先設(shè)計(jì)各半導(dǎo)體裝置的外部電極為可電連接、結(jié)構(gòu)連接，通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，可以在半導(dǎo)體裝置間不使用中繼基板，不同的半導(dǎo)體裝置彼此也能容易地連接。
實(shí)施方式2圖6表示本發(fā)明實(shí)施方式2的為電子部件的半導(dǎo)體裝置的表面的概略俯視圖，圖7表示圖6的半導(dǎo)體裝置底面的概略底面圖，圖8是圖6的半導(dǎo)體裝置的X-X’剖視圖。
本例的半導(dǎo)體裝置1是在長(zhǎng)方形硅基板2的表面2a及其附近大致中央部分形成功能部3、并且在硅基板2的表面2a周邊附近形成外部電極61～620、在硅基板2的底面2b周邊附近形成外部電極71～720的結(jié)構(gòu)。另外，在下面，在統(tǒng)稱外部電極61～620時(shí)僅以外部電極6表示。對(duì)外部電極71～720以及其他在符號(hào)有下標(biāo)的構(gòu)成元素也如此。對(duì)于后述的其他實(shí)施方式也如此。
功能部3由單個(gè)有源元件或者由有源元件和無(wú)源元件構(gòu)成，為實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能，通過(guò)對(duì)從輸入端子4(41～43)供給的輸入信號(hào)，執(zhí)行比如演算處理、圖像處理、聲音合成處理、聲音分析處理、噪音去除處理、頻率分析處理、加密處理、解密處理、認(rèn)證處理等各種信號(hào)處理，生成輸出信號(hào)，并由輸出端子5(51～53)輸出。輸入端子41～43及輸出端子51～53在硅基板2的表面2a的功能部3周邊附近形成。另外，為簡(jiǎn)單說(shuō)明，雖僅表示了輸入端子41～43及輸出端子51～53，但功能部的端子通常還設(shè)置有用于供給電源電壓的電源端子或用于供給接地電壓的接地端子等。在此，以下為了統(tǒng)稱輸入端子、輸出端子、電源端子、接地端子等時(shí)，僅稱為端子。
外部電極61～620及外部電極71～720由如鋁(Al)、銅(Cu)等金屬膜或者這些的合金膜而形成。外部電極61、67、611及617通過(guò)圖中未表示的形成于硅基板2的表面2a或者其附近的布線、相互連接，并且其中至少一個(gè)電極通過(guò)圖中未表示的再配置布線、與功能部3的輸入端子41連接。同樣，外部電極62、66、612及616通過(guò)圖中未表示的形成于硅基板2的表面2a或者其附近的布線、相互連接，并且其中至少一個(gè)電極通過(guò)圖中未表示的再配置布線、與功能部3的輸入端子42連接。外部電極63、65、613及615通過(guò)圖中未表示的形成于硅基板2的表面2a或者其附近的布線，相互連接，并且其中至少一個(gè)電極通過(guò)圖中未表示的再配置布線、與功能部3的輸出端子51連接。外部電極64及614通過(guò)圖中未表示的形成于硅基板2的表面2a或者其附近的布線，相互連接，并且其中至少一個(gè)電極通過(guò)圖中未表示的再配置布線、與功能部3的輸出端子52連接。外部電極68、610、618及620通過(guò)圖中未表示的形成于硅基板2的表面2a或者其附近的布線，相互連接，并且其中至少一個(gè)電極通過(guò)圖中未表示的再配置布線、與功能部3的輸入端子43連接。外部電極69及619通過(guò)圖中未表示的形成于硅基板2的表面2a或者其附近的布線，相互連接，并且其中至少一個(gè)通過(guò)圖中未表示的再配置布線、與功能部3的輸出端子53連接。
輸入端子41通過(guò)圖中未表示的從硅基板2的表面2a向底面2b貫穿而形成的貫穿孔，在硅基板2的底面2b也引出，連接圖中未表示的再配置布線的同時(shí)，通過(guò)該布線，與外部電極71、77、711及717中至少一個(gè)電極連接。外部電極71、77、711及717相互之間通過(guò)圖中未表示的布線連接。同樣，輸入端子42通過(guò)從硅基板2的表面2a向底面2b貫穿而形成的貫穿孔82，在硅基板2的底面2b也引出，連接圖中未表示的再配置布線的同時(shí)，通過(guò)該布線，與外部電極72、76、712及716中至少一個(gè)電極連接。外部電極72、76、712及716相互之間通過(guò)圖中未表示的布線連接。輸入端子43通過(guò)圖中未表示的從硅基板2的表面2a向底面2b貫穿而形成的貫穿孔，在硅基板2的底面2b也引出，連接圖中未表示的再配置布線的同時(shí)，通過(guò)該布線，與外部電極78、710、718及720中至少一個(gè)電極連接。外部電極78、710、718及720相互之間通過(guò)圖中未表示的布線連接。
輸出端子51通過(guò)圖中未表示的從硅基板2的表面2a向底面2b貫穿而形成的貫穿孔，在硅基板2的底面2b也引出，連接圖中未表示的再配置布線的同時(shí)，通過(guò)該布線，與外部電極73、75、713及715中至少一個(gè)電極連接。外部電極73、75、713及715相互之間通過(guò)圖中未表示的布線連接。輸出端子52通過(guò)從硅基板2的表面2a向底面2b貫穿而形成的貫穿孔92，在硅基板2的底面2b也引出，連接圖中未表示的再配置布線的同時(shí)，通過(guò)該布線，與外部電極74及714中至少一個(gè)電極連接。外部電極74及714相互之間通過(guò)圖中未表示的布線連接。輸出端子53通過(guò)圖中未表示的從硅基板2的表面2a向底面2b貫穿而形成的貫穿孔，在硅基板2的底面2b也引出，連接圖中未表示的再配置布線的同時(shí)，通過(guò)該布線，與外部電極79及719中至少一個(gè)電極連接。外部電極79及719相互之間通過(guò)圖中未表示的布線連接。
另外，如圖8剖視圖所示，各貫穿孔優(yōu)選為設(shè)定為引出于各端子4、5正下方的狀態(tài)。端子4、5的正下方通常不存在有源元件的情況多，因此通過(guò)這樣的設(shè)定，不必僅為了形成貫穿孔而分配基板面積，從而能將硅基板面積限制于最小限度的大小內(nèi)。另外，通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，可以活用電子部件所不可缺少的端子，因此不對(duì)電子部件特別是半導(dǎo)體裝置進(jìn)行定制，而可以沿用通用類型。
圖6及圖7中，在表示其形狀的圓內(nèi)附加了相同大寫(xiě)英文字母的輸入端子4、輸出端子5及外部電極6、7，表示其相互之間連接。從圖6及圖7可以看出，外部電極61～620及外部電極71～720中，與同一輸入端子4或者輸出端子5連接的電極，在硅基板2的表面2a及底面2b上呈對(duì)稱配置。即，比如，在硅基板2的表面2a上，連接于功能部3的輸入端子41的外部電極61、67、611及617中，如圖9所示外部電極61與外部電極67相對(duì)直線L1呈線對(duì)稱，外部電極611與外部電極617相對(duì)直線L1呈線對(duì)稱。外部電極61與外部電極617相對(duì)直線L2呈線對(duì)稱，外部電極67與外部電極611相對(duì)直線L2呈線對(duì)稱。另外，外部電極61與外部電極611相對(duì)中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱，外部電極67與外部電極617相對(duì)中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱。
同樣，連接于功能部3的輸入端子42的外部電極62、66、612及616中，外部電極62與外部電極66相對(duì)圖9所示直線L1呈線對(duì)稱，外部電極612與外部電極616相對(duì)圖9所示直線L1呈線對(duì)稱。外部電極62與外部電極616相對(duì)圖9所示直線L2呈線對(duì)稱，外部電極66與外部電極612相對(duì)圖9所示直線L2呈線對(duì)稱。另外，外部電極62與外部電極612相對(duì)圖9所示中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱，外部電極66與外部電極616相對(duì)圖9所示中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱。
連接于功能部3的輸入端子43的外部電極68、610、618及620中，外部電極68與外部電極620相對(duì)圖9所示直線L1呈線對(duì)稱，外部電極610與外部電極618相對(duì)圖9所示直線L1呈線對(duì)稱。外部電極68與外部電極610相對(duì)圖9所示直線L2呈線對(duì)稱，外部電極620與外部電極618相對(duì)圖9所示直線L2呈線對(duì)稱。另外，外部電極68與外部電極618相對(duì)圖9所示中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱，外部電極620與外部電極610相對(duì)圖9所示中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱。另外，外部電極64與外部電極614相對(duì)圖9所示直線L2呈線對(duì)稱，外部電極69與外部電極619相對(duì)直線L1呈線對(duì)稱。
另一方面，在硅基板2的底面2b中也同樣，外部電極71～720，與外部電極61～610相同下標(biāo)的各電極之間，有同樣的關(guān)系。即，比如，外部電極71、77、711及717，在圖9中，通過(guò)將外部電極61置換為外部電極717、將外部電極67置換為外部電極711、將外部電極611置換為外部電極77、將外部電極617置換為外部電極71，可以看到外部電極71與外部電極77相對(duì)直線L1呈線對(duì)稱，外部電極711與外部電極717相對(duì)直線L1呈線對(duì)稱。同樣，外部電極71與外部電極717相對(duì)直線L2呈線對(duì)稱，外部電極77與外部電極711相對(duì)直線L2呈線對(duì)稱。另外，外部電極71與外部電極711相對(duì)中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱，外部電極77與外部電極717相對(duì)中點(diǎn)O呈點(diǎn)對(duì)稱。外部電極72、76、712及716組、外部電極73、75、713及715組、外部電極74及714組、外部電極78、710、718及720組、外部電極79及719組也同樣。因此，外部電極71～720，與外部電極61～610相同下標(biāo)的各電極之間，成為相對(duì)通過(guò)硅基板2的表面2a和底面2b中點(diǎn)的假想平面呈面對(duì)稱。
外部電極61～610及外部電極71～720的鄰接外部電極彼此之間的間隔比如為0.5mm。另一方面，輸入端子41～43的鄰接輸入端子彼此之間的間隔與輸出端子51～53鄰接輸出端子彼此之間的間隔比如為100μm。
另外，實(shí)際上，在硅基板2的表面2a形成有層間絕緣膜或焊錫保護(hù)膜等，在各表面形成有輸入端子41～43、輸出端子51～53或者布線層，但圖6～圖9中沒(méi)有表示出這些。下面說(shuō)明的制造方法中，對(duì)層間絕緣膜或焊錫保護(hù)膜等的形成也不作特別說(shuō)明。對(duì)于后述的其他實(shí)施方式也同樣。
下面，參照?qǐng)D10所示制造工序圖說(shuō)明上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1的制造方法。首先，如圖10(a)所示，在具有預(yù)定厚度的由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體晶圓11的表面11a及其附近各部分，使用已知的半導(dǎo)體制造技術(shù)形成由有源元件和無(wú)源元件構(gòu)成的功能部3。接著，使用切割裝置等從晶圓11切出長(zhǎng)方形硅基板2。然后，在功能部3的周邊附近形成輸入端子41～43及輸出端子51～53，并且在硅基板2的各輸入端子41～43及輸出端子51～53的正下方，形成由表面2a向底面2b貫穿的各貫穿孔，將各端子4、5引出硅基板2。另外，圖10(b)中，僅表示了端子42、52及貫穿孔82、92。
接著，在硅基板2的表面2a周邊附近形成外部電極61～620，并且為將外部電極61、67、611及617與輸入端子41連接，而在硅基板2的表面2a或者其附近形成圖中未表示的再配置布線。同樣，為將外部電極63、65、613及615與輸出端子51連接，而在硅基板2的表面2a或者其附近形成圖中未表示的再配置布線。為將外部電極64及614與輸出端子52連接，而在硅基板2的表面2a或者其附近形成圖中未表示的再配置布線。為將外部電極68、610、618及620與輸入端子43連接，而在硅基板2的表面2a或者其附近形成圖中未表示的再配置布線。為將外部電極69及619與輸出端子53連接，而在硅基板2的表面2a或者其附近形成圖中未表示的再配置布線。以上說(shuō)明的外部電極61～620的形成及再配置布線的形成雖然可以用其他工序形成，但通常使用同一工序進(jìn)行。另外，圖10(c)中僅表示了外部電極69及619。
接著，在硅基板2的底面2b周邊附近形成外部電極71～720，使其通過(guò)硅基板2的表面2a及底面2b中點(diǎn)的假想平面能與上述外部電極61～620中相同下標(biāo)的電極呈面對(duì)稱。
如上述那樣制造的半導(dǎo)體裝置1，包括在硅基板2的表面2a形成的實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能的功能部3、為將功能部3的輸入端子41～43及輸出端子51～53與外部連接的外部電極61～620及外部電極71～720。在硅基板2的表面2a及底面2b配置外部電極61～620及外部電極71～720，使其能不區(qū)分表背的情況下進(jìn)行安裝，并將其與對(duì)應(yīng)的輸入端子4或者輸出端子5連接。
在安裝具有這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1時(shí)，沒(méi)有必要使用高價(jià)安裝器，可以采用比如邊振動(dòng)安裝基板同時(shí)將半導(dǎo)體裝置散布在安裝基板的表面一面即所謂的振動(dòng)位置配合方式的安裝方法，或者不是將各個(gè)半導(dǎo)體裝置1以高精度定位于安裝基板的表面而是僅定位半導(dǎo)體裝置的外形形狀即所謂的外形定位方式的安裝方法。因此，能大幅度地簡(jiǎn)化安裝工序。其結(jié)果，生產(chǎn)IC卡等那樣應(yīng)安裝半導(dǎo)體裝置1等電子部件個(gè)數(shù)少但其整體被大量生產(chǎn)的電子器械本身的價(jià)格也被降低。還有，即使是安裝數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器多的、使用OLED、PDP、LCD等的大型顯示器的顯示裝置，也能降低其價(jià)格。
另外，該例的半導(dǎo)體裝置1，其外部電極61～620的鄰接外部電極6彼此之間的間隔以及外部電極71～720的鄰接外部電極7彼此之間的間隔設(shè)定為0.5mm。另一方面，將輸入端子41～43的鄰接輸入端子4彼此之間的間隔以及輸出端子51～53的鄰接輸出端子彼此之間的間隔設(shè)定為比如100μm。即、將輸入端子4的間距及輸出端子5的間距變換外部電極6及7的間距那樣的、使用回流焊裝置等能一齊安裝的通用安裝裝置可使用的間距。因此，由于沒(méi)有必要使用倒裝芯片安裝方法等個(gè)別安裝方法，故在這一點(diǎn)也能大幅度地簡(jiǎn)化安裝工序，并且能減少安裝工序數(shù)。
還有，該例半導(dǎo)體裝置1由于在硅基板2的表面2a及底面2b兩面形成有外部電極61～620及外部電極71～720，因此能進(jìn)行安裝后的電檢查。
再有，雖然圖中未表示，如用已知的方法形成使用金、焊料等的凸出部分，由于能采用各種二次安裝方法，從而更進(jìn)一步提高安裝性。
另外，上述半導(dǎo)體裝置1的制造方法也適用于制造上述實(shí)施方式1及后述實(shí)施方式3、4的半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施方式3圖11表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式3的電子部件的半導(dǎo)體裝置21的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖11中與圖6～圖8各部分對(duì)應(yīng)部分采用同一符號(hào)，在此省略說(shuō)明。圖11所示的半導(dǎo)體裝置21，在硅基板2的表面2a大致中央部分處，新形成剖面為大致臺(tái)狀的應(yīng)力緩沖層221，并且在硅基板2的底面2b大致中央部分處也新形成與應(yīng)力緩沖層221相同形狀的應(yīng)力緩沖層222。應(yīng)力緩沖層221與應(yīng)力緩沖層222相對(duì)于通過(guò)硅基板2的表面2a和底面2b中點(diǎn)的假想平面呈面對(duì)稱。應(yīng)力緩沖層221及222比如由感光性聚酰亞胺樹(shù)脂、硅變性聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、硅變性環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成。另外，應(yīng)力緩沖層221及222，可以在圖10的工序中在形成外部電極及再配置布線工序之前或者之后形成。按照該實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置21，可以得到與上述實(shí)施方式2相同的效果之外，還可以通過(guò)應(yīng)力緩沖層221緩沖功能部3的熱應(yīng)力而顯著提高可靠性壽命，并且通過(guò)應(yīng)力緩沖層221及222，由于成為表背對(duì)稱結(jié)構(gòu)而使針對(duì)半導(dǎo)體裝置21的表背熱膨脹系數(shù)差所引起的耐溫度循環(huán)來(lái)講，也顯著提高了可靠性。
實(shí)施方式4圖12表示有關(guān)本發(fā)明實(shí)施方式4的電子部件的半導(dǎo)體裝置31的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。該半導(dǎo)體裝置31是與實(shí)施方式1說(shuō)明的半導(dǎo)體裝置100A基本相同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
該例的半導(dǎo)體裝置31，在長(zhǎng)方形硅基板32的表面32a及其附近大致全部區(qū)域形成功能部分33，并且在功能部33的周邊附近處形成輸入端子341～343及輸出端子351～353。另外，在功能部33的表面大致全部區(qū)域，形成剖面為大致臺(tái)狀的應(yīng)力緩沖層401，并且在硅基板32的底面32b的位于、相對(duì)通過(guò)表面32a和底面32b中點(diǎn)的假想平面呈面對(duì)稱位置處形成與應(yīng)力緩沖層401相同形狀的應(yīng)力緩沖層402。還有，在應(yīng)力緩沖層401的周邊附近處形成外部電極361～3620，在應(yīng)力緩沖層402的周邊附近處形成外部電極371～3720。再有，圖12中表示的分別是輸入端子341～343中的342、輸出端子351～353中的352、外部電極361～3620中的3619和3620、外部電極371～3720中的379和3719。
輸入端子341～343通過(guò)硅基板32的各該輸入端子正下方的貫穿孔也引出于硅基板32的底面32b，其中貫穿孔是由表面32a向底面32b貫穿。輸出端子351～353通過(guò)硅基板32的各該輸入端子正下方的貫穿孔也引出于硅基板32的底面32b，其中貫穿孔是由表面32a向底面32b貫穿。另外，圖12中僅表示了與端子342和352對(duì)應(yīng)的貫穿孔382和392。
圖12中，輸入端子341～343、輸出端子351～353、外部電極361～3620、外部電極371～3720的位置關(guān)系和連接關(guān)系，除輸入端子341～343和輸出端子351～353配置于外部電極361～3620和外部電極371～3720硅基板32外側(cè)的周邊側(cè)以外，其他與上述實(shí)施方式2中輸入端子41～43、輸出端子51～53、外部電極61～620、外部電極71～720的位置關(guān)系和連接關(guān)系相同，因此這里省略說(shuō)明。另外，應(yīng)力緩沖層401及402的材質(zhì)與實(shí)施方式3中應(yīng)力緩沖層221及222的材質(zhì)相同。還有，應(yīng)力緩沖層401及402，在圖10的工序中在形成各外部電極之前及形成與各對(duì)應(yīng)端子間連接的布線(再配置布線)之前進(jìn)行。按照該實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置31，可以得到與上述實(shí)施方式2相同的效果之外，還可以通過(guò)應(yīng)力緩沖層401及402，針對(duì)安裝后的安裝基板與半導(dǎo)體裝置31的熱膨脹系數(shù)差所引起的耐溫度循環(huán)來(lái)講，也顯著提高了可靠性。
實(shí)施方式5上述各實(shí)施方式是以硅基板為長(zhǎng)方形形狀為例予以了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于此、比如，硅基板也可以是正方形。此時(shí)，半導(dǎo)體裝置的外形本身也成為轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)稱，使安裝時(shí)沒(méi)有方向性要求，能大幅度簡(jiǎn)化安裝工序。
實(shí)施方式6上述各實(shí)施方式中，關(guān)于半導(dǎo)體裝置的整體形狀，雖沒(méi)有特別說(shuō)明，但其優(yōu)選為在寬和深的方向比其厚度大。這是由于半導(dǎo)體裝置的整體形狀在其寬和深比其厚度小的情況下，有可能會(huì)出現(xiàn)半導(dǎo)體裝置不能被穩(wěn)定地安裝于安裝基板上應(yīng)安裝其的凹部處。
實(shí)施方式7上述各實(shí)施方式中對(duì)端子和外部電極形成于不同平面位置的例子予以了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于此。比如，可以在端子上形成外部電極。按照該實(shí)施方式7，可以不必僅為形成外部電極而分配功能部面積，從而可以控制功能部面積、進(jìn)而控制硅基板面積于最小限大小內(nèi)。
實(shí)施方式8上述各實(shí)施方式中對(duì)硅基板2的各端子4、5通過(guò)基板2上形成的貫穿孔而引出于硅基板2的兩面2a、2b的情況予以了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于此。比如，可以取代貫穿孔，在貫穿孔內(nèi)部埋入導(dǎo)電體即形成所謂接觸插拄。
實(shí)施方式9上述各實(shí)施方式中，對(duì)將本發(fā)明適用于半導(dǎo)體裝置的例子予以了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于此。比如，也可以適用于由有源元件和無(wú)源元件構(gòu)成功能部而形成的模塊中，或者由安裝于印刷基板上的半導(dǎo)體裝置和無(wú)源元件構(gòu)成功能部而形成的各種電子部件中。
實(shí)施方式10上述各實(shí)施方式中，關(guān)于對(duì)外部電極的表面處理雖并沒(méi)有特別說(shuō)明，但形成于基板的表面的外部電極和形成于基板底面的外部電極，其優(yōu)選為施行同一表面處理，該同一表面處理是指比如凸出部分形成方法和凸出部分的材質(zhì)(如金(Au)、鎳(Ni)-金(Au)、焊料(特別是無(wú)鉛焊料)等)，釬焊膏、焊劑等形成方法或這些材質(zhì)(如錫(Sn)-銀(Ag)-銅(Cu)、錫(Sn)-銀(Ag)、錫(Sn)-銀(Ag)-鉍(Bi)-銅(Cu))等。這是由于通過(guò)對(duì)形成于基板的表面及底面的外部電極施行同一表面處理，可以在安裝電子部件時(shí)不必考慮其表背，能使用回流焊安裝、倒裝芯片安裝、面朝下安裝等同一安裝方法，從而可大幅度簡(jiǎn)化安裝工序。
實(shí)施方式11安裝了有關(guān)本發(fā)明的上述半導(dǎo)體裝置的電子器械，比如圖13所示裝置。但是，安裝了有關(guān)本發(fā)明的上述半導(dǎo)體裝置的電子器械并不局限于該所示裝置，還包括IC卡或手機(jī)等。安裝了有關(guān)本發(fā)明的上述半導(dǎo)體裝置的電子器械由于可以如前邊所述那樣簡(jiǎn)單并且多形式地安裝半導(dǎo)體裝置于電子器械中，從而可以實(shí)現(xiàn)該電子器械的小型化和低價(jià)格。另外，安裝了在應(yīng)力緩沖層上形成有外部電極和再配置布線的半導(dǎo)體裝置的電子器械，由于提高了該半導(dǎo)體裝置的可靠性，進(jìn)而提高了電子器械的可靠性和壽命。
以上參照附圖詳細(xì)說(shuō)明了該發(fā)明的實(shí)施方式，但其具體結(jié)構(gòu)并不局限于這些實(shí)施方式，只要不脫離本發(fā)明精神范圍的設(shè)計(jì)變更都屬于本發(fā)明范疇。
比如，上述實(shí)施方式中說(shuō)明的各半導(dǎo)體裝置其構(gòu)造可以為將這些半導(dǎo)體裝置多級(jí)層疊的安裝方式。
另外，上述各半導(dǎo)體裝置也可以不使用該功能部，而使用作為用以連接配置于半導(dǎo)體裝置的表面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)鹊倪B接部。
還有，上述各半導(dǎo)體裝置，對(duì)功能部3、33、102形成于硅基板2、32、101的例子予以了說(shuō)明，但也可以將這些功能部形成于硅基板的底面?zhèn)?，或者形成于這些基板的兩面。更有，上述各半導(dǎo)體裝置雖然是設(shè)定與功能部3、33、102連接的端子4、5、104形成于硅基板2、32、101表面?zhèn)榷鴮⑵浞謩e也從底面?zhèn)纫龅慕Y(jié)構(gòu)，但其也可以是將端子形成于底面?zhèn)榷鴮⑵浞謩e也從表面?zhèn)纫龅慕Y(jié)構(gòu)。
再有，上述實(shí)施方式中，是對(duì)將功能部3形成于半導(dǎo)體晶圓11的各處所后從半導(dǎo)體晶圓11切出硅基板2的例子予以了說(shuō)明，但不局限于此，也可以在經(jīng)過(guò)圖10所示全部制造工序后，從半導(dǎo)體晶圓11切出硅基板2。
另外，上述各實(shí)施方式，只要其目的及結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別的矛盾或問(wèn)題，可以沿用相互的技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種電子部件，其特征在于，包括功能部，形成在基板的表面或者底面的至少一面上并實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能；多個(gè)端子，形成于所述基板的表面或者底面上并與所述功能部連接；多個(gè)外部電極，形成于所述基板的表面和底面上；和再配置布線，形成于所述基板的表面和底面上并將形成于所述基板的表面或者底面上的所述端子與所述外部電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，所述多個(gè)外部電極，其間隔比所述多個(gè)端子的間隔大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其特征在于，在所述基板的表面及底面上形成應(yīng)力緩沖層，在該應(yīng)力緩沖層上形成所述外部電極和所述再配置布線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述多個(gè)外部電極呈面對(duì)稱地配置在所述基板的表面和底面之間，在所述表面和所述底面上分別設(shè)置多個(gè)與同一所述端子連接的所述外部電極，在所述表面和所述底面上分別呈線對(duì)稱地配置與同一所述端子連接的所述外部電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述多個(gè)外部電極呈面對(duì)稱地配置在所述基板的表面和底面之間，在所述表面和所述底面上分別設(shè)置多個(gè)與同一所述端子連接的所述外部電極，在所述表面和所述底面上分別呈點(diǎn)對(duì)稱地配置與同一所述端子連接的所述外部電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述端子通過(guò)貫穿所述基板的貫穿孔或者插柱，形成于所述基板的表面或者底面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子部件，其特征在于，所述貫穿孔或者所述插柱形成于所述端子的正下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，對(duì)連接同一所述端子的外部電極施行同一表面處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子部件，其特征在于，用金或者焊料對(duì)所述外部電極的表面進(jìn)行表面處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述基板為正方形形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，其在寬和深方向比厚度大。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述基板為半導(dǎo)體基板，所述功能部包括形成于所述半導(dǎo)體基板上的有源元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于，所述功能部包括安裝于所述基板上的半導(dǎo)體裝置。
14.一種電子部件，其特征在于，將權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的電子部件任意地組合，并且通過(guò)所述外部電極多級(jí)層疊而成。
15.一種電子部件，其特征在于，將權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的電子部件與其他部件通過(guò)所述外部電極多級(jí)層疊而成。
16.一種電子部件的制造方法，其特征在于，具有功能部形成工序，在基板的表面或者底面的至少一面上、形成實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能的功能部；端子引出工序，將連接所述功能部的多個(gè)端子貫穿所述基板以將各端子分別引出所述基板的表面和底面上；和外部電極形成工序，在所述基板的表面和底面上形成多個(gè)外部電極并將所述外部電極連接于對(duì)應(yīng)的所述端子。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子部件的制造方法，其特征在于，在所述基板的表面及底面上形成應(yīng)力緩沖層后，在所述應(yīng)力緩沖層上進(jìn)行所述外部電極形成工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的電子部件的制造方法，其特征在于，在所述外部電極形成工序中，將所述多個(gè)外部電極呈面對(duì)稱地配置在所述基板的表面和底面之間，將連接于同一所述端子的所述外部電極呈線對(duì)稱地配置在所述基板的表面和底面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的電子部件的制造方法，其特征在于，在所述外部電極形成工序中，將所述多個(gè)外部電極呈面對(duì)稱地配置在所述基板的表面和底面之間，將連接于同一所述端子的所述外部電極呈點(diǎn)對(duì)稱地配置在所述基板的表面和底面上。
20.一種電子器械，其特征在于，安裝有權(quán)利要求1～15中任一項(xiàng)所述的電子部件。
全文摘要
提供一種電子部件，其包括基板、功能部、多個(gè)端子、外部電極、再配置布線的電子部件，其中功能部形成在基板的表面或者底面的至少一面上并實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能，端子形成于基板的表面或者底面上并與功能部連接，外部電極形成于基板的表面和底面上，再配置布線形成于基板的表面和底面上并將形成于基板的表面或者底面上的端子與外部電極連接。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1638078SQ200510004039
公開(kāi)日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2005年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月9日
發(fā)明者橋元伸晃 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社