專利名稱：線圈部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及作為共態(tài)扼流線圈和變壓器的主要部件等使用的線圈部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著個人計算機和移動電話機等電子設(shè)備的小型化，要求安裝在電子設(shè)備內(nèi)的內(nèi)部電路中的線圈和電容器等電子部件小型化和部件厚度的薄型化(低高度化)。
但是，將銅線等卷繞在鐵氧體磁心上的繞線型線圈因受構(gòu)造上的制約，故存在著難以小型化的問題。因此，人們進行了可小型化、低高度化的芯片型線圈部件的研究開發(fā)。作為芯片型線圈部件，大家知道的有在鐵氧體等磁性片表面形成線圈導(dǎo)體圖案，并將該磁性片層疊而成的層疊型線圈部件；以及用薄膜形成技術(shù)使絕緣膜和金屬薄膜的線圈導(dǎo)體交替地形成的薄膜型線圈部件。
在專利文獻1～3中公開了作為薄膜型線圈部件的共態(tài)扼流線圈。圖10是用含有線圈導(dǎo)體59、61的中心軸的平面切斷后的共態(tài)扼流線圈51的剖視圖。如圖10所示，共態(tài)扼流線圈51具有在相向配置的鐵氧體基板(磁性基板)53、55之間層疊絕緣膜而形成的絕緣層57。在絕緣層57中埋入有隔著絕緣膜相向配置、并形成螺旋狀的線圈導(dǎo)體59、61。絕緣層57和線圈導(dǎo)體59、61，利用薄膜形成技術(shù)依次形成。
在螺旋狀的線圈導(dǎo)體59、61的內(nèi)周側(cè)，去除絕緣層57而形成開口部63。在線圈導(dǎo)體59、61的外周側(cè)，去除絕緣層57而形成開口部65。另外，將開口部63、65埋入而形成磁性層67。在磁性層67和絕緣層57上形成有粘接層69，將磁性基板55粘接住。
使線圈導(dǎo)體59、61通電，由此，在包含線圈導(dǎo)體59、61之中心軸的截面上形成磁路M，該磁路通過磁性基板53、開口部63的磁性層67、粘接層69、磁性基板55、粘接層69及開口部65的磁性層67。粘接層69雖然是非磁性的，但由于它是數(shù)μm左右的薄膜，故該部分基本上不會發(fā)生泄漏磁力線的現(xiàn)象，可將磁路M大致看作閉磁路。
為了提高共態(tài)扼流線圈51的差動傳送(平衡傳送)特性，要求減小線圈導(dǎo)體59、61間所產(chǎn)生的電容(雜散電容)C。電容C是和線圈導(dǎo)體59、61的電感并聯(lián)寄生的。因此，產(chǎn)生比較大的電容C時，共態(tài)扼流線圈51的阻抗在高頻區(qū)域使電容C成為支配性的。電容C所引起的阻抗與頻率成反比，所以共態(tài)扼流線圈51的阻抗減小，使差動傳送特性變差。
這里，假設(shè)線圈導(dǎo)體59、61的層間距離為d、相向面積為S、線圈導(dǎo)體59、61間的介電率(絕緣層7的介電率)為ε，則線圈導(dǎo)體59、61間的電容C可用C＝ε×(S/d)表示。線圈導(dǎo)體59、61的線圈截面形成為矩形，故線圈導(dǎo)體59、61的相向面積S比較大。又，為了使共態(tài)扼流線圈51的高度降低、或確保規(guī)定的共態(tài)濾波特性，線圈導(dǎo)體59、61的層間距離d形成得非常短。因此，在線圈導(dǎo)體59、61間產(chǎn)生比較大的電容C，使得差動傳送特性變差。
另外，專利文獻4中公開了具有相向配置、且將角部形成得較圓的線圈截面形狀的一組線圈。與如線圈導(dǎo)體59、61那樣線圈截面為矩形形狀的線圈相比，線圈截面的角部形成得較圓的該線圈，以最短的層間距離相向的面積減小，故上下線圈間的電容少許減小。但是，即使線圈截面的角部形成得較圓，上下線圈以最短的層間距離相向的平面部的面積也比較大，故不能充分提高差動傳送特性。
專利文獻5～7中，公開了薄膜磁頭中相向配置的一組線圈之截面形狀。該線圈的截面，其相向面彎曲或形成為梯形。但是，這種截面形狀是為了取得縮短薄膜磁頭之磁極的磁路長度的效果，故上下線圈的導(dǎo)體部配置在彼此的導(dǎo)體部之間，也包括串聯(lián)和并聯(lián)等上下線圈之間的布線的不同，與共態(tài)扼流線圈51的構(gòu)造根本不同。
特開2003-133135號公報[專利文獻2]特開11-54326號公報[專利文獻3]特愿2003-307372號[專利文獻4]特許2011372號[專利文獻5]特許2677415號[專利文獻6]特開2000-182213號[專利文獻7]特許第3086212號為了使共態(tài)軛流圈51的高度低和確保規(guī)定的共態(tài)濾波特性，必須縮短線圈導(dǎo)體59、61的層間距離d。因此，在線圈導(dǎo)體59、61之間產(chǎn)生較大的電容C，存在著難以充分提高差動傳送特性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種差動傳送特性優(yōu)良的小型、低高度的線圈部件及其制造方法。
上述目的是通過這種線圈部件來達到的，該線圈的特征是具有形成于磁性基板上的第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體，該第二線圈導(dǎo)體隔著絕緣膜形成于上述第一線圈導(dǎo)體的正上方，線圈截面底部的寬度與上述第一線圈導(dǎo)體的線圈截面上部的寬度不同。
上述本發(fā)明線圈部件的特征是，上述第一線圈導(dǎo)體的上述線圈截面上部的中央是凸形的。
上述本發(fā)明的線圈部件的特征是，上述第一線圈導(dǎo)體的上述線圈截面上部是平坦的形狀。
上述本發(fā)明線圈部件的特征是，上述第二線圈導(dǎo)體的上述線圈截面底部是平坦的形狀。
另外，上述目的是通過這種線圈部件的制造方法來達到的，該方法的特征是在磁性基板上形成第一線圈導(dǎo)體，在上述第一線圈導(dǎo)體上形成絕緣膜，在上述絕緣膜上形成第二線圈導(dǎo)體，其線圈截面底部的寬度與上述第一線圈導(dǎo)體的線圈截面上部的寬度不同。
上述本發(fā)明的線圈部件之制造方法的特征是，上述第一和第二線圈導(dǎo)體是用框架鍍敷方法形成的。
上述本發(fā)明的線圈部件之制造方法的特征是形成光刻膠框架，該光刻膠框架在平行于上述線圈截面的面內(nèi)具有傾斜了規(guī)定角度的側(cè)面，在上述光刻膠框架間形成上述第一或第二線圈導(dǎo)體的至少一方。
上述本發(fā)明的線圈部件之制造方法的特征是，上述規(guī)定角度為5°～30°。
根據(jù)本發(fā)明，可制造差動傳送特性優(yōu)良的小型、低高度的線圈部件。


圖1是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的剖視圖，圖2是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的制造工序剖視圖，圖3是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的制造工序剖視圖，圖4是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的制造工序剖視圖，
圖5是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的制造工序剖視圖，圖6是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的制造工序剖視圖，圖7是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的第一變形例，是用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷后的剖視圖，圖8是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的第二變形例，是用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷后的剖視圖，圖9是本發(fā)明一實施方式的共態(tài)扼流線圈1的第三變形例，是用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷后的剖視圖，圖10是現(xiàn)有技術(shù)的共態(tài)扼流線圈51的剖視圖。
具體實施例方式
用圖1～圖9對本發(fā)明的一實施方式的線圈部件及其制造方法作說明。本實施方式中，作為線圈部件，以抑制平衡傳送方式中的成為電磁干擾的原因的共態(tài)電流的共態(tài)扼流線圈為例進行說明。首先，用圖1對共態(tài)扼流線圈1的構(gòu)成作說明。圖1所示為用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷后的共態(tài)扼流線圈1的截面。
如圖1所示，本實施方式的共態(tài)扼流線圈1具有按以下順序?qū)盈B而成的結(jié)構(gòu)用聚酰亞胺樹脂在由鐵氧體形成的磁性基板3上形成的絕緣膜7a；由導(dǎo)電性材料形成的螺旋狀線圈導(dǎo)體(第一線圈導(dǎo)體)9；由聚酰亞胺樹脂形成的絕緣膜7b；由導(dǎo)電性材料形成的螺旋狀線圈導(dǎo)體(第二線圈導(dǎo)體)11；由聚酰亞胺樹脂形成的絕緣膜7c。這樣，線圈導(dǎo)體9、11便被埋入由絕緣膜7a～7c構(gòu)成的絕緣層7中。
線圈導(dǎo)體11隔著絕緣膜7b相向配置在線圈導(dǎo)體9的正上方。線圈導(dǎo)體9、11的與電流流動方向垂直的面(線圈截面)的形狀，整體地看呈梯形，線圈截面上部形成為中央部突出的凸狀，線圈截面底部形成為平坦形狀。而且，線圈截面上部的寬度比線圈截面底部的寬形成得寬。因此，線圈導(dǎo)體9、11的層間距離在線圈導(dǎo)體9的線圈截面上部的凸部處成為最短距離，從凸部向兩側(cè)漸漸變長。由此，線圈導(dǎo)體9、11間產(chǎn)生的電容(雜散電容)減小，差動傳送(平衡傳送)特性提高。
在線圈導(dǎo)體9、11的內(nèi)周側(cè)上，去除絕緣層7而形成有開口部13。在線圈導(dǎo)體9、11的外周側(cè)上，去除絕緣層7而形成有開口部15。又，為了在改善線圈導(dǎo)體9與線圈導(dǎo)體11相互間的磁結(jié)合度的同時，增加共態(tài)阻抗而使阻抗特性提高，將開口部13、15埋入而形成磁性層17。磁性層17，是用在聚酰亞胺樹脂內(nèi)混入了鐵氧體磁粉的復(fù)合鐵氧體形成的。而且，在磁性層17及絕緣膜9c上形成有粘接層19，將由鐵氧體所形成的磁性基板5粘接起來。
下面，對本實施方式的共態(tài)扼流線圈1的動作進行說明。使線圈導(dǎo)體9、11通電，于是如圖1所示那樣，在包含線圈導(dǎo)體9、11的中心軸的截面上，形成磁路M，該磁路按磁性基板3、開口部13的磁性層17、粘接層19、磁性基板5、粘接層19、開口部15之磁性層17的順序(或逆順序)依次通過。雖然粘接層19是非磁性的、但因為是數(shù)μm左右厚的薄膜，故這部分幾乎不產(chǎn)生漏磁力線的現(xiàn)象，磁路M大體可看作閉磁路。
接著，用圖2對線圈截面形狀、與線圈導(dǎo)體之間的電容的關(guān)系作說明。圖2表示3種線圈截面的形狀。圖2(a)所示為本實施方式的線圈截面，圖2(b)所示為后面將要說明的本實施方式的第二變形例的形成為梯形形狀的線圈截面，圖2(c)所示為現(xiàn)有技術(shù)的形成為矩形形狀的線圈截面。圖2中，為使電阻值相等，3種線圈截面具有同樣的截面積。
如圖2(b)所示，線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面，由于是線圈截面上部的寬度為W1、線圈截面底部的寬度為W2(W2＜W1)的梯形形狀，故以層間距離d而相向的導(dǎo)體寬度為W2。這里，設(shè)圖的法線方向的線圈導(dǎo)體9、11的長度為L，線圈導(dǎo)體9、11間的介電率為ε時，線圈導(dǎo)體9、11間的電容C’可表示為C’＝(ε×L/d)×W2。
對此，如圖2(c)所示，現(xiàn)有技術(shù)的線圈導(dǎo)體59、61的線圈截面為矩形，故以層間距離d而相向的導(dǎo)體寬度為W1。這里，設(shè)圖的法線方向的線圈導(dǎo)體59、61的長度為L、線圈導(dǎo)體59、61間的介電率為ε時，線圈導(dǎo)體59、61間的電容C可表示為C＝(ε×L/d)×W1。
這樣，由于線圈導(dǎo)體間的電容與以層間距離d而相向的導(dǎo)體寬度成比例，故將線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面設(shè)成梯形，因此電容減小。例如，設(shè)W1＝103.5，W2＝53.6，d＝50時，電容之比C’/C為C’/C＝0.777/1.786，通過將線圈截面設(shè)成梯形可使電容減小約57％。又，如圖2(a)所示，將線圈截面上部的形狀設(shè)成凸形時，以層間距離d而相向的寬度僅為凸部的頂點，線圈導(dǎo)體9、11的層間距離從凸部向兩側(cè)漸漸變長。由此，該線圈截面所產(chǎn)生的電容比梯形截面所產(chǎn)生的電容C’更小，使得差動傳送特性進一步提高。
這樣，即使線圈導(dǎo)體9、11的層間距離d縮短，但，通過將線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面形成為上部突出成凸狀的大致梯形，也可使線圈間產(chǎn)生的電容C’減小。由此，線圈導(dǎo)體1即使對于高頻信號具有足夠的阻抗，也可提高差動傳送特性，并可進一步小型化、低高度化。
下面，用圖3～圖6對本實施方式的共態(tài)扼流線圈1的制造方法作說明。圖3～圖6，是用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷之后的共態(tài)扼流線圈1的制造工序剖視圖。另外，與圖1所示的共態(tài)扼流線圈1的構(gòu)成部分具有同樣作用和功能的構(gòu)成部分標注同一標記并省略其說明。
首先，如圖3(a)所示，在用鐵氧體所形成的磁性基板3上涂敷7～8μm厚的聚酰亞胺樹脂制作布線圖案，形成絕緣膜7a。絕緣膜7a開口而形成開口部13、15。然后，用框架鍍敷法形成線圈導(dǎo)體9?？蚣苠兎蠓ㄊ怯媚?框架)來形成鍍敷膜的方法，該模是制作布線圖案而形成了光刻膠層的模。
如圖3(b)所示，用噴鍍法或蒸鍍法在整個面上形成電極膜9a?？稍陔姌O膜9a的下層形成提高其與絕緣膜7a的粘附性用的、例如膜厚50nm的鉻(Cr)膜和膜厚100nm的鈦(Ti)膜2層粘接層。電極膜9a，只要是具有導(dǎo)電性的材料就沒問題，如果可能，希望使用和所鍍的金屬材料同樣的材料。
下面，如圖3(c)所示，在整個面上涂敷正性光刻膠形成光刻膠層21a，并根據(jù)需要對光刻膠層21a進行預(yù)烘焙處理。接著，隔著描繪有線圈導(dǎo)體9的圖案的掩膜23對線圈導(dǎo)體9照射曝光光，使光刻膠層21a曝光。如后面將要說明的那樣，以光刻膠框架21b的側(cè)面在平行于線圈截面的面內(nèi)傾斜規(guī)定角度的方式，使例如曝光條件最佳化，對光刻膠層21a進行曝光。
接著，根據(jù)需要進行熱處理后，用堿性顯像液顯像。堿性顯像液采用例如規(guī)定濃度的四甲基氫氧化銨(TMAH)。然后，從顯像工序繼續(xù)向清洗工序移動。用純水等清洗液對光刻膠層21a中的顯像液進行清洗，使光刻膠層21a的顯像溶解反應(yīng)停止，如圖3(d)所示，形成描繪成線圈導(dǎo)體9的形狀的光刻膠框架21b。這里，假設(shè)磁性基板3的平面與法線方向的角度為0°、光刻膠框架21b側(cè)面朝向與磁性基板3平面相反側(cè)的方向(圖中向上的方向)為正，則光刻膠框架21b是使其側(cè)面傾斜5°～30°(本實施方式約為30°)而形成的。
清洗完畢后，將清洗液甩掉使其干燥。如果需要，也可加熱磁性基板3使清洗液干燥。然后，將磁性基板3浸漬在鍍敷槽中的鍍敷液中，將光刻膠框架21b制成模進行鍍敷處理，如圖4(a)所示在光刻膠框架21b間形成鍍敷膜9b。鍍敷膜9b的截面成為上部中央突出成凸狀的大致梯形。接著，如圖4(b)所示，根據(jù)需要在水洗、干燥之后用有機溶劑將光刻膠框架21b從電極膜9a上剝離。然后，如圖4(c)所示將鍍敷膜9b做成掩膜，通過干蝕刻[離子蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)等]或濕蝕刻方法去除電極膜9a。于是，形成由電極膜9a和鍍敷膜9b構(gòu)成的、線圈截面呈大致梯形的線圈導(dǎo)體9。另外，通過電極膜9a的干蝕刻，在開口部13、15露出磁性基板3。
用框架鍍敷法形成線圈導(dǎo)體9之后，接著如圖5(a)所示，在整個面上涂敷聚酰亞胺樹脂制作布線圖案，形成絕緣膜7b并硬化。絕緣膜7b，其上表面呈平坦的形狀，且開口而形成開口部13、15。然后，用框架鍍敷法在絕緣膜7b上形成線圈導(dǎo)體11。如圖5b所示，在整個面上形成電極膜11a。接著，在整個面上涂正性光刻膠，用描繪有線圈導(dǎo)體11的圖案的掩膜(未圖示)制作布線圖案，形成制作有線圈導(dǎo)體11的形狀的光刻膠框架25。與光刻膠框架21b一樣，光刻膠框架25是使側(cè)面傾斜5°～30°(本實施方式中約30°)而形成的。另外，以隔著絕緣膜7b在線圈導(dǎo)體9的正上方形成線圈導(dǎo)體11的方式，在線圈導(dǎo)體9的鄰接導(dǎo)體之間和開口部13、15處形成光刻膠框架25。
下面，如圖5(c)所示，將磁性基板3浸漬在鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中，以光刻膠框架25為模來進行鍍敷處理，在光刻膠框架25之間形成鍍敷膜11b。絕緣膜7b上面為平坦形狀，光刻膠框架25側(cè)面傾斜，故鍍敷膜11b的截面呈大致梯形，其上部中央突出成凸狀。接著，如圖6(a)所示，用有機溶劑將光刻膠框架25從電極膜11a上剝離，然后，將鍍敷膜11b做成掩膜，并通過干蝕刻和濕蝕刻方法去除電極膜11a。這樣，便形成由電極膜11a及鍍敷膜11b構(gòu)成的、線圈截面呈大致梯形的線圈導(dǎo)體11。線圈導(dǎo)體9的線圈截面上部為凸狀，線圈導(dǎo)體11的線圈截面底部平坦而且短，故以線圈導(dǎo)體9、11之間的最短距離相向的導(dǎo)體面減小。另外，通過電極膜11a的干蝕刻，磁性基板3在開口部13、15處露出。
下面，如圖6(b)所示，在整個面上涂聚酰亞胺樹脂制作布線圖案，形成絕緣膜7c并進行硬化。絕緣膜7c開口而形成有開口部13、15。這樣，便形成由埋入有線圈導(dǎo)體9、11的絕緣膜7a～7c構(gòu)成的絕緣層7。
接著，形成磁性層17，該磁性層是將省略了圖示的、在聚酰亞胺樹脂中混入了鐵氧體磁粉的復(fù)合鐵氧體埋入開口部13、15而形成的。然后，在開口部13、15的磁性層17上和絕緣層7c上涂敷粘接劑形成粘接層19。接著，將磁性基板5粘在粘接層19上。
然后，在磁性基板3、5相向側(cè)面上形成與線圈導(dǎo)體9、11相連接的外部電極(未圖示)，該外部電極大致垂直于基板面、且橫穿磁性基板3、5之間。這樣，便完成了圖1所示的共態(tài)扼流線圈1。
如上所述，根據(jù)本實施方式的共態(tài)扼流線圈1的制造方法，通過使用側(cè)面傾斜規(guī)定角度的光刻膠框架21b、25，便可形成具有上部中央突出成凸狀的大致梯形的線圈截面的線圈導(dǎo)體9、11。這樣，線圈導(dǎo)體9、11的層間距離d縮短，而且相隔層間距離d而相向的導(dǎo)體面減小，故線圈導(dǎo)體9、11間產(chǎn)生的電容C’減小，可形成差動傳送特性優(yōu)良的共態(tài)扼流線圈1。
下面，用圖7對本實施方式的第一變形例作說明。在上述實施方式的線圈部件及其制造方法中，線圈導(dǎo)體9、11具有上部中央突出成凸狀的、大致梯形的線圈截面。對此，本變形例所具有特征在于線圈導(dǎo)體9、11具有上部中央突出成凸狀的大致矩形的線圈截面這一點。圖7所示為用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷后的共態(tài)扼流線圈1的截面。
如圖7所示，線圈導(dǎo)體9的線圈截面的上部形成為中央突出成凸狀、且彎曲的形狀。對此，線圈導(dǎo)體11的線圈截面底部形成為平坦的形狀。因此，線圈導(dǎo)體9、11由于相隔最短的層間距離而相向的導(dǎo)體面減小，故可取得同樣的效果。
下面，用圖8對本實施方式的第二變形例進行說明。在上述實施方式的線圈部件及其制造方法，線圈導(dǎo)體9、11具有上部中央突出成凸狀的大致梯形線圈截面。對此，本實施例的特征在于在線圈導(dǎo)體9、11具有梯形的線圈截面這一點。圖8表示用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷后的共態(tài)扼流線圈1的截面。
如圖8所示，線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面上部的寬度形成得比底部的寬度寬。而且，線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面上部及底部均形成為平坦的形狀。線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面上部，可用化學上的機械研磨法(CPM法)、或?qū)⒁?guī)定的添加劑添加到鍍敷槽內(nèi)的鍍敷液中，這樣便可使其平坦。如用圖2(b)所說明那樣，線圈截面呈梯形的線圈導(dǎo)體9、11因相隔層間距離d而相和的導(dǎo)體面小，故可取得同樣的效果。
下面，用圖9對本實施方式的第三變形例作說明。在上述實施方式的線圈部件及其制造方法中，線圈導(dǎo)體9、11具有上部中央突出成凸狀的大致梯形的線圈截面。而，本變形例的特征在于在線圈導(dǎo)體9、11具有與第二變形例相反方向的梯形線圈截面這一點。圖9是表示用包含線圈導(dǎo)體9、11之中心軸的平面切斷后的共態(tài)扼流線圈1的截面。
如圖9所示，線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面的上部之寬度比底部的寬度形成得窄。通過采用負性光刻膠使曝光條件等最佳化，可形成具有向磁性基板3平面?zhèn)葍A斜的側(cè)面的光刻膠框架。由此，可將線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面做成上部的長度比底部的長度短的梯形。而且，用和第二變形例同樣的方法使線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面上部形成為平坦的形狀。線圈導(dǎo)體9的線圈截面上部與線圈導(dǎo)體11的線圈截面底部相向，以最短的層間距離而相向的導(dǎo)體面小，故可取得同樣的效果。
本發(fā)明不局限于上述實施方式，可進行各種變形。
在上述實施方式及第一～第三變形例中，線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面形成為同一形狀，但本發(fā)明不局限于此。只要線圈導(dǎo)體9、11的各電阻值比規(guī)定的值小、線圈導(dǎo)體9、11的導(dǎo)體部之間相向、線圈導(dǎo)體9的上部寬度與線圈導(dǎo)體11的底部寬度形成為不同寬度，則線圈導(dǎo)體9、11的線圈截面的形狀不同也沒關(guān)系。
例如，如上述實施方式和第一變形例所述，線圈導(dǎo)體11的上部也可以不是凸狀而是平坦形狀。又，如上述實施方式和第二變形例所示，線圈導(dǎo)體9的底部也可以不是短的。即使在這種情況下，也可取得和上述實施方式同樣的效果。
權(quán)利要求
1.一種線圈部件，其包括第一線圈導(dǎo)體，形成于磁性基板上；第二線圈導(dǎo)體，隔著絕緣膜而形成于上述第一線圈導(dǎo)體的正上方、線圈截面底部的寬度與上述第一線圈導(dǎo)體的線圈截面上部的寬度不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈部件，其特征在于，上述第一線圈導(dǎo)體的上述線圈截面上部的中央為凸形形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈部件，其特征在于，上述第一線圈導(dǎo)體的上述線圈截面上部為平坦的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的線圈部件，其特征在于，上述第二線圈導(dǎo)體的上述線圈截面底部是平坦的形狀。
5.一種線圈部件的制造方法，其特征在于，在磁性基板上形成第一線圈導(dǎo)體；在上述第一線圈導(dǎo)體上形成絕緣膜；在上述絕緣膜上形成第二線圈導(dǎo)體，該線圈導(dǎo)體的線圈截面底部的寬度與上述第一線圈導(dǎo)體的線圈截面上部的寬度不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的線圈部件的制造方法，其特征在于，用框架鍍敷法形成上述第一和第二線圈導(dǎo)體。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或權(quán)利要求6所述的線圈部件的制造方法，其特征在于，形成有光刻膠框架，該光刻膠框架具有在平行于上述線圈截面的面內(nèi)傾斜規(guī)定角度的側(cè)面，在上述光刻膠框架之間形成有上述第一或第二線圈導(dǎo)體中的至少一方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的線圈部件的制造方法，其特征在于，上述規(guī)定的角度為5°～30°。
全文摘要
本發(fā)明涉及作為共態(tài)扼流線圈和變壓器的主要部件等用的線圈部件及其制造方法，目的在于提供一種差動傳送特性良好的小型、低高度的線圈部件及其制造方法。共態(tài)扼流線圈(1)具有在相向配置的磁性基板3、5之間按絕緣膜(7a)、線圈導(dǎo)體(9)、絕緣膜(7b)、線圈導(dǎo)體(11)及絕緣膜(7c)的順序依次層疊的結(jié)構(gòu)。線圈導(dǎo)體(9)、(11)的線圈截面形狀，整體來看呈梯形，線圈截面上部形成為中央部突出的凸形，線圈截面底部形成為平坦的形狀。
文檔編號H01F30/00GK1661737SQ200510051690
公開日2005年8月31日 申請日期2005年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月25日
發(fā)明者吉田誠, 奧澤信之, 伊藤知一, 菱村由緣, 佐藤慶一 申請人:Tdk株式會社