專利名稱：干式蝕刻工藝后的清洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的清洗工藝的方法，尤其涉及一種在干式蝕刻工藝后所進(jìn)行的清洗工藝的方法。
背景技術(shù)：
目前廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝上的蝕刻裝置，主要有兩種一是濕式蝕刻，另一為干式蝕刻。前一種方法主要是利用化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜的蝕刻；而后面的方式則主要是利用物理的作用來進(jìn)行。然而，當(dāng)半導(dǎo)體步入亞微米階段，且晶片尺寸已達(dá)12英寸，產(chǎn)品的均一性及蝕刻率顯的相當(dāng)重要。而干式蝕刻，因?yàn)閷儆诟飨虍愋缘奈g刻技術(shù)，藉著對薄膜經(jīng)蝕刻后的輪廓控制的優(yōu)點(diǎn)，已成為現(xiàn)在半導(dǎo)體蝕刻工藝的主流。
然而，等離子體的反應(yīng)氣體會與芯片表面的成分反應(yīng)，并產(chǎn)生一些副產(chǎn)物。以鎢插塞的回蝕刻工藝為例，鎢回蝕刻所使用的等離子體為含氟(F)的氣體，此氣體的氟元素會與芯片表面的氮化鈦(TiN)黏著層反應(yīng)，而形成TixFy。此TixFy會與空氣中的水分反應(yīng)，而形成TixFyOz。副產(chǎn)物如TixFyOz會造成后來制造的金屬內(nèi)連線產(chǎn)生缺陷，造成例如橋接現(xiàn)象(Bridge)等問題，而降低芯片的良率與可靠性。
干式蝕刻使芯片表面產(chǎn)生副產(chǎn)物的問題特別容易發(fā)生在金屬內(nèi)連線的工藝中，例如在雙重金屬鑲嵌工藝中，用以形成導(dǎo)線與插塞的開口(雙重金屬鑲嵌開口)的形成過程就很容易產(chǎn)生高分子殘余物或金屬氧化物。因此，必須尋求一有效的方式來去除這些副產(chǎn)物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種清洗工藝，適合對一芯片進(jìn)行干式蝕刻工藝后進(jìn)行，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
本發(fā)明的再一目的是提供一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，以避免金屬內(nèi)連線的圖案化工藝產(chǎn)生錯誤。
本發(fā)明的又一目的是提供一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，以移除蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
本發(fā)明提出一種干式蝕刻工藝后的清洗工藝。其中干式蝕刻工藝是于反應(yīng)室中對芯片進(jìn)行的。清洗工藝包括a)將不活潑氣體導(dǎo)入反應(yīng)室中，以清洗反應(yīng)室；以及b)抽除反應(yīng)室的所有氣體。其中，可以先進(jìn)行步驟a或先進(jìn)行步驟b，且可重復(fù)進(jìn)行步驟a與步驟b，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
于一實(shí)施例中，上述不活潑氣體例如是氮?dú)饣蚝狻?br> 于一實(shí)施例中，上述清洗工藝，還可利用不活潑氣體等離子體轟擊芯片。此不活潑氣體等離子體例如是氬氣等離子體。
本發(fā)明再提出一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，包括提供襯底，于襯底上依序形成一介電層與一硬掩模層，再于第一反應(yīng)室中對硬掩模層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以形成一溝渠圖案。然后，進(jìn)行一第一清洗工藝，其步驟包括(a)將一第一不活潑氣體導(dǎo)入第一反應(yīng)室中，以清洗第一反應(yīng)室；以及(b)抽除第一反應(yīng)室的所有氣體，其中，可先進(jìn)行步驟a或步驟b，且可重復(fù)進(jìn)行步驟a與步驟b，以完全移除第一干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。接著，于襯底上形成一圖案化光致抗蝕劑層，這層圖案化光致抗蝕劑層具有一介層窗開口圖案。隨后，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，于第二反應(yīng)室中對介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除介層窗開口圖案所暴露的介電層而形成一介層窗開口。接著，移除圖案化光致抗蝕劑層，再進(jìn)行一第二清洗工藝，其步驟包括(c)將一第二不活潑氣體導(dǎo)入第二反應(yīng)室中，以清洗第二反應(yīng)室；以及(d)抽除第二反應(yīng)室的所有氣體，其中，可先進(jìn)行步驟c或步驟d，且可重復(fù)進(jìn)行步驟c與步驟d，以完全移除第二干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。之后，以硬掩模層為掩模，于第三反應(yīng)室中對介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除溝渠圖案所暴露的部分介電層，而于介層窗開口上形成一溝渠。最后，進(jìn)行一第三清洗工藝，其步驟包括(e)將一第三不活潑氣體導(dǎo)入第三反應(yīng)室中，以清洗第三反應(yīng)室；以及(f)抽除第三反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟e或步驟f，且可重復(fù)進(jìn)行步驟e與步驟f，以完全移除第三干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
于一實(shí)施例中，上述第一、第二、第三不活潑氣體例如是氮?dú)饣蚝?。而上述第一、第二、第三清洗工藝還可以利用不活潑氣體等離子體轟擊襯底，其中不活潑氣體等離子體例如是氬氣等離子體。
于一實(shí)施例中，上述硬掩模層為金屬硬掩模層，且此金屬硬掩模層的材質(zhì)例如是鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或氮化鎢。
于一實(shí)施例中，于形成硬掩模層之后與形成溝渠圖案之前，還可在硬掩模層上形成一層抗反射層。此抗反射層的材質(zhì)例如是氮氧化硅。
本發(fā)明又提出一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，包括提供襯底，于襯底上依序形成一介電層與一硬掩模層，再于第一反應(yīng)室中對硬掩模層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以形成一溝渠圖案。然后，進(jìn)行一第一清洗工藝，其步驟包括(a)將一第一不活潑氣體導(dǎo)入第一反應(yīng)室中，以清洗第一反應(yīng)室；以及(b)抽除第一反應(yīng)室的所有氣體，其中，可先進(jìn)行步驟a或步驟b，且可重復(fù)進(jìn)行步驟a與步驟b，以完全移除第一干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。接著，以硬掩模層為掩模，于第二反應(yīng)室中對介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除溝渠圖案所暴露的介電層，而形成一溝渠。然后，進(jìn)行一第二清洗工藝，其步驟包括(c)將一第二不活潑氣體導(dǎo)入第二反應(yīng)室中，以清洗第二反應(yīng)室；以及(d)抽除第二反應(yīng)室的所有氣體，其中，可先進(jìn)行步驟c或步驟d，且可重復(fù)進(jìn)行步驟c與步驟d，以完全移除第二干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。之后，于襯底上形成一圖案化光致抗蝕劑層，這層圖案化光致抗蝕劑層具有一介層窗開口圖案，且介層窗開口圖案形成于上述溝渠中。隨后，以光致抗蝕劑層為掩模，于第三反應(yīng)室中對介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除介層窗開口圖案所暴露的介電層，而形成一介層窗開口，再移除光致抗蝕劑層。最后，進(jìn)行一第三清洗工藝，其步驟包括(e)將一第三不活潑氣體導(dǎo)入第三反應(yīng)室中，以清洗第三反應(yīng)室；以及(f)抽除第三反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟e或步驟f，且可重復(fù)進(jìn)行步驟e與步驟f，以完全移除第三干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
于另一實(shí)施例中，上述第一、第二或第三不活潑氣體例如是氮?dú)饣蚝?。此外，上述第一、第二或第三清洗工藝都可以再利用不活潑氣體等離子體轟擊襯底。此不活潑氣體等離子體例如是氬氣等離子體。
于另一實(shí)施例中，上述硬掩模層為金屬硬掩模層，其材質(zhì)例如是鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或氮化鎢。
于另一實(shí)施例中，于形成硬掩模層之后與形成溝渠圖案之前，還可在硬掩模層上形成一層抗反射層，且此抗反射層的材質(zhì)例如是氮氧化硅。
本發(fā)明所采用的清潔步驟，可以有效去除干式蝕刻工藝后所形成的副產(chǎn)物，以維持后續(xù)所形成的結(jié)構(gòu)的電性。此外，由于本發(fā)明的清潔步驟不含化學(xué)反應(yīng)，因此不會改變蝕刻工藝所定義的圖案形狀。而且，當(dāng)本發(fā)明應(yīng)用于雙重金屬鑲嵌工藝時，可以防止蝕刻工藝中所產(chǎn)生的副產(chǎn)物殘留在雙重金屬鑲嵌開口中，避免造成后續(xù)金屬內(nèi)連線的電性不一致，進(jìn)而防止良率降低為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1是本發(fā)明所提供的一種清洗工藝100步驟流程圖；圖2A至圖2E繪示本發(fā)明一實(shí)施例的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法流程剖面圖；圖3A至圖3E繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法流程剖面圖。
主要元件符號說明100清洗工藝102、104、106步驟200、300襯底202、302介電層204、304硬掩模層205、305抗反射層206、306溝渠圖案208、310圖案化光致抗蝕劑層210、312介層窗開口圖案212、314介層窗開口214、308溝渠具體實(shí)施方式
圖1是本發(fā)明所提供的一種清洗工藝100步驟流程圖。請參照圖1，本發(fā)明提供的清洗工藝100，適于對一芯片進(jìn)行干式蝕刻工藝后進(jìn)行。此干式蝕刻工藝是于一反應(yīng)室中進(jìn)行，此清洗工藝100用以移除上述干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。首先，于反應(yīng)室中對芯片進(jìn)行干式蝕刻工藝，然后進(jìn)行清洗工藝100。此清洗工藝100包括步驟102、104以及106。
首先，進(jìn)行步驟102，將不活潑氣體導(dǎo)入反應(yīng)室中，以清洗反應(yīng)室。不活潑氣體例如是氮?dú)?、氦氣、氬氣或氪氣。不活潑氣體的流量例如是50SCCM至150SCCM。步驟102例如是在30G至60G的磁場以及40℃至60℃的溫度下運(yùn)作，并且維持10秒至30秒。
接著，進(jìn)行步驟104，抽除上述反應(yīng)室的所有氣體。步驟104例如需要耗時約10秒至30秒，并且抽除至反應(yīng)室氣壓小于1millTorr為止。
上述步驟102以及步驟104需至少進(jìn)行一次，也可重復(fù)進(jìn)行多次。在本實(shí)施例中，此清洗工藝100是先進(jìn)行步驟102，但是本發(fā)明所提供的清洗工藝不以此為限，清洗工藝100也可以先進(jìn)行步驟104，再進(jìn)行步驟102。
然后，進(jìn)行步驟106，利用不活潑氣體等離子體轟擊芯片，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。不活潑氣體等離子體例如是氬氣等離子體。完成步驟106后即可進(jìn)入后續(xù)工藝。步驟106并非必要步驟。步驟106執(zhí)行的時機(jī)可以在步驟102或步驟104之前。
本發(fā)明所采用的清洗工藝，可以有效去除干式蝕刻工藝后所形成的副產(chǎn)物，以維持后續(xù)所形成的結(jié)構(gòu)的電性。此外，由于本發(fā)明的清洗工藝不含化學(xué)反應(yīng)，因此不會改變蝕刻工藝所定義的圖案形狀。
以下將利用數(shù)個實(shí)施例作為例子來說明本發(fā)明，但這些實(shí)施例并不是要用來限定本發(fā)明的應(yīng)用范圍。本發(fā)明的清洗工藝至少可以應(yīng)用在所有金屬內(nèi)連線工藝的干式蝕刻工藝之后，以清除干式蝕刻工藝所產(chǎn)生的副產(chǎn)物。
第一實(shí)施例圖2A至圖2E繪示本發(fā)明一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法流程剖面圖，此制造方法應(yīng)用上述的清洗工藝。
請參照圖2A，首先提供襯底200，襯底200例如是硅襯底。然后，于襯底200上形成介電層202。介電層202的材質(zhì)例如是氧化硅或硅基(Silicon-based)低介電常數(shù)材料，如HSQ、MSQ等等。接著，于介電層202上形成一層硬掩模層204，硬掩模層204例如是金屬硬掩模層，其材質(zhì)例如是鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或氮化鎢。接著，可選擇于硬掩模層204上形成一層抗反射層205，其材質(zhì)例如是氮氧化硅。
之后，請參照圖2B，于第一反應(yīng)室中對硬掩模層204進(jìn)行干式蝕刻工藝，以形成一溝渠圖案206。然后，進(jìn)行第一清洗工藝，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。而這道第一清洗工藝可視情形需要進(jìn)行，且其步驟與清洗工藝100相同，故在此不再重述。
接著，請參照圖2C，于襯底200上形成一圖案化光致抗蝕劑層208，且圖案化光致抗蝕劑層208具有一介層窗開口圖案210。
然后，請參照圖2D，以圖案化光致抗蝕劑層208(請見圖2C)為掩模，于第二反應(yīng)室中對介電層202進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除介層窗開口圖案210(請見圖2C)所暴露的介電層202，而形成一介層窗開口212，之后再移除圖案化光致抗蝕劑層。接著，可視情況進(jìn)行第二清洗工藝，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物，且第二清洗工藝的內(nèi)容與清洗工藝100相同，故在此不予重述。
之后，請參照圖2E，以硬掩模層204為掩模，于一第三反應(yīng)室中對介電層202進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除溝渠圖案206(請見圖2B所示)所暴露的部分介電層202，而于介層窗開口212上形成一溝渠214。經(jīng)過上述工藝即形成包括溝渠214以及介層窗開口212的雙重金屬鑲嵌開口。然后，進(jìn)行第三清洗工藝，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。而第三清洗工藝的內(nèi)容與清洗工藝100相同，故在此不予重述。
由于以上干式蝕刻工藝所使用的等離子體具有含氟氣體，會與硬掩模層204反應(yīng)形成如TixFyOz的副產(chǎn)物。此副產(chǎn)物會造成后續(xù)的金屬內(nèi)連線產(chǎn)生缺陷，導(dǎo)致橋接現(xiàn)象等問題，而降低芯片的良率與可靠性。因此，進(jìn)行上述第一、第二及第三清洗工藝，可移除上述各干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物，進(jìn)而避免后續(xù)形成于雙重金屬鑲嵌開口中的金屬內(nèi)連線的電性失誤。
第二實(shí)施例圖3A至圖3E繪示本發(fā)明另一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法流程剖面圖。
請參照圖3A與圖3B，其步驟與上一實(shí)施例雷同。都是先提供襯底300。然后，于襯底300上依序形成一層介電層302與硬掩模層304。而硬掩模層304例如是金屬硬掩模層，其材質(zhì)例如是鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或氮化鎢。接著，可于硬掩模層304上形成一層抗反射層305。然后，于第一反應(yīng)室中對硬掩模層304進(jìn)行干式蝕刻工藝，以形成一溝渠圖案306。之后，進(jìn)行第一清洗工藝，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
接著，請參照圖3C，以硬掩模層304為掩模，于一第二反應(yīng)室中對介電層302進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除溝渠圖案306(請見圖3B)所暴露的介電層302，而形成一溝渠308。然后，進(jìn)行第二清洗工藝，以移除上述干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物，且第二清洗工藝的內(nèi)容與清洗工藝100相同，故在此不再贅述。
接著，請參照圖3D，于襯底300上形成一圖案化光致抗蝕劑層310，其具有一介層窗開口圖案312，這個介層窗開口圖案312形成于溝渠308中。
之后，請參照圖3E，以圖案化光致抗蝕劑層310(請見圖3D)為掩模，于一第三反應(yīng)室中對介電層302進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除介層窗開口圖案312(請見圖3D)所暴露的介電層302，而形成一介層窗開口314。然后，移除圖案化光致抗蝕劑層310，再進(jìn)行第三清洗工藝，以移除干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物，且第三清洗工藝的內(nèi)容與清洗工藝100相同，故在此不予重述。
綜上所述，本發(fā)明的清洗工藝可以防止干式蝕刻工藝中所產(chǎn)生的副產(chǎn)物殘留在雙重金屬鑲嵌開口中，避免造成后續(xù)金屬內(nèi)連線的電性不一致，進(jìn)而防止良率降低。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種干式蝕刻工藝后的清洗工藝，其中該干式蝕刻工藝是于一反應(yīng)室中對一芯片進(jìn)行的，該清洗工藝包括(a).將一不活潑氣體導(dǎo)入該反應(yīng)室中，以清洗該反應(yīng)室；以及(b).抽除該反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟a或先進(jìn)行步驟b，且可重復(fù)進(jìn)行步驟a與步驟b，以移除該干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
2.如權(quán)利要求1所述的干式蝕刻工藝后的清洗工藝，其中該不活潑氣體包括氮?dú)饣蚝狻?br> 3.如權(quán)利要求1所述的干式蝕刻工藝后的清洗工藝，還包括以一不活潑氣體等離子體轟擊該芯片。
4.如權(quán)利要求3所述的干式蝕刻工藝后的清洗工藝，其中該不活潑氣體等離子體包括氬氣等離子體。
5.一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，包括提供一襯底；于該襯底上依序形成一介電層與一硬掩模層；于一第一反應(yīng)室中對該硬掩模層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以形成一溝渠圖案；進(jìn)行一第一清洗工藝，該第一清洗工藝包括a)將一第一不活潑氣體導(dǎo)入該第一反應(yīng)室中，以清洗該第一反應(yīng)室；以及b)抽除該第一反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟a或先進(jìn)行步驟b，且可重復(fù)進(jìn)行步驟a與步驟b，以完全移除該第一干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物；于該襯底上形成一圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層具有一介層窗開口圖案；以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，于一第二反應(yīng)室中對該介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除該介層窗開口圖案所暴露的該介電層而形成一介層窗開口；移除該圖案化光致抗蝕劑層；進(jìn)行一第二清洗工藝，該第二清洗工藝包括c)將一第二不活潑氣體導(dǎo)入該第二反應(yīng)室中，以清洗該第二反應(yīng)室；以及d)抽除該第二反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟c或先進(jìn)行步驟d，且可重復(fù)進(jìn)行步驟c與步驟d，以完全移除該第二干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物；以該硬掩模層為掩模，于一第三反應(yīng)室中對該介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除該溝渠圖案所暴露的部分該介電層，而于該介層窗開口上形成一溝渠；以及進(jìn)行一第三清洗工藝，該第三清洗工藝包括e)將一第三不活潑氣體導(dǎo)入該第三反應(yīng)室中，以清洗該第三反應(yīng)室；以及f)抽除該第三反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟e或先進(jìn)行步驟f，且可重復(fù)進(jìn)行步驟e與步驟f，以完全移除該第三干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
6.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第一不活潑氣體包括氮?dú)饣蚝狻?br> 7.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第二不活潑氣體包括氮?dú)饣蚝狻?br> 8.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第三不活潑氣體包括氮?dú)饣蚝狻?br> 9.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第一清洗工藝還包括以一不活潑氣體等離子體轟擊該襯底。
10.如權(quán)利要求9所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該不活潑氣體等離子體包括氬氣等離子體。
11.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第二清洗工藝還包括以一不活潑氣體等離子體轟擊該襯底。
12.如權(quán)利要求11所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該不活潑氣體等離子體包括氬氣等離子體。
13.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第三清洗工藝還包括以一不活潑氣體等離子體轟擊該襯底。
14.如權(quán)利要求13所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該不活潑氣體等離子體包括氬氣等離子體。
15.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該硬掩模層為一金屬硬掩模層。
16.如權(quán)利要求15所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該金屬硬掩模層的材質(zhì)包括鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或氮化鎢。
17.如權(quán)利要求5所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，于形成該硬掩模層之后與形成該溝渠圖案之前，還包括于該硬掩模層上形成一抗反射層。
18.如權(quán)利要求17所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該抗反射層的材質(zhì)包括氮氧化硅。
19.一種雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，包括提供一襯底；于該襯底上依序形成一介電層與一硬掩模層；于一第一反應(yīng)室中對該硬掩模層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以形成一溝渠圖案；進(jìn)行一第一清洗工藝，該第一清洗工藝包括a)將一第一不活潑氣體導(dǎo)入該第一反應(yīng)室中，以清洗該第一反應(yīng)室；以及b)抽除該第一反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟a或先進(jìn)行步驟b，且可重復(fù)進(jìn)行步驟a與步驟b至少進(jìn)行一次以上，以完全移除該第一干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物；以該硬掩模層為掩模，于一第二反應(yīng)室中對該介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除該溝渠圖案所暴露的該介電層，而形成一溝渠；進(jìn)行一第二清洗工藝，該第二清洗工藝包括c)將一第二不活潑氣體導(dǎo)入該第二反應(yīng)室中，以清洗該第二反應(yīng)室；以及d)抽除該第二反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟c或先進(jìn)行步驟d，且可重復(fù)進(jìn)行步驟c與步驟d至少進(jìn)行一次，以完全移除該第二干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物；于該襯底上形成一圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層具有一介層窗開口圖案，該介層窗開口圖案形成于該溝渠中；以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，于一第三反應(yīng)室中對該介電層進(jìn)行干式蝕刻工藝，以移除該介層窗開口圖案所暴露的該介電層，而形成一介層窗開口；移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及進(jìn)行一第三清洗工藝，該第三清洗工藝包括e)將一第三不活潑氣體導(dǎo)入該第三反應(yīng)室中，以清洗該第三反應(yīng)室；以及f)抽除該第三反應(yīng)室的所有氣體；其中，可以先進(jìn)行步驟e或先進(jìn)行步驟f，且可重復(fù)進(jìn)行步驟e與步驟f至少進(jìn)行一次，以完全移除該第三干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。
20.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第一不活潑氣體包括氮?dú)饣蚝狻?br> 21.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第二不活潑氣體包括氮?dú)饣蚝狻?br> 22.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第三不活潑氣體包括氮?dú)饣蚝狻?br> 23.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第一清洗工藝還包括以一不活潑氣體等離子體轟擊該襯底。
24.如權(quán)利要求23所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該不活潑氣體等離子體包括氬氣等離子體。
25.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第二清洗工藝還包括以一不活潑氣體等離子體轟擊該襯底。
26.如權(quán)利要求25所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該不活潑氣體等離子體包括氬氣等離子體。
27.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該第三清洗工藝還包括以一不活潑氣體等離子體轟擊該襯底。
28.如權(quán)利要求27所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該不活潑氣體等離子體包括氬氣等離子體。
29.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該硬掩模層為一金屬硬掩模層。
30.如權(quán)利要求29所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該金屬硬掩模層的材質(zhì)包括鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭或氮化鎢。
31.如權(quán)利要求19所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，于形成該硬掩模層之后與形成該溝渠圖案之前，還包括于該硬掩模層上形成一抗反射層。
32.如權(quán)利要求31所述的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法，其中該抗反射層的材質(zhì)包括氮氧化硅。
全文摘要
一種清洗工藝，適于對一芯片進(jìn)行干式蝕刻工藝后進(jìn)行。此干式蝕刻工藝是于一反應(yīng)室中進(jìn)行。此清洗工藝用以移除上述干式蝕刻工藝的副產(chǎn)物。此清洗工藝包括將不活潑氣體導(dǎo)入反應(yīng)室中，以清洗反應(yīng)室。然后抽除該反應(yīng)室的所有氣體。此清洗工藝可以避免后續(xù)的金屬內(nèi)連線工藝產(chǎn)生缺陷。
文檔編號H01L21/768GK1959931SQ200510119318
公開日2007年5月9日 申請日期2005年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月3日
發(fā)明者蔡健華, 吳宜靜 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司