專利名稱：用于制造半導(dǎo)體器件的相移掩膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高在多層布線結(jié)構(gòu)中的防潮性能的半導(dǎo)體器件及其制造方法，以及可用于制造該半導(dǎo)體器件的相移掩膜。
背景技術(shù)：
最近幾年，隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，多層布線結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)規(guī)格傾向于減小尺寸。因此，通過(guò)形成用于金屬布線材料的薄膜并且直接蝕刻該薄膜而形成的一些布線太細(xì)而不能夠制造。因此，采用下述方法作為形成該布線的方法。也就是說(shuō)，在形成層間絕緣膜之后，在該層間絕緣膜中形成溝槽圖案或通孔圖案，并且把布線材料鑲嵌在該圖案的開(kāi)口區(qū)域，從而形成布線。這種形成布線的方法被稱為鑲嵌方法。
當(dāng)通過(guò)蝕刻而形成布線時(shí)，W、Al或Al合金通常被用作為布線材料。但是，當(dāng)采用鑲嵌方法時(shí)，通常使用Cu，因?yàn)樗哂械碗娮杪屎蛯?duì)電子遷移具有高抵抗力。
在制造該半導(dǎo)體器件中，例如晶體管、接頭、布線、焊盤這樣的元件被形成在一個(gè)半導(dǎo)體晶片上。在此之后，該半導(dǎo)體晶片被分為多個(gè)芯片，每個(gè)芯片使用陶瓷或塑料來(lái)封裝。
為了加速信號(hào)的傳輸速率，這對(duì)于布線的性能是重要的，減小布線之間的電容以及在不同層面中提供的布線之間的寄生電容是有效的。因此，最近開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)被置于降低存在于相同層面中提供的布線之間的絕緣膜的介電常數(shù)和存在于不同層面中的布線之間的層間絕緣膜的介電常數(shù)，以及降低布線本身的電阻。另外，為了降低介電常數(shù)，除了氧化硅膜之外，氟摻雜的氧化硅膜、無(wú)機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜等等最近被用作為層間絕緣膜，以取代氧化硅膜。通常，當(dāng)材料的原子或分子之間的距離變大時(shí)，由于薄膜密度的降低導(dǎo)致介電常數(shù)變小。
但是，具有低介電常數(shù)的上述層間絕緣膜的熱膨脹系數(shù)基本上與例如基片這樣的其它構(gòu)成材料的熱膨脹系數(shù)不同。由于熱膨脹系數(shù)的差別，導(dǎo)致隨后的熱處理產(chǎn)生較大熱應(yīng)力。熱應(yīng)力被集中在該芯片的邊角上而造成應(yīng)力集中，并且可能在芯片的邊角出現(xiàn)層面之間的剝離或裂紋，潮氣容易進(jìn)入該芯片。由于上述熱膨脹系數(shù)的差別導(dǎo)致的應(yīng)力集中在采用鑲嵌方法的半導(dǎo)體器件中特別顯著。其原因是，根據(jù)該鑲嵌方法存在熱膨脹系數(shù)具有顯著差別的大量部分，由于層間絕緣膜形成在平整的布線層等等上，溝槽圖案等等被形成在層間絕緣膜中，并且在此之后，布線材料被嵌入在該開(kāi)口區(qū)域中。因此，采用鑲嵌方法的常規(guī)半導(dǎo)體器件具有難以保證足夠的防潮性能的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮到上述缺點(diǎn)而作出，其目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，其可以避免芯片面積增加和保證高防潮性，并且防止在外圍邊緣部分脫離，以及提供一種用于制造這種半導(dǎo)體器件的相移掩膜。
經(jīng)過(guò)研究，本發(fā)明的發(fā)明人獲得下文所述的本發(fā)明的各種形式。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括形成有集成電路的一個(gè)集成電路部分、包括在該集成電路部分周圍的金屬膜的主壁面部分、包括有選擇地形成在該集成電路部分和主壁面部分之間的金屬膜的副壁面部分。該集成電路部分、主壁面部分和副壁面部分共用一個(gè)半導(dǎo)體基片，并且一個(gè)或兩個(gè)或更多個(gè)層間絕緣膜形成在該半導(dǎo)體基片之上，其中有選擇地形成開(kāi)孔。構(gòu)成該集成電路的一部分線路和被提供到每個(gè)主壁面部分和副壁面部分的一部分金屬膜基本上被形成為相同的層面。
根據(jù)本發(fā)明，由于副壁面部分被有選擇地形成在主壁面部分和集成電路部分之間，一個(gè)壁面部分有選擇地具有主壁面部分和副壁面部分的雙重結(jié)構(gòu)。因此，即使當(dāng)由于采用鑲嵌方法導(dǎo)致較大應(yīng)力集中在半導(dǎo)體基片等等的一角上時(shí)，應(yīng)力也被分散到副壁面部分上，通過(guò)把副壁面部分置于應(yīng)力容易集中的位置處。從而，彈性結(jié)構(gòu)形成在不會(huì)由于層面之間的剝離、破裂等等而導(dǎo)致應(yīng)力釋放的位置處。因此，隨著出現(xiàn)破裂情況的減少，可以保持潮氣的進(jìn)入比例，并且保證較高的防潮性能。另外，由于一部分布線和一部分金屬膜基本上被形成為相同的層面，因此可以與布線同時(shí)地形成該金屬膜。因此，可以避免處理步驟增加。
根據(jù)本發(fā)明的一種制造半導(dǎo)體器件的方法是制造這樣一種半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件具有形成集成電路的集成電路部分和包括在該集成電路部分周圍的金屬膜的主壁面部分。該方法包括如下步驟與集成電路部分和主壁面部分的形成同時(shí)進(jìn)行，有選擇地在集成電路部分和主壁面部分形成包括金屬膜的副壁面部分。
根據(jù)本發(fā)明的相移掩膜是包括形成在透明基片上的相移膜和形成在該透明基片的劃線(scribe line)區(qū)域中的遮光膜的相移掩膜。由劃線區(qū)域所包圍的區(qū)域包括要形成集成電路部分的集成電路區(qū)域，以及要形成在集成電路部分的外圍的外圍邊緣部分的外圍邊緣區(qū)域。遮光膜至少形成在一部分外圍邊緣區(qū)域和集成電路區(qū)域中。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的布局；圖2為示出第一實(shí)施例的集成電路部分的結(jié)構(gòu)的截面示圖；圖3為示出沿著圖1中的I-I線截取的截面的截面示圖；圖4為示出第一實(shí)施例的阻值測(cè)量部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖5為沿著圖4中的II-II線截取的截面示圖；圖6為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖7為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；
圖8為示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖9為示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖10為示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖11為示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖12為示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖13為示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖14為示出根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖15為示出根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖16為示出根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖17為示出根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局；圖18A至圖18M為按照處理次序示出制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的截面示圖；圖19為示出在形成焊盤之后的晶片的平面示圖；圖20為示出放大由圖19中的虛線所示的區(qū)域的布局；圖21為示出主壁面部分2和副壁面部分3的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的截面示圖；以及圖22為示出當(dāng)對(duì)圖16中所示的第十二實(shí)施例執(zhí)行替換時(shí)的結(jié)構(gòu)的布局；圖23A和23B為示出根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例的相移掩膜的平面示圖和截面示圖；圖24A和24B為示出根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例的相移掩膜的放大示圖；圖25A至25C為示出根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例的相移掩膜的放大示圖；圖26A和26B為示出根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例的相移掩膜的放大示圖；圖27A和27B為示出根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例的相移掩膜的放大示圖；圖28A和28B為示出根據(jù)本發(fā)明第十七實(shí)施例的相移掩膜的放大示圖；圖29A和29B為示出根據(jù)本發(fā)明第十八實(shí)施例的相移掩膜的放大示圖；圖30A和30B為示出一種相移掩膜的平面示圖和截面示圖；圖31為示出一個(gè)旁瓣(No.1)的示意圖；以及圖32為示出一個(gè)旁瓣(No.2)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參照附圖具體描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
-第一實(shí)施例-首先，將描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的布局。圖2為示出第一實(shí)施例的集成電路部分的結(jié)構(gòu)的截面示圖，以及圖3為示出沿著圖1中的I-I線截取的截面的截面示圖。圖4為示出第一實(shí)施例的阻值測(cè)量部分的結(jié)構(gòu)的布局，以及圖5為沿著圖4中的II-II線截取的截面示圖。
根據(jù)第一實(shí)施例，如圖1中所示，提供例如矩形的主壁面部分2，以包圍形成有半導(dǎo)體集成電路的集成電路部分1。根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件被在主壁面部分2的外側(cè)沿著主壁面部分2切割為小塊，其在平面示圖中為矩形。例如“L”形狀的副壁面部分3被提供在主壁面部分2和集成電路部分1的每個(gè)角落之間。相互垂直的副壁面部分3的部分分別與相互垂直的主壁面部分2的部分相平行地延伸，即，對(duì)應(yīng)于其側(cè)邊的部分。主壁面部分2和副壁面部分3之間的間距例如大約為1微米。另外，副壁面部分3的彎曲被置于最接近主壁面部分2的彎曲部分，即，對(duì)應(yīng)于一個(gè)頂點(diǎn)的部分。另外，阻值測(cè)量部分(阻值測(cè)量裝置)4被提供在副壁面部分3和集成電路部分1之間，用于測(cè)量該區(qū)域的阻值。在本實(shí)施例中，副壁面部分3為第一壁面塊。
在集成電路部分1中，如圖2中所示形成多個(gè)MOS晶體管等等。例如，硅基片這樣的半導(dǎo)體基片101被元件隔離絕緣膜102分為多個(gè)元件活性區(qū)。然后，柵絕緣膜103和柵極104被形成在半導(dǎo)體基片101上。在柵絕緣膜103和柵極104的側(cè)面上，形成側(cè)壁絕緣膜105。在半導(dǎo)體基片101的表面上，形成源/漏擴(kuò)散層106，以在平面示圖中把柵絕緣膜103和柵極104夾住。
另外，氮化硅膜107和氧化硅膜108例如形成在整個(gè)表面上，到達(dá)源/漏擴(kuò)散層106的接觸孔形成在氮化硅膜107和氧化硅膜108中。該接觸孔的直徑例如為大約0.10至0.20微米。另外，例如TiN膜106被形成為膠層，以覆蓋接觸孔的側(cè)表面和底表面，每個(gè)接觸孔中嵌有W膜110。
另外，例如有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112形成在整個(gè)表面上，并且到達(dá)TiN膜109和W膜110的溝槽135形成在有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112中。例如，Ta膜113被形成為阻擋金屬膜，以覆蓋溝槽135的側(cè)表面和底表面，在每個(gè)溝槽中嵌有由Cu所制成的布線。
另外，氮化硅膜115和氧化硅膜116例如形成在整個(gè)表面上作為層間絕緣膜，并且到達(dá)作為布線114的下層布線的接觸孔136形成在氮化硅膜115和氧化硅膜116中。該接觸孔的直徑例如約為0.15至0.25微米。
另外，有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118例如形成在整個(gè)表面上，并且連接到形成于氮化硅膜115和氧化硅膜116中的接觸孔136的溝槽137被形成在有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118中。例如，Ta膜119被形成為阻擋金屬膜，以覆蓋接觸孔136和溝槽137的側(cè)表面和下表面，在該溝槽中嵌入有由Cu等所制成的布線120。
與上文所述相同，提供多個(gè)基本結(jié)構(gòu)體121。每一個(gè)基本結(jié)構(gòu)體由氮化硅膜115、氧化硅膜116、有機(jī)絕緣膜117、氧化硅膜118、Ta膜119和布線120所構(gòu)成，在本實(shí)施例中總共有3個(gè)基本結(jié)構(gòu)體121。
另外，氮化硅膜122和氧化硅膜123被形成在最上方的基本結(jié)構(gòu)體121上，并且到達(dá)構(gòu)成最上方的基本結(jié)構(gòu)體121的布線120的接觸孔138被形成在氮化硅膜122和氧化硅膜123中。該接觸孔例如具有大約1.00至1.10微米的直徑。另外，形成阻擋金屬膜124，以覆蓋接觸孔138的側(cè)表面和底表面，并且覆蓋氧化硅膜123的一部分表面，以及Al或Al合金膜(在下文中稱為Al膜)125和阻擋金屬膜126被形成在阻擋金屬膜124上。另外，氧化硅膜127形成在整個(gè)表面上，以覆蓋阻擋金屬膜124、Al膜125和阻擋金屬膜126，并且氮化硅膜128例如被形成在氧化硅膜127上，作為一個(gè)覆蓋膜。
順便提及，當(dāng)圖2中所示的兩個(gè)MOS晶體管構(gòu)成一個(gè)CMOS晶體管時(shí)，在各個(gè)MOS晶體管之間擴(kuò)散層106的導(dǎo)電類型各不相同，并且阱(未示出)被適當(dāng)?shù)匦纬稍诎雽?dǎo)體基片101的表面中。
同時(shí)，如圖3中所示，擴(kuò)散層106a被形成在主壁面部分2和副壁面部分3的半導(dǎo)體基片101的表面中。擴(kuò)散層106a的導(dǎo)電類型沒(méi)有特別地限制。另外，類似于集成電路部分1，例如氮化硅膜107和氧化硅膜108被形成在整個(gè)表面上，并且到達(dá)擴(kuò)散層106a的溝槽被形成在氮化硅膜107和氧化硅膜108中。該溝槽例如具有大約0.15至0.30微米的厚度。TiN膜109例如被形成為膠層，以覆蓋該溝槽的側(cè)表面和底表面，每個(gè)溝槽中嵌有W膜110。
另外，類似于集成電路部分1，有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112例如形成在整個(gè)表面上，并且到達(dá)TiN膜109和W膜110的溝槽被形成在有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112中。該溝槽例如具有大約2微米的寬度。每個(gè)溝槽例如被形成為使得TiN膜109和W膜110被置于其中央。Ta膜113例如被形成為阻擋金屬膜，以覆蓋該溝槽的側(cè)表面和底表面，在每個(gè)溝槽中嵌入有由Cu等所制成的金屬膜114a。
另外，類似于集成電路部分1，氮化硅膜115和氧化硅膜116例如形成在整個(gè)表面上，并且到達(dá)作為金屬膜114a的下層金屬膜的溝槽被形成在氮化硅膜115和氧化硅膜116中。該溝槽例如具有大約0.20至0.35微米的寬度。每個(gè)溝槽被形成為置于例如形成在有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112中的溝槽的中央。因此，在平面示圖中，該溝槽例如處于與形成在氮化硅膜107和氧化硅膜108中的溝槽相同的位置處。
另外，類似于集成電路部分1，有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118被形成在整個(gè)表面上，并且與形成于氮化硅膜115和氧化硅膜116中的溝槽相連接的溝槽被形成在有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118中。該溝槽的寬度大約為2微米。該溝槽被形成為使得，形成在氮化硅膜115和氧化硅膜116中的溝槽被置于其中部。因此，在平面示圖中，該溝槽例如處于與形成于有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112中的溝槽相同的位置處。Ta膜119被形成為阻擋金屬膜，以覆蓋形成在氮化硅膜115和氧化硅膜116中的溝槽和形成在有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118中的溝槽的側(cè)表面和底表面上，在每個(gè)溝槽中嵌入有由Cu膜等等所制成的金屬膜120a。
類似于集成電路部分1，與上文所述相同，提供多個(gè)基本結(jié)構(gòu)體121a。每一個(gè)基本結(jié)構(gòu)體由氮化硅膜115、氧化硅膜116、有機(jī)絕緣膜117、氧化硅膜118、Ta膜119和布線120所構(gòu)成，在本實(shí)施例中總共有3個(gè)基本結(jié)構(gòu)體121a。
另外，類似于集成電路部分1，氮化硅膜122和氧化硅膜123被形成在最上方的基本結(jié)構(gòu)體121a上，并且到達(dá)構(gòu)成最上方的基本結(jié)構(gòu)體121a的金屬膜120a的溝槽被形成在氮化硅膜122和氧化硅膜123中。該溝槽例如具有大約1.15至1.25微米的寬度。另外，形成阻擋金屬膜124，以覆蓋該溝槽的側(cè)表面和底表面，并且覆蓋氧化硅膜123的一部分表面，以及Al膜125和阻擋金屬膜126被形成在阻擋金屬膜124上。另外，氧化硅膜127形成在整個(gè)表面上，以覆蓋阻擋金屬膜124、Al膜125和阻擋金屬膜126，并且氮化硅膜128例如被形成在氧化硅膜127上，作為一個(gè)覆蓋膜。
在副壁面部分3中，形成于氮化硅膜115和氧化硅膜116中的溝槽和形成于氮化硅膜122和氧化硅膜123中的窄溝槽131比形成于有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112中的溝槽和形成于有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118中的寬溝槽132更短，如圖1中所示，窄溝槽131的兩端被置于寬溝槽132的兩端的內(nèi)部。
如圖1和圖4中所示，兩個(gè)梳狀電極5a和5b被提供在阻值測(cè)量部分4中。梳狀電極5a和5b的齒被以交替的方式設(shè)置。用于檢查以保證防潮性的每個(gè)監(jiān)控焊盤6a和6b連接到每個(gè)梳狀電極5a和5b的一端。另外，在集成電路部分1和主壁面部分2之間不形成副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4的區(qū)域中，在評(píng)估形成于集成電路部分1中的集成電路中，以適當(dāng)?shù)拈g隔提供用于從外部輸入信號(hào)的多個(gè)評(píng)估焊盤7。
如圖5中所示，梳狀電極5a和5b的截面結(jié)構(gòu)與主壁面部分2和副壁面部分3的截面結(jié)構(gòu)相同，只是該金屬膜不連接到該基片。但是，溝槽的寬度不同。也就是說(shuō)，在梳狀電極5a和5b中，形成于氮化硅膜115和氧化硅膜116中的溝槽以及形成于氮化硅膜122和氧化硅膜123中的窄溝槽133例如具有大約0.20至0.35微米的寬度，并且形成于有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112中的溝槽以及形成于有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118中的寬溝槽134例如具有大約0.6微米的寬度。另外，梳狀電極5a和5b的齒之間的間距例如約為0.2微米。一部分Al膜125被從氮化硅膜128和氧化硅膜127暴露出來(lái)，以形成焊盤6a和6b。
在如此構(gòu)成的第一實(shí)施例中，在平面示圖中，“L”形狀的副壁面部分3被有選擇地提供在矩形的主壁面部分2的內(nèi)部，并且在應(yīng)力最集中的主壁面部分2的四個(gè)角處，構(gòu)成主壁面部分2和副壁面部分3的多個(gè)金屬膜被連接到半導(dǎo)體基片101，因此應(yīng)力容易被分布在該角處。因此，與常規(guī)技術(shù)相比，即使由于熱處理等等而導(dǎo)致應(yīng)力集中，也不容易出現(xiàn)層面之間的剝離和裂縫。另外，由于主壁面部分2和副壁面部分3具有雙重結(jié)構(gòu)，因此即使在該角處出現(xiàn)裂縫，來(lái)自外部的潮氣也不容易到達(dá)集成電路部分1。從而，根據(jù)本實(shí)施例，可以保證極高的防潮性。
另外，由于形成副壁面部分3的位置是不形成焊盤等等的區(qū)域，并且特別影響半導(dǎo)體器件的功能的元件不存在于現(xiàn)有技術(shù)中，因此即使當(dāng)副壁面部分3被提供在該位置時(shí)，也不容易增加芯片面積。
另外，主壁面部分2和副壁面部分3可以通過(guò)改變形成構(gòu)成集成電路部分1的氮化硅膜、氧化硅膜、有機(jī)絕緣膜、布線等等的掩膜形狀而形成，因此，還可以避免制造處理步驟的增加。
另外，互不相同的電勢(shì)可以被施加到阻值測(cè)量部分4中的焊盤6a和6b，從而測(cè)量它們之間的阻值。如果有潮氣進(jìn)來(lái)，則出現(xiàn)短路并且阻值減小。通過(guò)測(cè)量該阻值，可以確定是否有潮氣進(jìn)來(lái)。因此，可以獲得高度可靠性。
-第二實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖6為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第二實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖6中所示，相對(duì)于彎折點(diǎn)，在副壁面部分3a中窄溝槽131的長(zhǎng)度和寬溝槽132的長(zhǎng)度為相同，并且各個(gè)末端部分在平面示圖中處于相同的位置。除了上述溝槽的長(zhǎng)度之外，與溝槽延伸方向垂直相交的副壁面部分3a的每個(gè)位置的截面的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的副壁面部分3相同。在本實(shí)施例中，副壁面部分3a是第一壁面塊。
根據(jù)上述第二實(shí)施例，也可以獲得與第一實(shí)施例相同的效果。
-第三實(shí)施例-下面，將描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖7為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第三實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖7中所示，副壁面部分3b具有一種平面形狀，其中第一實(shí)施例的副壁面部分3的兩個(gè)末端部分被垂直地彎向主壁面部分2側(cè)，并且連接到主壁面部分2。另外，在副壁面部分3b中的窄溝槽131連接到主壁面部分2中的窄溝槽131，并且副壁面部分3b中的寬溝槽132連接到主壁面部分2中的寬溝槽132。除了上述平面形狀之外，與溝槽延伸方向垂直相交的副壁面部分3b的每個(gè)位置的截面的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的副壁面部分3相同。在本實(shí)施例中，副壁面部分3b是第一壁面塊。
根據(jù)上述第三實(shí)施例，也可以獲得與第一實(shí)施例相同的效果。另外，由于副壁面部分連接到主壁面部分，因此裂縫不容易發(fā)展。從而，容易進(jìn)入潮氣的絕緣膜被完全在副壁面部分的內(nèi)部和外部之間切斷，從而不容易出現(xiàn)剝離。
-第四實(shí)施例-接著，將說(shuō)明本發(fā)明的第四實(shí)施例。圖8為示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第四實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖8中所示，副壁面部分3c的平面形狀為矩形。除了上述平面形狀之外，與溝槽延伸方向垂直相交的副壁面部分3c的每個(gè)位置的截面的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的副壁面部分3相同。另外，構(gòu)成阻值測(cè)量部分4的梳狀電極5a和5b(未在圖8中示出)例如被設(shè)置為把副壁面部分3c夾在主壁面部分2與它們之間。更加具體來(lái)說(shuō)，梳狀電極5a和5b被沿著構(gòu)成平面示圖中矩形的副壁面部分3c的4邊中遠(yuǎn)離主壁面部分2的頂點(diǎn)的兩邊而設(shè)置。在本例中，副壁面部分3c為四個(gè)壁面塊。
根據(jù)上述第四實(shí)施例，也可以獲得與第一實(shí)施例相同的效果。
-第五實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第五實(shí)施例。圖9為示出根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第五實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)不同于第一實(shí)施例。具體來(lái)說(shuō)，如圖9中所示，多個(gè)壁面塊，在本實(shí)施例中為兩個(gè)矩形壁面塊3d1和3d2，被提供作為副壁面部分3d。在本實(shí)施例中，壁面塊3d2是第四壁面塊，并且壁面塊3d1是第五壁面塊。構(gòu)成與向著溝槽的延伸方向垂直相交的副壁面部分3d的壁面塊3d1和3d2的每個(gè)部分的截面結(jié)構(gòu)與在第一實(shí)施例中的副壁面部分3相同，除了上述平面形狀之外。
根據(jù)上述第五實(shí)施例，可以獲得較高的防潮性。
順便提及，副壁面部分3d可以由三個(gè)或多個(gè)壁面塊所構(gòu)成。
-第六實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第六實(shí)施例。圖10為示出根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第六實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)不同于第一實(shí)施例。具體來(lái)說(shuō)，如圖10中所示，例如三個(gè)壁面塊3e1至3e3被設(shè)置為相對(duì)主壁面部分2的角在集成電路部分1的側(cè)面上以等間距排列。每個(gè)壁面塊3e1至3e3具有與第一實(shí)施例的副壁面部分3相同的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，壁面塊3e1至3e3為第一壁面塊。
根據(jù)上述第六實(shí)施例，類似于第五實(shí)施例，可以獲得較高的防潮性。
順便提及，副壁面部分3e可以由兩個(gè)或四個(gè)或者更多個(gè)壁面塊所構(gòu)成，每個(gè)壁面塊具有與副壁面部分3相同的結(jié)構(gòu)。
-第七實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第七實(shí)施例。圖11為示出根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第七實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖11中所示，比壁面塊3f2更短的壁面塊3f1被設(shè)置在集成電路部分1上，在具有與第一實(shí)施例的副壁面部分3相同結(jié)構(gòu)的壁面塊3f2的旁邊，以構(gòu)成一個(gè)壁面塊3f。與溝槽的延伸方向垂直相交的壁面塊3f1的每個(gè)部分的截面結(jié)構(gòu)與在第一實(shí)施例中的副壁面部分3相同。在本實(shí)施例中，壁面塊3f2為第一壁面塊，并且壁面塊3f1為第一壁面塊。
根據(jù)上述第七實(shí)施例，類似于第五和第六實(shí)施例，也可以獲得較高的防潮性。
-第八實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第八實(shí)施例。圖12為示出根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第八實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖12中所示，圍繞著第七實(shí)施例的壁面塊3f1和3f2的壁面塊3g1與主壁面部分2構(gòu)成一個(gè)副壁面塊3g。與溝槽的延伸方向垂直相交的壁面塊3g1的每個(gè)部分的截面結(jié)構(gòu)與在第一實(shí)施例中的副壁面部分3相同。在本實(shí)施例中，壁面塊3g1為第三壁面塊。
根據(jù)上述第8實(shí)施例，類似于第五至第七實(shí)施例，也可以獲得較高的防潮性。
-第九實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第九實(shí)施例。圖13為示出根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第九實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖13中所示，與第七實(shí)施例的壁面塊3f1和3f2的溝槽132相同的寬溝槽132a被形成在壁面塊3f1和3f2之間的有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118中，并且Ta膜119和金屬120a被嵌入溝槽132a中，以構(gòu)成副壁面部分3h。
根據(jù)上述第9實(shí)施例，類似于第五至第八實(shí)施例，也可以獲得較高的防潮性。
-第十實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第十實(shí)施例。圖14為示出根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第十實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖14中所示，與第七實(shí)施例的壁面塊3f1和3f2的溝槽132相同的寬溝槽132a被形成在壁面塊3f1和3f2之間的有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118中。另外，與壁面塊3f1和3f2的溝槽132相同的窄溝槽131a被形成在壁面塊3f1和3f2之間的氮化硅膜115和氧化硅膜118中。Ta膜119和金屬120a被嵌入溝槽131a和132a中，以構(gòu)成副壁面部分3i。
根據(jù)上述第10實(shí)施例，類似于第五至第九實(shí)施例，也可以獲得較高的防潮性。
-第十一實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第十一實(shí)施例。圖15為示出根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第十一實(shí)施例，副壁面部分的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例不同。具體來(lái)說(shuō)，如圖15中所示，提供“L”形狀并且兩端連接到主壁面部分2的副壁面部分3j。與溝槽的延伸方向垂直相交的壁面塊3j的每個(gè)部分的截面結(jié)構(gòu)與在第一實(shí)施例中的副壁面部分3相同。在本實(shí)施例中，壁面塊3j為第六壁面塊。
根據(jù)上述第十一實(shí)施例，類似于第五至第十實(shí)施例，也可以獲得較高的防潮性。
-第十二實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第十二實(shí)施例。圖16為示出根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第十二實(shí)施例，副壁面部分具有第一實(shí)施例的副壁面塊3d和第十一實(shí)施例的副壁面塊3j的組合而得的結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，如圖16中所示，第五實(shí)施例的壁面塊3d1和3d2被置于與第十一實(shí)施例的副壁面部分3j相同結(jié)構(gòu)的壁面部分3k1與主壁面部分2之間的方形區(qū)域中，以構(gòu)成一個(gè)副面部分3k。在本實(shí)施例中，該壁面3k1為第六壁面塊。
根據(jù)上述第12實(shí)施例，類似于第五至第十一實(shí)施例，也可以獲得較高的防潮性。
-第十三實(shí)施例-接著，將描述本發(fā)明的第十三實(shí)施例。圖17為示出根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的壁面部分的結(jié)構(gòu)的布局。
根據(jù)第十三實(shí)施例，副壁面部分具有與第十二實(shí)施例不同的結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，如圖17中所示，寬溝槽132延伸到存在于構(gòu)成第12實(shí)施例的副壁面部分3k的壁面塊3d1和3d2之間的有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118，并且進(jìn)一步延伸到壁面部分3d2的方形區(qū)域內(nèi)部。Ta膜119和金屬膜120a被嵌于溝槽132中，以構(gòu)成一個(gè)副壁面部分3m。
根據(jù)上述第13實(shí)施例，類似于第五至第十二實(shí)施例，也可以獲得較高的防潮性。
-制造半導(dǎo)體器件的方法-接著，將描述根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖18A至圖18M為按照處理次序示出制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的截面示圖。順便提及，在圖18A至圖18M中示出對(duì)應(yīng)于主壁面部分2的區(qū)域。
首先，例如通過(guò)LOCOS方法、STI方法等等，在處于晶片的狀態(tài)中的半導(dǎo)體基片101的表面上形成元件隔離絕緣膜102。然后，在集成電路部分1中形成柵絕緣膜103、柵極104、側(cè)壁絕緣膜105和源/漏擴(kuò)散層106。另外，在主壁面部分2和副壁面部分3中，與源/漏擴(kuò)散層106的形成同時(shí)有選擇地形成擴(kuò)散成106a和106b。接著，例如通過(guò)等離子體CVD方法在整個(gè)表面上形成氮化硅膜107和氧化硅膜108。氮化硅膜107和氧化硅膜108例如分別具有70納米和1000納米的厚度。接著，例如通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法平整氧化硅膜108，從而消除高度差。在平整處理之后，該氧化硅膜108的厚度例如為700納米。然后，把光刻膠201施加到氧化硅膜108上，并且光刻膠201被曝光和顯影。從而，用于在集成電路部分1中形成接觸孔以及在主壁面部分2和副壁面部分3中形成窄溝槽131和133的圖案201a形成在光刻膠201上。順便提及，對(duì)于阻值測(cè)量部分4，與元件隔離絕緣膜102的形成同時(shí)，元件隔離絕緣膜可以形成在101的表面上，覆蓋阻值測(cè)量部分4的整個(gè)表面。另外，在半導(dǎo)體基片101的表面上，元件隔離絕緣膜僅僅形成在要形成電極5a和5b的區(qū)域中。
然后，如圖18B所示，通過(guò)使用光刻膠201作掩膜，使用CF氣體對(duì)氧化硅膜108和氮化硅膜107進(jìn)行各向異性蝕刻。從而在集成電路部分1中形成接觸孔，并且窄溝槽131和133形成在主壁面部分2、副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4中。然后，除去光刻膠201，并且例如通過(guò)濺射、CVD方法等等把TiN膜109被形成在接觸孔、窄溝槽131和133以及氧化硅膜108中，作為膠層。另外，例如通過(guò)CVD方法等等在TiN膜109上形成W膜110。TiN膜109例如具有50納米的厚度，并且W膜110例如具有400納米的厚度。然后，CMP等等除去氧化硅膜108上的TiN膜109和W膜110，從而TiN膜109和W膜110僅僅被保留在接觸孔和窄溝槽130和133中。
下面描述在氧化硅膜108和氮化硅膜107的蝕刻過(guò)程中或者在光刻膠201的除去過(guò)程中對(duì)半導(dǎo)體基片101造成破壞的情況。首先，通過(guò)調(diào)節(jié)CF型氣體的C含量與F含量的比值、C含量與H含量的比值、氧氣或氬氣的流量、總氣壓、分壓比、溫度、等離子體能量、基片電勢(shì)等等這樣的處理?xiàng)l件而適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)氧化硅膜108和氮化硅膜107的蝕刻選擇比。然后，氧化硅膜108受到蝕刻。接著，通過(guò)使用氧氣進(jìn)行灰化而除去光刻膠201，然后，在不容易造成對(duì)半導(dǎo)體基片101的破壞的條件下對(duì)氮化硅膜107進(jìn)行蝕刻。
在除去不必要的TiN膜109和W膜110之后，如圖18C所示，例如通過(guò)在整個(gè)表面上進(jìn)行旋涂而施加有機(jī)絕緣膜材料。然后，例如在400度的溫度下對(duì)該有機(jī)絕緣膜材料進(jìn)行60分鐘的熱處理。從而，該有機(jī)絕緣膜材料變硬，并且形成有機(jī)絕緣膜111。另外，在有機(jī)絕緣膜111上形成氧化硅膜112。有機(jī)絕緣膜111和氧化硅膜112例如具有250納米的厚度。然后，把光刻膠202施加到氧化硅膜112上，并且該光刻膠被曝光和顯影。從而，在光刻膠202中形成圖案202a，用于在集成電路部分1中形成布線的溝槽135和在主壁面部分2、副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4中形成寬溝槽132和134。
從而，如圖18D所示，通過(guò)使用光刻膠202作為掩膜對(duì)氧化硅膜112進(jìn)行各向異性蝕刻，然后使用氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w對(duì)有機(jī)絕緣膜111進(jìn)行蝕刻。從而，在集成電路部分1中形成溝槽135，并且在主壁面部分2、副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4中形成寬溝槽132和134。在此時(shí)，與有機(jī)絕緣膜111一同除去光刻膠202，但是在其下方的氧化硅膜112受到蝕刻。接著，例如通過(guò)濺射等方法在氧化硅膜112上形成Ta膜113作為阻擋金屬膜。另外，例如通過(guò)電鍍方法等等，在Ta膜113上形成用于成為布線114的布線材料和金屬膜114a的薄膜，例如Cu膜。應(yīng)當(dāng)指出，當(dāng)通過(guò)電鍍方法形成用于布線材料的薄膜時(shí)，最好通過(guò)濺射方法在形成Ta膜113之后，形成一個(gè)種子層，以形成用布線材料的薄膜。Ta膜113例如具有30納米的厚度，并且用于布線材料的薄膜例如具有1800納米的厚度。
從而，通過(guò)CMP方法等等除去Ta膜113和用于在氧化硅膜112上的布線材料的薄膜，從而，Ta膜113和用于布線材料的薄膜僅僅被保留在溝槽135、132和134中。結(jié)果，如圖18E中所示，形成布線114和金屬膜114a。
然后，如圖18F所示，氮化硅膜115和氧化硅膜116順序地形成在整個(gè)表面上。氮化硅膜115例如具有50納米的厚度，并且氧化硅膜116具有800納米的厚度。氮化硅膜115作為一個(gè)阻蝕層和擴(kuò)散防止層。然后，例如通過(guò)CMP方法平整該氧化硅膜116，從而消除高度差。在平整處理之后，氧化硅膜116例如具有400納米的厚度。順便提及，具有大約400納米厚度的氧化硅膜116可以形成的氮化硅膜115上，以省略CMP處理。接著，有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118順序地形成在氧化硅膜116上。如上文所述，可以通過(guò)旋涂施加有機(jī)絕緣膜材料，使得該有機(jī)絕緣膜材料受到適當(dāng)?shù)臒崽幚?，并且使該有機(jī)絕緣膜材料硬化而形成有機(jī)絕緣膜117。有機(jī)絕緣膜117和氧化硅膜118例如具有250納米的厚度。
在此之后，被用作為形成溝槽的硬膜的金屬膜203形成在氧化硅膜118上。金屬膜203例如為TiN膜，并且其厚度為100納米。另外，光刻膠204被施加在金屬膜203上，并且光刻膠204被曝光和顯影。從而，用于在集成電路部分1中形成溝槽137和在主壁面部分2、副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4中形成寬溝槽132和134的圖案204a形成在光刻膠204中。
隨后，如圖18G中所示，通過(guò)使用光刻膠204作為掩膜，使用Cl型氣體對(duì)金屬膜203進(jìn)行蝕刻。從而，圖案204a轉(zhuǎn)印到金屬膜203上，以形成圖案203a。然后，通過(guò)灰化除去光刻膠204。接著，光刻膠205被施加在整個(gè)表面上，并且光刻膠205被曝光和顯影。從而，用于在集成電路部分1中形成接觸孔136和用于在主壁面部分2、副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4中形成窄溝槽131和133的圖案205a被形成在光刻膠205上。
隨后，如圖18H所示，使用光刻膠205作為掩膜對(duì)氧化硅膜118進(jìn)行蝕刻。另外，通過(guò)使用氧化硅膜118作為掩膜，使用氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w對(duì)有機(jī)絕緣膜117進(jìn)行蝕刻，從而在集成電路部分1中形成接觸孔136以及在主壁面部分2、副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4中形成窄溝槽131和133。在此時(shí)，與有機(jī)絕緣膜117一同除去光刻膠205，但是在其下方的金屬膜203和氧化硅膜118不受到蝕刻。應(yīng)當(dāng)指出，如果在金屬膜203上形成圖案203a中沒(méi)有造成偏移，則最好在蝕刻氧化硅膜118之前使用光刻膠205作為掩膜除去金屬膜203不需要部分。
隨后，如圖18I中所示，通過(guò)使用金屬膜203和有機(jī)絕緣膜117作為掩膜對(duì)氧化硅膜118和116進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，圖案203a被轉(zhuǎn)印到氧化硅膜118上，并且在氧化硅膜118和有機(jī)絕緣膜117中形成的圖案被轉(zhuǎn)印到氧化硅膜116上。在此時(shí)，氧化硅膜118的蝕刻停止于有機(jī)絕緣膜117，并且氧化硅膜116的蝕刻停止于作為阻蝕層的氮化硅膜115上。
隨著，如圖18J所示，使用金屬膜203和氧化硅膜118作為掩膜對(duì)有機(jī)絕緣膜117進(jìn)行各向異性蝕刻。然后，使用氧化硅膜118作為掩膜對(duì)氮化硅膜115進(jìn)行各向異性蝕刻。結(jié)果，接觸孔136和溝槽137被形成在集成電路部分1上，溝槽131和133形成在主壁面部分2和副壁面部分3上，并且溝槽132和134形成在阻值測(cè)量部分4上。順便提及，在氮化硅膜115的各向異性蝕刻之后，可以執(zhí)行有機(jī)絕緣膜117的各向異性蝕刻。
隨后，如圖18K所示，例如通過(guò)濺射方法把Ta膜119形成在溝槽131和135中，接觸孔136中和金屬膜203上作為阻擋金屬膜。另外，通過(guò)電鍍方法等等，把用于作為布線120的布線材料和金屬膜120a的薄膜，例如Cu膜，形成在Ta膜119上。應(yīng)當(dāng)指出，當(dāng)通過(guò)電鍍方法形成用于布線材料的薄膜時(shí)，最好在通過(guò)濺射方法形成Ta膜119之后，形成一個(gè)種子層，然后，形成用于布線材料的薄膜。Ta膜119例如具有30納米的厚度，并且用于布線材料的薄膜具有1800納米的厚度。
隨后，通過(guò)CMP方法等等除去在氧化硅膜118上金屬膜203、Ta膜119和用于布線材料的薄膜，從而Ta膜119和用于布線材料的薄膜僅僅保留在溝槽131至135中以及在接觸孔136中。結(jié)果，如圖18L所示，金屬膜120a形成在主壁面部分2、副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4中，并且布線120(未在圖18L示出)形成在集成電路部分1中。接著，氮化硅膜115再次形成在整個(gè)表面上，并且圖18F中所示的處理到圖18L中所示的處理被重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
然后，如圖18M所示，在形成最上方的基本結(jié)構(gòu)體121和121a之后，氮化硅膜122和氧化硅膜123形成在整個(gè)表面上。然后，使用形成有預(yù)定圖案的光刻膠(未示出)把溝槽131和133以及接觸孔138形成在氧化硅膜123和氮化硅膜122中。接著，在溝槽131和133、接觸孔138中和氧化硅膜123上形成阻擋金屬膜124和鋁膜125，并且阻擋金屬膜126形成在鋁膜125上。接著，阻擋金屬膜126、鋁膜125和阻擋金屬膜124被構(gòu)圖為預(yù)定形狀，氧化硅膜127形成在形狀的整個(gè)表面上。然后，氮化硅膜128形成在氧化硅膜127上，作為覆蓋膜。
隨后，開(kāi)口形成在氮化硅膜128和氧化硅膜127中的預(yù)定位置處，從而有選擇地曝露阻擋金屬膜126。另外，曝露的阻擋金屬膜126受到蝕刻，從而曝露鋁膜125。該被曝露部分變?yōu)橛糜跈z查以保證防潮性的監(jiān)視焊盤6a和6b和評(píng)估焊盤7。圖19為示出在形成焊盤之后的晶片的平面示圖，以及圖20為示出放大由圖19中的虛線所示的區(qū)域的布局。當(dāng)形成用于檢查以保證防潮性的監(jiān)視焊盤6a和6b和評(píng)估焊盤7時(shí)，存在與該晶片的外圍相距固定距離或更遠(yuǎn)的有效芯片區(qū)域(由圖19中的陰影區(qū)域所示)。然后，沿著作為相鄰的主壁面部分2之間的中線的切割線9劃分該有效芯片區(qū)域8，從而把該晶片分割為多個(gè)芯片。
因此，可以制造根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。
請(qǐng)注意，當(dāng)制造第二至第十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件時(shí)，可以改變用于形成副壁面部分3和阻值測(cè)量部分4的圖案。
-第十四實(shí)施例-在制造上述半導(dǎo)體器件的方法中，例如在光刻膠構(gòu)圖時(shí)使用一個(gè)相移掩膜，例如一個(gè)半色調(diào)型掩膜。
下面將使用圖30A和30B說(shuō)明該半色調(diào)相移掩膜。圖30A和30B為示出該相移掩膜的平面示圖和截面示圖。圖30A為平面示圖，并且圖30B為沿著圖30A的III-III線截取的截面示圖。
如圖30A和30B中所示，透明的相移掩膜402形成在透明基片400上。例如使用使透射光的相位偏移180度的相移掩膜作為相移掩膜402。
在要形成集成電路部分的集成電路區(qū)域404中，相移掩膜402具有形成在其中的接觸孔圖案407。接觸孔圖案407用于形成接觸孔。
在要形成集成電路部分外圍的外圍邊緣部分的外圍邊緣區(qū)域406中，相移掩膜402具有形成于其中的主壁面部分圖案408和副壁面部分圖案410。主壁面部分圖案408為用于形成主壁面部分2的圖案(參見(jiàn)圖1)。副壁面部分圖案410為用于形成副壁面部分3的圖案(參見(jiàn)圖1)。
在劃線區(qū)域412中，一個(gè)遮光膜414形成在相移掩膜402上。請(qǐng)注意，劃線區(qū)域412是當(dāng)使用一個(gè)分檔器順序地進(jìn)行轉(zhuǎn)印和曝光時(shí)在晶片上相互重疊的相鄰照射區(qū)域(多次曝光區(qū)域)。
如此構(gòu)成半色調(diào)相移掩膜。
半色調(diào)相移掩膜的使用導(dǎo)致通過(guò)相移掩膜402的光線與通過(guò)透射區(qū)域的光線之間具有180度的相位差，從而由于光的干涉可增加圖案邊緣附近的對(duì)比度。這樣可以形成微小的集成電路部分。
但是，在常規(guī)的半色調(diào)相移掩膜中，當(dāng)多個(gè)圖案相鄰時(shí)，有時(shí)在這些圖案附近產(chǎn)生被稱為旁瓣的不希望出現(xiàn)的異常圖案。該問(wèn)題是半色調(diào)相移掩膜所特有的。旁瓣是由于通過(guò)透明的相移掩膜所構(gòu)成的圖案的光線相互干涉所產(chǎn)生的。由于主壁面部分圖案408和副壁面部分圖案410被形成為直線，因此與接觸孔圖案407相比，曝光量較大。相應(yīng)地，在主壁面部分和副壁面部分容易出現(xiàn)旁瓣。
下面將通過(guò)圖31和圖32說(shuō)明當(dāng)使用圖30A和30B的半色調(diào)相移掩膜進(jìn)行曝光時(shí)所產(chǎn)生的旁瓣。圖31為示出一個(gè)旁瓣(No.1)的示意圖。圖32為示出一個(gè)旁瓣(No.2)的示意圖。
如圖31和圖32的箭頭所示，在具有L形圖案的部分以及具有T形圖案部分附近產(chǎn)生旁瓣。另外，有時(shí)還在具有直線形狀圖案中產(chǎn)生一個(gè)旁瓣，這未在圖中示出。
同時(shí)，日本專利公開(kāi)No.8-279452公開(kāi)一種通過(guò)形成偽開(kāi)口區(qū)域而防止旁瓣的產(chǎn)生的技術(shù)。但是，當(dāng)使用在該參考文件中描述的技術(shù)時(shí)，需要優(yōu)化每次光刻的曝光條件等等，這需要大量的工作。另外，在該參考文獻(xiàn)所述的技術(shù)中，難以避免在具有直線圖案的部分中產(chǎn)生旁瓣。
通過(guò)研究，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)使用上述結(jié)構(gòu)的相移掩膜可以制造上述半導(dǎo)體器件，并且防止出現(xiàn)旁瓣。
下面使用圖23A、圖23B、圖24A和24B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第十四實(shí)施例的相移掩膜。圖23A和23B為示出根據(jù)本發(fā)明的相移掩膜平面示圖和截面示圖。圖23A為平面示圖，圖23B為沿著圖23A的III-III截取的截面示圖。圖24A和24B為示出根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜放大示圖。圖24A和24B示出圖23A中的圓圈區(qū)域的放大示圖。圖24A為平面示圖，圖24B為沿著圖24A的III-III截取的截面示圖。盡管在圖23A和23B中省略了一部分壁面部分塊309b(參見(jiàn)圖24A和24B)，但是，在圖23A和23B中省略的壁面部分塊309b被在圖24A和24B中示出。相同的參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)被用于表示與圖1至圖22中所示的第一至第十三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法相同的構(gòu)成部件，并且將省略或簡(jiǎn)化對(duì)它們的描述。
下面將以對(duì)圖18A中所示的光刻膠201進(jìn)行構(gòu)圖所用的相移掩膜為例描述本實(shí)施例。具體來(lái)說(shuō)，以一個(gè)相移掩膜為例來(lái)說(shuō)明本實(shí)施例，該相移掩膜被用于在光刻膠201中形成圖案201a等等，以形成到達(dá)源/漏擴(kuò)散層106(參見(jiàn)圖2)的接觸孔以及到達(dá)擴(kuò)散層106a(參見(jiàn)圖3)的溝槽131(參見(jiàn)圖1)。
在本實(shí)施例中，將以用于對(duì)圖18A中所示的光刻膠201進(jìn)行構(gòu)圖的相移掩膜為例進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明的原理可以用于對(duì)例如光刻膠202(參見(jiàn)圖18C)、光刻膠204(參見(jiàn)圖18F)、光刻膠205(參見(jiàn)圖18G)這樣所有其它光刻膠進(jìn)行構(gòu)圖。
如圖23A和23B所示，一個(gè)相移膜302形成在透明基片300上。作為相移膜302的材料，例如可以使用光透射率約為4％至30％并且使光相位偏移180度的材料。更加具體來(lái)說(shuō)，作為相移膜302的材料，例如可使用MoSi(硅化鉬)等等。
在要形成集成電路部分的集成電路區(qū)域304中，即在主區(qū)域中，相移膜302具有形成于其中的接觸孔圖案307。接觸孔圖案307為用于形成上述接觸孔的圖案。
在要形成集成電路部分外圍的外圍邊緣部分的一個(gè)外圍邊緣區(qū)域306中，相移膜302具有形成于其中的主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310。主壁面部分圖案308是用于形成上述主壁面部分2(參見(jiàn)圖1)的圖案。副壁面部分圖案310是用于形成上述副壁面部分3(參見(jiàn)圖1)的圖案。
如圖24A和圖24B所示，副壁面部分圖案310包括壁面部分塊309a和壁面部分塊309b。在外側(cè)上的壁面部分塊309a整體上為L(zhǎng)形狀。在內(nèi)側(cè)上形成多個(gè)壁面部分塊309b。在內(nèi)側(cè)上的每個(gè)壁面部分塊309b的形狀近似為接觸孔圖案307的形狀。多個(gè)壁面部分塊309b整體上被排列為“方形”。順便提及，整體上排列為方形的多個(gè)壁面部分塊309b被排列為單個(gè)方形，但是整體上排列為方形的多個(gè)壁面部分塊309b的結(jié)構(gòu)不限于單個(gè)方形，并且可以是排列為二個(gè)方形或更多的方形。在外側(cè)的壁面部分塊309a連接到主壁面部分圖案308，并且副壁面部分圖案310的壁面部分塊309a相互連接為T形圖案。
在劃線區(qū)域312中，形成由Cr所構(gòu)成的遮光膜314。
遮光膜314也形成在外圍邊緣區(qū)域306中。在本實(shí)施例中也在外圍邊緣區(qū)域306中形成遮光膜314的原因在下文中描述。遮光膜314防止光線通過(guò)相移膜302，從而可以減小在外圍邊緣區(qū)域306中出現(xiàn)光的干涉。這防止在外圍邊緣區(qū)域306中出現(xiàn)旁瓣。如圖23A和23B所示，形成遮光膜314以覆蓋從副壁面部分圖案310的角向內(nèi)延伸約1微米至5微米的范圍。
在外圍邊緣區(qū)域306中形成的圖案尺寸比在集成電路區(qū)域304中形成的圖案尺寸更大。在外圍邊緣區(qū)域306中形成的圖案除了主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310之外還包括接觸孔圖案(未示出)等等。在下文中描述使外圍邊緣區(qū)域中的圖案尺寸比集成電路區(qū)域的圖案尺寸更大的理由。也就是說(shuō)，在遮光膜314不覆蓋的集成電路區(qū)域304的區(qū)域中，獲得高分電率以形成微小的開(kāi)口，另一方面，被遮光膜314所覆蓋的相移膜302的區(qū)域具有低分辨率，從而難以形成微小的開(kāi)口。結(jié)果，在作為圖像平面的晶片上，主壁面部分2(參見(jiàn)圖1)和副壁面部分3(參見(jiàn)圖1)的寬度約為0.2微米至10微米，并且集成電路部分1的接觸孔(未示出)的直徑約為0.1微米至0.3微米。請(qǐng)注意，當(dāng)減小比例為1/5時(shí)，作為圖像平面的晶片上的尺寸變?yōu)楸认嘁蒲谀ど系某叽绱?倍，并且當(dāng)減小比例為1/4時(shí)，該尺寸比相移掩膜上的尺寸大四倍。
如此構(gòu)成根據(jù)本實(shí)施例的半色調(diào)相移掩膜。
根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜的主要特征在于遮光膜314也被形成在上述外圍邊緣區(qū)域306中。
當(dāng)使用圖30A和30B中所示的相移掩膜時(shí)，光線通過(guò)相移膜302，在主壁面和副壁面部分的附近相互干涉，以在主壁面部分和副壁面部分附近產(chǎn)生旁瓣。
另一方面，在本實(shí)施例中，遮光膜314也形成在外圍邊緣區(qū)域306中，從而遮光膜314可以防止光通過(guò)外圍邊緣區(qū)域306中的相移膜302。因此，根據(jù)本實(shí)施例，可以減少在主壁面部分2和副壁面部分3附近的光線的相互干涉，以防止旁瓣的產(chǎn)生。
另外，由于在外圍邊緣區(qū)域306中形成的遮光膜314是與在劃線區(qū)域312中形成的遮光膜314相同的薄膜，因此可以制造該相移掩膜而不增加制造的步驟數(shù)。
-第十五實(shí)施例-下面將使用圖25A至25C、圖26A和26B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第十五實(shí)施例的相移掩膜。圖25A至25C為示出根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜的平面示圖和截面示圖。圖25A為平面示圖，圖25B為沿著圖25A中的III-III線截取的截面示圖，以及圖25C為沿著圖25A中的IV-IV線截取的截面示圖。圖26A和26B為示出根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜放大示圖。圖26A和26B示出圖25A中的圓圈部分的放大示圖。圖26A為平面示圖，以及圖26B為沿著圖26A的III-III線截取的截面示圖。盡管在圖25A和25C中省略一部分壁面部分塊圖案309b(參見(jiàn)圖26A和26B)，但是在圖25A至25C中省略的壁面部分塊圖案309b在圖26A和26B中示出。另外，盡管在圖25A至圖25C中省略一部分接觸孔圖案316(參見(jiàn)圖26A和26B)，但是在圖25A至25C中省略的接觸孔圖案316在圖26A和26B中示出。相同的參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)被用于表示與圖1至圖24B中所示的第一至第十四實(shí)施例相同的半導(dǎo)體器件、其制造方法以及相移掩膜，并且將省略和簡(jiǎn)化對(duì)它們的描述。
根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜的主要特征在于遮光膜314僅僅被有選擇地形成在主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310附近。
如圖25A至25C中所示，遮光膜314僅僅被有選擇地形成在主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310附近的外圍邊緣區(qū)域306中。遮光膜314被形成為從主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310的邊緣向內(nèi)約1微米至約5微米的范圍。
應(yīng)當(dāng)指出，形成遮光膜314的范圍不限于從主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310的邊緣向內(nèi)1微米至5微米的范圍。形成遮光膜314的范圍可以被適當(dāng)?shù)卦O(shè)置為能夠防止旁瓣產(chǎn)生的范圍。
除了主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310附近之外，遮光膜314不形成在外圍邊緣區(qū)域306的區(qū)域中。
如圖26A和圖26B所示，接觸孔圖案316形成在沒(méi)有形成遮光膜314的外圍邊緣區(qū)域306的區(qū)域中。接觸孔圖案316被構(gòu)圖，被用于形成到達(dá)MOS的源/漏擴(kuò)散成的接觸孔(未示出)。
類似于上文所述，遮光膜314形成在劃線區(qū)域312中。
根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜的主要特征在于遮光膜314僅僅形成在主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310附近的相移膜302上。
在根據(jù)第十四實(shí)施例的相移掩膜中，遮光膜314形成在整個(gè)外圍邊緣區(qū)域306上。由于在形成遮光膜314的區(qū)域中的分辨率較低，因此當(dāng)使用第十四實(shí)施例的相移掩膜時(shí)，不能夠在外圍邊緣部分內(nèi)形成微小的接觸孔。相應(yīng)地，當(dāng)使用根據(jù)第十四實(shí)施例的相移掩膜時(shí)，不能夠形成微小的MOS晶體管。
在另一方面，在本實(shí)施例中，遮光膜314僅僅被形成在外圍區(qū)域中的主壁面部分圖案308和副壁面部分圖案310的附近。因此，根據(jù)本實(shí)施例，可以在不形成遮光膜314的外圍邊緣區(qū)域306中獲得高分辨率。從而，根據(jù)本實(shí)施例，還可在外圍邊緣部分中形成微小的接觸孔。因此，根據(jù)本實(shí)施例，還可以在外圍邊緣部分形成例如MOS晶體管這樣的微小元件。根據(jù)本實(shí)施例，可以保證用于形成例如MOS晶體管這樣的微小元件的寬區(qū)域，這可有助于減小芯片尺寸。
-第十六實(shí)施例-下面將使用圖27A和27B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第十六實(shí)施例的相移掩膜。圖27A和27B示出根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜平面示圖和截面示圖。相同的參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)被用于表示與圖1至圖26B中所示的第一至第十五實(shí)施例相同的半導(dǎo)體器件、其制造方法以及相移掩膜，并且將省略和簡(jiǎn)化對(duì)它們的描述。
根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜的主要特征在于遮光膜314不形成在外圍邊緣區(qū)域306中，使得主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a不具有直角而具有鈍角，并且主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a被形成為相互隔離。
如圖27A和27B中所示，在本實(shí)施例中，遮光膜314不被形成在外圍邊緣區(qū)域306中。
主壁面部分圖案308a的邊角部分不是直角而是鈍角。具體來(lái)說(shuō)，主壁面部分圖案308a的邊角部分的夾角為135度。
副壁面部分圖案310a由壁面部分塊圖案309c和壁面部分塊圖案309b所構(gòu)成。壁面部分塊圖案309c的邊角部分不是直角而是鈍角。具體來(lái)說(shuō)，壁面部分圖案309c的邊角部分的夾角為135度。
在本實(shí)施例中，主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a不具有直角而具有鈍角的原因是要消除具有L形圖案的部分，以防止旁瓣的產(chǎn)生。
應(yīng)當(dāng)指出，盡管在此把主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a的邊角部分的夾角設(shè)置為135度，但是它不限于135度。當(dāng)邊角部分的夾角變鈍時(shí)，可以在一定程度上減小旁瓣的產(chǎn)生。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)該邊角部分的夾角為100度或更大時(shí)，可以有效地減小旁瓣的產(chǎn)生。當(dāng)邊角部分的夾角為110度或更大時(shí)，可以更加有效地減少旁瓣的產(chǎn)生。另外，當(dāng)邊角部分的夾角為120度或更大時(shí)，可以進(jìn)一步減少旁瓣的產(chǎn)生。
主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a被形成為相互分離。
在本實(shí)施例中，主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a相互分離的原因是要消除具有T形圖案的部分，以防止旁瓣的產(chǎn)生。
從而，根據(jù)本實(shí)施例，由于主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a的邊角部分不是直角而是鈍角，另外主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a被形成為相互分離，因此即使當(dāng)遮光膜314不形成在主壁面部分圖案308a和副壁面部分圖案310a附近時(shí)，也可以防止在主壁面部分2和副壁面部分3附近產(chǎn)生旁瓣。
-第十七實(shí)施例-下面將使用圖28A和28B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第十七實(shí)施例的相移掩膜。圖28A和28B示出根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜平面示圖和截面示圖。圖28A為平面示圖，以及圖28B為沿著圖28A的III-III線截取的截面。相同的參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)被用于表示與圖1至圖27B中所示的第一至第十六實(shí)施例相同的半導(dǎo)體器件、其制造方法以及相移掩膜，并且將省略和簡(jiǎn)化對(duì)它們的描述。
根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜的主要特征在于副壁面部分圖案310b由相互隔離的多個(gè)壁面部分塊圖案309b、309d、309e所構(gòu)成。
如圖28A和28B中，副壁面部分圖案310b由相互隔離的多個(gè)壁面部分塊圖案309b、309d、309e所構(gòu)成。每個(gè)壁面部分塊圖案309d、309e形成為直線形狀。
在本實(shí)施例中如此形成副壁面部分圖案310b和原因是為了有效地避免在副壁面部分圖案310b的邊角部分中產(chǎn)生旁瓣。
因此，根據(jù)本實(shí)施例，由于副壁面部分圖案310b由相互隔離的多個(gè)壁面部分塊圖案309b、309d、309e所構(gòu)成，因此可以形成沒(méi)有任何邊角部分的副壁面部分圖案310b。因此，根據(jù)本實(shí)施例，可以更加有效地防止旁瓣的產(chǎn)生。
-第十八實(shí)施例-下面將使用圖29A和29B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第十八實(shí)施例的相移掩膜。圖29A和29B示出根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜平面示圖和截面示圖。圖29A為平面示圖，以及圖29B為沿著圖29A的III-III線截取的截面。相同的參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)被用于表示與圖1至圖28B中所示的第一至第十七實(shí)施例相同的半導(dǎo)體器件、其制造方法以及相移掩膜，并且將省略和簡(jiǎn)化對(duì)它們的描述。
根據(jù)本實(shí)施例的相移掩膜的主要特征在于不但形成在內(nèi)側(cè)的壁面部分塊圖案309b而且形成在外側(cè)的壁面部分塊圖案309f被形成為點(diǎn)狀。
如圖29A和29B中，副壁面部分圖案310c由點(diǎn)狀壁面部分塊圖案309f和點(diǎn)狀壁面部分塊圖案309b所構(gòu)成。形成多個(gè)壁面部分塊圖案309f。壁面部分塊圖案309f整體上被排列為L(zhǎng)形狀。壁面部分塊圖案309b與上文所述類似地排列為方形。與壁面部分塊圖案309b相類似，壁面部分塊圖案309f具有近似于接觸孔圖案316的形狀。
根據(jù)本實(shí)施例，由于可以消除具有L形狀圖案和T形狀圖案的部分，因此可以防止旁瓣的產(chǎn)生。
-變型-本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，并且可以作出各種變型。
例如，構(gòu)成阻值測(cè)量部分的梳狀電極的位置和圖案沒(méi)有特別的限制。例如，它們可以被設(shè)置為把副壁面部分夾在主壁面部分與它們之間的位置處，從而由主壁面部分包圍該副壁面部分。另外，根據(jù)本發(fā)明，不需要提供該阻值測(cè)量部分。另外，可以使副壁面部分作為該阻值測(cè)量部分。在這種情況中，例如副壁面部分被形成為包括一對(duì)電極，并且用于提供來(lái)自外部的信號(hào)的焊盤可以被提供到該對(duì)電極的每個(gè)電極上。但是，在電連接到該焊盤的副壁面部分內(nèi)的金屬膜需要與該基片和主壁面部分相絕緣。
另外，盡管根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的平面形狀沒(méi)有特別的限制，但是為了方便生產(chǎn)，最好使用例如矩形這樣的多邊形。在這種情況中，最好把側(cè)壁部分設(shè)置在多邊形的頂點(diǎn)和集成電路部分之間。這是因?yàn)閼?yīng)力容易集中在多邊形的頂點(diǎn)上。
另外，對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的主壁面部分和副壁面部分的疊層結(jié)構(gòu)，寬溝槽和窄溝槽不一定在該平面示圖中的相同位置處。例如，如圖21中所示，可以構(gòu)造為使得窄溝槽在平面示圖中交替地處于相同的位置處。
另外，上述第一至第十三實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)亟M合。
另外，在上述第一至第十三實(shí)施例中，如圖22中所示，在副壁面部分3n中的溝槽131的一部分可以由與集成電路部分1中的接觸孔相同的接觸孔139所代替。圖22為示出當(dāng)對(duì)圖16中所示的第十二實(shí)施例進(jìn)行替換時(shí)的結(jié)構(gòu)的平面示圖。
另外，一部分有機(jī)絕緣膜可以由銅層所代替。
另外，在上述實(shí)施例中，遮光膜被形成在主壁面部分圖案和副壁面部分圖案的附近，但是遮光膜不一定總是形成在主壁面部分圖案和副壁面部分圖案兩者的附近。例如，遮光膜可以僅僅形成在主壁面部分圖案附近。
另外，在上述實(shí)施例中，遮光膜被形成在主壁面部分圖案和副壁面部分圖案附近的所有區(qū)域上，但是遮光膜可以僅僅形成在主壁面部分圖案和副壁面部分圖案附近的一部分區(qū)域上。換句話說(shuō)，遮光膜可以僅僅形成在容易產(chǎn)生旁瓣的位置處。例如，遮光膜可以被有選擇地僅僅形成在具有L形圖案和具有T形圖案的位置的附近。
另外，在上述實(shí)施例中，已經(jīng)描述避免在主壁面部分和副壁面部分附近產(chǎn)生旁瓣的例子，但是本發(fā)明可應(yīng)用于防止在不限于主壁面部分和副壁面部分附近的任何位置產(chǎn)生旁瓣的情況。例如，本發(fā)明可用于防止在熔絲圖案附近產(chǎn)生旁瓣的情況。
另外，在上述實(shí)施例中，壁面部分塊圖案309b形成為點(diǎn)狀，但是壁面部分塊圖案309b的形狀不限于點(diǎn)狀，例如可以是直線形狀。
如上文所述，根據(jù)本發(fā)明，由于應(yīng)力容易在具有副壁面部分的區(qū)域附近分散，因此不容易造成層面之間的剝離和裂紋。因此，隨著裂紋的出現(xiàn)率被極大地降低，因此可以防止潮氣進(jìn)入，以保證極高的防潮性。另外，可以避免用于形成這種結(jié)構(gòu)的處理步驟數(shù)目增加。另外，通過(guò)把主壁面部分和副壁面部分相互連接，可以防止裂紋的進(jìn)一步發(fā)展和潮氣的入侵。
另外，根據(jù)本發(fā)明，由于在相移掩膜中，遮光膜被形成在要形成外圍邊緣部分的外圍邊緣區(qū)域中，因此遮光膜可以防止光線通過(guò)外圍邊緣區(qū)域中的相移掩膜。從而，根據(jù)本發(fā)明，可以減少主壁面部分和副壁面部分附近的光線的相互干涉，以防止旁瓣的產(chǎn)生。
上述實(shí)施例被認(rèn)為是說(shuō)明性而非限制性的，并且可以在權(quán)利要求的等價(jià)表述的范圍內(nèi)作出所有改變。本發(fā)明可以體現(xiàn)在其它具體的形式中，而不脫離其精神實(shí)質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種相移掩膜，其中包括形成在透明基片上的相移膜；以及形成在該透明基片的劃線區(qū)域中的遮光膜的相移掩膜，其中由所述劃線區(qū)域所包圍的區(qū)域包括要形成集成電路部分的集成電路區(qū)域，以及要形成在所述集成電路部分的外圍的外圍邊緣部分的外圍邊緣區(qū)域，以及所述遮光膜至少形成在一部分所述外圍邊緣區(qū)域和所述集成電路區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩膜，其中所述外圍邊緣部分包括用于形成包圍所述集成電路部分的主壁面部分的主壁面部分圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相移掩膜，其中所述遮光膜僅僅形成在所述外圍邊緣區(qū)域中的所述主壁面部分附近。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩膜，其中所述外圍邊緣部分包括用于形成在所述集成電路部分和所述主壁面部分之間的副壁面部分的副壁面部分圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的相移掩膜，其中所述遮光膜僅僅形成在所述外圍邊緣區(qū)域中的所述主壁面部分圖案和所述副壁面部分圖案的附近。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩膜，其中用于形成接觸孔的接觸孔圖案被形成在不形成所述遮光膜的區(qū)域中的所述相移掩膜中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的相移掩膜，其中所述接觸孔圖案是用于形成到達(dá)晶體管的源/漏區(qū)的接觸孔的圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩膜，其中在形成所述遮光膜的區(qū)域中的所述相移膜中形成的圖案尺寸被設(shè)置為比不形成所述遮光膜的區(qū)域中的所述相移膜中形成的圖案尺寸更大。
9.一種相移掩膜，其中包括相移膜，其具有用于形成集成電路部分的集成電路圖案，以及用于形成被形成為包圍所述集成電路部分的主壁面部分的主壁面部分圖案，其中所述主壁面部分圖案的邊角部分的夾角為100度或更大。
10.一種相移掩膜，其中包括相移膜，其具有用于形成集成電路部分的集成電路圖案、用于形成被形成為包圍所述集成電路部分的主壁面部分的主壁面部分圖案、以及用于形成被形成在所述集成電路部分和所述主壁面部分之間的副壁面部分的副壁面部分圖案，其中所述副壁面部分圖案的邊角部分的夾角為100度或更大。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的相移掩膜，其中所述主壁面部分和所述副壁面部分相互隔離。
12.一種相移掩膜，其中包括相移膜，其具有用于形成集成電路部分的集成電路圖案、用于形成被形成為包圍所述集成電路部分的主壁面部分的主壁面部分圖案、以及用于形成被形成在所述集成電路部分和所述主壁面部分之間的副壁面部分的副壁面部分圖案，其中所述副壁面部分圖案包括多個(gè)直線壁面部分塊圖案。
13.一種相移掩膜，其中包括相移膜，其具有用于形成集成電路部分的集成電路圖案、用于形成被形成為包圍所述集成電路部分的主壁面部分的主壁面部分圖案、以及用于形成被形成在所述集成電路部分和所述主壁面部分之間的副壁面部分的副壁面部分圖案，其中所述副壁面部分圖案包括多個(gè)點(diǎn)狀壁面部分塊圖案。
全文摘要
提供一種相移掩膜，其中包括形成在透明基片上的相移膜；以及形成在該透明基片的劃線區(qū)域中的遮光膜的相移掩膜，其中由所述劃線區(qū)域所包圍的區(qū)域包括要形成集成電路部分的集成電路區(qū)域，以及要形成在所述集成電路部分的外圍的外圍邊緣部分的外圍邊緣區(qū)域，以及所述遮光膜至少形成在一部分所述外圍邊緣區(qū)域和所述集成電路區(qū)域中。該相移掩膜用于制造具有防潮性能的半導(dǎo)體器件。
文檔編號(hào)H01L21/822GK1800972SQ20051012856
公開(kāi)日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2003年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月15日
發(fā)明者渡邊健一, 河野通有, 難波浩司, 助川和雄, 長(zhǎng)谷川巧, 澤田豐治, 三谷純一 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社