專利名稱：用于利用柵階梯化非對(duì)稱凹陷制作半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制作半導(dǎo)體器件的方法；并更為具體地，涉及一種用于使用柵階梯化(step gated)非對(duì)稱凹陷(STAR)工藝制作半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，由于在亞100nm水平的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的制作期間形成的短溝道，刷新特性被惡化。為克服這一限制，引入了柵階梯化非對(duì)稱凹陷(STAR)技術(shù)。STAR技術(shù)指的是使有源區(qū)的一部分凹陷至數(shù)十個(gè)納米，并使柵的一部分在該凹陷之上延伸。
圖1A至1D是橫截面圖，圖示了用于使用STAR工藝制作半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法。圖1A和圖1C示出具有低有效場(chǎng)氧化物高度(EFH)的襯底結(jié)構(gòu)，圖1B和圖1D示出具有高EFH的襯底結(jié)構(gòu)。
如圖1A和1B中所示，使用淺溝槽隔離(STI)工藝將器件隔離區(qū)12形成在襯底11的預(yù)定部分中。
隨后，將有機(jī)底抗反射涂層13形成在襯底11和器件隔離區(qū)12之上。雖然未示出，但將光致抗蝕劑層形成在有機(jī)底抗反射涂層13之上。然后執(zhí)行曝光和顯影工藝來(lái)圖案化光致抗蝕劑層以形成STAR掩模14。將STAR掩模14用作蝕刻阻擋來(lái)蝕刻有機(jī)底抗反射涂層13的部分。
如圖1C和1D中所示，對(duì)襯底11的預(yù)定部分進(jìn)行蝕刻，以形成凹陷有源區(qū)15A和15B。
在上述常規(guī)技術(shù)中，為更容易的STAR掩模14的圖案化工藝，引入有機(jī)底抗反射涂層13；形成凹陷有源區(qū)15A和15B；并將用于測(cè)量凹陷有源區(qū)15A和15B的深度的測(cè)試圖案15C和15D形成在外圍電路區(qū)中。即，因?yàn)闇y(cè)量在單元區(qū)中的凹陷有源區(qū)15A和15B的深度通常是困難的，將測(cè)試圖案15C和15D形成在外圍電路區(qū)中，以監(jiān)視STAR圖案的深度，該圖案即為凹陷有源區(qū)15A和15B。
但是，在常規(guī)技術(shù)中，如果產(chǎn)生在襯底11和單個(gè)器件隔離區(qū)12之間的EFH的差，則將有機(jī)底抗反射涂層13蝕刻為不同厚度。從而，凹陷有源區(qū)15A和15B的深度變得不同。即具有低EFH(或EFH1)的凹陷有源區(qū)15A的深度STAR1比具有高EFH(或EFH2)的凹陷有源區(qū)15B的深度STAR2形成得更深。如果在凹陷有源區(qū)形成期間蝕刻了400的蝕刻目標(biāo)‘T’，關(guān)于在晶片內(nèi)的EFH的差，觀測(cè)到在凹陷有源區(qū)15A和15B之間的最大深度差為103。由此，由于EFH改變，凹陷有源區(qū)的深度改變。
例如，如果EFH的差為100，從晶片到晶片以及從批次到批次的EFH的差為100。由此，可能難以獲得凹陷有源區(qū)的深度均勻性。
從而，凹陷有源區(qū)的深度均勻性的缺陷可產(chǎn)生硅蝕刻損失的差別，并由此增加了關(guān)于晶片內(nèi)的刷新、電阻和單元閾值電壓的波動(dòng)。即，由于EFH在有源區(qū)和器件隔離區(qū)之間的差，不能獲得凹陷有源區(qū)的深度均勻性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于制作具有柵階梯化非對(duì)稱凹陷(STAR)柵的半導(dǎo)體器件的方法，該柵階梯化非對(duì)稱凹陷(STAR)柵能確保凹陷有源區(qū)的深度均勻性，而與在STAR工藝期間在晶片(或襯底)內(nèi)產(chǎn)生的EFH差無(wú)關(guān)。
在一個(gè)實(shí)施例中，用于制作半導(dǎo)體器件的方法包括將有機(jī)底抗反射涂(BARC)層形成在襯底之上；將圖案化掩模形成在有機(jī)BARC層之上，該圖案化掩模暴露出有機(jī)BARC層的所選部分；使用具有對(duì)襯底的高選擇性的蝕刻氣體來(lái)蝕刻有機(jī)BARC層的暴露部分，直到在有機(jī)BARC層的暴露部分之下的襯底基本暴露；蝕刻襯底的暴露部分以形成多個(gè)凹陷有源區(qū)；去除掩模和有機(jī)BARC層以暴露由凹陷有源區(qū)限定的多個(gè)突起有源區(qū)；將柵絕緣層形成在凹陷有源區(qū)和突起有源區(qū)之上；以及將非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)的柵形成在柵絕緣層之上，每個(gè)柵在對(duì)應(yīng)的凹陷有源區(qū)和對(duì)應(yīng)的突起有源區(qū)之上延伸。
在另一個(gè)實(shí)施例中，用于制作半導(dǎo)體器件的方法包括將有機(jī)底抗反射涂(BARC)層形成在襯底的第一部分和多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)之上，第一隔離結(jié)構(gòu)具有第一有效場(chǎng)氧化物高度(EFH)，EFH為在給出的隔離結(jié)構(gòu)和襯底之間的高度差。將圖案化掩模形成在有機(jī)BARC層之上，圖案化掩模具有多個(gè)開(kāi)口以暴露有機(jī)BARC層的所選部分。使用具有對(duì)襯底和第一隔離結(jié)構(gòu)具有高選擇性的蝕刻氣體來(lái)蝕刻有機(jī)BARC層的暴露部分，直到將直接提供在掩模開(kāi)口下的有機(jī)BARC層的部分基本去除，以暴露襯底的第一部分和第一隔離結(jié)構(gòu)。蝕刻襯底的第一部分和第一隔離結(jié)構(gòu)以形成多個(gè)第一凹陷有源區(qū)，襯底被蝕刻到第一目標(biāo)的深度。將掩模和有機(jī)BARC層去除以暴露由第一凹陷有源區(qū)限定的多個(gè)突起有源區(qū)。將柵絕緣層形成在第一凹陷有源區(qū)和突起有源區(qū)之上。將非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)的柵形成在柵絕緣層之上，每個(gè)柵在對(duì)應(yīng)的第一凹陷有源區(qū)和對(duì)應(yīng)的突起有源區(qū)之上延伸。
將有機(jī)BARC層提供在襯底的第二部分和多個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)之上，第二隔離結(jié)構(gòu)具有第二EFH，其中蝕刻有機(jī)BARC層以暴露襯底的第二部分和第二隔離結(jié)構(gòu)。將暴露的襯底的第二部分蝕刻到基本上和第一目標(biāo)深度相等的第二目標(biāo)深度，其中襯底的第一部分、第一隔離結(jié)構(gòu)、襯底的第二部分以及第二隔離結(jié)構(gòu)同時(shí)蝕刻。


圖1A至1D是圖示出用于使用柵階梯化非對(duì)稱凹陷(STAR)工藝制作半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)方法的橫截面圖；圖2A至2H是圖示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特定實(shí)施例的用于制作半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖；
圖3A是圖示出典型類型的STAR圖案的深度的圖；圖3B是圖示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特定實(shí)施例的STAR圖案的深度的圖；以及圖4示出了晶片映射，圖示出典型STAR圖案和根據(jù)本發(fā)明的STAR圖案的深度。
具體實(shí)施例方式
將參考附圖詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明特定實(shí)施例的用于利用柵階梯化非對(duì)稱凹陷制作半導(dǎo)體器件的方法。
圖2A至2H是圖示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特定實(shí)施例的用于制作半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖。圖2A、2C、2E和2G示出具有低有效場(chǎng)氧化物高度(EFH)的襯底結(jié)構(gòu)，而圖2B、2D、2F和2H示出具有高EFH的襯底結(jié)構(gòu)。
如圖2A和2B中所示，使用淺溝槽隔離(STI)工藝將器件隔離結(jié)構(gòu)22形成在襯底21的預(yù)定部分中。
隨后，將在光掩模工藝中使用的有機(jī)底抗反射涂(BARC)層23形成在襯底21和器件隔離結(jié)構(gòu)(或隔離結(jié)構(gòu))22之上。這時(shí)，將有機(jī)BARC層23形成為范圍從約100到約900的厚度。即使在圖2A和2B中的襯底結(jié)構(gòu)具有不同的EFH(即，EFH1不同于EFH2)，有機(jī)BARC層23的厚度D1和D2基本相同。但是，厚度D3和D4不同。對(duì)具有低EFH和高EFH的襯底結(jié)構(gòu)，厚度D1和D2分別是從BARC層的上表面到襯底21的上表面的BARC層23的厚度。對(duì)具有低EFH和高EFH的襯底結(jié)構(gòu)，厚度D3和D4分別是從BARC層的上表面到器件隔離結(jié)構(gòu)22的上表面的BARC層23的厚度。
如圖2C和圖2D中所示，將光致抗蝕劑層形成在有機(jī)BARC層23之上，并執(zhí)行曝光和顯影工藝來(lái)圖案化光致抗蝕劑層，由此形成具有暴露BARC層23所選部分的開(kāi)口的STAR掩模24。使用STAR掩模24蝕刻這些有機(jī)BARC層23的暴露部分。
有機(jī)BARC層23包括有機(jī)材料，并涂在襯底21和器件隔離結(jié)構(gòu)22之上。由此，有機(jī)BARC層23提供有平坦上表面，而不受下面結(jié)構(gòu)的拓?fù)涞挠绊?。因此，如果器件隔離結(jié)構(gòu)22形成為具有高EFH，則將有源區(qū)形成在襯底21上，即有源區(qū)遠(yuǎn)低于器件隔離結(jié)構(gòu)22。這里，隨著器件隔離結(jié)構(gòu)22的高度增加，形成在單個(gè)器件隔離結(jié)構(gòu)22的頂表面和襯底21的頂表面之間的有機(jī)BARC層23的厚度變大。如果有機(jī)BARC層23根據(jù)上述條件進(jìn)行蝕刻，在監(jiān)視區(qū)(即，外圍電路區(qū))和單元區(qū)之間產(chǎn)生大的深度差。
由此，有機(jī)BARC層23利用對(duì)硅和氧化物的高選擇性進(jìn)行蝕刻，所述材料分別用于襯底21和器件隔離區(qū)22。因此，由于使用的蝕刻配方具有對(duì)硅和氧化物的高選擇性，有機(jī)BARC層23可在單元區(qū)和外圍電路區(qū)進(jìn)行蝕刻，而無(wú)需擔(dān)心對(duì)襯底21或器件隔離結(jié)構(gòu)22的過(guò)蝕刻和去除過(guò)多。可執(zhí)行類似的蝕刻工藝，而無(wú)需擔(dān)心器件隔離結(jié)構(gòu)22的高度差(即，EFH的差)。隨后形成的SRAR圖案可容易地提供有均勻的深度。
在BARC層蝕刻步驟期間用來(lái)增加有機(jī)BARC層23和下部結(jié)構(gòu)的選擇性的蝕刻氣體的實(shí)例為包括氮?dú)?N2)和氧氣(O2)的氣體混合物，以及包括氮?dú)?N2)、氧氣(O2)和一氧化碳(CO)的氣體混合物。在一個(gè)實(shí)施方式中，N2以約20sccm至約40sccm流進(jìn)工藝室(未表示)。在氣體混合物中N2與O2的比率在約1∶1到約3∶1的范圍中。如果氣體混合物包括CO，N2與CO的比率在約1∶1到約1∶2的范圍中，并且N2與O2的比率在約1∶1到約3∶1的范圍中，且N2以約10sccm至約30sccm流進(jìn)工藝室。
如果在上述條件下蝕刻有機(jī)BARC層23，有機(jī)BARC層23關(guān)于下部結(jié)構(gòu)的選擇性變得高于20∶1。例如，有機(jī)BARC層23對(duì)器件隔離結(jié)構(gòu)22的蝕刻選擇性為約25.1∶1，而有機(jī)BARC層23對(duì)襯底21的蝕刻選擇性為約25∶1。在本實(shí)施方式中，有機(jī)BARC層23對(duì)下部結(jié)構(gòu)的選擇性控制在約20∶1到約30∶1的范圍內(nèi)。這樣能使有機(jī)BARC層23完全被蝕刻掉(或基本去除)，直到下部結(jié)構(gòu)被暴露而不引起下部結(jié)構(gòu)的顯著去除。從而，能與在襯底上的EFH差無(wú)關(guān)地執(zhí)行上述BARC層蝕刻步驟。
在本實(shí)施例中，使用等離子體蝕刻工藝來(lái)蝕刻有機(jī)BARC層23，等離子體蝕刻工藝使用的等離子體源從由感應(yīng)耦合等離子體(ICP)、變壓耦合等離子體(transformer coupled plasma)(TCP)、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、磁增強(qiáng)RIE(MERIE)、微波以及電子回旋共振(ECR)組成的組。這里，等離子體源的功率控制在約100W至約300W的范圍。使用從約10mTorr到約50mTorr的中低室壓。
參考圖2E和2F，在BARC層蝕刻后，器件隔離結(jié)構(gòu)22和襯底21的暴露部分蝕刻到預(yù)定深度，以在低和高EFH區(qū)處分別形成凹陷有源區(qū)25A和25B。因?yàn)榘枷萦性磪^(qū)25A和25B形成在凹陷結(jié)構(gòu)中，這種工藝稱作“STAR蝕刻工藝”。這里凹陷有源區(qū)25A和25B形成在單元區(qū)中，而測(cè)試圖案25C和25D形成在外圍電路區(qū)中，以測(cè)量凹陷有源區(qū)25A和25B的深度。因?yàn)殡y以測(cè)量在單元區(qū)中凹陷有源區(qū)25A和25B的深度，所以形成測(cè)試圖案25C和25D以監(jiān)視凹陷有源區(qū)25A和25B的深度。
在STAR蝕刻工藝期間，由于有機(jī)BARC層23被完全蝕刻掉(或近似這樣)，而與在襯底上的EFH差無(wú)關(guān)，襯底21在低和高EFH區(qū)處基本上能被蝕刻到相同的目標(biāo)厚度，從而使低EFH區(qū)的目標(biāo)厚度T1基本上和高EFH區(qū)的目標(biāo)厚度T2相同。由此，凹陷有源區(qū)25A和25B在晶片的所有區(qū)中具有基本相同的深度。通過(guò)采用溴化氫(HBr)、氯氣(Cl2)和氧氣(O2)的氣體混合物蝕刻襯底21以形成凹陷有源區(qū)25A和25B。
例如，如果凹陷有源區(qū)25A和25B的蝕刻目標(biāo)厚度約400，因?yàn)閮H襯底21被蝕刻，根據(jù)本實(shí)施例凹陷有源區(qū)25A和25B能提供有基本均勻的深度。但是，在常規(guī)STAR蝕刻工藝期間，因?yàn)槲g刻目標(biāo)厚度包括在蝕刻BARC層13后留在襯底上的有機(jī)BARC層13的厚度，所以難以將襯底的不同區(qū)蝕刻到基本相同的深度。留下的BARC層13在低和高EFH區(qū)處具有不同的厚度。
參考圖2G和圖2H，在凹陷有源區(qū)25A和25B形成后，STAR掩模24和有機(jī)BARC層23被剝?nèi)?。突起有源區(qū)25E和25F由凹陷有源區(qū)25A和25B限定。
將柵絕緣層26形成在STAR掩模24和有機(jī)BARC23去除后獲得的襯底結(jié)構(gòu)之上。然后，將非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)的柵27形成在柵絕緣層26之上，每個(gè)非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)的柵27在對(duì)應(yīng)凹陷有源區(qū)25A或25B和對(duì)應(yīng)突起有源區(qū)25E或25F之上延伸。這種形成非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)柵27的工藝稱作STAR工藝。
圖3A是圖示出根據(jù)傳統(tǒng)方法形成的凹陷有源區(qū)的深度的圖，而圖3B是圖示出根據(jù)本實(shí)施例的凹陷有源區(qū)的深度的圖。圖4示出了圖示出根據(jù)傳統(tǒng)方法的凹陷有源區(qū)的深度(在左邊示出)和根據(jù)本實(shí)施例的凹陷有源區(qū)的深度(在右邊示出)的晶片映射。
如圖示，根據(jù)傳統(tǒng)方法的凹陷有源區(qū)示出約103.1的最大深度差；而根據(jù)本實(shí)施例的凹陷有源區(qū)示出更小的約66.9的最大深度差。
根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)施例，通過(guò)利用對(duì)在BARC層之下的材料的高選擇性來(lái)執(zhí)行對(duì)有機(jī)BARC層的蝕刻，能將STAR圖案的臨界尺度和深度更均勻地形成在晶片的全部區(qū)之上。由此，能最小化電特性即刷新、電阻以及單元閾值電壓的波動(dòng)，帶來(lái)了器件提高的可靠性。
本申請(qǐng)包含涉及于2005年6月30日在韓國(guó)專利局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.KR2005-58146的主題內(nèi)容，其通過(guò)引用合并與此。
雖然已關(guān)于某些特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是，在不離開(kāi)在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種用于制作半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將有機(jī)底抗反射涂(BARC)層形成在襯底之上；將圖案化掩模形成在所述有機(jī)BARC層之上，所述圖案化掩模暴露出所述有機(jī)BARC層的所選部分；使用對(duì)所述襯底具有高選擇性的蝕刻氣體來(lái)蝕刻所述有機(jī)BARC層的暴露部分，直到在所述有機(jī)BARC層的暴露部分之下的襯底基本暴露；蝕刻所述襯底的暴露部分以形成多個(gè)凹陷有源區(qū)；去除所述掩模和所述有機(jī)BARC層以暴露由所述凹陷有源區(qū)限定的多個(gè)突起有源區(qū)；將柵絕緣層形成在所述凹陷有源區(qū)和所述突起有源區(qū)之上；以及將非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)的柵形成在所述柵絕緣層之上，每個(gè)柵在對(duì)應(yīng)的凹陷有源區(qū)和對(duì)應(yīng)的突起有源區(qū)之上延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述有機(jī)BARC層的蝕刻包括將所述有機(jī)BARC層對(duì)襯底的選擇性設(shè)定在約20∶1至約30∶1的范圍中，并且所述襯底主要包括硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述蝕刻氣體包括氮?dú)?N2)和氧氣(O2)，且所述襯底主要包括硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中在所述蝕刻氣體中的N2和O2的比率范圍從約1∶1到約3∶1。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中N2的流速范圍從約20sccm到約40sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述蝕刻氣體包括N2和O2以及一氧化碳(CO)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中N2對(duì)CO的比率范圍從約1∶1到約1∶2。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中N2對(duì)O2的比率范圍從約1∶1到約3∶1。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中N2的流速范圍從約10sccm到約30sccm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中N2的流速?gòu)募s10sccm變化到約30sccm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中對(duì)所述有機(jī)BARC層的蝕刻通過(guò)采用等離子體蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行，使用的等離子體源從由感應(yīng)耦合等離子體(ICP)、變壓耦合等離子體(TCP)、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、磁增強(qiáng)RIE(MERIE)、微波以及電子回旋共振(ECR)組成的組中選擇。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述等離子體蝕刻工藝包括使用范圍從約100W到約300W的等離子體源功率。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述等離子體蝕刻工藝包括使用范圍從約10mTorr到約50mTorr的中低室壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述襯底包括高有效場(chǎng)氧化物高度(EFH)區(qū)和低EFH區(qū)，其中在所述高EFH區(qū)和所述低EFH區(qū)將所述襯底蝕刻到基本相同的高度，以在所述高EFH區(qū)和所述低EFH區(qū)處形成所述凹陷有源區(qū)。
15.一種用于制作半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將有機(jī)底抗反射涂(BARC)層形成在襯底的第一部分和多個(gè)第一隔離結(jié)構(gòu)之上，所述第一隔離結(jié)構(gòu)具有第一有效場(chǎng)氧化物高度(EFH)，所述EFH為在給出的隔離結(jié)構(gòu)和所述襯底之間的高度差；將圖案化掩模形成在所述有機(jī)BARC層之上，所述圖案化掩模具有多個(gè)開(kāi)口以暴露所述有機(jī)BARC層的所選部分；使用對(duì)所述襯底和所述第一隔離結(jié)構(gòu)具有高選擇性的蝕刻氣體來(lái)蝕刻所述有機(jī)BARC層的暴露部分，直到將直接提供在所述掩模開(kāi)口下的所述有機(jī)BARC層的部分基本去除，以暴露所述襯底的第一部分和所述第一隔離結(jié)構(gòu)；蝕刻所述襯底的第一部分和所述第一隔離結(jié)構(gòu)以形成多個(gè)第一凹陷有源區(qū)，所述襯底被蝕刻到第一目標(biāo)深度；將所述掩模和所述有機(jī)BARC層去除以暴露由所述第一凹陷有源區(qū)限定的多個(gè)突起有源區(qū)；將柵絕緣層形成在所述第一凹陷有源區(qū)和所述突起有源區(qū)之上；以及將非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)的柵形成在所述柵絕緣層之上，每個(gè)柵在對(duì)應(yīng)的第一凹陷有源區(qū)和對(duì)應(yīng)的突起有源區(qū)之上延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中將所述有機(jī)BARC層提供在所述襯底的第二部分和多個(gè)第二隔離結(jié)構(gòu)之上，所述第二隔離結(jié)構(gòu)具有第二EFH，其中蝕刻所述有機(jī)BARC層以暴露所述襯底的第二部分和所述第二隔離結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述方法進(jìn)一步包括蝕刻暴露的所述襯底的第二部分和所述第二絕緣結(jié)構(gòu)，所述襯底的第二部分被蝕刻到基本上與第一目標(biāo)深度相等的第二目標(biāo)深度，其中所述襯底的第一部分、所述第一隔離結(jié)構(gòu)、所述襯底的第二部分以及所述第二隔離結(jié)構(gòu)同時(shí)蝕刻。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中在所述第一和所述第二凹陷有源區(qū)中的最大深度差不大于約66。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述襯底為硅，并且所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括氧化物。
全文摘要
提供一種用于利用柵階梯化非對(duì)稱凹陷制作半導(dǎo)體器件的方法。所述方法包括將有機(jī)底抗反射涂(BARC)層形成在襯底之上；將圖案化掩模形成在有機(jī)BARC層之上，該圖案化掩模暴露出有機(jī)BARC層的所選部分；使用對(duì)襯底具有高選擇性的蝕刻氣體來(lái)蝕刻有機(jī)BARC層的暴露部分，直到在有機(jī)BARC層的暴露部分之下的襯底基本暴露；蝕刻襯底的暴露部分以形成多個(gè)凹陷有源區(qū)；去除掩模和有機(jī)BARC層以暴露由凹陷有源區(qū)限定的多個(gè)突起有源區(qū)；將柵絕緣層形成在凹陷有源區(qū)和突起有源區(qū)之上；以及將非對(duì)稱階梯結(jié)構(gòu)的柵形成在柵絕緣層之上，每個(gè)柵在對(duì)應(yīng)的凹陷有源區(qū)和對(duì)應(yīng)的突起有源區(qū)之上延伸。
文檔編號(hào)H01L21/28GK1893022SQ200610072428
公開(kāi)日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者金承范, 金宰永 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司