專利名稱：半導(dǎo)體激光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，對(duì)半導(dǎo)體激光器件的需求越來越大，半導(dǎo)體激光器件是用于DVD(數(shù)字多用途盤)和CD(光盤)拾取的中心位置的半導(dǎo)體器件，需求趨于特性變化更小且可靠性高的半導(dǎo)體激光器。
盡管雙異質(zhì)結(jié)已經(jīng)被用作半導(dǎo)體激光器件的基本結(jié)構(gòu)，為了滿足對(duì)光輸出的更高功率或降低的閾值電流的需求，已經(jīng)提出了諸如SCH(獨(dú)立限制異質(zhì)結(jié)構(gòu))和MQW(多量子阱)結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)，在SCH結(jié)構(gòu)中，載流子限制區(qū)和光限制區(qū)(光導(dǎo)層)是彼此分離的，在MQW結(jié)構(gòu)中，在有源區(qū)中形成量子阱。在這些多層結(jié)構(gòu)中，最小的層厚度為幾十到幾百埃()，已經(jīng)使用MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積)工藝或MBE(分子束外延)工藝，以及其他氣相外延工藝，而不是常規(guī)的液相外延工藝來形成半導(dǎo)體薄膜，MOCVD或MBE能夠更容易地控制層厚度。
對(duì)于減小由氣相外延工藝制作的半導(dǎo)體激光器件的特性變化的方法，重要的是控制多層結(jié)構(gòu)的每一層的厚度或材料組成。通常，對(duì)于這樣諸如上述半導(dǎo)體激光器件的多層結(jié)構(gòu)的晶體生長(zhǎng)而言，構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)的層是作為用于多層結(jié)構(gòu)的晶體生長(zhǎng)的準(zhǔn)備步驟對(duì)每個(gè)單層逐層生長(zhǎng)的，它們的層厚和材料組成比例被估算，而諸如生長(zhǎng)時(shí)間和氣體流速的生長(zhǎng)條件被反饋到多層結(jié)構(gòu)。此外，即使在開始多層結(jié)構(gòu)的晶體生長(zhǎng)之后，也可以測(cè)量構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)的各層的層厚和組成比例，調(diào)節(jié)與設(shè)計(jì)值的差別，并進(jìn)行下一多層結(jié)構(gòu)的晶體生長(zhǎng)。
測(cè)量層厚的方法可以是這樣的方法當(dāng)晶片被解理后，通過掃描電子顯微鏡等直接觀察疊層的橫截面；或者是這樣的方法選擇性地蝕刻所淀積的層并通過接觸臺(tái)階間隙測(cè)量?jī)x等測(cè)量所得的臺(tái)階間隙。至于材料組成比例的估算，將目標(biāo)層進(jìn)行熒光測(cè)量或X射線衍射測(cè)量以識(shí)別組成比例。
常規(guī)半導(dǎo)體激光器件在JP 2003-60315 A中有所描述。
在制作該常規(guī)脊型半導(dǎo)體激光器件的方法中，首先，如圖1A所示，在n型GaAs襯底1上，通過MOCVD工藝依序晶體生長(zhǎng)n型GaAs緩沖層2(層厚＝0.5μm)、n型AlxGa1-xAs第一覆層3(x＝0.46，層厚＝2.7μm)、n型AlxGa1-xAs第二覆層4(x＝0.48，層厚＝0.2μm)、非摻雜AlxGa1-xAs第一光導(dǎo)層5(x＝0.35，層厚＝280)、非摻雜AlxGa1-xAs量子阱有源層6、非摻雜AlxGa1-xAs第二光導(dǎo)層7(x＝0.35，層厚＝280)、p型AlxGa1-xAs第一覆層8(x＝0.48，層厚＝0.2μm)、p型GaAs蝕刻停止層9(層＝26)、p型AlxGa1-xAs第二覆層10(x＝0.48，層厚＝1.3μm)以及p型GaAs帽層11(層厚＝0.75μm)。
接著，如圖1B所示，通過光刻工藝等形成具有覆蓋特定區(qū)域的掩模圖案的抗蝕劑12，然后通過蝕刻部分地除去位于特定區(qū)域兩側(cè)的p型GaAs帽層11和p型AlxGa1-xAs第二覆層10。結(jié)果，保留在抗蝕劑12下方的p型GaAs帽層11和p型AlxGa1-xAs第二覆層10構(gòu)成了脊。
接著，在除去抗蝕劑12之后，依序堆疊n型AlxGa1-xAs電流阻擋層13(x＝0.7，層厚＝1.0μm)、n型GaAs電流阻擋層14(層厚＝0.3μm)和p型GaAs平坦化層15(層厚＝0.7μm)以便將電流限制在脊的形狀之內(nèi)，如圖1C所示。
接著，為了除去n型AlxGa1-xAs電流阻擋層13、n型GaAs電流阻擋層14和p型GaAs平坦化層15中形成于脊上的不需要的部分，通過光刻工藝在它們的脊上之外的部分上形成抗蝕劑，并通過蝕刻除去不需要的部分。
接著，在除去抗蝕劑之后，在脊、n型AlxGa1-xAs電流阻擋層13、n型GaAs電流阻擋層14和p型GaAs平坦化層15上晶體生長(zhǎng)p型GaAs接觸層16(層厚＝50μm)，如圖1D所示。
最后，在p型GaAs接觸層16上形成p側(cè)電極17，而在n型GaAs襯底1上形成n側(cè)電極18，于是制成了半導(dǎo)體激光器件。
就此而論，就更高的記錄和復(fù)現(xiàn)速度而言，作為光盤的光源的半導(dǎo)體激光器件已經(jīng)朝著更高輸出的方向發(fā)展。這使得半導(dǎo)體激光器件控制輻射角變得重要起來，以便同時(shí)減小器件特性的變化又提高特性的重復(fù)性。在已經(jīng)用于高功率半導(dǎo)體激光器件的SCH-MQW結(jié)構(gòu)中的垂直方向上的輻射角取決于有源層和覆層之間的折射率差以及用于限制光的光導(dǎo)層的層厚或材料組成比例。
尤其是，當(dāng)如圖1A所示的這種激光器結(jié)構(gòu)是通過連續(xù)晶體生長(zhǎng)形成時(shí)，在晶片階段評(píng)估制成的激光器結(jié)構(gòu)并估算與設(shè)計(jì)值之間的偏差就能夠預(yù)測(cè)半導(dǎo)體激光器件的特性。此外，將從設(shè)計(jì)值的偏差校正到正常值對(duì)于減小器件特性變化和提高可重復(fù)性是一種重要技術(shù)。
對(duì)于覆層而言，其在激光器結(jié)構(gòu)中層厚較大，其層厚可以通過這樣的方法估算通過掃描電子顯微鏡等直接觀察晶片的橫截面；或者是這樣的方法選擇性地蝕刻所淀積的層并通過接觸臺(tái)階間隙測(cè)量?jī)x等測(cè)量所得的臺(tái)階間隙。
此外，為了估算材料組成比例，可以通過在目標(biāo)層上進(jìn)行熒光測(cè)量或X射線衍射測(cè)量來測(cè)量目標(biāo)層的材料組成比例。
此外，為了評(píng)估多量子阱有源層，已經(jīng)建立起利用X射線衍射的衛(wèi)星反射對(duì)周期性層厚的測(cè)量方法。
不過，在上述常規(guī)半導(dǎo)體激光器件中，形成有源層的光導(dǎo)層具有非常薄的設(shè)計(jì)層厚，通常小至幾百個(gè)埃()或更小，使得在晶片階段難于測(cè)量構(gòu)成半導(dǎo)體激光器件的層的層厚或組成比例。
雖然光導(dǎo)層是輻射角所依賴的重要層，但是在晶片階段中幾乎不能估算光導(dǎo)層的層厚度或組成比例。因此，為了減小器件特性的變化并提高可重復(fù)性，需要一種簡(jiǎn)單的測(cè)量方法，該方法還用于校正在晶體生長(zhǎng)中任何與設(shè)計(jì)值的偏差。
在半導(dǎo)體激光器件的多層結(jié)構(gòu)是通過連續(xù)晶體生長(zhǎng)形成的情況下，通過如下工藝實(shí)施對(duì)光導(dǎo)層的層厚或組成比例的檢查使光導(dǎo)層以獨(dú)立于多層結(jié)構(gòu)的單層進(jìn)行晶體生長(zhǎng)；估算光導(dǎo)層的層厚或組成比例，并將估算結(jié)果反饋給多層結(jié)構(gòu)。該工藝將涉及旨在檢查獨(dú)立于半導(dǎo)體激光器件的多層結(jié)構(gòu)的晶體生長(zhǎng)的光導(dǎo)層的晶體生長(zhǎng)的需要，這導(dǎo)致額外的晶體生長(zhǎng)的需要。
一旦估算半導(dǎo)體激光器件的多層結(jié)構(gòu)中所包括的光導(dǎo)層成為可行的，對(duì)其中已經(jīng)形成多層結(jié)構(gòu)的晶片本身進(jìn)行特性預(yù)測(cè)就成為可行，例如在晶片階段進(jìn)行無缺陷的特性判定。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體激光器件及其制造方法，其允許簡(jiǎn)單而高精度地進(jìn)行對(duì)光導(dǎo)層的層厚和材料組分的控制。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供了一種半導(dǎo)體激光器件，包括有源層；光導(dǎo)層，用于限制由所述有源層發(fā)射的光；以及光導(dǎo)評(píng)估層，具有與所述光導(dǎo)層相同的材料組分。
在該半導(dǎo)體激光器件中，例如，通過掃描電子顯微鏡觀察包括光導(dǎo)評(píng)估層的晶片的橫截面，或者選擇性蝕刻晶片并通過接觸臺(tái)階間隙測(cè)量?jī)x測(cè)量由選擇性蝕刻形成的臺(tái)階間隙，從而可以實(shí)現(xiàn)光導(dǎo)評(píng)估層的層厚的估算。
此外，光導(dǎo)層的生長(zhǎng)速率可以通過將光導(dǎo)評(píng)估層的層厚除以其生長(zhǎng)時(shí)間來確定。
此外，在生長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)生長(zhǎng)的光導(dǎo)層的層厚可以通過將光導(dǎo)評(píng)估層的生長(zhǎng)時(shí)間乘以上述生長(zhǎng)速率來估算。
此外，可以使用熒光或X射線衍射法實(shí)現(xiàn)對(duì)光導(dǎo)評(píng)估層的材料組分的估算。基于評(píng)估結(jié)果，能夠估算光導(dǎo)層的材料組分。
由于能夠如上所述估算光導(dǎo)評(píng)估層的層厚和材料組分，因此能夠基于估算結(jié)果實(shí)現(xiàn)對(duì)光導(dǎo)層的層厚和材料組分的簡(jiǎn)單而高精度的控制。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該半導(dǎo)體激光器件還包括位于所述光導(dǎo)評(píng)估層和有源層之間的覆層。
在該實(shí)施例中，由于半導(dǎo)體激光器件具有光導(dǎo)評(píng)估層和有源層之間的覆層，因此光導(dǎo)評(píng)估層不會(huì)不利地影響有源層的光學(xué)特性。
此外，不希望在第二導(dǎo)電類型的上覆層上形成光導(dǎo)評(píng)估層，因?yàn)楣鈱?dǎo)評(píng)估層不能通過常規(guī)脊形成方法形成為脊型。
在一個(gè)實(shí)施例中，該半導(dǎo)體激光器件包括襯底，形成于光導(dǎo)評(píng)估層下方；第一導(dǎo)電類型的下覆層，形成于光導(dǎo)評(píng)估層和有源層之間；以及第二導(dǎo)電類型的上覆層，形成于有源層上。
第一導(dǎo)電類型指p型或n型。此外，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型為p型時(shí)第二導(dǎo)電類型指n型，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型為n型時(shí)第二導(dǎo)電類型指p型。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，光導(dǎo)評(píng)估層的層厚大于光導(dǎo)層的層厚。
在該實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件中，由于光導(dǎo)評(píng)估層的層厚大于光導(dǎo)層的層厚，因此，能夠容易而高精度地估算光導(dǎo)評(píng)估層的層厚和組成比例。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，用于制造上述半導(dǎo)體激光器件的制造方法包括以下步驟測(cè)量光導(dǎo)評(píng)估層的材料組分并基于所述光導(dǎo)評(píng)估層的材料組分測(cè)量結(jié)果控制光導(dǎo)層的生長(zhǎng)條件。
在這種半導(dǎo)體激光器件的制造方法中，由于該方法包括測(cè)量光導(dǎo)評(píng)估層的材料組分和基于所述光導(dǎo)評(píng)估層的材料組分測(cè)量結(jié)果控制光導(dǎo)層的生長(zhǎng)條件的步驟，因此可以使光導(dǎo)層的材料組分更接近設(shè)計(jì)值。于是，能夠以良好的可重復(fù)性制造特性變化更小的半導(dǎo)體激光器件。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，用于制造上述半導(dǎo)體激光器件的制造方法包括以下步驟測(cè)量光導(dǎo)評(píng)估層的厚度并基于所述光導(dǎo)評(píng)估層的層厚的測(cè)量結(jié)果控制光導(dǎo)層的生長(zhǎng)條件。
在這種半導(dǎo)體激光器件的制造方法中，由于該方法包括測(cè)量光導(dǎo)評(píng)估層的厚度和基于所述光導(dǎo)評(píng)估層的厚度的測(cè)量結(jié)果控制光導(dǎo)層的生長(zhǎng)條件的步驟，因此可以使光導(dǎo)層的厚度更接近設(shè)計(jì)值。于是，能夠以良好的可重復(fù)性制造特性變化更小的半導(dǎo)體激光器件。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器件，與光導(dǎo)層具有相同材料組分的光導(dǎo)評(píng)估層形成于包括光導(dǎo)層的有源層之外，通過這種布置，可以估算光導(dǎo)評(píng)估層的層厚和材料組分以及基于估算結(jié)果簡(jiǎn)單而高精度地控制光導(dǎo)層的層厚和材料組分。


通過下文給出的詳細(xì)說明和附圖，本發(fā)明將得到更為充分的理解，附圖僅僅通過例示方式給出，因此對(duì)本發(fā)明沒有限制性，其中圖1A是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖；圖1B是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖；圖1C是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖；圖1D是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖；圖2A是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖；圖2B是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖；圖2C是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖；以及圖2D是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造工藝圖。
具體實(shí)施例方式
以下將通過附圖中所示的其實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器件及其制造方法。
在該實(shí)施例中描述了SCH-MQW半導(dǎo)體激光器件的制造例，該半導(dǎo)體激光器件具有780到786nm的發(fā)射波長(zhǎng)且由AlGaAs基材料形成。
該SCH-MQW半導(dǎo)體激光器件的制造工藝包括通過MOCVD工藝進(jìn)行晶體生長(zhǎng)的步驟。不過，在進(jìn)行該晶體生長(zhǎng)之前，需要確定將要形成的光導(dǎo)層、AlGaAs覆層、GaAs帽層等的生長(zhǎng)速率和Al晶體混合比例。
首先，解釋確定非摻雜AlGaAs光導(dǎo)層、n型AlGaAs覆層、p型AlGaAs覆層和p型GaAs帽層的生長(zhǎng)速率的方法。舉例來說，在覆層和帽層淀積到大約1μm之后，通過掃描電子顯微鏡直接觀察它們的橫截面來確定它們的層厚，并從生長(zhǎng)時(shí)間估算生長(zhǎng)速率。
Al晶體混合比例可以通過X射線衍射法從晶片確定，在晶片中待測(cè)層已經(jīng)淀積到大約1μm。
基于通過如上所述的這種方法確定的生長(zhǎng)速率，確定每層的生長(zhǎng)時(shí)間以便滿足指定的設(shè)計(jì)層厚度。同樣為了Al晶體混合比例，考慮到與設(shè)計(jì)值的偏差來校正氣體流速。
在該SCH-MQW半導(dǎo)體激光器件的制造方法中，首先，如圖2A所示，在n型GaAs襯底19上通過MOCVD工藝依序地晶體生長(zhǎng)n型GaAs緩沖層20(層厚＝0.5μm)、非摻雜AlxGa1-xAs光導(dǎo)評(píng)估層21(x＝0.35，層厚＝0.4μm)、n型AlxGa1-xAs第一覆層22(x＝0.46，層厚＝2.7μm)、n型AlxGa1-xAs第二覆層23(x＝0.48，層厚＝0.2μm)、非摻雜AlxGa1-xAs第一光導(dǎo)層24(x＝0.35，層厚＝280)、非摻雜AlxGa1-xAs量子阱有源層25、非摻雜AlxGa1-xAs第二光導(dǎo)層26(x＝0.35，層厚＝280)、p型AlxGa1-xAs第一覆層27(x＝0.48，層厚＝0.2μm)、p型GaAs蝕刻停止層28(層厚＝26)、p型AlxGa1-xAs第二覆層29(x＝0.48，層厚＝1.3μm)以及p型GaAs帽層30(層厚＝0.75μm)。
光導(dǎo)評(píng)估層21的Al晶體混合比例設(shè)置成等于第一和第二光導(dǎo)層24、26的Al晶體混合比例。
此外，光導(dǎo)評(píng)估層21的層厚設(shè)置為大于第一和第二光導(dǎo)層24、26的層厚，從而能夠通過掃描電子顯微鏡觀察橫截面或者通過X射線衍射法測(cè)量Al晶體混合比例?？梢酝ㄟ^解理晶片并通過掃描電子顯微鏡直接觀察晶片的橫截面確定光導(dǎo)評(píng)估層21的層厚，晶片具有圖2A所示的多層結(jié)構(gòu)。
此外，可以通過將光導(dǎo)評(píng)估層21的層厚除以光導(dǎo)評(píng)估層21的生長(zhǎng)時(shí)間來確定第一和第二光導(dǎo)層24、26的生長(zhǎng)速率。
既然已經(jīng)知道了第一和第二光導(dǎo)層24、26的生長(zhǎng)時(shí)間，就可以通過將光導(dǎo)評(píng)估層21的生長(zhǎng)速率乘以如上所述確定的第一和第二光導(dǎo)層24、26的生長(zhǎng)時(shí)間來估計(jì)光導(dǎo)層的最后生長(zhǎng)的層厚。
至于第一和第二光導(dǎo)層24、26的Al晶體混合比例，可以通過以下方式確定蝕刻晶片的表面以便暴露第一和第二光導(dǎo)層24、26，然后對(duì)于第一和第二光導(dǎo)層24、26應(yīng)用X射線衍射法等。
使用上述方法使得可以評(píng)估第一和第二光導(dǎo)層24、26的層厚和組分偏差。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)無缺陷晶片判定。
此外，在進(jìn)行連續(xù)晶體生長(zhǎng)的情況下，如果與設(shè)計(jì)值有偏差的話，可以基于上述評(píng)估結(jié)果校正偏差。
接著，解釋圖2A的晶體生長(zhǎng)之后的工藝。
在帽層30上，如圖2B所示，通過光刻工藝等形成具有條形掩模圖案的抗蝕劑31，然后利用硫酸基蝕刻劑和氫氟酸部分地除去位于掩模圖案兩側(cè)的帽層30和第二覆層29。結(jié)果，抗蝕劑31下方保留的帽層30和第二覆層29構(gòu)成脊。
接著，在除去抗蝕劑31之后，如圖2C所示，通過MOCVD工藝晶體生長(zhǎng)n型AlxGa1-xAs電流阻擋層32(x＝0.7，層厚＝1.0μm)、n型GaAs電流阻擋層33(層厚＝0.3μm)和p型GaAs平坦化層34(層厚＝0.7μm)。
接著，為了除去淀積在脊上的不必要的層，通過光刻工藝在除脊之外的部分上形成抗蝕劑，并通過利用氨和硫酸基蝕刻劑的蝕刻除去不必要的層。
接著，在除去抗蝕劑之后，如圖2D所示，通過MOCVD工藝晶體生長(zhǎng)p型GaAs接觸層35(層厚＝50μm)。
如上所示，在完全將晶片晶體生長(zhǎng)到接觸層35后，在晶片表面上使用拋光或蝕刻，將晶片制成100μm厚，之后，在晶片的p側(cè)表面上形成p側(cè)電極36，而在晶片的n側(cè)表面上形成n側(cè)電極37。然后，以垂直于脊條的條狀形狀形成解理分割并用絕緣膜涂布兩個(gè)輸出表面，于是制成了半導(dǎo)體激光器件。
通過使晶片具有多層激光器結(jié)構(gòu)，如本制造方法中的用AlGaAs基材料形成的SCH-MQW半導(dǎo)體激光器件允許容易地評(píng)估第一和第二光導(dǎo)層24、26的層厚和組成比例。于是，有可能制造具有良好可重復(fù)性的半導(dǎo)體激光器件。
在本實(shí)施例中，n型GaAs襯底19為襯底的示例，非摻雜AlxGa1-xAs光導(dǎo)層21為光導(dǎo)評(píng)估層的示例，n型AlxGa1-xAs第一覆層22和n型AlxGa1-xAs第二覆層23為覆層的示例，第一和第二光導(dǎo)層24、26為光導(dǎo)層的示例，非摻雜AlxGa1-xAs量子阱有源層25為有源層的示例。
在該實(shí)施例中，在n型襯底上形成非摻雜光導(dǎo)評(píng)估層、n型下覆層、非摻雜光導(dǎo)層、非摻雜有源層、非摻雜光導(dǎo)層和p型上覆層。不過，可以在p型襯底上形成非摻雜光導(dǎo)評(píng)估層、p型下覆層、非摻雜光導(dǎo)層、非摻雜有源層、非摻雜光導(dǎo)層和n型上覆層。亦即，該實(shí)施例的導(dǎo)電類型可以全部反轉(zhuǎn)。不過，非摻雜層應(yīng)該保持為非摻雜層。
本發(fā)明不僅適用于由AlGaAs基材料形成的半導(dǎo)體激光器件，而且還適用于例如由AlGaInP基材料等形成的用于紅色激光的半導(dǎo)體激光器件。亦即，本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器件的材料不局限于上述實(shí)施例中的那些。
此外，本發(fā)明不僅適用于雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體激光器件及其制造方法，還適用于單異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體激光器件及其制造方法。
雖然已經(jīng)如上描述了本發(fā)明，但是顯然本發(fā)明能夠通過多種方法修改。這種修改不被認(rèn)為背離本發(fā)明的精神和范圍，應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的改進(jìn)完全包括在權(quán)利要求的范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器件，包括有源層；光導(dǎo)層，用于限制由所述有源層發(fā)射的光；以及光導(dǎo)評(píng)估層，具有與所述光導(dǎo)層相同的材料組分。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，還包括覆層，位于所述光導(dǎo)評(píng)估層和所述有源層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其中所述光導(dǎo)評(píng)估層的層厚大于所述光導(dǎo)層的層厚。
4.一種用于制造如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，包括以下步驟測(cè)量光導(dǎo)評(píng)估層的材料組分并基于所述光導(dǎo)評(píng)估層的材料組分測(cè)量結(jié)果控制光導(dǎo)層的生長(zhǎng)條件。
5.一種用于制造如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，包括以下步驟測(cè)量光導(dǎo)評(píng)估層的厚度并基于所述光導(dǎo)評(píng)估層的層厚測(cè)量結(jié)果控制光導(dǎo)層的生長(zhǎng)條件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器件及其制造方法。在n型GaAs襯底19上形成n型GaAs緩沖層20、非摻雜Al
文檔編號(hào)H01S5/343GK1841865SQ20061007381
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者和田一彥 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社