專利名稱：導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程及其無外引腳導(dǎo)線架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片的球格陣列封裝技術(shù)，尤其是有關(guān)導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造(leadframe-based Ball Grid Array package)的制 程，特別是涉及一種可以在低成本封裝制程中解決以往導(dǎo)線架基底球格陣 列封裝構(gòu)造在焊球回焊時溢流擴(kuò)散至引腳的問題，以及可以容易檢測并解 決封膠體底面發(fā)生模封溢膠(mold flash)問題的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝 構(gòu)造的制程及其使用的無外引腳導(dǎo)線架，背景技本導(dǎo)線架基底^陣列封裝構(gòu)造兼具有高密度封裝、低成本制作與散熱 性佳的優(yōu)點，其是在制程中使用 一無外引腳導(dǎo)線架取代以往的印刷電路板 或陶瓷電路基板，并使焊球接合于導(dǎo)線架的引腳。焊球則是矩陣排列或多 排排列，以供表面接合至一外部電路板。中國臺灣專利公告第529770與 584316號均揭示有相關(guān)的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造。導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造于制程中需要一回焊的加熱步驟，使焊 球熔融方可焊設(shè)于導(dǎo)線架的引腳，處于高溫的焊球?qū)⒆兊糜袧駶櫺裕皇芸?制地擴(kuò)散到引腳的其它金屬表面，導(dǎo)致焊球高度不足，甚至有橋接短路的 問題。 一種解決方法是預(yù)先半蝕刻該導(dǎo)線架，以使引腳的接球表面在粘晶 與封膠之前即為凸出，在封膠時封膠體將包覆引腳的連接引線部位。然而封膠時，引腳平貼于壓模模具或粘性膠帶的部位僅有引腳的接球表面，容易 發(fā)生模封溢膠(fflold flash)的問題，并且引腳的接球表面與封膠體的底面 為同一平面，模封溢膠不容易檢測到且不容易被整修移除，導(dǎo)致焊球接合于引腳的接球表面的強(qiáng)度變?nèi)酰菀椎羟?。中國臺灣專利公告第567566號"以導(dǎo)線架為晶片承載件的開窗型球柵 陣列半導(dǎo)體封裝件及其制法"揭示一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制 造方法，將一非導(dǎo)電性材料貼附于一導(dǎo)線架的下表面，并具有通孔以外露 出引腳的植球部，利用該非導(dǎo)電性材料作為球格陣列封裝構(gòu)造的防焊層，以 界定焊球接合于引腳的面積。由于引腳之間會有間隙，該非導(dǎo)電性材料必 須以膜片型態(tài)預(yù)先形成，增加了額外元件與所需要尺寸成本。此外,在貼附 該導(dǎo)線架與該非導(dǎo)電性材料時需要精密的對位， 一旦該非導(dǎo)電性村料的通 孔無法被引腳完全覆蓋，則封裝狡體是滲入通孔，導(dǎo)致植球失敗，由此可見.上述現(xiàn)，的導(dǎo)線契基氛球格P主列封裝構(gòu)造的制造方法及其 導(dǎo)線架在方法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加 以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求 解決之道，但長夂以來一直冬見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般方法及嚴(yán) 品又浚者造切的者法灰錄構(gòu)嫵夠解汝上速問趙，此盡然是粕美業(yè)暑急欲解 決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程 及其使用的無外引腳導(dǎo)線架，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè) 界極需改進(jìn)的目標(biāo)，有鑒于上述現(xiàn)有的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制造方法及其導(dǎo)線 架存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗 及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的 導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程及其使用的無外引腳導(dǎo)線架，能夠改 進(jìn)一般現(xiàn)有的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制造方法及其導(dǎo)線架，使其 更具有實用性，經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè) 出確具實用價值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的 制造方法存在的缺陷，而提供一種新的導(dǎo)線架基底糸洛陣列封裝構(gòu)造的制 程，所要解決的技術(shù)問題是使其可以在低成本封裝制程中解決以往導(dǎo)線架 基底球格陣列封裝構(gòu)造在焊球回焊時溢流擴(kuò)散至引腳的問題。此外,可以容易檢測并解決封膠體底面發(fā)生模封溢膠(fflold flash)的問題，從而更加適 于實用。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造 的制程,所要解決的技術(shù)問題是使其所提供的一無外引腳導(dǎo)線架除了具有 下層引腳與上層接球墊之外，另具有復(fù)數(shù)個下層犧牲墊(lc wer-layer sacrificial pad),并在該半蝕刻步驟中該些下層犧牲墊是同時被移除，以 供該些焊球的回焊填滿，而可以增進(jìn)焊球的接合穩(wěn)固性，從而更加適于實 用，本發(fā)明的還一目的在于，提供一種新的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造 的制程，所要解決"技術(shù)問題是使其中該無外引腳導(dǎo)線架另具'有一 晶片承 座及復(fù)數(shù)個連接至該晶片承座的系桿，在該半蝕刻步驟中同時與下層引腳 被移除，而可以防止設(shè)在晶片承座下方的焊料擴(kuò)散，從而更加適于實用。本發(fā)明的再一目的在于，克服現(xiàn)有的導(dǎo)線架存在的缺陷，而提供一種 新型結(jié)構(gòu)的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，所要 解決的技術(shù)問題是使其具有復(fù)數(shù)個下饜引腳與復(fù)數(shù)個上層接球墊，在封裝 制程中，在半蝕刻之前.該些下層引腳能固定該些上層接球墊.在半蝕刻
之后，該些下層犧牲墊被蝕除的狀況可作為接合焊球前的檢測并控制該些上層接球墊的接合面積，以供低成本制作導(dǎo)線架基底JlM^陣列封裝構(gòu)造，從 而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技求方案來實現(xiàn)的。依 據(jù)本發(fā)明提出的一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其包括以下的 步驟:提供一無外引腳導(dǎo)線架，其具有復(fù)數(shù)個下層引腳與復(fù)數(shù)個上層接球 墊；固定至少一晶片于該無外引腳導(dǎo)線架上；電性連接該晶片與該無外引腳 導(dǎo)線架；形成一封膠體于該無外引腳導(dǎo)線架上；當(dāng)該封膠體形成之后,進(jìn)行 一半蝕刻的步驟，以移除該些下層引腳，并且使該些上層接球墊為電性獨(dú) 立、顯露且嵌設(shè)于該封膠體內(nèi)；以及接合復(fù)數(shù)個焊球于該些上層接球墊。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)，前述的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其中所迷的該些上層接 球墊是為多排排列，且每一下層引腳是連接有至少兩個的該些上層接球墊。前述的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其中所述的無外引腳導(dǎo) 線架另具有復(fù)數(shù)個下層犧牲墊，其是被該些下層引腳同層連接且對準(zhǔn)于該 些上層接球墊下方，并且在該半蝕刻步驟中，該些下層犧牲墊是同時被移 除，以供該些焊球的回焊填滿。前述的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其中所述的該些下層犧 牲墊是為圃形，且其尺寸是小于該些上層接球墊。前述的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其另包含一鋸切步驟，以 單離成復(fù)數(shù)個球格陣列封裝構(gòu)造。前迷的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其中所迷的無外引腳導(dǎo) 線架另具有至少一晶片承座，以供該晶片的設(shè)置。前述的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其中所述的無外引腳導(dǎo) 線架另具有復(fù)數(shù)個連接至該晶片承座的系桿(tie bair)。前迷的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其中所述的該些系桿是 形成于該無外引腳導(dǎo)線架的一下層結(jié)構(gòu)，以在該半蝕刻步驟中同時被移除。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種適用.于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線 架,其具有復(fù)數(shù)個下層引'腳與復(fù)數(shù)個上層接球墊，該些上層接球墊是一體連 接于該些下層引腳的上方，該無外引腳導(dǎo)線架另具有復(fù)數(shù)個下層犧牲墊，其 是被該些下層引腳同層連接且對準(zhǔn)于該些上層接球墊下方。本發(fā)明的目的及解決其4支術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，其中 所述的該些上層接球墊是為多排排列，且每一 下層引腳是連接有至少兩個 的該些上孱接球墊，
前述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，其中 所述的該些下層犧牲墊是為圓形，且其尺寸是小于該些上層接球墊。前述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列委t裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，其另 具有至少一晶片承座。前述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，其另具有復(fù)數(shù)個連接至該晶片承座的系桿(tie bar)。前述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，其中 所述的該些系桿是形成于該無外引腳導(dǎo)線架的一下層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果，由以上可知，為了 達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,主 要包含以下步驟首先，提供一無外引腳導(dǎo)線架，其是具有復(fù)數(shù)個下層引 腳與復(fù)數(shù)個上層接球墊；接著，在一粘晶步驟中，固定至少一晶片于該無 外引腳導(dǎo)線架上；在粘晶之后或其同時，電性連接該晶片與該無外引腳導(dǎo) 線架；接著,在一封膠步驟中，形成一封膠體于該無外引腳導(dǎo)線架上；當(dāng)該 封膠體形成之后，進(jìn)行一半蝕刻導(dǎo)線架的步棘，以移除該些下層引腳,并使 該些上層接球墊為電性獨(dú)立、顯露且嵌設(shè)于該封膠體內(nèi)；之后,接合復(fù)數(shù)個 焊球于該些上層接球墊，具有低成本免用防焊層以界定該些焊球的接合面 積、易于檢測與解決模封溢膠的問題、以及增進(jìn)焊球接合強(qiáng)度的功效.借由上迷技術(shù)方案，本發(fā)明導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程及其 使用的無外引腳導(dǎo)線架至少具有下列優(yōu)點1、 本發(fā)明的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其是在封膠之后與 接合焊球之前，執(zhí)行一半蝕刻步驟，以移除一無外引腳導(dǎo)線架的下層引腳 而使復(fù)數(shù)個上層接球墊為電性獨(dú)立、顯露且嵌設(shè)于該封膠體內(nèi)，以供接合 焊球，不需要防焊層即可界定并控制該些上層接球墊供焊球回焊接合的面 積，可以在低成本封裝制程中解決以往導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造在焊 球回焊時溢流擴(kuò)散至引腳的問題，此外,可以容易檢測并解決封膠體底面發(fā) 生才莫封溢膠(moid fUsh)的問題，從而更加適于實用。2、 本發(fā)明的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其所提供的一無外 引腳導(dǎo)線架除了具有下層引腳.與上層接球墊之外，另具有復(fù)數(shù)個下層犧牲. 墊(lower-layer sacrificial pad),其是被該些下層引腳同層連接且對準(zhǔn) 于該些上層接球墊下方，并在該半蝕刻步驟中，該些下層犧牲墊是同時被 移除，以供該些焊球的回焊填滿，而可以增進(jìn)焊球的接合穩(wěn)固性，從而更加 適于實用。3、 本發(fā)明的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其中該無外引腳導(dǎo) 線架另具有一晶片承座及復(fù)數(shù)個連接至該晶片承座的系桿，該些系桿是形 成于該無外引腳導(dǎo)線架的一下層結(jié)構(gòu).以在該車蝕刻步驟中同時與下屢引
腳被移除，而可防止設(shè)在晶片承座下方的焊料擴(kuò)散，從而更加適于實用。4、本發(fā)明適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，所 要解決的技術(shù)問題是使其具有復(fù)數(shù)個下層引腳與復(fù)數(shù)個上層接球墊，該些 上層接球墊是一體連接予該些下層引腳的上方，該無外引腳導(dǎo)線架另具有 復(fù)數(shù)個下層犧牲墊，其是被該些下層引腳同層連接且對準(zhǔn)于該些上層接球 墊下方,在封裝制程中，在半蝕刻之前，該些下層引腳能固定該些上層接球 墊,在半蝕刻之后，該些下層犧牲墊被蝕除的狀況可作為接合焊球前的檢測 并控制該些上層接球墊的接合面積，以供低成本制作導(dǎo)線架基底球格陣列 封裝構(gòu)造，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程 及其使用的無外引腳導(dǎo)線架。該無外引腳導(dǎo)線架是具有復(fù)數(shù)個下層引腳與 復(fù)數(shù)個上層接球墊，在制程中，在封膠之后與接合焊球之前，執(zhí)行一半蝕 刻步驟，以移除該些下層引腳而使該些上層接球墊為電性獨(dú)立、顯露且嵌 設(shè)于一封膠體內(nèi)，以供接合焊球，不需要防焊層即可界定并控制該些上層 接球墊供焊球回焊接合的面積，可以在低成本封裝制程中解決以往導(dǎo)線架 基底球格陣列封裝構(gòu)造在焊球回焊時溢流擴(kuò)散至fl腳的問題，此外,還能簡 易式檢測并解決模封溢膠問題。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值,其不 論在方法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步,并 產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制 造方法及其導(dǎo)線架具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè) 的廣泛利用價值，誠為一新穎，進(jìn)步、實用的新設(shè)計。上迷說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 困，詳細(xì)說明如下。附田說明

圖1是本發(fā)明的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程的主要流程方塊圖，圖2A至困2G是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例，一種導(dǎo)線架基底球格陣列 封裝構(gòu)造在制程中的截面示意圖。困3是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例,在該導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造 的制程中所使用的無外引腳導(dǎo)線架的T夷面示意圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例，該無外引腳導(dǎo)線架的底面示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例，另一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝 構(gòu)造的截面示意圖. 1 :提供一無外引腳導(dǎo)線架2 : 翁晶3 :電性連接4 :封膠5 :半蝕刻以移除下層引腳并顯露上層接球墊6 :接合焊球7 :鋸切10:無外引腳導(dǎo)線架11:下層？l腳12:上層接球墊13:下層犧牲墊14:框條15:晶片承座16:系桿20:晶片21:焊墊30:焊線40:封膠體41:凹陷圖案50:焊球lll:上層接球墊112:晶片承座120:晶片121:主動面122:焊墊123:凸塊131:粘晶膠132:間鵷球織封膠體141:凹陷困案150:焊球絲實施方式為更進(jìn)一步闌述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及其功 效，以下結(jié)合附困及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的導(dǎo)線架基底球格陣列 封裝構(gòu)造的制程及其使用的無外引腳導(dǎo)線架其具體的實施方式、方法、步 驟、結(jié)構(gòu)、特M其功效，詳細(xì)說明如后。請參閱圖1所示，是本發(fā)明的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程的 主要流程方塊閨。本發(fā)明的一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，主要包括以下步驟提供一無外引腳導(dǎo)線架的步驟l、粘晶步驟2、電性連接步 驟3、封膠步驟4、半紳刻以移除下層引腳并顯露上層接球墊的步驟5、接 合焊球步驟6、以及鋸切步驟7，并請配合參閱困2A至2G說明如后。依據(jù)本發(fā)明的一具體實施例，首先,在步驟l中，請參閱困2A所示，提 供一無外引腳導(dǎo)線架10，其定義有復(fù)數(shù)個陣列的封裝單元，以供制成相對 數(shù)量的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造。請配合參閱圖3及圖4所示，圖3是 依據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例，在該導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程中 所使用的無外引腳導(dǎo)線架的頂面示意圖，圖4是該無外引腳導(dǎo)線架的底面 示意圖，在每一封裝單元內(nèi)，該無外引腳導(dǎo)線架10是具有復(fù)數(shù)個下層引腳 11與復(fù)數(shù)個上層接球墊12,該些下層引腳11是形成于該無外引腳導(dǎo)線架10 的一下層結(jié)構(gòu).該些上層接球墊12是形成于該無外引腳導(dǎo)線架10的一上 層結(jié)構(gòu)并一休連接于該些下層引腳11的上方，該些下饜引踟！1是連接至
該無外引腳導(dǎo)線架IO位于封裝單元邊緣的復(fù)數(shù)個框條14,以固定該些上層 接球墊12。較佳地，如困3所示，該些上層接球墊12是為多排排列，且每一下層 引腳11是連接有至少兩個的該些上層接球墊12,以高密度排列該些上層接 球墊12而呈多排或矩陣型態(tài)。如閨2A及困4所示，該無外引腳導(dǎo)線架10可另具有復(fù)數(shù)個下層犧牲 墊13,其被該些下層引腳11同層連接且對準(zhǔn)于該些上層接球墊12下方。在 本實施例中，該些下層犧牲墊13是為圃形(如困4所示)；該些上層接球墊 12則可為方形或其它任意形狀。該無外引腳導(dǎo)線架10另具有至少一晶片承座15,以供晶片20設(shè)置,并 藉由復(fù)數(shù)個系桿16(Ue bar)連接該晶片承座15至該些框條14,而上迷的 無外引腳導(dǎo)線架10可利用兩層不同困案的蝕刻遮罩(etching讎sk)貼附于 一銅箔上下表面再經(jīng)蝕刻而構(gòu)成，接著，在粘晶步驟2中，如困2B所示，利用已知粘晶技術(shù)將至少一晶 片20固定于該無外？l腳導(dǎo)線架10的該晶片承座15上，該晶片20具有復(fù) 數(shù)個焊墊21，可作為該晶片20的內(nèi)部集成電路元件的對外電極端，電性連接步驟3是可執(zhí)行在粘晶步驟2之后或其同時完成，例如可運(yùn) 用打線或覆晶4I^技術(shù)以電性連接該晶片20與該無外引腳導(dǎo)線架10。如困 2C所示，在本實施例中，在粘晶步驟2之后，打線形成復(fù)數(shù)個焊線30,其 是連接該晶片20的該些焊墊21與該些上層接球墊12,使該晶片20與該無外引腳導(dǎo)線架10兩者電性連接。接著，在封膠步驟4中，請配合參閱圍2D所示，可運(yùn)用壓模、印刷或 點涂技術(shù)形成一封膠體40于該無外引腳導(dǎo)線架10上，以保護(hù)該晶片20與 該些焊線30,其中以壓^l支術(shù)較為實用，可以使該封膠體40具有較為整齊 的外現(xiàn)，在壓4莫時，該無外引腳導(dǎo)線架10的下表面可先貼附至一膠帶(困 未繪出)，當(dāng)該封膠體40固化成形之后，再撕除膠帶。本實施例在步驟4 中，該封膠體40是密封該晶片20、該些焊線30與該些上層接球墊12,而該 些下層引腳11、該些下層犧牲墊13與該些系桿16的下表面是顯露于該封 膠體40的底面。當(dāng)封膠步驟4之后，進(jìn)行半蝕刻卓線架的步驟5，可利用氯化銅作為銅 蝕刻液以蝕刻該無外引腳導(dǎo)線架10的下層結(jié)構(gòu)，如圖2E所示，該些下層 引腳11與該些下層犧牲墊13將可被移除，并佳:該些上層接球墊12為電性 獨(dú)立、顯露且嵌設(shè)于該封膠體40內(nèi)。該些下層引腳11與該些下層犧牲墊 13被移除的空間即構(gòu)成該封膠體40的一凹陷圖案"。較佳地，如圖4所示，該些下層犧牲墊13的尺寸是小于該些上層接球 墊12,利用該些下蜃犧牲墊13界定在半蝕刻步驟5之后該些上層接球墊12的下表面顯露面積，故該封膠體40具有防焊與抗蝕的功能，可以省去習(xí) 知防焊層的構(gòu)件，而可以降低制造成本。在本實施例中，該些上層接球墊12的下表面周邊是被該封膠體40所 包覆，能更佳地固著于該封膠體40內(nèi)部。此外，當(dāng)有模封溢膠(mold flash) 的狀況發(fā)生時， 一旦局部覆蓋至該些下層犧牲墊13的下表面，則會影響半 蝕刻效率,部分的下層犧牲墊13或下層引腳11會殘留于該封膠體40內(nèi)，導(dǎo) 致該些下層犧牲墊13處的半蝕刻深度不一或是該些下層引腳11的殘留金 屬光澤將不同于該封膠體40的顏色，則可由目視容易辨識，進(jìn)而檢查是否 有模封溢膠的問題。即使有模封溢膠發(fā)生，在半蝕刻步驟5之后模封溢膠 距離該些上層接球墊12有一空隙，可以輕易地整修切除。之后，進(jìn)行"接合焊球"的步驟6，如困2F所示，接合復(fù)數(shù)個焊球50 于該些上層接球墊12。其中該些焊球50的接合方法至少有以下兩種，其一 #^方法為焊球50是預(yù)先成形，以沾助焊劑方式植球于該些上層接球墊 12,再經(jīng)加熱回焊使該些焊球50焊設(shè)于該些上層接球墊12的顯露表面；另 一接合方法為將錫骨印刷于該些上層接球墊12的顯露表面，再經(jīng)回焊以 形成該些焊球50，故皆需要加熱回焊的處理。而在回焊時該些焊球50是可 填滿于原本下層犧牲墊13存在的空間，得到較佳的接合穩(wěn)固性。最后,進(jìn) 行"鋸切"步驟7,如困2G所示,沿著封裝單元的周邊切割該封膠體40,以 單離成復(fù)數(shù)個球格陣列封裝構(gòu)造。由于在上述的制程中，該些下層引腳11是暫時性連接該些上層接球墊 12,經(jīng)過半蝕刻步驟5之后將被移除，故在接合焊球的步驟6之前，該些下 層引腳ll已經(jīng)不復(fù)存在，故該些焊球50僅可回焊接合于該些上層接球墊 12，不會有習(xí)知沿著引腳回焊擴(kuò)散導(dǎo)致焊球50高度不足與焊球50間橋接的 問題，而深具產(chǎn)業(yè)實用性，并且該些焊球50焊設(shè)于該些上M球墊12的 接合面積可預(yù)先由該些下層犧牲墊13所界定，不需要額外的防焊層構(gòu)件即 可達(dá)到防焊效果。較佳地，再如圖3及圖4所示，該些系桿16亦可形成于該無外引腳導(dǎo) 線架10的一下層結(jié)構(gòu)，故在該半蝕刻步驟5中該些系桿16能如同該些下 層引腳11被移除這般同時被,除。當(dāng)焊料形成于該晶片承座15的下方，f 不會有沿著系桿16回焊擴(kuò)散刼問題， '請參閱圖5所示，是依據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例，另一種導(dǎo)線架基底 *艮格陣列封裝構(gòu)造的截面示意圖。在第二實施例中揭示的另一種導(dǎo)線架基 底球格陣列封裝構(gòu)造，其是覆晶封裝型態(tài)，并主要包含有一無外引腳導(dǎo)線 架的上層接球墊lll、 一晶片120、 一封膠體140以及復(fù)數(shù)個焊球150。其 制造方法亦是包括如圖l所示的"提供一無外引腳導(dǎo)線架"的步驟l、"粘 晶"步驟2,"電性連接"步驟3,"封膠"步驟4,"半蝕刻以移除下層引腳 并顯露上層接球墊，，的步驟5、"接合焊球"步驟6等。其中，"提供一無外引腳導(dǎo)線架"的步驟l中所提供的無外引腳導(dǎo)線架是具有該些上層接球墊m，其是被復(fù)數(shù)個下層引腳(圖未繪出)所連接,在本實施例中，該無外引腳導(dǎo)線架可另具有一晶片承座112。接著，在粘晶步驟2中，以覆晶接合方式將該晶片12i)固定于該無外 引腳導(dǎo)線架上，其該晶片120的主動面121具有復(fù)數(shù)個焊墊122,以復(fù)數(shù)個 凸塊123電性連接該些焊墊122至該些上層接球墊111，以同時完成《電性 連接"步驟3;較佳地，在粘晶的同時，利用一具有等球徑的間隔球132的 粘晶膠131粘著該晶片120的主動面121與該晶片承座112,可以增進(jìn)該晶 片120的粘著力與界定該晶片120與該無外引腳導(dǎo)線架的間隙，確保該些 凸塊123回焊時過度潰縮，但在不同實施例中，若凸塊123與導(dǎo)線架的結(jié)合 關(guān)變更為共晶鍵合或異方性導(dǎo)電接合等等，則該些間隔球132與該粘晶膠 131為非必要。接著，在"封膠"步驟4中，將該封膠體140形成于該無外引腳導(dǎo)線 架上;當(dāng)該封膠體140形成之后，進(jìn)行"半蝕刻"移除下層引腳并顯露上 層接球墊"的步驟5，以移除該無外引腳導(dǎo)線架的下層引腳，并使該些上層 接球墊111為電性獨(dú)立、顯露且嵌設(shè)于該封膠體140內(nèi)。之后，"接合焊球"步驟6是#^該復(fù)數(shù)個焊球150于該些上層接球墊 lll,而具有低成本免用防焊層以界定該些焊球150的接合面積、易于檢測 與解決模封滋膠的問題、以及增進(jìn)焊球接合強(qiáng)度的功效。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所 作的任何筒單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、 一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其特征在于其包括以下步驟提供一無外引腳導(dǎo)線架,其具有復(fù)數(shù)個下層引腳與復(fù)數(shù)個上層接球墊； 固定至少一晶片于該無外引腳導(dǎo)線架上； 電性連接該晶片與該無外引腳導(dǎo)線架； 形成一封膠體于該無外引腳導(dǎo)線架上；當(dāng)該封膠體形成之后，進(jìn)行一半蝕刻的步驟，以移除該些下層引腳,并 使該些上層接球墊為電性獨(dú)立、顯露且嵌設(shè)于該封膠體內(nèi)；以及 接合復(fù)數(shù)個焊球于該些上層接球墊。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其特 征在于其中所述的該些上層接球墊是為多排排列，且每一下層引腳是連接 有至少兩個的該些上層接球墊，
3、 根據(jù)壽又利要求1所迷的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝柚造的制程,其特 征在于其中所迷的無外引腳導(dǎo)線架另具有復(fù)數(shù)個下層犧牲墊，其是被該些 下層引腳同層連接且對準(zhǔn)于該些上層接球墊下方，并在該半蝕刻步驟中，該 些下層犧牲墊是同時被移除，以供該些焊球的回焊填滿。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)線架基底漆格陣列封裝構(gòu)造的制程,其特 征在于其中所迷的該些下層犧牲墊是為圓形，且其尺寸是小于該些上層接 球墊。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程，其特 征在于其另包含一鋸切步驟，以單離成復(fù)數(shù)個球格陣列封裝構(gòu)造。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其特 征在于其中所述的無外引腳導(dǎo)線架另具有至少一晶片承座，以供該晶片的設(shè)置。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其特 征在于其中所迷的無外引腳導(dǎo)線架另具有復(fù)數(shù)個連接至該晶片承座的系桿 (tie bar)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程,其特 征在于其中所迷的該些系桿是形成于該無外引腳導(dǎo)線架的一下層結(jié)構(gòu)，以 在該半蝕刻步驟中同時被移除。
9、 一種適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架,其特 征在于其是具有復(fù)數(shù)個下層引腳與復(fù)數(shù)個上層接球墊，'該些上層接球墊是 一體連接于該些下層引腳的上方，該無外引腳導(dǎo)線架另具有復(fù)教個下層犧 牲墊，其是被該些下縣引腳同罷連接且對準(zhǔn)于該些上層接球墊下方t
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無 外引腳導(dǎo)線架，其特征在于其中所述的該些上層接球墊是為多排排列，且每 一下層引腳是連接有至少兩個的該些上層接球墊。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無 外引腳導(dǎo)線架，其特征在于其中所述的該些下層犧牲墊是為圓形，且其尺寸 是小于該些上層接球墊.
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無 外引腳導(dǎo)線架，其特征在于其另具有至少一晶片承座。
13、 根椐權(quán)利要求12所述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無 外引腳導(dǎo)線架，其特征在于其另具有復(fù)數(shù)個連接至該晶片承座的系桿(Ue bar)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的適用于導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的無外引腳導(dǎo)線架，其特征在于其中所述的該些系桿是形成于該無外引腳導(dǎo)線 架的一下層結(jié)構(gòu)，
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造的制程及其使用的無外引腳導(dǎo)線架。該無外引腳導(dǎo)線架具有復(fù)數(shù)個下層引腳與復(fù)數(shù)個上層接球墊，在制程中，在封膠之后與接合焊球之前，執(zhí)行一半蝕刻步驟，以移除該些下層引腳而使該些上層接球墊為電性獨(dú)立、顯露且嵌設(shè)于一封膠體內(nèi)，以供接合焊球，不需要防焊層即可界定并控制該些上層接球墊供焊球回焊接合的面積，可以在低成本封裝制程中解決以往導(dǎo)線架基底球格陣列封裝構(gòu)造在焊球回焊時溢流擴(kuò)散至引腳的問題。此外，還能簡易式檢測并解決模封溢膠問題。
文檔編號H01L23/48GK101123236SQ200610104250
公開日2008年2月13日 申請日期2006年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月7日
發(fā)明者林鴻村 申請人:南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司