專利名稱：半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子設備的制作方法
半導體裝置及其制造方法、 電路基板和電子設備本申請是下述申請的分案申請，發(fā)明名稱為"半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子設備"、申請日為1997年12月4日、申請?zhí)枮?97192033.8。本發(fā)明涉及一種半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子設 備，特別是，涉及封裝尺寸接近芯片尺寸的半導體裝置及其制造方 法、電路基板和電子設備。追求半導體裝置高密度封裝時，棵片封裝是理想的?？墒牵闷?難以保證產(chǎn)品質(zhì)量和處理。所以，已開發(fā)出了接近芯片尺寸的封裝CSP (chip scale package)。在以各種方案開發(fā)的CSP型的半導體裝置中，作為一種方案，有 在半導體芯片的有源面一側(cè)上設置已制成圖形的撓性基板，并在該撓 性基板上形成多個外部電極的方案。另外，大家還知道，在半導體芯 片的有源面與撓性基板之間注入樹脂，以期吸收熱應力。但是，在只用樹脂不能充分吸收熱應力的場合下，其它辦法才必要。本發(fā)明就是解決上述這一課題的，其目的在于提供一種封裝尺寸 接近芯片尺寸，除所謂應力吸收層之外，能有效地吸收熱應力的半導 體裝置及其制造方法、電路基板和電子設備。本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，具有準備已形成電極的圓片的工序；避開上述電極的至少一部分在上述圓片上設置第l應力緩沖層的 工序；從上述電極起直到上述第1應力緩沖層上形成第1導通部的工序；在上述笫i應力緩沖層的上邊形成與上述第i導通部連接的外部電極的工序；以及將上述圓片切斷成各個小片的工序；
以設置上述第l應力緩沖層的工序和形成上述第l導通部工序中 的至少一個工序，形成使應力緩和增大的構(gòu)造。根據(jù)本發(fā)明，由于在應力緩沖層上形成導通部和外部電極，故不 需要預先設置外部電極和已制成圖形的薄膜等的基板。并且，連接電極與外部電極的導通部，由于可根據(jù)設計自由形 成，故可以不管電極的配置而決定外部電極的配置。因而，即使不改 變圓片上形成的器件的電路設計，也能簡單地制造外部電極位置不同 的各種半導體裝置。進而，根據(jù)本發(fā)明，由于在圓片上形成應力緩沖層、導通部和外 部電極，所以可切斷圓片得到各個半導體裝置。因此，由于同時進行 對許多半導體裝置的應力緩沖層、導通部和外部電極的形成，故可以 簡化制造工序。作為使上述應力緩和增強的構(gòu)造，也可以在上述第1應力緩沖層 表面上形成凹部，并形成上述第1導通部，使其通過上述凹部的上邊。這樣，由于對應力緩沖層的表面向交叉方向彎曲而形成導通部， 所以能以彎曲狀態(tài)變化來吸收應力，防止斷線。作為增強上述應力緩和的構(gòu)造，也可以在形成上述笫1導通部的 工序中，在上述第1應力緩沖層上的平面方向彎曲形成上述第一導通 部。還可以包括在位于上述凹部的上述第l導通部上填充彈性體的工 序。用該彈性體進一步吸收應力。還可以包括在形成了上述第1導通部的上述第1應力緩沖層上，設置第2應力緩沖層和與上述第1導通部連接的第2導通部的工序。 這樣以來，將應力緩沖層形成為多級，容易使應力進一步分散。 也可以把上述第1導通部和上述第2導通部之中的至少1個導通部形成具有比厚度還大的平面擴展的面狀。這樣以來，由于在面狀的接地電位附近傳輸信號，故變成理想的傳送通路。在形成了上述第l導通部的上述第l應力緩沖層的上邊，設置第 2應力緩沖層和第2導通部；在形成了上述第2導通部的上述第2應力緩沖層的上邊，設置第 3應力緩沖層和笫3導通部；
將上述第2導通部形成線狀，并將上述第1和第3導通部形成面 狀，使其具有比上述第2導通部還大的平面擴展。這樣以來，由于將線狀形成的第2導通部，夾在一對面狀的導通 部中間，故做成為以接地的布線覆蓋周圍。這樣一來，得到與同軸電 纜同樣的構(gòu)造，經(jīng)過第2導通部的信號就變得難以受噪音的影響。也可以夾著上述第一導通部平行地形成成為接地電位的一對布 線。這樣以來，由于形成線狀的第一導通部用一對布線夾著，做成以 接地的布線覆蓋周圍。這樣，就得到與同軸電纜同樣的結(jié)構(gòu)，信號就 變得難以受噪音的影響。本發(fā)明的半導體裝置，具有具有電極的半導體芯片；在上述半導體芯片上避開上述電極的至少一部分來設置的第l應 力緩沖層；從上述電極直到上述第1應力緩沖層上而形成的第1導通部；以及在位于上述第l應力緩沖層的上方的上述第l導通部上形成的外 部電極，將上述第l應力緩沖層形成為，使其在表面上具有凹部，并經(jīng)過 上述凹部之上形成上述第l導通部。這樣以來，由于使導通部對應力緩沖層的表面，向交叉的方向彎 曲而形成，所以能以彎曲狀態(tài)變化來吸收應力，并防止斷線。也可以在位于上述凹部的上述第l導通部上設置彈性體，使之填 充到凹部內(nèi)。上述第l導通部，也可以在上述第1應力緩沖層上彎曲地形成。 上述第l導通部，也可以形成折皺狀。還可以在已形成了上述第1導通部的上述第1應力緩沖層上，具 有第2應力緩沖層和與第1導通部連接的第2導通部。這樣以來，就將應力緩沖層形成為多段，變得容易進一步分散應力。也可以使由上述第1導通部和第2導通部構(gòu)成的2個導通部之中 的一方作成線狀，另一方形成具有比上述線狀的導通部要寬的平面擴 展的面狀。 也可以使上述面狀的導通部為接地電位，而把信號輸'入到上述線 狀的導通部里。也可以具有在已形成了上述第1導通部的上述第l應力緩沖層 之上設置的第2應力緩沖層和第2導通部；以及在已形成了第2導通部的第2應力緩沖層之上設置的第3應力緩 沖層和第3導通部，將上述第2導通部形成為線狀，而上述第1和第3導通部形成面 狀，使其具有比上述第2導通部還大的平面的擴展。這樣以來，由于線狀地形成的第2導通部被夾在一對面狀的導通 部中間，故變成為周圍被接地電位的布線所覆蓋。因此，得到與同軸 電纜同樣的構(gòu)造，經(jīng)過第2導通部的信號變得難以受噪音的影響。也可以并行地形成使之夾著上述第1導通部，并且具有成為接地 電位的一對布線。這樣以來，線狀地形成的第1導通部由于用一對布線夾起來，所 以變成周圍被接地電位的布線所覆蓋。因此，得到與同軸電纜同樣的 構(gòu)造，信號變得難以受噪音的影響。有散熱器。在本發(fā)明的電路基板上封裝上述半導體裝置。 本發(fā)明的電子設備具有該電路基板。圖U

圖1E是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖2A 圖2E是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的 圖3A 圖3D是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的 圖4A 圖4C是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖5是表示成為本發(fā)明前提的半導體裝置平面圖；圖6A-圖6C是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖；圖7A-"圖7C是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的 圖；圖8A-圖8D是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖；圖9A 圖9D是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖；圖IO是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖；圖11A-圖11D是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖；圖12A-圖12C是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖；圖13A 圖13D是說明成為本發(fā)明前提的半導體裝置的制造方法的圖；圖14A~圖14D是表示本發(fā)明的第1實施例的半導體裝置的圖；圖15是表示第2實施例的半導體裝置的圖；圖16是表示第3實施例的半導體裝置的圖；圖17A和圖17B是說明第3實施例的半導體裝置的制造方法的圖；圖18A和圖18B是說明第3實施例的半導體裝置的制造方法的圖；圖19A和圖19B是說明第3實施例的半導體裝置的制造方法的圖；圖20A和圖20B是說明第3實施例的半導體裝置的制造方法的圖；圖21是表示在表面封裝的電子部件中應用本發(fā)明的例圖； 圖22是表示在表面封裝的電子部件中應用本發(fā)明的例圖； 圖23是表示在已應用了本發(fā)明的半導體裝置上形成了保護層的 例圖；圖24是表示在已應用了本發(fā)明的半導體裝置上安裝了散熱器的 例圖；圖25是表示安裝應用本發(fā)明的方法制造的電子部件的電路基板的圖；圖26是表示備有裝配應用本發(fā)明的方法所制造的電子部件的電
路基板的電子設備。用于實施本發(fā)明的最佳實施例在說明本發(fā)明的最佳實施例之前，先說明作為本發(fā)明前提的4支術(shù)。(第1前提技術(shù))圖5是表示成為本發(fā)明前提的半導體裝置的平面圖。該半導體裝 置，是被分類到所謂CSP中的裝置，故從半導體芯片1的電極12，向 有源面la的中央方向形成布線3，并在各布線3上設置了外部電極5。 由于把全部外部電極5都設在應力緩沖層7的上邊，所以可以達到裝 配到電路基板(圖未示出)上時的應力緩和。并且，在外部電極5上， 形成抗焊劑層8作為保護膜。還有，如該圖所示，在半導體芯片1的有源區(qū)域(已形成有源器 件的區(qū)域)上，而不是在半導體芯片1的電極12上設置外部電極5。 因為在有源區(qū)域上設置應力緩沖層7，再在有源區(qū)域內(nèi)配置布線3(引 入)，故可以把外部電極5設置到有源區(qū)域內(nèi)。因此，在配置外部電 極5之際，變成為可以提供有源區(qū)域內(nèi)，即作為規(guī)定面積的區(qū)域，極 大地增加設定外部電極5位置的自由度。而且，采用在應力緩沖層7的上邊使布線3彎曲的辦法，把外部 電極5設置成格子狀排列。并且在電極12與布線3的接合部，已圖 示出的電極12的尺寸和布線3尺寸，雖然變成了布線3<電極12但也可以作成電極12《布線3特別是，成為電極12<布線3的場合下，不僅布線3的電阻值減少，還增加強度防止斷線。圖U-圖4C是說明第1前提技術(shù)的半導體裝置的制造方法的 圖，與圖5的I-I線剖面對應。首先，根據(jù)眾所周知的技術(shù)，通常，在圓片10上形成電極12和 其它的器件。還在本例中，用鋁形成電極12。作為除電極12之外的 例子，也可以用鋁合金系的材料(例如，鋁珪或鋁珪銅等)。并且，為了防止化學上的變化，在圓片10的表面上，形成由氧 化膜等構(gòu)成'的鈍化膜(圖未示出)。鈍化膜，不僅避開電極12，而且 也要避開進行切割的劃線來形成。由于沒有在劃線上形成鈍化膜，故 可以避免切割時發(fā)生粉塵，進而，可以防止發(fā)生鈍化膜的破裂。如圖1A所示的那樣，在具有電極12的圓片10上，涂覆感光性 的聚酰亞胺樹脂，形成(例如用旋涂法)樹脂層14。樹脂層14，以1-100pm的范圍，最好以約10|Lim的厚度來形成是理想的。還有，由于 用旋涂法，變成無用的聚酰亞胺樹脂很多，因而也可以使用用泵帶狀 噴出聚酰亞胺樹脂的裝置。作為這樣的裝置，例如有FAS公司制造的 FAS超精密噴出型涂覆系統(tǒng)(參照美國專利第4696885號)等。如圖1B所示的那樣，在樹脂層14上，形成對于電極12的接觸 孔14a。具體地說，經(jīng)過曝光、顯影和烘焙處理，并從電極12的附近 除去聚酰亞胺樹脂，于是在樹脂層14上形成接觸孔14a。又在同圖 上，在形成了接觸孔14a時，樹脂層14已完全沒有殘留與電極12重 疊的區(qū)域。因為在電極12上完全沒有殘留樹臘層14，故下面工序以 后，雖然有與所設的布線等的金屬之間電接觸成為良好狀態(tài)的優(yōu)點， 但不一定必須作成這樣的構(gòu)造。即，在電極12的外周附近作為樹脂 層14要作成的構(gòu)造，若形成了孔穴使電極12的一部分露出，就完全 達到目的。在這樣的情況下，由于布線層的彎曲數(shù)減少，所以可防止 因斷線等引起的布線可靠性下降。在這里，接觸孔14a帶有錐度。而 且，在形成接觸孔14a的端部，傾斜地形成了樹脂層14。通過設定曝 光和顯影的條件來形成這樣的形狀。進而，若對電極12上進行02等 離子處理，例如即使在電極12上殘留有若干聚酰亞胺樹脂，也能完 全除去該聚酰亞胺樹脂。在作為制成品的半導體裝置中，這樣形成的 樹脂層14就變成了應力緩沖層。還有，在本例中，雖然在樹脂方面使用了感光性聚酰亞胺樹脂， 但也可以用不感光性樹脂。例如用硅酮改性的聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹 脂或硅酮改性的環(huán)氧樹脂等，固化時楊氏模量低(lxl(TPa以下)， 起應力緩沖作用的材料也行。如圖1C所示的那樣，用'減射法，在整個圓片10上形成鉻(Cr) 層16。從電極12起直到樹脂層14上，都形成鉻(Cr)層16。這里， 選擇了鉻(Cr)層16的材料，是因為與構(gòu)成樹脂層14的聚酰亞胺之 間的附著性良好?；蛘撸绻紤]到耐裂紋性，也可以用象鋁或鋁硅、
鋁銅等的鋁合金或銅合金，或銅或金那樣的有延展性的金屬?；蛘?， 如果選擇耐濕性優(yōu)良的鈦，則可以防止因蝕刻而發(fā)生的斷線。鈦，從 與聚酰亞胺之間的附著性的觀點上看也是理想的，也可以用鈦鴒?？紤]與鉻(Cr)層l6之間的附著性時，則使聚酰亞胺等構(gòu)成的 樹脂層14的表面變粗糙化是理想的。例如，通過進行曝露于等離子 體(02、 CFO中的干法處理，和酸或堿的濕法處理，就可使樹脂層14 的表面粗糙化。在接觸孔14a內(nèi)，由于樹脂層14的端部是傾斜的，在該區(qū)域內(nèi) 同樣也傾斜地形成鉻(Cr )層16。在作為成品的半導體裝置中，鉻(Cr ) 層16變成了布線3 (參照圖5)，同時在制造過程中，此后變成對形 成層時的聚酰亞胺樹脂的擴散阻擋層。另外，作為擴散阻擋層也不限 于鉻(Cr)，上述的布線材料全都有效。如圖1D所示的那樣，在鉻(Cr)層16上，涂覆抗蝕劑形成抗蝕 劑層18。如圖1E所示的那樣，經(jīng)過曝光、顯影和烘焙處理，除去抗蝕劑 層18的一部分。留下的抗蝕劑層18被形成為從電極12向著樹脂層 14的中央方向。詳細地說，在樹脂層14的上邊，留下的抗蝕劑層18 構(gòu)造是，使一個電極12上的抗蝕劑層18和另一個電極12上的抗蝕 劑層18不連續(xù)(成為各自獨立的狀態(tài))。而且，僅留下由圖1E所示的觸點抗蝕劑層18覆蓋著的區(qū)域(即 以抗蝕劑層18為掩模)，蝕刻鉻(Cr)層16，并剝離抗蝕劑層18。 以上，在這些前工序中，就是應用圓片工藝過程中的金屬薄膜形成技 術(shù)。而且刻蝕后的鉻(Cr)層16就成為圖2A所示的樣子。在圖2A中，從電極12到樹脂層14，都形成了鉻(Cr)層16。 詳細地說，鉻(Cr)層16構(gòu)成為，使其一個電極12與另一個電極12 之間不連續(xù)。也就是，象可以構(gòu)成與各自電極12對應的布線一樣地 形成鉻(Cr)層16。如圖2B所示的那樣，在至少含有鉻(Cr)層16的最上層的上邊， 用濺射法形成銅(Cu)層20。銅(Cu)層20，成為用于形成外部電 極的底層?；蛘?，也可以形成鎳(Ni)層，以替換銅(Cu)層20。如圖2C所示的那樣，在銅(Cu)層20的上邊，形成抗蝕劑層22， 如圖2D所示的那樣，進行曝光、顯影和烘焙處理，并除去抗蝕劑層22的一部分。這樣一來，除去的區(qū)域，就是樹脂層14的上方，而且， 除去了位于鉻(Cr)層16上方的抗蝕劑層22的至少一部分。如圖2E所示的那樣，在已部分除去抗蝕劑層22的區(qū)域上，形成 臺座24。臺座24，用鍍銅(Cu)法來形成，其上形成焊料球。而且， 臺座24形成在銅(Cu)層20的上邊，通過銅(Cu)層20和鉻(Cr ) 層16與電極12導通。如圖3A所示，在臺座24的上邊，厚層狀地形成作為外部電極5 (參照圖5)的將變成焊料球的焊料26。其中，厚度要由此后在焊料 球形成時與所要求的球徑對應的焊料量來決定。焊料26的層，用電 解電鍍法或印制法等形成。如圖3B所示，剝離圖3A示出的抗蝕劑層22，蝕刻銅(Cu)層 20。這樣一來，臺座24就成為掩模，僅該臺座24的下面的銅(Cu) 層20留下來(參照圖3C)。而且，用液體回流法，把臺座24上的焊 料26縮成半球以上的球形，制成焊料球(參照圖3D)。通過以上的工序，形成了作為外部電極5 (參照圖5)的焊料球。 接著，如圖4A和圖4B所示的那樣，進行為了防止鉻(Cr )層16等 的氧化、提高已完成的半導體裝置中的耐濕性、或為了達到表面的機 械保護等目的的處理。如圖4A所示，在整個圓片IO上面，用涂覆法形成感光性的抗焊 劑層28。而且，進行膝光、顯影和烘焙處理，除去抗焊劑層28之中， 已涂覆了焊料26的部分及其附近的區(qū)域。并且，留下的抗焊劑層28， 作為氧化阻擋膜，還用作成為最終的半導體裝置時的保護膜，或進而 成為以提高防濕性為目的的保護膜。而后，進行電氣特性的檢測，如 有必要則印刷產(chǎn)品標號、制造人名等。接著，進行劃片，如圖C所示，切斷成為各個半導體裝置。這里， 進行劃片的位置，比較圖4B和圖4C就清楚了，是避開樹脂層14的 位置。而且，由于僅對圓片IO進行劃片，故可以避免切斷由性質(zhì)不 同的材料構(gòu)成的多個層時的問題。按照現(xiàn)有的方法進行劃片工序。而且，倘采用所形成的半導體裝置，則由于樹脂層14變成了應 力緩沖層7 (參照圖5),所以緩和了電路基板(圖未示出)與半導 體芯片1 (參照圖5)之間的熱膨脹系數(shù)的差而引起的應力。倘采用以上說明的半導體裝置的制造方法，則圓片工藝過程中幾
乎完成全部工序。換言之，也可以形成與封裝基板連接的外部端子的 工序，變成了在圓片工藝過程內(nèi)進行，處理現(xiàn)有的封裝工序，即各個 半導體芯片，而不對各個半導體芯片分別進行內(nèi)引線鍵合工序、外部 端子形成工序等。并且，當形成應力緩沖層時，不需要有制成了圖形 的薄膜等的基板。由于這些理由，故可以獲得低成本而高質(zhì)量的半導 體裝置。在本例中，雖然假定用作應力緩沖層的樹脂為感光性聚酰亞胺樹 脂，但除此以外，也可以用非感光性樹脂。并且，在本例中，也可以 設有二層以上的布線層。若使層重疊起來， 一般地會增加層厚，并能降低布線電阻。特別是，在把布線之中的一層作成鉻(Cr)的情況形 下，由于銅(Cu)或金電阻比鉻(Cr)低，可以通過使之組合而降低 布線電阻。或者，也可以在應力緩沖層上形成鈦層，在該鈦層上形成 鎳層，或形成由鉑和金組成的層?；蛘撸部梢杂勉K和金的兩層制成 布線。(第2前提技術(shù))圖6A ~圖7C是說明第2前提技術(shù)的半導體裝置的制造方法的 圖。本技術(shù)與第1前提技術(shù)相比，在圖3A以后的工序中變成不同， 而到圖2E的工序與第1前提技術(shù)同樣。而且，圖6A所示的圓片110、 電極112、樹脂層114、鉻(Cr)層116、銅(Cu)層120、抗蝕劑層 122和臺座124,與圖2E所示的圓片10、電極12、樹脂層14、鉻(Cr ) 層16、銅(Cu)層20、抗蝕劑層22和臺座24同樣，由于制造方法 也與圖1A~圖2E所示的方法同樣，故說明從略。在本技術(shù)中，如圖6A所示，在臺座124的上邊，電鍍薄焊料126, 并剝離抗蝕劑層122，作成如圖6B的那個樣子。進而，以薄焊料126 為保護膜，如圖6C所示，對銅(Cu)層120進行蝕刻。接著，如圖7A所示，在整個圓片IIO上，形成抗焊劑層128，又 如圖7B所示，用曝光、顯影和烘焙處理方法除去臺座124區(qū)域的抗 焊劑層128。而且，如圖7C所示，在薄焊料126留下的臺座124的上邊，電 鍍比薄坪料126要厚的厚焊料129。對此用無電解電鍍法進行之。而 后，用液體回縮法，將厚焊料129制成與圖3示出的狀態(tài)同樣地半球 以上的球形。而且，厚焊料129變成用作外部電極5 (參照圖5)的
焊料球。此后的工序，就與上述的第1前提技術(shù)同樣了。采用本技術(shù)，也可以在圓片工藝過程中進行幾乎全部的工序。另外，在本技術(shù)中，用無電解電鍍法形成厚焊料129。而且，可省去臺 座124，而在銅(Cu)層120的上邊直接形成厚焊料129。 (笫3前提技術(shù))圖8A-圖9D是說明有關第3前提技術(shù)的半導體裝置的制造方法 的圖。圖8A示出的圓片30、電極32、樹脂層34、鉻(Cr)層36、銅 (Cu)層40和抗蝕劑層42，與圖2C示出的圓片10、電極12、樹脂 層14、鉻(Cr)層16、銅(Cu)層20和抗蝕劑層22同樣，因為制 造方法也與圖1A~圖2C的同樣，故說明從略。而且，用曝光、顯影和烘焙處理方法，除去圖8A示出的抗蝕劑 層42的一部分。詳細地說，如圖8B所示，僅留下位于成為布線的鉻 (Cr )層36的上方的抗蝕劑層42，而除去其他位置的抗蝕劑層42。接著，對銅(Cu)層40進行蝕刻并剝離抗蝕劑層42，如圖8C 所示，僅在鉻(Cr)層36的上邊留下銅(Cu)層40。而且，形成由 鉻(Cr)層36和銅(Cu)層40的兩層構(gòu)造而成的布線。其次，如圖8D所示，涂覆感光性的抗焊劑形成抗焊劑層44。如圖9A所示，在抗焊劑層44示形成接觸孔44a。接觸孔44a， 是在樹脂層34的上方，形成到作為兩層構(gòu)造的布線表面層的銅(Cu) 層40上。另外，接觸孔44a的形成，用膝光、顯影和烘焙處理方法 來進行。或者，也可以這樣形成接觸孔44a，在規(guī)定位置邊設置孔邊 印制抗焊劑。接著，在接觸孔44a上印制焊糊46 (參照圖9B)，使之作成凸 起的形狀。該焊糊46，用液體回縮法，如圖9C所示，變成焊料球。 而且，進行劃片，并獲得圖9D示出的各個半導體裝置。在本技術(shù)中，通過省去焊料球的臺座，而且應用焊糊的印制法， 故使焊料球的形成容易化，同時，也連帶削減制造工序。還有，所制造的半導體裝置的布線是鉻(Cr)和銅(Cu)的兩層 布線。在這里，鉻(Cr)與由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的樹脂層34的附著 性好，而銅(Cu)耐裂紋性良好。由于耐裂紋性良好，故可以防止布 線的斷線、或電極32和有源器件的損壞?；蛘?，也可以用銅(Cu)
和金的兩層、鉻和金的兩層、或鉻、銅(Cii)和金的三層構(gòu)成布線。在本技術(shù)中，雖然舉出了無臺座的例子，但是不言而喻也可以設 置臺座。(第4前提技術(shù))圖IO是說明第4前提技術(shù)的半導體裝置的制造方法的圖。該圖示出的圓片130、電極132、樹脂層134、鉻(Cr)層136、 銅(Cu)層140和抗焊劑層144，與圖9A示出的圓片30、電極32、 樹脂層34、鉻(Cr)層36、銅(Cu)層40和抗焊劑層44同樣，因 為制造方法也與圖8A~圖9A的同樣，故說明從略。在本技術(shù)中，在圖9B中，是在已在抗焊劑層144上形成的接觸 孔144a上，涂覆焊劑146搭載焊料球148，以代替用焊糊46。而后， 進4亍液態(tài)回縮、檢測、打標記和劃片工序。倘采用本技術(shù)，則搭載預先形成的焊料球148，將其制成外部電 極5 (參照圖5)。并且，與第1和第2前提技術(shù)比較的話，可以省 去臺座24、 124。還有，布線3 (參照圖5)，變成了鉻(Cr) 136和 銅(Cu)層140的兩層構(gòu)造。在本技術(shù)中，雖然舉出無臺座的例子，但是不言而喻也可以設置 臺座。(第5前提技術(shù))圖11A-圖12C是說明第5前提技術(shù)的半導體裝置的制造方法的圖。首先，如圖11A所示，在具有電極52的圓片50上，粘合玻璃板 54。在玻璃板54上，形成與圓片50的電極52對應的孔穴54a，并 涂上粘合劑56。該玻璃板54的熱膨脹系數(shù)成為半導體芯片的圓片50的熱膨脹系 數(shù)與裝配半導體裝置的電路基板的熱膨脹系數(shù)之間的值。因此，按對 圓片50進行劃片獲得的半導體芯片、玻璃板54、和裝配半導體裝置 的電路基板(圖未示出)的順序改變熱膨脹系數(shù)的值，所以在連接部 的熱膨脹系數(shù)之差縮小并且熱應力也減少。也就是，玻璃板54為應 力緩沖層。另外，若具有同樣的熱膨脹系數(shù)的話，也可以用陶瓷片來 代替玻璃板54。而且，要是把玻璃板54粘合到圓片50上，則用02等離子體處理
法，除去進入孔穴54a中的粘合劑56，作成如圖11B所示的那個樣子。其次，如圖IIC所示，就是整個圓片50在玻璃板54上，用'減射 法形成鋁層58。而后，在孔穴54a的表面上形成膜時，謀求保護比較 容易發(fā)生斷線的鋁。其次，如圖12A所示形成抗蝕劑層59，如圖12B 所示，用曝光、顯影和烘焙處理方法除去抗蝕劑層59的一部分。被 除去的抗蝕劑層59，為布線圖形形成部分以外的位置是理想的。在圖12B中，從電極52的上方直到玻璃板54的上方的范圍，留 著抗蝕劑層59。并且，將在一個電極52的上方與另一個電極52的上 方之間間斷，使之不連續(xù)。并且，蝕刻鋁層58時，如圖12C所示，在成為布線區(qū)域留下鋁 層58。即，從電極52直到玻璃板54的上邊，形成鋁層58作為布線。 并且，形成了鋁層58，使其電極52互相不導通地，變成各自電極52 的每一條布線?；蛘?，若需要使多個電極52導通，則也可以與此對 應，形成成為布線的鋁層58。另外，作為布線，除鋁層58外，有可 應用在第1前提技術(shù)中選擇的全部材料之中的任何一種材料。由于用以上的工序，形成從電極52起的布線，故在作為布線的 鋁層58上形成焊料球，并將圓片50切斷成各個半導體裝置。這些工 序，就可以與上述第1前提技術(shù)同樣進行。倘采用本技術(shù)，則玻璃板54具有孔穴54a，而孔穴54a的形成 是容易的。而且，不需要給玻璃板54上預先形成象凸點或布線之類 的圖形。并且，在成為布線的鋁層58等的形成工序中，應用圓片工 藝過程中的金屬薄膜形成技術(shù)，而且?guī)缀跞康墓ば蚨家詧A片工藝來 完成。另外，也可以在玻璃板54的上邊，與第1前提技術(shù)同樣進一步 設置另外的應力吸收層，例如聚酰亞胺樹脂等。在這樣的情況下，由 于再設置應力吸收層，因而玻璃板54的熱膨脹系數(shù)也可以與硅相同。 (第6前提技術(shù))圖13A-圖13D是說明第6前提技術(shù)的半導體裝置的制造方法的 圖。在本技術(shù)中，應力緩沖層選擇了聚酰亞胺板。聚酰亞胺由于楊氏 模量低，所以是作為應力緩沖層適合材料。還有，此外也可以用，例 如塑料板或玻璃環(huán)氧樹脂系等的復合板。這時，如杲使用與封裝基板 相同材料，熱膨脹系數(shù)上沒有差別則是理想的。特別是目前，大多將 塑料基板用作封裝基板，所以應力緩沖層用塑料板是有效的。首先，如圖13A所示，在具有電極62的圓片60上，粘合聚酰亞 胺板64，制成為如圖13B所示。還有，在聚酰亞胺板64上，預先涂 覆粘合劑66。其次，如圖13C所示，在與電極62對應的區(qū)域上，用激態(tài)復合 物激光器等形成接觸孔64a，如圖13D所示，用賊射法形成鋁層68。 另外，除鋁層68以外，也可以應用在第1前提技術(shù)中選擇的所有材 料之中的任一種材料。而且，由于變成與圖IIC同樣的狀態(tài)，故此后，可以進行圖12A 以后的工序來制造半導體裝置。倘采用本技術(shù)，由于使用不形成孔穴的聚酰亞胺板64,故不需要 制成了圖形的基板。其它的效果與上述第1~第5的前提技術(shù)同樣。另外，作為其它技術(shù)，在應力緩沖層上預先進行穿孔等的機械加 工設置孔穴，然后，在圓片上進行粘合等的配置工藝也是可以的。而 且除機械加工之外，也可以用化學蝕刻法或干式蝕刻法設置孔穴。另 外，在用化學蝕刻法或干式蝕刻法形成孔穴的情況下，即使在圓片上 也可以按此前的事前工序來進行。 (第1實施例)本發(fā)明，由于已進一步改良開發(fā)了上述技術(shù)，下面，將參照附圖 說明本發(fā)明的最佳實施例。圖14A-圖14D是表示本發(fā)明的第1實施例的圖。在圖14A示出的半導體裝置150中，間斷地形成由聚酰亞胺構(gòu)成 的樹脂層152。樹脂層152成為應力緩沖層。作為應力緩沖層，雖然 感光性聚酰亞胺樹脂是理想的，但是也可以是非感光性樹脂。例如也 可以用硅酮改性聚酰亞胺樹脂，環(huán)氧樹脂、硅酮改性環(huán)氧樹脂等，固 化時的楊氏模量低的(lxl(TPa以下)，起緩和應力作用的材料。并且，在樹脂層152上，形成了具有錐形的凹部152a。而且，由 于沿這個凹部152a的表面形狀形成了布線154，故在剖面形狀方面， 布線154已經(jīng)彎曲了。另外，在布線154上也已形成了焊料球157。 這樣的布線154，被配置在作為應力緩沖層的樹脂層152上，而且， 由于彎曲，故與簡單平坦地配置的情況相比較，變得容易伸縮了。于 是，在把半導體裝置150裝配到電路基板上時，就容易吸收因熱膨脹
系數(shù)不同而產(chǎn)生的應力。從布線154發(fā)生位移的部分(彎曲部分等) 直到焊料球157為止，選擇彈性變形率較大的材料用作樹脂層152是 理想的。這已選擇材料，即使在下面的實施例中也是共同適用。進而，是在凹部152a的上方，具體地說相當于凹部152a的位置， 在形成凹狀的布線區(qū)域上，如圖14A所示，設置彈性體156是理想的。 彈性體156，如果以用于作為應力緩沖層的樹脂層152的材料來形成 也行。借助于該彈性體156，可以進一步吸收使布線154伸縮的應力。 使形成最外層(保護層)的例如光致抗蝕劑層，兼具彈性體156的功 能也行。并且，彈性體156也可以與各個凹部152a對應，分別各自 設置。而且，防止布線154的斷線，或者，防止因應力而通過布線154 破壞電極158等。另外，電極158和布線154都覆以最外層(保護層) 155予以^呆護。其次，在圖14B示出的半導體裝置160中，在從電極169到第1 樹脂層162上所形成的第1布線164的第1樹脂層162上，形成第2 樹脂層166和第2布線168。第1布線164與電極169連接，而第2 布線168與第1布線164連接，且在第2布線168上形成焊料球167。 這樣，如果形成多層樹脂層和布線，就可增加布線設計的自由度。還 有，電極169以及第1布線164和168，都覆蓋以最外層(保護層) 165予以保護。并且，也能將幾乎可忽略面積的細長布線，形成為具有平面擴展 (寬度或大小)的面狀。并且，樹脂層為多層時，就變得容易分散應 力了。還有，若將以面狀形成的布線設定為GND (接地)電位或電源 電壓電位，則容易控制阻抗，高頻特性將非常優(yōu)越。其次，圖14C示出的半導體裝置170，就是將半導體裝置150和 160組合起來的裝置。即，在第1樹脂層172上形成第1布線174， 在第1布線174的上邊形成第2樹脂層176，使其具有凹部176a。而 且，形成于第2樹脂層176上的第2布線178，在剖面形狀上具有彎 曲。另外，在第2布線178上形成了焊料球177。并且，電極179和 布線174同178都覆以最外層(保護層)175予以保護。倘采用本實 施例，就能達到將上述半導體裝置150和160組合的效果。其次，在圖14D示出的半導體裝置180中，在以虛線示出的區(qū)域
形成的應力緩沖層187的上邊，從電極起182形成布線184，使得在 平面形狀中進行彎曲，且在該布線184上形成了焊料球等的凸點 l86。即使在本實施例中，對上述半導體裝置150(參照圖14A)而言， 由于方向相反的，布線184也彎曲了，故在吸收應力的能力方面也很 優(yōu)越。另外，也可以如圖14A~圖14C所示的那樣，立體地彎曲在圖14D 示出的平面形狀彎曲的布線184 。這樣一來，就進一步提高了防止斷 線的效果。但是，應力緩沖層187必須存在于布線184之下。并且， 電極182和布線184覆以圖未示出的最外層(保護層)予以保護。 (第2實施例)其次，圖15示出的半導體裝置190，在連接鋁焊盤192與設于應 力緩沖層194上邊的焊料球196的布線200方面，具有特點。布線200 可以用在第1前提技術(shù)第中所選擇的布線材料之中的任一種材料。該 布線200具有折皺式部分200a。如圖14D所示，折皺式部分200a是， 布線之中已變成了空洞(狹縫)的狀態(tài)，而插入通常的布線連續(xù)形成 多個折皺式部分200a。該折皺式部分200a在應力吸收性能上，比彎 曲的布線184更優(yōu)越。通過具有該折皺式部分200a，在半導體芯片上 在布線200中發(fā)生裂紋，或向鋁焊盤192和對其它有源器件的損傷沒 有了，提高作為半導體裝置的可靠性。并且，由于將折皺式部分200a 設置在一條布線上，所以用于應力吸收的構(gòu)造的空間微不足道。因 此，可以邊維持半導體裝置的小型化，邊提高設計的自由度，使之不 脫離CSP范疇。此外，在本實施例中，雖然折皺式部分200a是對平 面方向的例子，但也可以設計在厚度方向。在以上說明的實施例或前提技術(shù)中，作為電極雖然以焊料為例進 行敘述，但是即使采用其它，例如用金凸點等公知的連接用材料也沒 有什么問題。并且，外部電極，是半導體芯片的有源區(qū)域，而如果是 電極上以外，就哪兒也可以形成。 (第3實施例)圖16-圖20是表示本發(fā)明的第3實施例的圖。圖16是表示本實 施例的半導體裝置的剖面圖。該半導體裝置300，在半導體芯片302 上具有多層(4層)構(gòu)造，且表面是以抗焊劑350進行保護的。另外， 在本實施例中，也可以應用對其它實施例和前提技術(shù)中已說明過的材
料和制造方法等。圖17A和圖17B是表示第l層的圖。詳細地說，圖17B是平面圖， 圖17A是圖17B的VII-VII線的剖面圖。在半導體芯片302上，形成 了信號輸入或輸出的電極304。在電極304的附近，形成了端部為傾 斜面的應力緩沖層310。應力緩沖層310是絕緣體，具體地說，聚酰 亞胺樹脂是理想的。而且，從電極304直到應力緩沖層310上，形成 了信號布線312。信號布線312，如圖17B所示，在與電極304相反 一側(cè)的端部，有島狀的連接部312a。并且，象把該連接部312a包圍 起來的方式，不接觸地形成GND平面316。 GND平面316與半導體芯 片302的接地用電極(圖未示出)連接。圖18A和圖18B是表示第2層的圖。詳細地說，圖18B是平面圖， 而圖18A是圖18B的VIII-VIII線剖面圖。如這些圖所示，在上述的 笫1層上形成了應力緩沖層320。但是，應力緩沖層320要避開第1 層的信號布線312的連接部312a的中央部分形成。而且，從第1層 的連接部312a直到第2層的應力緩沖層320，形成信號布線322。信 號布線322具有與連接部312a連接的連接部322a和又一個連接部 322b。并且，在應力緩沖層320上，形成不與信號布線322導通的信 號布線324。信號布線324具有連接部324a、 324b。進而，在應力緩 沖層320上，雖然形成了另一布線324和325，但是由于與本發(fā)明沒 有直接關系，故省略說明。并且，形成GND平面326，使其包圍，而 又不接觸信號布線322、 324和布線324、 325 。 GND平面326，介以 第1層的GND平面316與半導體芯片302的接地用電極(圖未示出) 連接。圖19A和圖19B是表示第3層的圖。詳細地說，圖19B是平面圖， 而圖19A是圖19B的IX-IX線剖面圖。如這些圖所示，在上述的第2 層上形成了應力緩沖層330。但是，應力緩沖層330要避開第2層的 信號布線322的連接部322b的中央部分形成。而且，從第2層的連 接部322b直到應力緩沖層330，形成信號布線332。信號布線332具 有與第2層的連接部332b連接的連接部33h和又一個連接部33M。 并且，在應力緩沖層330上，形成不與信號布線332導通的信號布線 334。該信號布線334具有連接部334a、 334b。并且，形成GND平面 336，使其包圍，而又不接觸信號布線332和信號布線334 。 GND平
面326，介以第1層的GND平面316和第2層的GND平面3—26與半導 體芯片302的接地用電極(圖未示出)連接。圖20A和圖2 0B是表示第4層的圖。詳細地說，圖20B是平面圖， 而圖20A是圖20B的X-X線剖面圖。如這些圖所示，在上述的第3層 上形成應力緩沖層340。但是，應力緩沖層340要避開第3層的信號 布線334的連接部334b的中央部分來形成。而且，在第3層的連接 部334b上，形成連接部342，在該連接部342上形成由銅(Cu )構(gòu) 成的臺座344，在該臺座344上形成了焊料球348。焊料球348成為 外部電極。并且，形成GND平面346，使其包圍，而且，不接觸連接 部342。 GND平面346，介以第1層的GND平面316、第2層的GND 平面326和第3層的GND平面336與半導體芯片302的接地用電極(圖 未示出)連接。其次，說明本實施例中的導通狀態(tài)。形成于半導體芯片302上的 電極304與第1層的信號布線312連接，該信號布線312又與笫2層 的信號布線322連接。該信號布線322，通過其連接部322b與第3 層的信號布線332連接。該信號布線332，通過其連接部332b與第2 層的信號布線324連接。該信號布線324，通過其連接部324b與第3 層的信號布線334連接。而且，在該信號布線334的連接部334b上， 介以連接部342和臺座344，形成了焊料球348。而且，形成于半導體芯片上的任意位置上作為外部電極的焊料球 348，與輸入或輸出信號的半導體芯片上任意位置的電極304連接。不用說，外部電極也可以象其它實施例或前提技術(shù)中已說過的那 樣被配置成矩陣狀。且，第1層~第4層的GND平面316、 326、 336和346，全都為 相同接地電位。而且，倘采用本實施例，則電極304與焊料球348之間的布線， 通過絕緣體，成為使其包圍接地電位的導體。也就是，由于內(nèi)部導體， 通過絕緣體，包圍接地電位的外部導體，故具有與同軸電纜同樣的構(gòu) 造。因此，信號難以受到噪音的影響，可以得到理想的傳輸電路。而 且，例如如果是作為CPU的半導體裝置，則可能以超過1Ghz這樣的 高速工作。另外，為了降低形成層的成本，也可以省略形成第1層或第4層
的GND平面316、 346的一層。 (其它實施例)本發(fā)明可以有各種各樣的變形，而不限于上述實施例。例如，上 述實施例，雖然把本發(fā)明應用于半導體裝置，但是可以把本發(fā)明應用 于各種表面裝配用的電子部件中，而不管是有源部件還是無源部件。圖21是表示把本發(fā)明應用到表面裝配用的電子部件中的例圖。 該圖示出的電子部件4 00，是在芯片部分402的兩側(cè)設置電極404而 構(gòu)成，例如電阻器、電容器、線圏、振蕩器、濾波器、溫度傳感器、 熱敏電阻、變阻器、電位器和熔斷器等。在電極404上，與上述實施 例同樣，介以應力緩沖層406，形成布線408。在該布線408上，形 成凸點410。并且，圖22也是表示把本發(fā)明應用到表面裝配用的電子部件中 的例圖。該電子部件420的電極424，形成于芯片部分422的裝配側(cè) 的表面上，且通過應力緩沖層426形成布線428。在該布線428上形 成凸點430。另外，這些電子部件400和420的制造方法，因與上述實施例或 前提技術(shù)同樣，故省略說明。并且，形成應力緩沖層406和426的效 果也與上述實施例或前提技術(shù)同樣。其次，圖23是表示在應用本發(fā)明的半導體裝置上形成保護層的 例圖。該圖示出的半導體裝置440，由于在圖4C示出的半導體裝置上 形成保護層442，除保護層以外與圖4C示出的半導體裝置同樣，故省 略說明。在半導體裝置440中，在與裝配一側(cè)相反面，即背面上形成了保 護層442。這樣一來，可以防止背面受傷。進而，可以防止以背面受傷為起點的裂紋導致的半導體芯片自身 的損傷。理想的是，在切斷成用作單片的半導體裝置440之前，將保護層 442形成到圓片的背面。這樣一來，可對多個半導體裝置440同時形 成保護層442。詳細地說，可以在金屬薄膜形成工序全部結(jié)束后，在 圓片上形成保護層442。這樣一來，就可以順利地進行金屬薄膜形成 工序。保護層442，以耐半導體裝置440的軟熔工序中的高溫的材料為好。詳細地說，以耐焊料的^融溫度為好。并且，保護層442由涂覆 澆灌樹脂形成?；蛘?，也可以粘貼具有粘合性或附著性的薄片來形成 保護層。這種薄片無論是有機還是無機的。如果這樣，則由于半導體裝置的表面覆以除硅酮以外的物質(zhì)，因 而提高例如標識性能。其次，圖24是表示在應用本發(fā)明的半導體裝置上安裝散熱器的 例圖。該圖示出的半導體裝置450，在圖4C示出的半導體裝置上安裝 了散熱器452，由于除散熱器452之外與圖4C示出的半導體裝置同 樣，故省去說明。在半導體裝置450中，散熱器452介以熱傳導性粘合劑454被安 裝到與裝配一側(cè)相反面，即背面上。這樣一來，散熱性提高了。散熱 器452有多個散熱片456，并以銅或銅合金、氮化鋁等形成為多。另 外，在本例中，雖然舉出帶散熱片做例子，但是即使安裝沒有散熱片 的簡單板狀的散熱器(散熱板)，也能得到相應的散熱效果。這時由 于是安裝簡單的板狀，所以容易加工，而且可以降低成本。在上述實施例和前提技術(shù)中，雖然作為外部端子，預先在半導體 裝置側(cè)設置焊料凸點或金凸點，但是作為其它例子，也可以在半導體 裝置一側(cè)，用例如銅等的臺座照樣作為外部端子，而不用焊料球或金 凸點。另外，這時，在半導體裝置裝配時之前，需要預先在裝配半導 體裝置的封裝基板(母板)的連接部(凸緣)上設置悍料。并且，在上述實施例中所用的聚酰亞胺樹脂可以是黑色的。通過 用黑色的聚酰亞胺樹脂作為應力緩沖層，避免半導體芯片受光時的錯 誤動作，同時可增加耐光性，提高半導體裝置的可靠性。此外，在圖25中，已示出裝配了用上述實施例的方法制造的半 導體裝置等的電子部件1100的電路基板1000。而且，作為配備有該 電路基板1000的電子設備，在圖26中，已示出了筆記本型個人計算 機1200。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置，其特征是，具有半導體芯片；在上述半導體芯片的第1面上設置的電極；避開上述電極的至少一部分而設置在上述第1面的第1樹脂層；包括與上述電極相接的第1部分和與上述第1樹脂層相接的第2部分的導通部；設在與上述第1樹脂層重疊的位置上的與上述導通部連接的外部電極；以及設在上述半導體芯片的上述第1面相反側(cè)的第2面上的第2樹脂層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征是，上述第2樹 脂層由可耐熱到上述外部電極的熔融溫度的材料構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征是，上述第1樹 脂層的楊氏模量為1 x 10"Pa以下。
4. 一種半導體裝置，其特征是，具有 半導體芯片；在上述半導體芯片的第1面上設置的電極； 避開上述電極的至少一部分而設置在上述第1面的樹脂層； 包括與上述電極相接的第1部分和與上述樹脂層相接的第2部分 的導通部；設在與上述樹脂層重疊的位置上的與上述導通部連接的外部電 極；以及設在上述半導體芯片的上述第1面相反側(cè)的第2面上的散熱器。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其特征是，上述散熱器 具有散熱片。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其特征是，上述散熱器 為板狀。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其特征是，上述散熱器 通過傳熱性粘合劑安裝在上述半導體芯片上。
8. —種電子設備，其特征是，具有 電子部件；在上述電子部件的第1面上設置的電極； 避開上述電極的至少一部分而設置在上述第1面的第1樹脂層； 包括與上述電極相接的第1部分和與上述第1樹脂層相接的第2 部分的導通部；設在與上述第1樹脂層重疊的位置上的與上述導通部連接的外部 電極；以及設在上述電子部件的上述第1面相反側(cè)的第2面上的第2樹脂層。
9. 一種電子設備，其特征是，具有 電子部件；在上述電子部件的第1面上設置的電極； 避開上述電極的至少一部分而設置在上述第1面的樹脂層； 包括與上述電極相接的第1部分和與上述樹脂層相接的第2部分 的導通部；設在與上述樹脂層重疊的位置上的與上述導通部連接的外部電 極；以及設在上述電子部件的上述第1面相反側(cè)的第2面上的散熱器。
10. —種半導體裝置的制造方法，其特征是，包括在具有第1面和上述第1面相反側(cè)的第2面的圓片的上述第1面 設置電極的工序；在上述第1面上避開上述電極的至少一部分而設置第1樹脂層的工序；設置具有與上述電極相接的第1部分和與上述第1樹脂層相接的 第2部分的導通部的工序；在與上述第1樹脂層重疊的位置上設置與上述導通部連接的外部 電極的工序；在上述第2面設置第2樹脂層的工序；以及將上述圓片切斷成各個小片的工序。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征是， 在設置上述第2樹脂層的工序之后，進行將上述圓片切斷成各個小片 的工序。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征是， 在設置上述第2樹脂層的工序中，在上述第2面上粘貼具有粘合性或 附著性的薄片。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征是， 在設置上述第2樹脂層的工序中，在上述第2面上涂敷成為上述第2 樹脂層的樹脂。
14. 一種半導體裝置的制造方法，其特征是，包括在具有第1面和上述第1面相反側(cè)的第2面的圓片的上述第1面 設置電極的工序；在上述第1面上避開上述電極的至少一部分而設置樹脂層的工序；設置具有與上述電極相接的第1部分和與上述樹脂層相接的第2 部分的導通部的工序；在與上述樹脂層重疊的位置上設置與上述導通部連接的外部電極 的工序；在上述第2面設置散熱器的工序；以及 將上述圓片切斷成各個小片的工序。
全文摘要
一種半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子設備，封裝尺寸為接近芯片尺寸，除所謂應力緩沖層之外，能有效地吸收熱應力的半導體裝置。半導體裝置(150)具有有電極(158)的半導體芯片、設置于半導體芯片的上邊用作應力緩沖層的樹脂層(152)、從電極(158)直到樹脂層(152)的上邊所形成的布線(154)以及在樹脂層(152)的上方在布線(154)上形成的焊料球(157)，還形成樹脂層(152)使得在表面上具有凹部(152a)，并且經(jīng)過凹部(152a)形成布線(154)。
文檔編號H01L21/78GK101127336SQ20071013794
公開日2008年2月20日 申請日期1997年12月4日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月4日
發(fā)明者橋元伸晃 申請人:精工愛普生株式會社