專利名稱：形成絕緣膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)在具有器件元件形成于其上的半導(dǎo)體基板或絕緣基板上真空 層壓絕緣有機(jī)材料(干膜抗蝕劑)的保護(hù)膜來(lái)形成絕緣膜的方法。
背景技術(shù)：
絕緣有機(jī)材料(干膜抗蝕劑)常常被用來(lái)覆蓋和保護(hù)具有形成于半導(dǎo)體基板 上的半導(dǎo)體器件元件的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件元件的表面、或者諸如線圈和電容器的無(wú)源元件以及形成于絕緣基板上的IC (集成電路)的半導(dǎo)體器件元件的電子 零件的表面。在半導(dǎo)體基板的表面上存在由形成于其上的半導(dǎo)體所導(dǎo)致的凸起部 分，而在具有電感器的絕緣基板的表面上存在由形成于其上的、厚度為幾十微米的 線圈圖案所導(dǎo)致的凸起部分。這些凸起部分具有三維結(jié)構(gòu)。在常規(guī)層壓工藝中，這 種結(jié)構(gòu)的間隔中俘獲有氣泡或空隙。為了避免包含空氣，眾所周知一種層壓裝置一真空層壓機(jī)，其中絕緣有機(jī)材 料(干膜抗蝕劑)的保護(hù)膜被層壓于半導(dǎo)體基板或絕緣基板上。真空層壓機(jī)設(shè)置有 能夠通過(guò)抽氣在其中生成真空環(huán)境的腔室。真空層壓機(jī)還在腔室中設(shè)置有可被加熱并通過(guò)調(diào)節(jié)壓力膨脹的薄膜。允許容 納于腔室中的一對(duì)或多對(duì)基板與干膜抗蝕劑(下文中也簡(jiǎn)稱為"抗蝕膜")被引入 到該腔室中，并且腔室被抽空，其中膨脹的薄膜將抗蝕劑粘附地緊壓在基板上，從 而用抗蝕膜覆蓋基板。專利文獻(xiàn)1對(duì)真空層壓進(jìn)行描述，并公開了一種在光敏干膜(抗蝕膜)與具 有凸起曲面的基板之間獲得基本上無(wú)空隙的界面的方法。[專利文獻(xiàn)1]日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)公開No. H2-226152。
然而，在上述常規(guī)技術(shù)中，與基板的內(nèi)部區(qū)域中的平坦區(qū)相比，堆積(積聚) 于基板的周邊區(qū)域中的抗蝕膜在基板的周邊區(qū)域中形成抗蝕膜隆起(以下稱為高度差(elevation))。位于隆起位置上的器件元件由于較厚的抗蝕膜而變得不合格。 因而，隆起位置導(dǎo)致缺陷器件元件的數(shù)量增加這個(gè)問(wèn)題?？刮g膜在周邊區(qū)域中的隆起位置是在抗蝕膜的真空層壓過(guò)程中，由抗蝕膜在 基板周邊區(qū)域上的堆積(積聚)所導(dǎo)致的，其中經(jīng)加熱和軟化的抗蝕膜通過(guò)例如大 氣壓的壓力受到擠壓，并向由緊壓抗蝕膜的PET膜所封閉的基板的邊緣往外延伸， 如圖2所示以及以下將描述的?；宓耐膺吘売米饔衫绱髿鈮旱膲毫?duì)基板1 之外的隔膜(在圖2中未示出)部分所施加的力的支點(diǎn)，該隔膜通過(guò)PET膜15將 抗蝕膜5壓向基板1。結(jié)果，隔膜/PET膜被緊緊地壓在基板的外邊緣上，并且恰 好在邊緣內(nèi)部的位置變形為向上凸起，從而導(dǎo)致受壓抗蝕膜在此位置上積聚。因此， 在基板的周邊區(qū)域上形成抗蝕膜的隆起位置。如果周邊環(huán)形電極被設(shè)置在基板的周 邊區(qū)域上，則將進(jìn)一步加劇該抗蝕膜的隆起。以下將描述周邊環(huán)形電極，該電極對(duì)周邊區(qū)域中抗蝕膜的隆起產(chǎn)生影響。 在制造半導(dǎo)體器件或諸如電感器的電子零件的工藝中，在許多情況下采用電 鍍工藝。在形成厚度具體為幾十pm的金屬薄膜的情形中，通常采用電鍍工藝。在 采用電鍍工藝的情形中，需要使電流通過(guò)要電鍍的基板(例如，硅基板或鐵氧體基 板)。為了施加電流，需要在基板的周邊區(qū)域中形成周邊環(huán)形電極。周邊環(huán)形電極 在電鍍工藝中與電鍍裝置的電極形成接觸。電鍍工藝也在此周邊環(huán)形電極上進(jìn)行電 鍍。如前所述，抗蝕膜堆積(積聚)于基板的端部區(qū)域上并形成隆起，該區(qū)域中 排列有周邊環(huán)形電極。這表示抗蝕膜有大高度差，即抗蝕膜表面的高度平面與連接 端子(封裝端子/電極極板)的水平面之間有較大差值，該端子形成于與周邊環(huán)形 電極相鄰的器件元件(感應(yīng)器或半導(dǎo)體器件元件)的邊緣上。這個(gè)抗蝕膜高度差可 能過(guò)大而不能滿足規(guī)范要求，從而增加了缺陷器件的數(shù)量。抗蝕膜的大高度差使得 難以在器件元件的連接端子與印刷電路板的布線圖之間執(zhí)行焊接。圖15是抗蝕膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖。盡管以電鍍圖案 形成的凸起部分3實(shí)際上在器件元件6的表面上具有復(fù)雜的平面和截面配置，但是 為了方便起見(jiàn)，形成于一個(gè)器件元件上的凸起部分3的截面配置在圖15中表示成 方塊。在基板1上形成具有凸起部分3和周邊環(huán)形電極2的電鍍圖案的器件元件6 之后，進(jìn)行真空層壓工藝?？刮g膜5在周邊環(huán)形電極2與靠近該周邊環(huán)形電極2 的凸起部分3a之間的區(qū)域中形成較厚的隆起。例如，凸起部分3是電鍍圖案。凸起部分3a上抗蝕膜5的高度差Q約為30 pm到40 pm，并且大于凸起部分 3b上抗蝕膜5的高度差R，后者約為20 pm。超出30 pm的高度差Q在器件元件6 的連接端子(圖中未示出)與印刷電路板之間導(dǎo)致較差的焊接特性。具有許多器件元件6的基板1涉及與相鄰器件元件6上的凸起部分3之間以 較大距離排列的凸起部分3上的抗蝕膜過(guò)薄的問(wèn)題。以下將對(duì)這個(gè)問(wèn)題進(jìn)行描述。圖16(a)和16(b)示出了其上具有抗蝕膜的器件元件的結(jié)構(gòu)，其中圖16(a)是基 本部分的橫截面視圖，而圖16(b)是基本部分的俯視圖；圖16(a)是沿圖16(b)中 X1-X1線的橫截面視圖。在形成于基板1上的許多器件元件6之一上形成凸起部分11的電鍍圖案(它 示出了圖15凸起部分的細(xì)節(jié))之后，通過(guò)真空層壓形成抗蝕膜5。這里的凸起部 分11傾斜地排列在矩形器件元件6中，并且采取了線圈導(dǎo)體的電感器。雖然為了 方便起見(jiàn)，圖15僅示出器件元件6上形成的一個(gè)凸起部分3，但是圖16示出了形 成于與實(shí)際器件元件更類似的器件元件6上的多個(gè)傾斜凸起部分11。與器件元件6中央的抗蝕膜5的厚度(高度差S，它是凸起部分的表面高度與 抗蝕膜的表面高度之間的差值)相比，器件元件6 (高度差P)的端部區(qū)域中的凸 起部分11上抗蝕膜5的厚度較薄(高度差P〈高度差S)。在最壞的情況下，凸起 部分11的電鍍圖案局部未覆蓋有抗蝕膜。如果抗蝕膜5過(guò)薄，或者未能覆蓋電鍍圖案，則抗蝕膜5不能用作保護(hù)膜， 從而使器件元件的可靠性退化。電鍍圖案的凸起部分11可不被排列成傾斜的，而 是排列成與矩形器件元件的邊緣線平行。在這種情況下，器件元件6的端部區(qū)域中 的抗蝕膜5也可能過(guò)薄，或者未能覆蓋電鍍，從而導(dǎo)致退化的可靠性。圖17是基本部分的沿圖16(b)中X2-X2線的橫截面視圖。在沿X1-X1線的截 面與沿X2-X2線的截面這兩種情況中，相鄰器件元件6的相對(duì)凸起部分11之間的 距離Wl彼此相等。因此，圖17凸起部分11上的抗蝕膜5的截面配置與圖16(a) 的相同。
發(fā)明內(nèi)容
(繼續(xù))本發(fā)明的一個(gè)目的是解決上述問(wèn)題，并提供形成絕緣膜的方法，該方法抑制
抗蝕膜在周邊環(huán)形電極上的堆積(積聚)，以便減少抗蝕膜在與周邊環(huán)形電極相鄰 的器件元件的凸起部分上的高度差(隆起)，并且該方法還限制了抗蝕膜厚度在器 件元件端部區(qū)域的凸起部分上的減小。為了實(shí)現(xiàn)上述目的， 一種根據(jù)本發(fā)明的形成絕緣膜的方法包括在基板之上真 空層壓絕緣有機(jī)材料的步驟，在該基板中周邊環(huán)形電極形成于基板的周邊區(qū)域中且 器件元件形成于該周邊區(qū)域內(nèi)部、并具有包括凸起部分的表面配置，其中在基板上 的周邊環(huán)形電極與器件元件之間的區(qū)域中形成第一虛擬圖案。較佳地，絕緣有機(jī)材料是干膜抗蝕劑。較佳地，第一虛擬圖案是形成于基板上的電鍍圖案、形成于基板中的通孔圖 案、或者通過(guò)在基板的表面上挖出凹坑形成的凹陷圖案。較佳地，第一虛擬圖案是矩形圖案或橢圓圖案，各個(gè)圖案具有直角縱向或與 周邊環(huán)形電極的邊緣線平行的縱向，或者各個(gè)圖案具有直角縱向以及與周邊環(huán)形電 極的邊緣線平行的縱向的組合。第一虛擬圖案可以是正方形圖案或圓形圖案。第一虛擬圖案可以是由排列成柵格的正方形或圓形構(gòu)成的圖案。 較佳地，第一虛擬圖案與器件元件之間的距離與形成于基板上的器件元件之 間的距離基本上相等(或者基本上具有相同間距)。 上述第一虛擬圖案可組合在一起。較佳地，第一虛擬圖案具有與器件元件的一部分或整個(gè)圖案相同的配置，并 且第一虛擬圖案具有與形成于基板上的器件元件的重復(fù)周期相同的重復(fù)周期。一種根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法包括在基板之上真空層壓絕緣有機(jī)材料的 步驟，在該基板中具有形成于其上的器件元件并具有包括凸起部分的表面配置，其 中第二虛擬圖案形成于器件元件的側(cè)面區(qū)域中。一種根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法包括在基板之上真空層壓絕緣有機(jī)材料的 步驟，在該基板中周邊環(huán)形電極形成于基板周邊區(qū)域中且器件元件形成于該周邊區(qū) 域內(nèi)部、并具有包括凸起部分的表面配置，其中第二虛擬圖案形成于器件元件的側(cè) 面區(qū)域中。一種根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法包括在基板之上真空層壓絕緣有機(jī)材 料的步驟，在該基板中周邊環(huán)形電極形成于其周邊區(qū)域內(nèi)部中且器件元件形成 于周邊區(qū)域內(nèi)部、并具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虛擬圖案形成于 基板上的周邊環(huán)形電極與器件元件之間的區(qū)域中，而第二虛擬圖案形成于器件 較佳地，絕緣有機(jī)材料是干膜抗蝕劑。在一種根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法中，除第二虛擬圖案之外，可在基板 上的周邊環(huán)形電極與器件元件之間的區(qū)域中形成第一虛擬圖案。 較佳地，第二虛擬圖案是形成于基板上的電鍍圖案。 較佳地，電鍍圖案是排列成與器件元件的側(cè)面平行的矩形圖案。 電鍍圖案可以是三角形或梯形。電鍍圖案可由各自具有近似矩形的多個(gè)部分構(gòu)成。在本發(fā)明的方法中，虛擬圖案(第一虛擬圖案)被設(shè)置在周邊環(huán)形電極與 器件元件之間，結(jié)果抗蝕膜的堆積(積聚)的位置存在于該虛擬圖案之上，由 此減小與周邊環(huán)形電極相鄰的器件元件上的絕緣膜(抗蝕膜)的高度差。因此， 與周邊環(huán)形電極相鄰的缺陷器件元件的數(shù)量得到減小，而良好器件元件的比率 得到提高。此第一虛擬圖案由電鍍圖案(凸起圖案)或(多個(gè))通孔構(gòu)成。在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，虛擬圖案(第二虛擬圖案)被設(shè)置在器 件元件的側(cè)面區(qū)域中，由此限制器件元件側(cè)面區(qū)域中絕緣層(抗蝕膜)厚度的 減小，并防止絕緣層變薄。因此，良好器件元件的比率得到提高。此第二虛擬 圖案由電鍍圖案(凸起圖案)構(gòu)成。上述效果可通過(guò)具有與由器件元件的凸起部分構(gòu)成的電鍍圖案相同的配 置的虛擬圖案來(lái)增強(qiáng)。此外，形成于周邊環(huán)形電極與器件元件之間的虛擬圖案防止器件元件的與 周邊環(huán)形電極相鄰的凸起部分變薄?，F(xiàn)在將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例。在以下描述中，類似于常規(guī)結(jié)構(gòu)中的那些的部分通過(guò)與常規(guī)結(jié)構(gòu)中相同的 符號(hào)給出。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的形成絕緣膜的方法的一個(gè)實(shí)施例中工藝的一部分 的流程圖；圖2是示出了真空層壓工藝中的基板、抗蝕膜和PET膜的配置的基本部分的 橫截面視圖；圖3(a)、 3(b)和3(c)示出了抗蝕膜的厚度為最大值的位置，其中圖3(a)示出了
周邊環(huán)形電極與相鄰于該電極的凸起部分之間的距離較窄的情況，圖3(b)示出了周邊環(huán)形電極與相鄰于該電極的凸起部分之間的距離較寬的情況，而圖3(c)在周邊環(huán)形電極與相鄰于該電極的凸起部分之間設(shè)置有虛擬圖案的情況；圖4(a)和4(b)示出了根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法的第一實(shí)施例中的虛擬圖 案的配置，其中圖4(a)是絕緣膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖，而圖 4(b)是凸起部分形成于其上的基板的基本部分的俯視圖；圖5示出了虛擬圖案的另一種配置；圖6示出了虛擬圖案的又一種配置；圖7示出了虛擬圖案的再一種配置；圖8示出了由與構(gòu)成器件元件的圖案相同的圖案形成的虛擬圖案；圖9(a)和9(b)示出了根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法的第二實(shí)施例中的虛擬圖 案的配置，其中圖9(a)是絕緣膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖，而圖 9(b)是基板的基本部分的俯視圖；圖10(a)和10(b)示出了根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法的第三實(shí)施例中的虛擬 圖案的配置，其中圖10(a)是絕緣膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖， 而圖10(b)是器件元件的基本部分的俯視圖；圖11是器件元件的另一個(gè)俯視圖；圖12是器件元件的又一個(gè)俯視圖；圖13是器件元件的再一個(gè)俯視圖；圖14是器件元件的另一個(gè)俯視圖；圖15是抗蝕膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖； 圖16(a)和16(b)示出了抗蝕膜形成于其上的常規(guī)器件元件的結(jié)構(gòu)，其中16(a) 是基本部分的橫截面視圖，而16(b)是基本部分的俯視圖；以及 圖17是基本部分的沿圖16(a)中X2-X2線的橫截面視圖。[符號(hào)描述]1: 基板2: 周邊環(huán)形電極3: 凸起部分3a: 凸起部分(與虛擬圖案或周邊環(huán)形電極相鄰)3b: 凸起部分(與虛擬圖案或周邊環(huán)形電極不相鄰)4， 10:虛擬圖案5:抗蝕膜6:器件元件7:基板的端部8:凸起元件3a的端部9:位置線11:凸起部分12:虛擬圖案15:上PET膜16:下PET膜21， 22:邊緣線具體實(shí)施方式
(繼續(xù))圖1是根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法的一個(gè)實(shí)施例中工藝的一部分的流程圖。 在此示例中，絕緣膜是干膜抗蝕劑(下文中稱為"抗蝕膜")。參看圖1的流程圖，首先器件元件形成于基板(S1)上。例如，此器件元件是半導(dǎo)體器件或電感器。半導(dǎo)體器件元件在適用時(shí)使得配線和連接端子形成于硅基板的 表面上。在電感器情況下，線圈導(dǎo)體和連接端子形成于鐵氧體基板上。這些配線、 線圈導(dǎo)體和連接端子由例如電鍍形成，并且從基板表面突出成凸起部分，即凸起部 分位于器件元件的表面上。因而，具有配線、線圈半導(dǎo)體和連接端子的基板的表面 上不平整，并且該基板在其表面上具有許多凸起部分。接著，具有凸起部分的基板表面使用抗蝕膜(S2)來(lái)真空層壓。然后，使用光掩 模使抗蝕膜曝光，接著形成圖案以露出連接端子(S4)。其后，進(jìn)行紫外光輻射(UV固化)(S5)，然后是熱烘干(S6)，從而完成形成 抗蝕膜保護(hù)膜的一系列工藝。圖2是示出了真空層壓工藝中的基板、抗蝕膜和PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯) 膜的配置的基本部分的橫截面視圖。具有配線和其它部分的基板1被置于下PET膜16上。在基板1上放置抗蝕膜 5，而上PET膜15被置于抗蝕膜5上。下PET膜可被用作輸運(yùn)PET膜，或者另一 PET膜可被添加到輸運(yùn)膜上。
上PET膜和下PET膜通常被用來(lái)避免在層壓工藝中由于抗蝕膜5的泄漏而對(duì) 通過(guò)PET膜15、 16緊壓的隔膜(在圖中未示出)所產(chǎn)生的粘附和污染。本發(fā)明通過(guò)在此制造工藝中在基板(和器件元件)上提供使絕緣膜(抗蝕膜5) 厚度平整(以便減少絕緣膜上的高度差)的虛擬圖案來(lái)表征。圖3(a)、 3(b)和3(c)示出了抗蝕膜的厚度為最大值的位置，其中圖3(a)示出了 周邊環(huán)形電極與相鄰于該電極的凸起部分之間的距離較窄的情況，圖3(b)示出了周 邊環(huán)形電極與相鄰于該電極的凸起部分之間的距離較寬的情況，而圖3(c)在周邊環(huán) 形電極與相鄰于該電極的凸起部分之間設(shè)置有虛擬圖案的情況。在圖3(a)中，抗蝕膜5的最大厚度位置A位于凸起部分3a的端部8的附近。 抗蝕膜5在凸起部分3a上的厚度最大值Hl大于抗蝕膜5在內(nèi)部凸起部分3b上的 厚度最大值H0。在圖3(b)中，抗蝕膜5的最大厚度位置B位于周邊環(huán)形電極2之上?？刮g膜5 在凸起部分3a的邊緣D處的厚度較薄，而抗蝕膜5在凸起部分3a上的厚度最大 值H2小于抗蝕膜5在凸起部分3b上的厚度最大值H0。在示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖3(c)中，抗蝕膜的最大厚度位置C位于周邊 環(huán)形電極2與虛擬圖案4之間?？刮g膜5在凸起部分3a的端部E處的厚度近似等 于抗蝕膜5在凸起部分3b的端部F處的厚度?？刮g膜5在凸起部分3a上的厚度最 大值H3近似等于抗蝕膜5在凸起部分3b上的厚度最大值H0。在圖3(a)、 3(b)、 3(c)中，符號(hào)l表示基板，符號(hào)6表示器件元件，而符號(hào)9表示位置線。將參考具體示例對(duì)形成于基板1和器件元件6上的虛擬圖案4進(jìn)行更詳細(xì)的描述。[示例1]圖4(a)和4(b)示出了根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法的第一實(shí)施例中的虛擬圖 案的配置，其中圖4(a)是絕緣膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖，而圖 4(b)是該基板的俯視圖。這里，絕緣膜的一個(gè)示例是抗蝕膜5。在示例1的描述中， 虛擬圖案4由電鍍構(gòu)成。此虛擬圖案4是權(quán)利要求所述的一種第一虛擬圖案。如前參考圖1的制造工藝所述的，在形成具有凸起部分3的電鍍圖案的器件 元件6、周邊電極2、以及基板1上周邊電極2與器件元件6之間的電鍍虛擬圖案 4之后，進(jìn)行真空層壓工藝。在圖4中，為了方便起見(jiàn)，形成于一個(gè)器件元件6上 的電鍍圖案的凸起部分3的平面圖案表示成正方形。實(shí)際上，該平面圖案包括配線、 線圈導(dǎo)體和電極的圖案，這些圖案具有復(fù)雜的平面和截面配置。 周邊環(huán)形電極2和虛擬圖案4通過(guò)與在器件元件上形成的凸起部分3同時(shí)電鍍來(lái)形成。虛擬圖案4與凸起部分3a之間的距離L2被制成幾乎等于凸起部分3a與凸起 部分3b之間的距離Ll。周邊環(huán)形電極2的寬度被制成比常規(guī)的窄，以便設(shè)置虛擬圖案4。由于這種配 置，所以抗蝕膜5的隆起峰值(抗蝕膜的最大厚度位置C)在周邊環(huán)形電極2與虛 擬圖案4之間產(chǎn)生?？刮g膜5在靠近虛擬圖案4的器件元件6的凸起部分3a之上 的高度差T近似等于抗蝕膜5在凸起部分3b上的高度差T。此外，抗蝕膜在凸起 部分3a的端部(位置G和J)上的厚度近似等于抗蝕膜在凸起部分3b的端部(位 置K和M)上的厚度。以下對(duì)虛擬圖案4的配置進(jìn)行描述。在圖4(b)中，虛擬圖案由矩形構(gòu)成，這些矩形被排列成它們的縱向與周邊環(huán) 形電極2的邊緣線21平行。兩個(gè)矩形被排列成與器件元件6相對(duì)應(yīng)。虛擬圖案4可被排列成其縱向垂直于周邊環(huán)形電極2的邊緣線21，如圖5所 示。圖案元件的數(shù)量并不限于兩個(gè)。圖案的矩形可用橢圓形替代，盡管未在圖中示出。虛擬圖案4可由可排列成圖6所示柵格的正方形構(gòu)成。除正方形之外，可由 圓形構(gòu)成圖案，盡管未在圖中示出。虛擬圖案可由具有任意其它排列的部分構(gòu)成。 可以上述形狀的任意組合形成圖案。虛擬圖案可通過(guò)如圖7所示的、以與器件元件6相同的周期重復(fù)基本圖案來(lái) 形成，即虛擬圖案的間距L4等于器件元件的間距L3。這表示虛擬圖案4具有與器 件元件6相同的重復(fù)周期。又如圖8所示，虛擬圖案4可具有與器件元件6的一部分或整個(gè)凸起部分相 同的配置，并且以與器件元件相同的周期迸行重復(fù)。結(jié)果，抗蝕膜5之下的圖案類 似于虛擬圖案4的區(qū)域和器件元件6的凸起部分區(qū)域兩者。對(duì)于這種配置，虛擬圖 案4承受基板周邊區(qū)域中的抗蝕膜層壓中的不連續(xù)條件的影響，并使得抗蝕膜層壓 中的條件對(duì)于虛擬圖案4內(nèi)部的每個(gè)器件元件而言近似一致。因而，除虛擬圖案4 之外，每個(gè)器件元件凸起部分上抗蝕膜5的高度差在整個(gè)基板1之上是均勻的，并 且防止在周邊區(qū)域中的器件元件6上形成高度差。圖8示出了電感器的器件元件6 的情形，其中"a"表示線圈導(dǎo)體，而"b"表示連接端子。在圖8的虛擬圖案中， 圖案Dl和D2與器件元件6的圖案的一部分是相同的；圖案D3、 D4和D5與器 件元件6的整個(gè)圖案是相同的；圖案D6、 D7和D8與器件元件6的圖案的一部分 是相同的。以與器件元件6相同的周期重復(fù)虛擬圖案。提供虛擬圖案帶來(lái)有益的附加效果。在不具有虛擬圖案的常規(guī)結(jié)構(gòu)中，與周邊環(huán)形電極2相鄰的凸起部分3a的電鍍圖案傾向于形成為比內(nèi)部凸起部分3b的電 鍍圖案薄。通過(guò)在如圖4所示的周邊環(huán)形電極2與凸起部分3a的這些否則將較薄 的電鍍圖案之間的區(qū)域中配置虛擬圖案4，將使得獲得與凸起部分3b的電鍍圖案 具有相同厚度的凸起部分3a的電鍍圖案成為可能，從而在所有器件元件中實(shí)現(xiàn)均 勻厚度的凸起部分。雖然在通過(guò)電鍍形成虛擬圖案4的情況中描述了示例l，但是虛擬圖案并非必 須通過(guò)電鍍來(lái)形成，而是也可通過(guò)蒸鍍或?yàn)R鍍來(lái)形成。此外，虛擬圖案4可由樹脂 構(gòu)成。[示例2]圖9(a)和9(b)示出了根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法的第二實(shí)施例中的虛擬圖 案的配置，其中圖9(a)是絕緣膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖，而圖 9(b)是基板的基本部分的俯視圖。在此示例中絕緣膜是抗蝕膜5。虛擬圖案10是權(quán) 利要求所述的一種第一虛擬圖案。在此示例2中，虛擬圖案10由替代示例1電鍍的通孔構(gòu)成。周邊環(huán)形電極2 被制成較窄，以便在該周邊環(huán)形電極2與器件元件6之間提供通孔的虛擬圖案10。 在抗蝕劑5流入虛擬圖案10的通孔的這個(gè)配置中，凸起部分3a之上抗蝕膜5的隆 起得到減小，從而使得與虛擬圖案10的通孔相鄰的器件元件6的凸起部分3a之上 的抗蝕膜5的高度差T近似等于凸起部分3b之上的抗蝕膜5的高度差T。雖然在圖9(a)和9(b)中，虛擬圖案10的一個(gè)通孔被配置成與相對(duì)于器件元件 6的周邊環(huán)形電極2的邊緣線平行，但是該通孔也可配置成與周邊環(huán)形電極2的邊 緣線垂直。通孔的數(shù)量可以是兩個(gè)或多個(gè)。虛擬圖案可由正方形且排列成柵格的通孔構(gòu)成，盡管未在圖中示出。除正方 形之外，通孔的形狀可以是圓形。虛擬圖案10可以是與器件元件6具有相同周期的重復(fù)圖案，盡管未在圖中示出。因?yàn)樵谑纠?中抗蝕劑5流入通孔，所以與示例1中的距離相比，周邊環(huán)形 電極2與器件元件6之間的距離可縮短。通過(guò)用凹坑替代通孔可實(shí)現(xiàn)相同的效果。
[示例3〗圖10(a)和10(b)示出了根據(jù)本發(fā)明形成絕緣膜的方法的第三實(shí)施例中的虛擬 圖案的配置，其中圖10(a)是絕緣膜形成于其上的基板的基本部分的橫截面視圖， 而圖10(b)是器件元件的基本部分的俯視圖。在此示例3中，絕緣膜是抗蝕膜5。 周邊環(huán)形電極(在圖中未示出)形成于基板的周邊區(qū)域中。虛擬圖案(在圖10(a) 和10(b)中未示出，但是類似于圖4中的虛擬圖案)形成于周邊環(huán)形電極與器件元 件6之間。虛擬圖案12是權(quán)利要求所述的一種第二虛擬圖案。諸如線圈導(dǎo)體的平行四邊形的六個(gè)凸起部分11形成于器件元件6上。虛擬圖 案12形成于器件元件6的凸起部分11之外的側(cè)面區(qū)域中。這六個(gè)凸起部分11 一 起對(duì)應(yīng)于圖4中的一個(gè)凸起部分3a或3b。如圖10(a)的橫截面視圖所示，虛擬圖 案12是一凸起，并且像器件元件6的凸起部分11 一樣由電鍍形成。虛擬圖案12 被配置成與凸起部分11的邊緣線22平行，并且具有近似四邊形的形狀。通過(guò)將虛擬圖案12配置在器件元件6的端部區(qū)域中，由于增加了虛擬圖案12 的體積，所以抗蝕膜5變得較厚，由此緩和了凸起部分11的電鍍圖案上抗蝕膜5 厚度的減小，該凸起部分11位于器件元件6的端部區(qū)域中。圖10(a)中的抗蝕膜厚 度K2可被制成比圖16中的抗蝕膜厚度P厚?？刮g膜厚度T1 (圖IO(IO)中)比T2 厚。圖11示出了比器件元件6的凸起部分11的電鍍圖案短的虛擬圖案12。較短 的虛擬圖案12造成缺少虛擬圖案的區(qū)域。然而，這些較短虛擬圖案12也可抑制抗 蝕5的厚度的減小，因?yàn)槠骷?上的凸起部分11與相鄰器件元件6上的虛擬 圖案12之間的距離W2比器件元件6上的凸起部分11與相鄰器件元件6上的凸起 部分11之間的距離Wl窄。然而，當(dāng)存在足夠的間隔時(shí)，提供長(zhǎng)度與器件元件6 的端部區(qū)域上的凸起部分11相同的虛擬圖案12是較佳的。圖12示出了三角形的虛擬圖案12，該虛擬圖案12也具有與以上示例相同的 效果。圖13示出了梯形的虛擬圖案12，該虛擬圖案12也具有相同的效果。 圖14示出了由若干小梯形構(gòu)成的虛擬圖案12。這個(gè)虛擬圖案也具有相同的效 果。當(dāng)然，虛擬圖案可由多個(gè)矩形構(gòu)成。如果虛擬圖案的較寬區(qū)域使得凸起部分 11的電鍍部分局部厚度較薄從而引起問(wèn)題，則通過(guò)由多個(gè)小塊電鍍構(gòu)成的虛擬圖 案可獲得較好的結(jié)果。虛擬圖案12可由多個(gè)近似四邊形構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機(jī)材料的步驟，所述基板具有形成于所述基板的周邊區(qū)域中的周邊環(huán)形電極，以及形成于所述周邊區(qū)域內(nèi)部的器件元件，并且具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虛擬圖案形成于所述基板上的所述周邊環(huán)形電極與所述器件元件之間的區(qū)域中。
2. 如權(quán)利要求1所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述絕緣有機(jī)材料是干膜抗蝕劑。
3. 如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述 第一虛擬圖案是形成于所述基板上的電鍍圖案、形成于所述基板中的通孔圖案、或 者由在所述基板的表面上挖出的凹坑形成的凹陷圖案。
4. 如權(quán)利要求3所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案 是矩形圖案或橢圓形圖案，各個(gè)圖案具有垂直或平行于周邊環(huán)形電極的所述邊緣線 的縱向，或者各個(gè)圖案具有垂直和平行于周邊環(huán)形電極的所述邊緣線的縱向組合。
5. 如權(quán)利要求3所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案 是正方形圖案或圓形圖案。
6. 如權(quán)利要求5所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案 是由排列成柵格的正方形或圓形構(gòu)成的圖案。
7. 如權(quán)利要求4到6的任一個(gè)所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述 第一虛擬圖案與所述器件元件之間的距離基本上等于形成于所述基板上的所述器 件元件之間的距離。
8. 如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述 第一虛擬圖案由選自權(quán)利要求4到6中定義的所述圖案的圖案組合構(gòu)成。
9. 如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述第一虛擬圖案具有與所述器件元件的部分或整個(gè)圖案相同的配置，并且所述第一虛 擬圖案具有與形成于所述基板上的所述器件元件的重復(fù)周期相同的重復(fù)周期。
10. —種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機(jī)材料的步驟，所 述基板具有形成于所述基板上的器件元件并具有包括凸起部分的表面配置，其中第 二虛擬圖案形成于所述器件元件的側(cè)面區(qū)域中。
11. 一種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機(jī)材料的步驟，所 述基板具有形成于所述基板的周邊區(qū)域中的周邊環(huán)形電極和形成于所述周邊區(qū)域 內(nèi)部的器件元件，并具有包括凸起部分的表面配置，其中第二虛擬圖案形成于所述 器件元件的側(cè)面區(qū)域中。
12. —種形成絕緣膜的方法，包括在基板上真空層壓絕緣有機(jī)材料的步驟，所 述基板具有形成于所述基板的周邊區(qū)域中的周邊環(huán)形電極和形成于所述周邊區(qū)域 內(nèi)部的器件元件，并具有包括凸起部分的表面配置，其中第一虛擬圖案形成于所述 基板上的所述周邊環(huán)形電極與所述器件元件之間的區(qū)域中，而第二虛擬圖案形成于 所述器件元件的側(cè)面區(qū)域中。
13. 如權(quán)利要求10到12的任一項(xiàng)所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所 述絕緣有機(jī)材料是干膜抗蝕劑。
14. 如權(quán)利要求10或13的任一項(xiàng)所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所 述第一虛擬圖案進(jìn)一步形成于所述基板上的所述周邊環(huán)形電極與所述器件元件之 間的區(qū)域中。
15. 如權(quán)利要求10到14的任一項(xiàng)所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所 述第二虛擬圖案是形成于所述基板上的電鍍圖案。
16. 如權(quán)利要求15所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述電鍍圖案是 排列成與所述器件元件的所述側(cè)面區(qū)域平行的矩形圖案。
17. 如權(quán)利要求15所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述電鍍圖案為三角形或梯形。
18. 如權(quán)利要求15所述的形成絕緣膜的方法，其特征在于，所述電鍍圖案 由各自近似矩形的多個(gè)部分構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種形成絕緣膜的方法。該方法減少與周邊電極相鄰的器件元件之上抗蝕膜的高度差(隆起)，并限制器件元件端部的凸起部分上的抗蝕膜厚度的減小。在此方法中，虛擬圖案4形成于周邊環(huán)形電極2與器件元件6的凸起部分3a之間的區(qū)域中。根據(jù)這種方法，凸起部分3a上的抗蝕膜在位置G處的厚度被制成近似等于凸起部分3b上抗蝕膜在位置K處的厚度。
文檔編號(hào)H01L21/31GK101131919SQ20071014221
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日
發(fā)明者佐藤啟, 廣瀨隆之, 江戶雅晴 申請(qǐng)人:富士電機(jī)控股株式會(huì)社