專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種液晶顯示裝置及其制造方法；特別關(guān)于一種可提升開口 率的液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的薄膜晶體管(TFT)液晶顯示裝置由上下基板所組成，中間包含各 式元件，例如晶體管、儲(chǔ)存電容、像素電極、掃描線、數(shù)據(jù)線等等。在設(shè)計(jì) 液晶顯示裝置時(shí)，通常先依照TFT制造工藝決定晶體管結(jié)構(gòu)，而后決定儲(chǔ)存 電容結(jié)構(gòu)。儲(chǔ)存電容具有二電極，且一般而言至少有一電極為不透明電極， 因此儲(chǔ)存電容將會(huì)降低液晶顯示裝置的開口率。 一般公知開口率的定義為單 一顯示裝置中，導(dǎo)電電極的光穿透面積與裝置面積的比例，開口率越高，則 表示顯示裝置可以透射的光線越多，對(duì)顯示效果也具有相對(duì)性的優(yōu)勢(shì)。由于儲(chǔ)存電容所占面積在液晶顯示裝置中具有一定比例，因此不透光的 儲(chǔ)存電容將顯著地降低顯示裝置的開口率。有鑒于此，于液晶顯示裝置中， 提供一可提升開口率的儲(chǔ)存電容結(jié)構(gòu)，乃為此一業(yè)界急待解決的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一目的在于提供一種液晶顯示裝置及其制造方法，其中該液晶 顯示裝置包含一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容具有二圖案化透明導(dǎo)電層作為電極， 借此該儲(chǔ)存電容可透光，以提升顯示裝置的光穿透面積同時(shí)提高開口率。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的制造該儲(chǔ)存電容步驟可整合于各種液晶顯示裝 置的制造方法，可于三道掩模的液晶顯示裝置制造方法中，加入形成該儲(chǔ)存 電容的一圖案化第二透明導(dǎo)電層的步驟，同時(shí)利用該圖案化第二透明導(dǎo)電層 作為液晶顯示裝置的保護(hù)層，也可于四道掩模、五道掩模、及六道掩模的液 晶顯示裝置制造方法中，加入形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層的步驟，使該儲(chǔ) 存電容具有二圖案化透明導(dǎo)電層作為電極，同時(shí)該圖案化第二透明導(dǎo)電層也
可用以電連接液晶顯示裝置的晶體管、像素、以及儲(chǔ)存電容。本發(fā)明提供了一種制造一液晶顯示裝置的方法，該液晶顯示裝置包含一 基板，該基板具有一晶體管區(qū)域、 一像素區(qū)域及一儲(chǔ)存電容區(qū)域，該制造方 法包含下列步驟(a)形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以分別構(gòu)成該晶體管區(qū)域的一柵極以 及該儲(chǔ)存電容區(qū)域的一第一電極，該柵極包含依序堆疊的一圖案化第一透明導(dǎo)電層及一圖案化第一導(dǎo)電層，該第一電極包含該圖案化第一透明導(dǎo)電層；(b)形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以分別構(gòu)成該晶體管區(qū)域的一半導(dǎo)體區(qū)域、該像素區(qū) 域的一介電區(qū)域、以及該儲(chǔ)存電容區(qū)域的一介電區(qū)域，該半導(dǎo)體區(qū)域包含依 序堆疊的一介電層、 一圖案化半導(dǎo)體層、及一圖案化第二導(dǎo)電層，該像素區(qū)域的該介電區(qū)域包含該介電層，該電容區(qū)域的該介電區(qū)域包含該介電層；以 及(c)形成一圖案化第二透明導(dǎo)電層于該晶體管區(qū)域、該像素區(qū)域、及該儲(chǔ)存 電容區(qū)域，該像素區(qū)域與該儲(chǔ)存電容區(qū)域的該圖案化第二透明導(dǎo)電層分別構(gòu) 成一像素電極與該儲(chǔ)存電容的一第二電極，該晶體管區(qū)域內(nèi)的該圖案化第二 導(dǎo)電層界定該晶體管區(qū)域的一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(a)利用一半調(diào)掩模于一單次掩模制造 工藝中形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該單次掩模制造工藝包含下列步驟形成該圖案化 第一透明導(dǎo)電層于該基板上；形成該圖案化第一導(dǎo)電層以覆蓋該圖案化第一 透明導(dǎo)電層；利用該半調(diào)掩模于該晶體管區(qū)域與該儲(chǔ)存電容區(qū)域分別形成具 有不同縱向尺寸的光致抗蝕劑，以定義蝕刻區(qū)域；蝕刻未覆蓋該光致抗蝕劑 的圖案化第一導(dǎo)電層與圖案化第一透明導(dǎo)電層；灰化光致抗蝕劑，直到暴露 出位于該電容區(qū)域的該圖案化第一導(dǎo)電層；蝕刻位于該電容區(qū)域的該圖案化 第一導(dǎo)電層；以及去除剩余光致抗蝕劑。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(b)利用一半調(diào)掩模于一單次掩模制造 工藝中形成該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該單次掩模制造工藝包含下列步驟依次形成該 介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、以及該圖案化第二導(dǎo)電層于該基板；利用該半 調(diào)掩模于該晶體管區(qū)域、該像素區(qū)域與該第一電極上分別形成具有不同縱向 尺寸的光致抗蝕劑，以分別定義蝕刻區(qū)域；蝕刻未覆蓋該光致抗蝕劑的該圖 案化介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、以及該圖案化第二導(dǎo)電層；灰化光致抗蝕 劑，直到暴露出位于該像素區(qū)域與該第一電極上的該圖案化第二導(dǎo)電層；蝕 刻位于該像素區(qū)域與該第一電極上的該圖案化第二導(dǎo)電層以及該圖案化半 導(dǎo)體層；以及去除剩余光致抗蝕劑。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(C)于一單次掩模制造工藝中形成該圖 案化第二透明導(dǎo)電層，該單次掩模制造工藝包含下列步驟形成該圖案化第 二透明導(dǎo)電層于該基板；于該晶體管區(qū)域上形成一光致抗蝕劑，以定義該溝 道區(qū)域；蝕刻該溝道區(qū)域內(nèi)的該圖案化第二透明導(dǎo)電層與該圖案化第二導(dǎo)電 層，以暴露該溝道區(qū)域的該圖案化半導(dǎo)體層；以及去除該溝道區(qū)域內(nèi)的部分 該圖案化半導(dǎo)體層。上述的方法，其中優(yōu)選地，該基板還包含一掃描線接墊區(qū)域以及一數(shù)據(jù) 線接墊區(qū)域，該制造方法包含下列步驟該步驟(a)包含形成依序堆疊的該圖 案化第一透明導(dǎo)電層及該圖案化第一導(dǎo)電層于該掃描墊區(qū)域；該步驟(b)包含 形成依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、及該圖案化第二導(dǎo)電層于該 數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域；以及該步驟(c)包含形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層以覆蓋該 掃描線接墊區(qū)域與該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域。上述的方法，其中優(yōu)選地，該基板還包含一掃描線接墊區(qū)域以及一數(shù)據(jù) 線接墊區(qū)域，該制造方法還包含下列步驟該步驟(a)包含形成依序堆疊的該 圖案化第一透明導(dǎo)電層及該圖案化第一導(dǎo)電層于該掃描墊區(qū)域；該步驟(b) 包含形成依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、及該圖案化第二導(dǎo)電層 于該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，以及形成該介電層覆蓋部分該掃描線接墊區(qū)域；以及 該步驟(c)還包含下列步驟于形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層之前，形成一保 護(hù)層以覆蓋部分該晶體管區(qū)域、該像素區(qū)域、該儲(chǔ)存電容區(qū)域、部分該掃描 線接墊區(qū)域及部分該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域以及形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層以覆蓋該掃描線接墊區(qū)域于該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域。上述的方法，其中優(yōu)選地，還包含下列步驟于形成該圖案化第二透明 導(dǎo)電層之前，形成一保護(hù)層以覆蓋該晶體管區(qū)域、該像素區(qū)域與該儲(chǔ)存電容 區(qū)域。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(a)包含下列步驟形成該第一透明導(dǎo) 電層；利用一第一掩模形成一第一光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域；蝕刻未覆蓋 該第一光致抗蝕劑的圖案化第一透明導(dǎo)電層；形成該圖案化第一導(dǎo)電層；利 用一第二掩模形成一第二光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域；以及蝕刻未覆蓋該第 二光致抗蝕劑的圖案化第一導(dǎo)電層。
上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(b)包含下列步驟形成該介電層與該 圖案化半導(dǎo)體層；利用一第三掩模形成一第三光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域； 蝕刻未覆蓋該第三光致抗蝕劑的該介電層與該圖案化半導(dǎo)體層；形成該圖案 化第二導(dǎo)電層；利用一第四掩模形成一第四光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域；以 及蝕刻未覆蓋該第四光致抗蝕劑的圖案化第二導(dǎo)電層。上述的方法，其中優(yōu)選地，制造該圖案化第一透明導(dǎo)電層與該圖案化第 二透明導(dǎo)電層其中之一的材料由以下的族群所選出氧化銦錫、氧化銦鋅、 氧化銦錫鋅、氧化鋅鋁及氧化鋅鎵(GZO)。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(b)包含一常壓等離子體蝕刻工藝，該 步驟(b)包含下列步驟(b-l)依次形成該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、以及該 圖案化第二導(dǎo)電層于該顯示裝置區(qū)域；(b-2)以該圖案化第二導(dǎo)電層為硬掩 模，利用該常壓等離子體蝕刻工藝蝕刻該圖案化半導(dǎo)體層；(b-3)形成一金屬 遮罩；(b-4)利用該常壓等離子體蝕刻工藝蝕刻未被該金屬遮罩遮蔽的該介電 層；以及(b-5)移除該金屬遮罩。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(b-2)利用常壓等離子體掃描該基板以 蝕刻該圖案化半導(dǎo)體層。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(b-4)旋轉(zhuǎn)該基板使常壓等離子體蝕刻 未被該金屬遮罩遮蔽的該介電層。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(c)包含一常壓等離子體蝕刻工藝，該 步驟(c)包含下列步驟(c-l)形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層于該基板區(qū)域； (c-2)形成一光致抗蝕劑于該晶體管區(qū)域，以定義該溝道區(qū)域；(c-3)蝕刻該溝 道區(qū)域內(nèi)的該圖案化第二透明導(dǎo)電層與該圖案化第二導(dǎo)電層，以暴露該溝道 區(qū)域的該圖案化半導(dǎo)體層；以及(c-4)以該圖案化第二透明導(dǎo)電層為硬掩模， 利用該常壓等離子體蝕刻工藝蝕刻該圖案化半導(dǎo)體層。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(c-4)利用常壓等離子體掃描該基板以 蝕刻該圖案化半導(dǎo)體層。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(c)還包含下列步驟(c-5)形成一保護(hù) 層；(c-6)形成一金屬遮罩；(c-7)利用該常壓等離子體蝕刻工藝蝕刻未被該金 屬遮罩遮蔽的該保護(hù)層；以及(c-8)移除該金屬遮罩。上述的方法，其中優(yōu)選地，該步驟(c-7)旋轉(zhuǎn)該基板使常壓等離子體蝕刻 未被該金屬遮罩遮蔽的該保護(hù)層。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包含 一基板，具有一晶體管區(qū)域、 一像素區(qū)域及一儲(chǔ)存電容區(qū)域； 一晶體管，形成于該基板的該晶體管區(qū)域， 該晶體管具有依序堆疊的一圖案化第一透明導(dǎo)電層、 一圖案化第一導(dǎo)電層、 一介電層、 一圖案化半導(dǎo)體層、 一圖案化第二導(dǎo)電層及一圖案化第二透明導(dǎo) 電層，其中該圖案化第一透明導(dǎo)電層與該圖案化第一導(dǎo)電層構(gòu)成該晶體管的 一柵極，該圖案化第二透明導(dǎo)電層于該圖案化半導(dǎo)體層內(nèi)定義一溝道區(qū)域， 且于該溝道區(qū)域兩側(cè)定義該晶體管的一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域； 一儲(chǔ)存電 容，形成于該基板的該儲(chǔ)存電容區(qū)域上，該儲(chǔ)存電容具有依序堆疊的該圖案 化第一透明導(dǎo)電層、該介電層、及該圖案化第二透明導(dǎo)電層；以及一像素電 極，形成于該基板的該像素區(qū)域上，該像素電極具有該圖案化第二透明導(dǎo)電 層，且電連結(jié)至該漏極區(qū)域。上述的顯示裝置，其中優(yōu)選地，該基板還包含一掃描線接墊區(qū)域，該顯 示裝置還包含 一掃描線接墊，形成于該基板的該掃描線接墊區(qū)域，該掃描 線接墊具有依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層、該圖案化第一導(dǎo)電層、及 該圖案化第二透明導(dǎo)電層。上述的顯示裝置，其中優(yōu)選地，該基板還包含一數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該顯 示裝置還包含 一數(shù)據(jù)線接墊，形成于該基板的該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該數(shù)據(jù) 線接墊具有依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、該圖案化第二導(dǎo)電層、 及該圖案化第二透明導(dǎo)電層。本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包含 一基板，具有一晶體管區(qū)域、 一像素區(qū)域及一儲(chǔ)存電容區(qū)域； 一晶體管，形成于該基板的該晶體管區(qū)域， 該晶體管具有依序堆疊的一圖案化第一透明導(dǎo)電層、 一圖案化第一導(dǎo)電層、 一介電層、 一圖案化半導(dǎo)體層、 一圖案化第二導(dǎo)電層及一保護(hù)層，其中該圖 案化第一透明導(dǎo)電層與該圖案化第一導(dǎo)電層構(gòu)成該晶體管的一柵極，該圖案 化第二導(dǎo)電層于該圖案化半導(dǎo)體層內(nèi)定義一溝道區(qū)域，且于該溝道區(qū)域兩側(cè) 定義該晶體管的一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域； 一儲(chǔ)存電容，形成于該基板的該 儲(chǔ)存電容區(qū)域上，該儲(chǔ)存電容具有依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層、該 介電層、該保護(hù)層及該圖案化第二透明導(dǎo)電層；以及一像素電極，形成于該 基板的該像素區(qū)域上，該像素電極具有該圖案化第二透明導(dǎo)電層，且電連結(jié) 至該漏極區(qū)域。上述的顯示裝置，其中優(yōu)選地，該基板還包含一掃描線接墊區(qū)域，該顯 示裝置還包含 一掃描線接墊，形成于該基板的該掃描線接墊區(qū)域，該掃描 線接墊具有依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層、該圖案化第一導(dǎo)電層、該 保護(hù)層、及該圖案化第二透明導(dǎo)電層。上述的顯示裝置，其中優(yōu)選地，該基板還包含一數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該顯 示裝置還包含 一數(shù)據(jù)線接墊，形成于該基板的該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該數(shù)據(jù) 線接墊具有依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、該圖案化第二導(dǎo)電層、 該保護(hù)層、及該圖案化第二透明導(dǎo)電層。上述的顯示裝置，其中優(yōu)選地，制造該圖案化第一透明導(dǎo)電層與該圖案 化第二透明導(dǎo)電層其中之一的材料由以下的族群所選出氧化銦錫、氧化銦 鋅、氧化銦錫鋅、氧化鋅鋁及氧化鋅鎵。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的制造該儲(chǔ)存電容步驟可整合于利用半調(diào)(half-tone)掩模制造液晶顯示裝置的方法，通過(guò)半調(diào)掩模制造工藝，可節(jié)省制造液晶顯示裝置的步驟，同時(shí)降低掩模成本。


圖la為本發(fā)明的一液晶顯示裝置實(shí)施例的剖面示意圖；圖lb為本發(fā)明的另一液晶顯示裝置實(shí)施例的剖面示意圖；圖2a-圖2c例示本發(fā)明的制造一液晶顯示裝置的流程示意圖；圖3a-圖3d例示一半調(diào)掩模制造工藝示意圖；圖4a-圖4d例示本發(fā)明的另一制造一液晶顯示裝置的流程示意圖；圖5a-圖5b例示使用二道掩模形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的流程示意圖；圖6a-圖6c例示使用二道掩模形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的流程示意圖；以及圖7a-圖7b例示常壓等離子體蝕刻的流程示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下10:基板 1112:晶體管 1314:儲(chǔ)存電容 1518:光致抗蝕劑 19掃描線接墊 像素電極 111:圖案化第一透明導(dǎo)電層 113:介電層 115:圖案化第二導(dǎo)電層 191:常壓等離子體發(fā)射器 20:基板22-晶體管 24:儲(chǔ)存電容211:圖案化第一透明導(dǎo)電層 213:介電層 215:圖案化第二導(dǎo)電層 217:保護(hù)層112:圖案化第一導(dǎo)電層114:圖案化半導(dǎo)體層116:圖案化第二透明導(dǎo)電層21:掃描線接墊23:像素電極25:數(shù)據(jù)線接墊212:圖案化第一導(dǎo)電層214:圖案化半導(dǎo)體層216:圖案化第二透明導(dǎo)電層具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述目的、技術(shù)特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文以較佳 實(shí)施例配合附圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在下文中，本發(fā)明的描述關(guān)于一種液晶顯示裝置及其制造方法的實(shí)施 例。然而，本發(fā)明的實(shí)施例并不局限于特定的環(huán)境、應(yīng)用或?qū)嵤?，因此，關(guān) 于實(shí)施例的描述僅為說(shuō)明目的，并非本發(fā)明的限制。圖la例示本發(fā)明的一液晶顯示裝置實(shí)施例的剖面示意圖，該液晶顯示 裝置具有一基板IO、 一掃描線接墊ll、 一晶體管12、 一像素電極13、 一儲(chǔ) 存電容14、及一數(shù)據(jù)線接墊15，為便于解釋，將上述元件繪示于同一剖面 圖，并以分隔線區(qū)隔。該基板10具有一掃描線區(qū)域101、 一晶體管區(qū)域102、 一像素區(qū)域103、 一儲(chǔ)存電容區(qū)域104、及一數(shù)據(jù)線區(qū)域105。晶體管12形 成于晶體管區(qū)域102內(nèi)，其具有依序堆疊的一圖案化第一透明導(dǎo)電層111、 一圖案化第一導(dǎo)電層112、 一介電層113、 一圖案化半導(dǎo)體層114、 一圖案化 第二導(dǎo)電層115及一圖案化第二透明導(dǎo)電層116。圖案化第一透明導(dǎo)電層111 與圖案化第一導(dǎo)電層112構(gòu)成晶體管12的一柵極，圖案化第二透明導(dǎo)電層 116于該圖案化半導(dǎo)體層內(nèi)定義一溝道區(qū)域12C,且于該溝道區(qū)域12C兩側(cè) 定義晶體管12的一源極區(qū)域12S與一漏極區(qū)域12D。像素電極13形成于該基板10的該像素區(qū)域103上，像素電極13具有
圖案化第二透明導(dǎo)電層116，且電連結(jié)至漏極區(qū)域12D,由圖中可理解漏極區(qū)域12D的圖案化第二透明導(dǎo)電層116與像素電極13的圖案化第二透明導(dǎo) 電層116為電相連，因此像素電極13可通過(guò)此圖案化第二透明導(dǎo)電層116 電連結(jié)至漏極區(qū)域12D。
儲(chǔ)存電容14形成于基板10的儲(chǔ)存電容區(qū)域104上，此儲(chǔ)存電容14具 有依序堆疊的圖案化第一透明導(dǎo)電層111、介電層113、及圖案化第二透明 導(dǎo)電層116。儲(chǔ)存電容14通過(guò)圖案化第二透明導(dǎo)電層116與像素電極13電 相連，同時(shí)與晶體管12的漏極區(qū)域12D電相連。由于儲(chǔ)存電容14的二電極 分別為圖案化第一透明導(dǎo)電層111及圖案化第二透明導(dǎo)電層116，因此儲(chǔ)存 電容14可透光，可增加液晶顯示裝置的開口率。掃描線接墊11形成于基板10的掃描線接墊區(qū)域101，該掃描線接墊11 具有依序堆疊的圖案化第一透明導(dǎo)電層111、圖案化第一導(dǎo)電層112、及圖 案化第二透明導(dǎo)電層116。數(shù)據(jù)線接墊15形成于基板10的數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域 105，數(shù)據(jù)線接墊15具有依序堆疊的介電層113、圖案化半導(dǎo)體層114、圖 案化第二導(dǎo)電層115、及圖案化第二透明導(dǎo)電層116。
在本實(shí)施例中，液晶顯示裝置中的圖案化第二透明導(dǎo)電層116于提供導(dǎo) 電功能同時(shí)，還具有保護(hù)電極，以及防止其它導(dǎo)電層受到侵蝕的作用。
圖lb例示本發(fā)明的另一液晶顯示裝置實(shí)施例的剖面示意圖，與圖la例 示的實(shí)施例最大不同處為，圖lb所示的液晶顯示裝置具有一保護(hù)層217。本 實(shí)施例中，液晶顯示裝置具有一基板20、 一掃描線接墊21、 一晶體管22、 一像素電極23、 一儲(chǔ)存電容24、及一數(shù)據(jù)線接墊25，為便于解釋，將上述 裝置繪示于同一剖面圖，并以分隔線區(qū)隔。該基板20具有一掃描線區(qū)域201、 一晶體管區(qū)域202、 一像素區(qū)域203、 一儲(chǔ)存電容區(qū)域204、及一數(shù)據(jù)線區(qū)域 205。晶體管22形成于晶體管區(qū)域202內(nèi)，其具有依序堆疊的一圖案化第一 透明導(dǎo)電層211、 一圖案化第一導(dǎo)電層212、 一介電層213、 一圖案化半導(dǎo)體 層214、 一圖案化第二導(dǎo)電層215、保護(hù)層217及一圖案化第二透明導(dǎo)電層 216。圖案化第一透明導(dǎo)電層211與圖案化第一導(dǎo)電層212構(gòu)成該晶體管22 的一柵極，圖案化第二導(dǎo)電層215于圖案化半導(dǎo)體層214內(nèi)定義一溝道區(qū)域 22C,且于溝道區(qū)域22C兩側(cè)定義晶體管22的一源極區(qū)域22S與一漏極區(qū)域 22D,圖案化第二透明導(dǎo)電層216與漏極區(qū)域22D電相連。 由于液晶顯示裝置具有保護(hù)層217，因此在本實(shí)施例中，圖案化第二透明導(dǎo)電層216主要用以提供導(dǎo)電作用，因此其它區(qū)域中還同時(shí)包含圖案化第 二透明導(dǎo)電層216及保護(hù)層217。像素電極23形成于基板20的像素區(qū)域203上，像素電極23具有圖案 化第二透明導(dǎo)電層216，且電連結(jié)至晶體管22的漏極區(qū)域22D。由圖中可理 解漏極區(qū)域22D并未全部被保護(hù)層217所覆蓋，漏極區(qū)域22D通過(guò)圖案化 第二透明導(dǎo)電層216與像素電極23的圖案化第二透明導(dǎo)電層216呈電相連， 因此像素電極23可通過(guò)此圖案化第二透明導(dǎo)電層216電連結(jié)至漏極區(qū)域 22D。儲(chǔ)存電容24形成于基板20的儲(chǔ)存電容區(qū)域204上，儲(chǔ)存電容24具有 依序堆疊的圖案化第一透明導(dǎo)電層211、介電層213、保護(hù)層217及圖案化 第二透明導(dǎo)電層216。儲(chǔ)存電容24通過(guò)圖案化第二透明導(dǎo)電層216與像素電 極23電相連，同時(shí)與晶體管22的漏極區(qū)域22D電相連。由于儲(chǔ)存電容24 的二電極分別為圖案化第一透明導(dǎo)電層211及圖案化第二透明導(dǎo)電層216， 因此儲(chǔ)存電容24可透光，可增加液晶顯示裝置的開口率。值得注意的是， 本實(shí)施例的儲(chǔ)存電容24與圖la所示實(shí)施例的儲(chǔ)存電容14不同處在于，儲(chǔ) 存電容24的圖案化第一透明導(dǎo)電層211與圖案化第二透明導(dǎo)電層216之間， 除具有介電層213以外，還具有一保護(hù)層217。掃描線接墊21，形成于基板20的掃描線接墊區(qū)域201，掃描線接墊21 具有依序堆疊的圖案化第一透明導(dǎo)電層211、圖案化第一導(dǎo)電層212、保護(hù) 層217、及圖案化第二透明導(dǎo)電層216。數(shù)據(jù)線接墊25，形成于基板20的數(shù) 據(jù)線接墊區(qū)域205，數(shù)據(jù)線接墊25具有依序堆疊的介電層213、圖案化半導(dǎo) 體層214、圖案化第二導(dǎo)電層215、保護(hù)層217、及圖案化第二透明導(dǎo)電層 216。圖2a-圖2c例示本發(fā)明的制造一液晶顯示裝置的方法的過(guò)程，此方法利 用三道半調(diào)(half-tone)掩模制造一液晶顯示裝置，通過(guò)此方法，可制造出如圖 la所示的液晶顯示裝置。圖2a例示形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟執(zhí)行后所得結(jié)果。 在此步驟后可形成掃描線接墊11的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、晶體管區(qū)域102的一柵極以 及儲(chǔ)存電容區(qū)域104的一第一電極，其中掃描線接墊11的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含圖 案化第一透明導(dǎo)電層111及圖案化第一導(dǎo)電層112，柵極包含依序堆疊的一
圖案化第一透明導(dǎo)電層111及一圖案化第一導(dǎo)電層112，第一電極包含圖案 化第一透明導(dǎo)電層111。進(jìn)一步而言，圖2a例示的結(jié)構(gòu)利用一半調(diào)掩模于一單次掩模制造工藝 中形成此導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，此單次掩模制造工藝包含下列步驟，請(qǐng)一并參考圖3a-圖3d。首先于基板10上形成圖案化第一透明導(dǎo)電層111，接著形成圖案化 第一導(dǎo)電層112以覆蓋圖案化第一透明導(dǎo)電層lll，如圖3a所示。接著利用 半調(diào)掩模于掃描線接墊區(qū)域101、晶體管區(qū)域102、及儲(chǔ)存電容區(qū)域104上 分別形成具有不同縱向尺寸的光致抗蝕劑18，以定義蝕刻區(qū)域，如圖3b所 示，此時(shí)掃描線接墊區(qū)域101及晶體管區(qū)域102具有較儲(chǔ)存電容區(qū)域104更 大縱向尺寸的光致抗蝕劑18。接著蝕刻未覆蓋光致抗蝕劑18的圖案化第一 導(dǎo)電層112與圖案化第一透明導(dǎo)電層111，以暴露未覆蓋光致抗蝕劑18的基 板10。蝕刻結(jié)束后進(jìn)行光致抗蝕劑灰化，直到暴露出位于儲(chǔ)存電容區(qū)域104 的圖案化第一導(dǎo)電層112，光致抗蝕劑灰化結(jié)束后形成如圖3c所示的結(jié)構(gòu)， 此時(shí)掃描線接墊區(qū)域101及晶體管區(qū)域102因具有較大縱向尺寸的光致抗蝕 劑18，因此仍然保有未被灰化的光致抗蝕劑18。接著繼續(xù)蝕刻位于儲(chǔ)存電 容區(qū)域104的圖案化第一導(dǎo)電層112，以暴露出下方的圖案化第一透明導(dǎo)電 層lll,之后去除剩余光致抗蝕劑，形成如圖3d所示的結(jié)構(gòu)。圖2b例示形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的步驟執(zhí)行后所得結(jié)果。在此步驟后可形 成晶體管區(qū)域102的半導(dǎo)體區(qū)域、像素區(qū)域103的一介電區(qū)域、以及儲(chǔ)存電 容區(qū)域104的一介電區(qū)域。晶體管區(qū)域12的半導(dǎo)體區(qū)域包含依序堆疊的一 介電層113、 一圖案化半導(dǎo)體層114、及一圖案化第二導(dǎo)電層115，像素區(qū)域 103的介電區(qū)域包含介電層113，儲(chǔ)存電容區(qū)域104的介電區(qū)域包含介電層 113。進(jìn)一步而言，圖2b例示的結(jié)構(gòu)利用一半調(diào)掩模于一單次掩模制造工藝 中形成此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在此，半調(diào)掩模如同圖3a-圖3d所示，用以于不同區(qū) 域上形成具有不同縱向尺寸的光致抗蝕劑，以進(jìn)行多次蝕刻。此單次掩模制 造工藝包含下列步驟，首先依次形成介電層113、圖案化半導(dǎo)體層114、以 及圖案化第二導(dǎo)電層115于該顯示裝置區(qū)域。接著利用半調(diào)掩模于晶體管區(qū) 域12、像素區(qū)域13與儲(chǔ)存電容區(qū)域14上分別形成具有不同縱向尺寸的光致 抗蝕劑，以分別界定蝕刻區(qū)域。接著蝕刻未覆蓋光致抗蝕劑的介電層113、圖案化半導(dǎo)體層114以及圖案化第二導(dǎo)電層115。蝕刻完畢之后掃描線接墊區(qū)域101的介電層113、圖案化半導(dǎo)體層114以及圖案化第二導(dǎo)電層115將 被清除。接著進(jìn)行光致抗蝕劑灰化，直到暴露出像素區(qū)域103以及儲(chǔ)存電容 區(qū)域104的圖案化第二導(dǎo)電層為止。接著蝕刻位于像素區(qū)域103以及儲(chǔ)存電 容區(qū)域104的圖案化第二導(dǎo)電層以及其下方的圖案化半導(dǎo)體層114。最后去 除剩余光致抗蝕劑，完成如圖2b所示的結(jié)構(gòu)。另一種形成圖2b所示的結(jié)構(gòu)的方法，可利用常壓等離子體蝕刻(AP plasma)制造工藝來(lái)達(dá)成蝕刻介電層113及圖案化半導(dǎo)體層114，利用一正常 圖案化掩模，進(jìn)行光刻與蝕刻等步驟，圖案化第二導(dǎo)電層115，接著以圖案 化第二導(dǎo)電層115作為硬掩模(hard mask)，利用常壓等離子體蝕刻工藝來(lái)蝕 刻未被圖案化第二導(dǎo)電層115覆蓋的圖案化半導(dǎo)體層114，在此，利用常壓 等離子體掃描基板10以蝕刻圖案化半導(dǎo)體層114。接著于基板10上使用一 金屬遮罩19，然后利用常壓等離子體蝕刻工藝蝕刻未被金屬遮罩19遮蔽的 介電層113，請(qǐng)一并參考圖7a及圖7b，在此，利用旋轉(zhuǎn)基板10的方式，使 常壓等離子體蝕刻掃描線接墊區(qū)域101上未被金屬遮罩19遮蔽的介電層 113。如圖7a所示，固定常壓等離子體發(fā)射器191后，先蝕刻未被金屬遮罩 19遮蔽的部分介電層113，然后如圖7b所示旋轉(zhuǎn)基板10，繼續(xù)蝕刻其它未 被金屬遮罩19遮蔽的部分介電層113。蝕刻完畢之后移除金屬遮罩，完成如 圖2b所示的結(jié)構(gòu)。圖2c例示形成一圖案化第二透明導(dǎo)電層的步驟執(zhí)行后所得結(jié)果。在此 步驟后，圖案化第二透明導(dǎo)電層116構(gòu)成像素區(qū)域103的像素電極13與儲(chǔ) 存電容14的一第二電極，圖案化第二透明導(dǎo)電層116并覆蓋掃描線接墊區(qū) 域101及數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域105，同時(shí)于該晶體管區(qū)域102內(nèi)定義溝道區(qū)域 12C、源極區(qū)域12S及漏極區(qū)域12D。進(jìn)一步而言，圖2c例示的結(jié)構(gòu)利用一單次掩模制造工藝中形成此結(jié)構(gòu)。 此單次掩模制造工藝包含下列步驟，首先形成圖案化第二透明導(dǎo)電層116于 顯示裝置區(qū)域，接著于晶體管區(qū)域102上形成一光致抗蝕劑，以定義溝道區(qū) 域12C。接著蝕刻溝道區(qū)域12C內(nèi)的圖案化第二透明導(dǎo)電層116與圖案化第 二導(dǎo)電層115，以暴露溝道區(qū)域12C的圖案化半導(dǎo)體層114，接著去除溝道 區(qū)域12C內(nèi)的部分圖案化半導(dǎo)體層114，此時(shí)除溝道區(qū)域12C以外，圖案化 第二透明導(dǎo)電層116覆蓋掃描線接墊區(qū)域101、晶體管區(qū)域102、像素區(qū)域103、儲(chǔ)存電容區(qū)域104以及數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域105，完成如圖2c所示的結(jié)構(gòu)。 圖2c中，蝕刻圖案化半導(dǎo)體層114還可利用常壓等離子體蝕刻(AP plasma)工藝來(lái)達(dá)成，由于圖2c所示結(jié)構(gòu)具有圖案化第二透明導(dǎo)電層116，因 此可以圖案化第二透明導(dǎo)電層116作為硬掩模(hardmask)，利用常壓等離子 體蝕刻工藝蝕刻晶體管區(qū)域102中未被圖案化第二透明導(dǎo)電層116覆蓋的圖 案化半導(dǎo)體層114，在此，利用常壓等離子體掃描基板10以蝕刻圖案化半導(dǎo) 體層114。圖4a-圖4d例示本發(fā)明的另一制造一液晶顯示裝置的方法的過(guò)程，此方 法利用二道半調(diào)(half-tone)掩模制造一液晶顯示裝置，通過(guò)此方法，可制造出 如圖lb所示的液晶顯示裝置。圖4a例示形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟執(zhí)行后所得 結(jié)果。在此步驟后可形成掃描線接墊21的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、晶體管區(qū)域202的一 柵極以及儲(chǔ)存電容區(qū)域204的一第一電極，其中掃描線接墊21的導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 包含圖案化第一透明導(dǎo)電層211及圖案化第一導(dǎo)電層212，柵極包含依序堆 疊的一圖案化第一透明導(dǎo)電層211及一圖案化第一導(dǎo)電層212，第一電極包 含圖案化第一透明導(dǎo)電層211。進(jìn)一步而言，圖4a例示的結(jié)構(gòu)利用一半調(diào)掩模于一單次掩模制造工藝中形成此導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，此單次掩模制造工藝如同上述 圖3a-圖3d所例示，在此不再贅述。圖4b例示形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的步驟執(zhí)行后所得結(jié)果。在此步驟后可形 成晶體管區(qū)域202的半導(dǎo)體區(qū)域、像素區(qū)域203的一介電區(qū)域、以及儲(chǔ)存電 容區(qū)域204的一介電區(qū)域。晶體管區(qū)域22的半導(dǎo)體區(qū)域包含依序堆疊的一 介電層213、 一圖案化半導(dǎo)體層214、及一圖案化第二導(dǎo)電層215，像素區(qū)域 203的介電區(qū)域包含介電層213，儲(chǔ)存電容區(qū)域204的介電區(qū)域包含介電層 213。進(jìn)一步而言，圖4b例示的結(jié)構(gòu)利用一半調(diào)掩模于一單次掩模制造工藝 中形成此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在此，半調(diào)掩模如同圖3a-圖3d所示，用以于不同區(qū) 域上形成具有不同縱向尺寸的光致抗蝕劑，以進(jìn)行多次蝕刻。值得注意的是， 此單次掩模制造工藝完成后，與圖2b所示的結(jié)構(gòu)不同處在于掃描線接墊區(qū) 域201被介電層213覆蓋，且晶體管區(qū)域202利用蝕刻圖案化第二導(dǎo)電層215 界定該晶體管區(qū)域的一源極區(qū)域22S與一漏極區(qū)域22D。如同前述，蝕刻圖案化半導(dǎo)體層214可利用常壓等離子體蝕刻(AP
plasma)工藝來(lái)達(dá)成，在此也是利用圖案化的半調(diào)光致抗蝕劑作為屏蔽，利用 常壓等離子體掃描基板20以蝕刻圖案化半導(dǎo)體層214。接著對(duì)光致抗蝕劑進(jìn) 行灰化，蝕刻圖案化第二導(dǎo)電層215，形成溝道圖案，然后利用常壓等離子 體蝕刻工藝對(duì)溝道處進(jìn)行掃描式蝕刻，形成最后的圖案化半導(dǎo)體層214。圖4c例示形成一保護(hù)層(passivation layer)的步驟執(zhí)行后所得結(jié)果。在各 區(qū)域上形成保護(hù)層217后，利用蝕刻方式，暴露出掃描線接墊區(qū)域201的圖 案化第一導(dǎo)電層212、晶體管區(qū)域202的漏極區(qū)域22D具有的圖案化第二導(dǎo) 電層215、以及數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域205的圖案化第二導(dǎo)電層215。蝕刻保護(hù)層217還可利用常壓等離子體蝕刻(AP plasma)工藝來(lái)達(dá)成，如 同前述，在此也是利用于基板20上形成一金屬遮罩，然后利用常壓等離子 體蝕刻制造工藝蝕刻未被金屬遮罩遮蔽的介電層213，的后移除金屬遮罩， 詳細(xì)操作方式不再贅述。圖4d例示形成一圖案化第二透明導(dǎo)電層的步驟執(zhí)行后所得結(jié)果。其與 圖lb所示的結(jié)構(gòu)相同，其形成步驟與前一實(shí)施例近似，在此不再贅述。圖4a所示的結(jié)構(gòu)還可將一道掩模制造工藝改成利用兩道掩模制造工藝 來(lái)完成，請(qǐng)參考圖5a與圖5b。其中圖5a例示形成圖案化第一透明導(dǎo)電層211 的結(jié)構(gòu)，首先廣泛地形成圖案化第一透明導(dǎo)電層211，接著利用一第一掩模 形成一第一光致抗蝕劑，以定義蝕刻區(qū)域。在圖5a中，第一光致抗蝕劑形 成于掃描線接墊區(qū)域201、晶體管區(qū)域202、以及儲(chǔ)存電容區(qū)域204。接著蝕 刻未覆蓋第一光致抗蝕劑的圖案化第一透明導(dǎo)電層211，以在掃描線接墊區(qū) 域201、晶體管區(qū)域202、以及儲(chǔ)存電容區(qū)域204形成圖案化第一透明導(dǎo)電 層211，如圖5a所示。接著廣泛地形成圖案化第一導(dǎo)電層212，同樣地，利 用一第二掩模形成一第二光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域。在圖5b中，第二光 致抗蝕劑形成于具有圖案化第一透明導(dǎo)電層211部分。接著蝕刻未覆蓋第二 光致抗蝕劑的圖案化第一導(dǎo)電層212,以形成如圖5b所示的結(jié)構(gòu)。圖5b所 示的結(jié)構(gòu)即與圖4a所示的結(jié)構(gòu)相同。圖4b所示的結(jié)構(gòu)還可利用兩道掩模制造工藝來(lái)完成，請(qǐng)參考圖6a-圖6c。 其中圖6a例示形成如圖4a的結(jié)構(gòu)，首先廣泛地形成介電層213與圖案化半 導(dǎo)體層214，接著利用一第三掩模形成一第三光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域， 在圖6b中，第三光致抗蝕劑形成于晶體管區(qū)域202以及數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域205。
接著蝕刻未覆蓋第三光致抗蝕劑的圖案化半導(dǎo)體層214，以在晶體管區(qū)域204 以及數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域205形成圖案化半導(dǎo)體層214，如圖6b所示。此外蝕刻 此圖案化半導(dǎo)體層214還可利用常壓等離子體掃描基板20來(lái)形成。接著廣 泛地形成圖案化第二導(dǎo)電層215，同樣地，利用一第四掩模形成一第四光致 抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域。在圖6c中，第四光致抗蝕劑形成于晶體管區(qū)域202 以及數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域205。接著蝕刻未覆蓋第四光致抗蝕劑的圖案化第二導(dǎo) 電層215，以形成如圖6c所示的結(jié)構(gòu)。圖6c所示的結(jié)構(gòu)即與圖4b所示的結(jié) 構(gòu)相同。此外蝕刻此溝道處的圖案化半導(dǎo)體層214還可利用常壓等離子體掃 描基板20來(lái)形成。上述所有實(shí)施例的圖案化第一透明導(dǎo)電層于圖案化第二透明導(dǎo)電層可 由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅鋁(ZAO)及氧 化鋅鎵(GZO)其中之一所制成。由上述實(shí)施例可知，本發(fā)明的液晶顯示裝置及其制造方法至少可適用于 包含一至三道半調(diào)掩模的制造工藝、以及三至六道掩模的制造工藝。本發(fā)明 可提供具有二圖案化透明導(dǎo)電層作為電極的儲(chǔ)存電容，并且整合至現(xiàn)有的制 造工藝，可簡(jiǎn)化制造工藝步驟，并且減少制造工藝所需的掩模數(shù)量，借此該 儲(chǔ)存電容可透光，以提升顯示裝置的光穿透面積同時(shí)提高開口率。上述的實(shí)施例僅用來(lái)例舉本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特 征，并非用來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易完成的改 變或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)以 權(quán)利要求保護(hù)的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種制造一液晶顯示裝置的方法，該液晶顯示裝置包含一基板，該基 板具有一晶體管區(qū)域、 一像素區(qū)域及一儲(chǔ)存電容區(qū)域，該制造方法包含下列 步驟(a) 形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以分別構(gòu)成該晶體管區(qū)域的一柵極以及該儲(chǔ)存電容 區(qū)域的一第一電極，該柵極包含依序堆疊的一圖案化第一透明導(dǎo)電層及一圖 案化第一導(dǎo)電層，該第一電極包含該圖案化第一透明導(dǎo)電層；(b) 形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以分別構(gòu)成該晶體管區(qū)域的一半導(dǎo)體區(qū)域、該像 素區(qū)域的一介電區(qū)域、以及該儲(chǔ)存電容區(qū)域的一介電區(qū)域，該半導(dǎo)體區(qū)域包 含依序堆疊的一介電層、 一圖案化半導(dǎo)體層、及一圖案化第二導(dǎo)電層，該像 素區(qū)域的該介電區(qū)域包含該介電層，該電容區(qū)域的該介電區(qū)域包含該介電 層；以及(c) 形成一圖案化第二透明導(dǎo)電層于該晶體管區(qū)域、該像素區(qū)域、及該儲(chǔ) 存電容區(qū)域，該像素區(qū)域與該儲(chǔ)存電容區(qū)域的該圖案化第二透明導(dǎo)電層分別 構(gòu)成一像素電極與該儲(chǔ)存電容的一第二電極，該晶體管區(qū)域內(nèi)的該圖案化第 二導(dǎo)電層界定該晶體管區(qū)域的一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該步驟(a)利用一半調(diào)掩模于一單次掩 模制造工藝中形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該單次掩模制造工藝包含下列步驟形成該圖案化第一透明導(dǎo)電層于該基板上； 形成該圖案化第一導(dǎo)電層以覆蓋該圖案化第一透明導(dǎo)電層； 利用該半調(diào)掩模于該晶體管區(qū)域與該儲(chǔ)存電容區(qū)域分別形成具有不同 縱向尺寸的光致抗蝕劑，以定義蝕刻區(qū)域；蝕刻未覆蓋該光致抗蝕劑的圖案化第一導(dǎo)電層與圖案化第一透明導(dǎo)電層；灰化光致抗蝕劑，直到暴露出位于該電容區(qū)域的該圖案化第一導(dǎo)電層； 蝕刻位于該電容區(qū)域的該圖案化第一導(dǎo)電層；以及 去除剩余光致抗蝕劑。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該步驟(b)利用一半調(diào)掩模于一單次掩 模制造工藝中形成該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該單次掩模制造工藝包含下列步驟 依次形成該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、以及該圖案化第二導(dǎo)電層于該 基板；利用該半調(diào)掩模于該晶體管區(qū)域、該像素區(qū)域與該第一電極上分別形成具有不同縱向尺寸的光致抗蝕劑，以分別定義蝕刻區(qū)域；蝕刻未覆蓋該光致抗蝕劑的該圖案化介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、以及 該圖案化第二導(dǎo)電層；灰化光致抗蝕劑，直到暴露出位于該像素區(qū)域與該第一電極上的該圖案 化第二導(dǎo)電層；蝕刻位于該像素區(qū)域與該第一電極上的該圖案化第二導(dǎo)電層以及該圖 案化半導(dǎo)體層；以及去除剩余光致抗蝕劑。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該步驟(c)于一單次掩模制造工藝中形 成該圖案化第二透明導(dǎo)電層，該單次掩模制造工藝包含下列步驟形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層于該基板； 于該晶體管區(qū)域上形成一光致抗蝕劑，以定義該溝道區(qū)域； 蝕刻該溝道區(qū)域內(nèi)的該圖案化第二透明導(dǎo)電層與該圖案化第二導(dǎo)電層， 以暴露該溝道區(qū)域的該圖案化半導(dǎo)體層；以及 去除該溝道區(qū)域內(nèi)的部分該圖案化半導(dǎo)體層。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該基板還包含一掃描線接墊區(qū)域以及 一數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該制造方法包含下列步驟該步驟(a)包含形成依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層及該圖案化第 一導(dǎo)電層于該掃描墊區(qū)域；該步驟(b)包含形成依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、及該圖案 化第二導(dǎo)電層于該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域；以及該步驟(c)包含形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層以覆蓋該掃描線接墊區(qū)域 與該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該基板還包含一掃描線接墊區(qū)域以及 一數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該制造方法還包含下列步驟該步驟(a)包含形成依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層及該圖案化第 一導(dǎo)電層于該掃描墊區(qū)域； 該步驟(b)包含形成依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、及該圖案 化第二導(dǎo)電層于該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，以及形成該介電層覆蓋部分該掃描線接 墊區(qū)域；以及該步驟(C)還包含下列步驟于形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層之前，形成一保護(hù)層以覆蓋部分該晶體 管區(qū)域、該像素區(qū)域、該儲(chǔ)存電容區(qū)域、部分該掃描線接墊區(qū)域及部分該數(shù) 據(jù)線接墊區(qū)域以及形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層以覆蓋該掃描線接墊區(qū)域于該數(shù)據(jù)線接 墊區(qū)域。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包含下列步驟于形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層之前，形成一保護(hù)層以覆蓋該晶體管區(qū) 域、該像素區(qū)域與該儲(chǔ)存電容區(qū)域。
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該步驟(a)包含下列步驟 形成該第一透明導(dǎo)電層；利用一第一掩模形成一第一光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域； 蝕刻未覆蓋該第一光致抗蝕劑的圖案化第一透明導(dǎo)電層； 形成該屈案化第一導(dǎo)電層；利用一第二掩模形成一第二光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域；以及 蝕刻未覆蓋該第二光致抗蝕劑的圖案化第一導(dǎo)電層。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該步驟(b)包含下列步驟 形成該介電層與該圖案化半導(dǎo)體層；利用 一第三掩模形成一第三光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域；蝕刻未覆蓋該第三光致抗蝕劑的該介電層與該圖案化半導(dǎo)體層；形成該圖案化第二導(dǎo)電層；利用一第四掩模形成一第四光致抗蝕劑以定義蝕刻區(qū)域；以及 蝕刻未覆蓋該第四光致抗蝕劑的圖案化第二導(dǎo)電層。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中制造該圖案化第一透明導(dǎo)電層與該圖 案化第二透明導(dǎo)電層其中之一的材料由以下的族群所選出氧化銦錫、氧化 銦鋅、氧化銦錫鋅、氧化鋅鋁及氧化鋅鎵。
11. 如權(quán)利要求5或6所述的方法，其中該步驟(b)包含一常壓等離子體 蝕刻工藝，該步驟(b)包含下列步驟(b-l)依次形成該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、以及該圖案化第二導(dǎo)電層 于該顯示裝置區(qū)域；(b-2)以該圖案化第二導(dǎo)電層為硬掩模，利用該常壓等離子體蝕刻工藝蝕 刻該圖案化半導(dǎo)體層；(b-3)形成一金屬遮罩；(b-4)利用該常壓等離子體蝕刻工藝蝕刻未被該金屬遮罩遮蔽的該介電 層；以及(b-5)移除該金屬遮罩。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中該步驟(b-2)利用常壓等離子體掃描 該基板以蝕刻該圖案化半導(dǎo)體層。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中該步驟(b-4)旋轉(zhuǎn)該基板使常壓等離 子體蝕刻未被該金屬遮罩遮蔽的該介電層。
14. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中該步驟(c)包含一常壓等離子體蝕刻工 藝，該步驟(c)包含下列步驟(C-l)形成該圖案化第二透明導(dǎo)電層于該基板區(qū)域； (C-2)形成一光致抗蝕劑于該晶體管區(qū)域，以定義該溝道區(qū)域；(c-3)蝕刻該溝道區(qū)域內(nèi)的該圖案化第二透明導(dǎo)電層與該圖案化第二導(dǎo) 電層，以暴露該溝道區(qū)域的該圖案化半導(dǎo)體層；以及(c-4)以該圖案化第二透明導(dǎo)電層為硬掩模，利用該常壓等離子體蝕刻工 藝蝕刻該圖案化半導(dǎo)體層。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該步驟(c-4)利用常壓等離子體掃描 該基板以蝕刻該圖案化半導(dǎo)體層。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中該步驟(c)還包含下列步驟 ((>5)形成一保護(hù)層；(C-6)形成一金屬遮罩；(c-7)利用該常壓等離子體蝕刻工藝蝕刻未被該金屬遮罩遮蔽的該保護(hù)層；以及(c-8)移除該金屬遮罩。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中該步驟(c-7)旋轉(zhuǎn)該基板使常壓等離 子體蝕刻未被該金屬遮罩遮蔽的該保護(hù)層。
18. —種液晶顯示裝置，包含一基板，具有一晶體管區(qū)域、 一像素區(qū)域及一儲(chǔ)存電容區(qū)域； 一晶體管，形成于該基板的該晶體管區(qū)域，該晶體管具有依序堆疊的一 圖案化第一透明導(dǎo)電層、 一圖案化第一導(dǎo)電層、 一介電層、 一圖案化半導(dǎo)體 層、 一圖案化第二導(dǎo)電層及一圖案化第二透明導(dǎo)電層，其中該圖案化第一透 明導(dǎo)電層與該圖案化第一導(dǎo)電層構(gòu)成該晶體管的一柵極，該圖案化第二透明 導(dǎo)電層于該圖案化半導(dǎo)體層內(nèi)定義一溝道區(qū)域，且于該溝道區(qū)域兩側(cè)定義該晶體管的一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域；一儲(chǔ)存電容，形成于該基板的該儲(chǔ)存電容區(qū)域上，該儲(chǔ)存電容具有依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層、該介電層、及該圖案化第二透明導(dǎo)電層； 以及一像素電極，形成于該基板的該像素區(qū)域上，該像素電極具有該圖案化 第二透明導(dǎo)電層，且電連結(jié)至該漏極區(qū)域。
19. 如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中該基板還包含一掃描線接墊區(qū) 域，該顯示裝置還包含一掃描線接墊，形成于該基板的該掃描線接墊區(qū)域，該掃描線接墊具有 依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層、該圖案化第一導(dǎo)電層、及該圖案化第 二透明導(dǎo)電層。
20. 如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中該基板還包含一數(shù)據(jù)線接墊區(qū) 域，該顯示裝置還包含一數(shù)據(jù)線接墊，形成于該基板的該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該數(shù)據(jù)線接墊具有 依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、該圖案化第二導(dǎo)電層、及該圖案 化第二透明導(dǎo)電層。
21. —種液晶顯示裝置，包含一基板，具有一晶體管區(qū)域、 一像素區(qū)域及一儲(chǔ)存電容區(qū)域；一晶體管，形成于該基板的該晶體管區(qū)域，該晶體管具有依序堆疊的一 圖案化第一透明導(dǎo)電層、 一圖案化第一導(dǎo)電層、 一介電層、 一圖案化半導(dǎo)體 層、 一圖案化第二導(dǎo)電層及一保護(hù)層，其中該圖案化第一透明導(dǎo)電層與該圖 案化第一導(dǎo)電層構(gòu)成該晶體管的一柵極，該圖案化第二導(dǎo)電層于該圖案化半 導(dǎo)體層內(nèi)定義一溝道區(qū)域，且于該溝道區(qū)域兩側(cè)定義該晶體管的一源極區(qū)域 與一漏極區(qū)域；一儲(chǔ)存電容，形成于該基板的該儲(chǔ)存電容區(qū)域上，該儲(chǔ)存電容具有依序 堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層、該介電層、該保護(hù)層及該圖案化第二透明導(dǎo)電層；以及一像素電極，形成于該基板的該像素區(qū)域上，該像素電極具有該圖案化 第二透明導(dǎo)電層，且電連結(jié)至該漏極區(qū)域。
22. 如權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中該基板還包含一掃描線接墊區(qū) 域，該顯示裝置還包含一掃描線接墊，形成于該基板的該掃描線接墊區(qū)域，該掃描線接墊具有 依序堆疊的該圖案化第一透明導(dǎo)電層、該圖案化第一導(dǎo)電層、該保護(hù)層、及 該圖案化第二透明導(dǎo)電層。
23. 如權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中該基板還包含一數(shù)據(jù)線接墊區(qū) 域，該顯示裝置還包含一數(shù)據(jù)線接墊，形成于該基板的該數(shù)據(jù)線接墊區(qū)域，該數(shù)據(jù)線接墊具有 依序堆疊的該介電層、該圖案化半導(dǎo)體層、該圖案化第二導(dǎo)電層、該保護(hù)層、 及該圖案化第二透明導(dǎo)電層。
24. 如權(quán)利要求18或21所述的顯示裝置，其中制造該圖案化第一透明導(dǎo) 電層與該圖案化第二透明導(dǎo)電層其中之一的材料由以下的族群所選出氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦錫鋅、氧化鋅鋁及氧化鋅鎵。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可改善開口率的液晶顯示裝置及其制造方法。該液晶顯示裝置包含一基板，具有一晶體管區(qū)域、一像素區(qū)域及一儲(chǔ)存電容區(qū)域；一晶體管，形成于該基板的該晶體管區(qū)域，該晶體管具有依序堆疊的一圖案化第一透明導(dǎo)電層、一圖案化第一導(dǎo)電層、一介電層、一圖案化半導(dǎo)體層、一圖案化第二導(dǎo)電層及一圖案化第二透明導(dǎo)電層；一儲(chǔ)存電容，形成于該基板的該儲(chǔ)存電容區(qū)域上；以及一像素電極，形成于該基板的該像素區(qū)域上。本發(fā)明通過(guò)具有一儲(chǔ)存電容，該儲(chǔ)存電容具有二圖案化透明導(dǎo)電層作為電極，借此該儲(chǔ)存電容可透光，以提升顯示裝置的光穿透面積，同時(shí)提高開口率。
文檔編號(hào)H01L21/027GK101122724SQ20071014835
公開日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2007年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者楊家榮, 楊智鈞, 林漢涂, 陳建宏 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司