專利名稱：液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法；特別是一種于制 造低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-TFTLCD)的像素結(jié)構(gòu)時，僅須 四道掩膜制造工藝的制造方法。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示器具有省電、重量輕、低輻射及易攜帶等優(yōu)點，目前已成 為顯示器市場上的主流產(chǎn)品。其中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的 技術(shù)目前主要可分為兩種非晶硅(Amorphous Silicon,簡稱a-Si)、以及多 晶硅(Poly-Si)。在多晶硅LCD技術(shù)中，低溫多晶硅(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)是新一代的制造技術(shù)，相較于傳統(tǒng)非晶硅液晶顯示器，低溫多 晶硅的晶體管載子移動率高出非晶硅兩百倍以上，其所制成的顯示器具備有 反應(yīng)速度較快、高亮度、高分辨率、高色彩飽和度等優(yōu)點，可呈現(xiàn)較佳的畫 面質(zhì)量。而且低溫多晶硅顯示器更為輕薄，其可將組件微小化，使整體TFT 組件面積縮小50%以上，有效降低功率的消耗以達(dá)省電效果，且其制造成本 更為低廉，故逐漸在LCD市場上受到矚目。圖1A所示為現(xiàn)有的液晶顯示器面板中，形成于基板上的像素數(shù)組的示意 圖。該像素數(shù)組1包含復(fù)數(shù)掃瞄線IO及數(shù)據(jù)線11，交錯定義出復(fù)數(shù)個像素區(qū) 域，各像素區(qū)域上分別形成有一顯示單元121及一控制組件123;此外，各掃 瞄線IO及數(shù)據(jù)線11會分別連接至位于基板邊緣的復(fù)數(shù)接墊101、 111，以傳 輸信號。此結(jié)構(gòu)的剖面示意圖如圖IB所示，于一基板13上的各像素區(qū)域可劃分
具有一控制區(qū)域131、 一電容區(qū)域133及一顯示區(qū)域135，此外，圖IB更延 伸顯示基板13周緣的一接墊(Pad)區(qū)域137。就現(xiàn)有的低溫多晶硅制造技術(shù)而言，純PMOS產(chǎn)品通常需要七道掩膜進(jìn) 行曝光制造工藝，以逐步形成此結(jié)構(gòu)。詳言之，先以第一道掩膜，于控制區(qū) 域131及電容區(qū)域133上形成多晶硅層14;再利用第二道掩膜，針對多晶硅 層14的局部區(qū)域，進(jìn)行P+離子的摻雜，以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)141;大面積形成介 電層15后，以第三道掩膜分別于控制區(qū)域131、電容區(qū)域133及接墊區(qū)域137 分別形成柵電極層16;然后形成中間介電層17覆蓋前述結(jié)構(gòu)后，接著利用第 四道掩膜，進(jìn)行刻蝕以形成導(dǎo)通孔，使得控制區(qū)域131及電容區(qū)域133的部 分已摻雜P+離子的多晶硅層14暴露出來，同時也使接墊區(qū)域137的柵電極層 16暴露出來；接下來，以第五道掩膜形成金屬導(dǎo)電層18，分別于控制區(qū)域131 及電容區(qū)域133經(jīng)由導(dǎo)通孔與多晶硅層14電性連接，并于接墊區(qū)域137與柵 電極層16電性連接；然后，形成平坦層19，并以第六道掩膜將部分金屬導(dǎo)電 層18暴露出來；最后，以第七道掩膜形成透明電極191，并與金屬導(dǎo)電層18 電性連接。然而，由于掩膜的成本高昂，掩膜的使用愈頻繁，意味著制造成本愈高； 而且，使用掩膜的制造工藝較為繁瑣，復(fù)雜的制造工藝容易造成產(chǎn)品不良率 上升，較難滿足現(xiàn)今液晶顯示器的制造需求。此外，現(xiàn)有結(jié)構(gòu)于顯示區(qū)域135 上仍存在不具功效的多層結(jié)構(gòu)，來自基板13且用以顯示的光線，將必須穿透 此等結(jié)構(gòu)，才能加以使用，即使此等結(jié)構(gòu)以透明材料所制成，但仍會對于顯 示區(qū)域135的透光度造成不良影響，導(dǎo)致產(chǎn)品競爭力較為不足。有鑒于此，提供一種低溫多晶硅液晶顯示器的制造方法，可使用較少的 掩膜制造工藝，以及且可提升顯示區(qū)域的光穿透表現(xiàn)，乃為此一業(yè)界亟待解 決的問題
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，本發(fā) 明的制造工藝中，僅須使用四道掩膜，便可形成所需的結(jié)構(gòu)，故可將整體薄 膜晶體管、儲存電容、接墊結(jié)構(gòu)的制造工藝簡化，以縮短制造時程并大幅降 低成本。本發(fā)明的又一目的在于提供一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，由 于本發(fā)明制造工藝所得到的像素結(jié)構(gòu)，在顯示區(qū)域上去除其它不具功能的多 層結(jié)構(gòu)，故可提升各顯示像素的光穿透率，達(dá)到更好的顯示效果。為達(dá)上述目的，本發(fā)明揭示一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，該 液晶顯示器具有一基板，該基板上定義有復(fù)數(shù)像素區(qū)域及復(fù)數(shù)接墊區(qū)域，各 該像素區(qū)域包含一控制區(qū)域及一電容區(qū)域。本發(fā)明的方法包含下列步驟形 成一多晶硅層于該基板的控制區(qū)域及電容區(qū)域上；形成一第一介電層于該多 晶硅層上；形成一柵電極層于該第一介電層上；形成一第一圖案化光刻膠層， 于該控制區(qū)域、該電容區(qū)域及該接墊區(qū)域上；根據(jù)該第一圖案化光刻膠層， 保留部分該多晶硅層、該第一介電層及該柵電極層于該控制區(qū)域、該電容區(qū) 域及該接墊區(qū)域上；刻蝕去除部分該柵電極層，使該第一介電層部分暴露出 來；摻雜該多晶硅層，分別于該控制區(qū)域及該電容區(qū)域的多晶硅層中形成一 第一導(dǎo)電部分及一第二導(dǎo)電部分，俾于該控制區(qū)域上，形成一薄膜晶體管結(jié) 構(gòu)，及于該電容區(qū)域上，形成一電容結(jié)構(gòu)；移除該第一圖案化光刻膠層；形 成一中間介電層，覆蓋該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、該電容結(jié)構(gòu)、及該接墊區(qū)域上的 一接墊結(jié)構(gòu)；形成一透明電極層，覆蓋該中間介電層；移除部分該透明電極 層與該中間介電層，以暴露部分該第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分、及該接墊 結(jié)構(gòu)；形成一金屬層，電性連接該第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分、及該接墊 結(jié)構(gòu)的暴露部分；以及形成一保護(hù)層，覆蓋于該金屬層上，部分暴露該透明 電極層于該電容區(qū)域上。
在參閱附圖及隨后描述的實施方式后，該技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者便可 了解本發(fā)明的目的，以及本發(fā)明的技術(shù)手段及實施態(tài)樣。圖1A為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器面板的像素數(shù)組的示意圖;圖IB為現(xiàn)有技術(shù)像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)于一像素的示意圖；以及圖3至圖11為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的制造工藝的示意圖。附圖標(biāo)號1像素數(shù)組10掃瞄線101接墊11數(shù)據(jù)線111接墊121顯示單元123控制組件13基板131控制區(qū)域133電容區(qū)域135顯示區(qū)域137接墊區(qū)域14多晶硅層141導(dǎo)電結(jié)構(gòu)15介電層16柵電極層17中間介電層18金屬導(dǎo)電層19平坦層191透明電極2像素結(jié)構(gòu)21數(shù)據(jù)線30基板301控制區(qū)域303電容區(qū)域305顯示區(qū)域307接墊區(qū)域31薄膜晶體管33電容結(jié)構(gòu)35顯示結(jié)構(gòu)37接墊結(jié)構(gòu)40多晶硅層41 第一導(dǎo)電部分 411輕摻雜結(jié)構(gòu)


42源極43第二導(dǎo)電部分431輕摻雜結(jié)構(gòu)44漏極471輕摻雜結(jié)構(gòu)50第一介電層60柵電極層65第一圖案化光刻膠層651光刻膠層結(jié)構(gòu)653光刻膠層結(jié)構(gòu)657光刻膠層結(jié)構(gòu)70中間介電層75透明電極層77導(dǎo)孔80金屬層81第一金屬結(jié)構(gòu)83第二金屬結(jié)構(gòu)87第三金屬結(jié)構(gòu)90保護(hù)層具體實施方式
本發(fā)明應(yīng)用于液晶顯示器，尤其是低溫多晶硅液晶顯示器(LTPS-LCD)， 其中，液晶顯示器具有一基板，該基板上定義有復(fù)數(shù)像素區(qū)域及復(fù)數(shù)接墊區(qū) 域。圖2所示為利用本發(fā)明的制造工藝所形成的一像素結(jié)構(gòu)2的平面示意圖， 其僅繪示其中一像素區(qū)域，于圖2中，顯示一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)31、 一電容結(jié) 構(gòu)33、 一顯示結(jié)構(gòu)35、以及位于基板周緣的一接墊結(jié)構(gòu)37，其中，接墊結(jié)構(gòu) 37是用以與一數(shù)據(jù)線21相連接，用以傳送或接收一電壓信息，同樣地，掃瞄 線也會連接至對應(yīng)的接墊結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所揭示的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，依序如圖3至圖11 所示，須說明的是，圖3至圖11所示的制造工藝即顯示沿圖2的A-A'剖面線 的結(jié)構(gòu)。為方便描述，基板30可區(qū)分出控制區(qū)域301、電容區(qū)域303、顯示 區(qū)域305及接墊區(qū)域307。首先，請先參閱圖3，先至少于基板30的控制區(qū) 域301及電容區(qū)域303上形成一多晶硅層40，更明確而言，是先于基板30上 形成一非晶硅層，再以一準(zhǔn)分子激光退火(Excimer Laser Annealing, ELA) 制造工藝，將該非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)樵摱嗑Ч鑼?0;然后，再依序形成一第一介
電層50于多晶硅層40上，及形成一柵電極層60于第一介電層50上。如圖4所示，本發(fā)明的第一道掩膜制造工藝，于控制區(qū)域301、電容區(qū)域 303及接墊區(qū)域307上形成一第一圖案化光刻膠層65;較佳地，該第一圖案 化光刻膠層65可利用一半色調(diào)(half-tone)掩膜，通過曝光能量的分配，依 需求于控制區(qū)域301、電容區(qū)域303及接墊區(qū)域307上形成具有不同厚度的光 刻膠層結(jié)構(gòu)651、 653、 657。接下來，如圖5所示，根據(jù)第一圖案化光刻膠層 65，以第一圖案化光刻膠層65為罩幕(mask),進(jìn)行一刻蝕制造工藝，去除 暴露的部分該多晶硅40層、該第一介電層50及該柵電極層60，以保留部分 該多晶硅層40、該第一介電層50及該柵電極層60于控制區(qū)域301、電容區(qū) 域303及接墊區(qū)域307上。然后，針對該第一圖案化光刻膠層65進(jìn)行一灰化(ashing)制造工藝， 以去除部分第一圖案化光刻膠層65。由于第一圖案化光刻膠層65是經(jīng)由先前 半色調(diào)掩膜形成，故具有特定的厚度分布，灰化后將僅剩余局部的光刻膠層 結(jié)構(gòu)651、 653、 657，如圖6所示。再進(jìn)一步刻蝕去除部分該柵電極層60， 使第一介電層50得以部分暴露出來；較佳地，本發(fā)明的一實施例可采用濕式 刻蝕，使得柵電極層60于刻蝕過程中進(jìn)一步受到側(cè)向侵蝕，如圖6所示，確 保第一圖案化光刻膠層65的光刻膠層結(jié)構(gòu)651、 653、 657可將柵電極層60 完全覆蓋，俾利后續(xù)的制造工藝。為了于控制區(qū)域301上形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、及于電容區(qū)域303上形成 電容結(jié)構(gòu)，需要將前述結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變形成導(dǎo)電部分。詳言之，于控制區(qū)域301及 電容區(qū)域303上，針對該多晶硅層40進(jìn)行P+離子的摻雜，如圖6的箭頭方向 所示。由于第一圖案化光刻膠層65的遮蔽，P+離子僅會摻雜入局部多晶硅層 40，藉此，分別于控制區(qū)域301及電容區(qū)域303的多晶硅層40中，形成一第 一導(dǎo)電部分41及一第二導(dǎo)電部分43。若使用前述濕式刻蝕的實施例，在移除 第一圖案化光刻膠層65后，更可于該控制區(qū)域301、該電容區(qū)域303及該接 墊區(qū)域307上，進(jìn)行一輕摻雜制造工藝，摻雜P-離子，以形成輕摻雜結(jié)構(gòu)411、431、 471，以增加組件的可靠度，如圖7所示。如此一來，便可于該控制區(qū) 域301上形成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)31 ，于該電容區(qū)域303上形成一電容結(jié)構(gòu)33， 以及于接墊區(qū)域307上形成一接墊結(jié)構(gòu)37。其中，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)31的第一 導(dǎo)電部分41包含源極42與漏極44。然后，如圖8所示，形成一中間介電層70，覆蓋前述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu) 31、電容結(jié)構(gòu)33、及接墊區(qū)域307上的一接墊結(jié)構(gòu)37，并再形成一透明電極 層75，覆蓋前述的中間介電層70，其中，該透明電極層75較佳是由氧化銦 錫(Indium Tin Oxide，ITO)所制成。接著，如圖9所示，利用第二道掩膜， 形成一第二圖案化光刻膠層(圖未示)，然后進(jìn)行一第二刻蝕制造工藝，移除 部分透明電極層75與中間介電層70，以于特定位置形成復(fù)數(shù)導(dǎo)孔77，使第 一導(dǎo)電部分4K該第二導(dǎo)電部分43、及該接墊結(jié)構(gòu)37部分暴露出來。接下來如圖10所示，濺射一金屬層80，然后以第三道掩膜制造工藝，形 成一第三圖案化光刻膠層(圖未示)，隨后進(jìn)行一第三刻蝕制造工藝，去除部 分金屬層80，用以電性連接第一導(dǎo)電部分41、第二導(dǎo)電部分43、及該接墊結(jié) 構(gòu)37的暴露部分。詳言之，經(jīng)前述的第三刻蝕制造工藝之后，該金屬層80 可區(qū)分包含第一金屬結(jié)構(gòu)81、第二金屬結(jié)構(gòu)83及第三金屬結(jié)構(gòu)87，其中該 第一金屬結(jié)構(gòu)81電性連接于該第一導(dǎo)電部分41 (即薄膜晶體管結(jié)構(gòu)31的源 極42)，該第二金屬結(jié)構(gòu)83電性連接于該第一導(dǎo)電部分41 (即薄膜晶體管結(jié) 構(gòu)31的漏極44)與該第二導(dǎo)電部分43，以電性連接薄膜晶體管結(jié)構(gòu)31與電 容結(jié)構(gòu)33，而第三金屬結(jié)構(gòu)87則電性連接于該接墊結(jié)構(gòu)37。此外，第三圖 案化光刻膠層的設(shè)計上，可一并考慮于進(jìn)行第三刻蝕制造工藝時，同時將薄 膜晶體管結(jié)構(gòu)31上方的透明電極層加以去除，以確保薄膜晶體管結(jié)構(gòu)31的 源極42與漏極44不會導(dǎo)通。最后，沉積一保護(hù)層90，其至少覆蓋于金屬層80上，然后以第四道掩膜， 形成一第四圖案化光刻膠層(圖未示)，隨后進(jìn)行一第四刻蝕制造工藝，去除 部分該保護(hù)層90，如圖11所示；較佳地，可設(shè)計一并將部分第二金屬結(jié)構(gòu)83去除，使透明電極層75于電容區(qū)域303可部分暴露出來。通過前述所揭示的技術(shù)，本發(fā)明的制造工藝步驟僅須使用四道掩膜制造 工藝，即可制造液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，可想見地，縮減掩膜的使用必然可 以大幅降低制造成本；同時，在制造工藝中又可一并去除顯示區(qū)域上不必要 的多層結(jié)構(gòu)，如圖2所示，顯示區(qū)域305上僅剩透明電極層75直接形成于基 板上，故也可提升像素的光穿透率，呈現(xiàn)更佳的顯示效果。上述的實施例僅用來例舉本發(fā)明的實施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特 征，并非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。任何熟悉此技術(shù)者可輕易完成的改變 或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)以申 請專利范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，該液晶顯示器具有一基板，該基板上定義有復(fù)數(shù)像素區(qū)域及復(fù)數(shù)接墊區(qū)域，各所述的像素區(qū)域包含一控制區(qū)域及一電容區(qū)域，該方法包含下列步驟于所述的控制區(qū)域上，形成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，及于所述的電容區(qū)域上，形成一電容結(jié)構(gòu)，其中該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)具有一第一導(dǎo)電部分，該電容結(jié)構(gòu)具有一第二導(dǎo)電部分；形成一中間介電層，覆蓋所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、所述的電容結(jié)構(gòu)、及所述的接墊區(qū)域上的一接墊結(jié)構(gòu)；形成一透明電極層，覆蓋所述的中間介電層；移除部分所述的透明電極層與中間介電層，以暴露部分所述的第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分、及所述的接墊結(jié)構(gòu)；形成一金屬層，電性連接所述的第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分、及所述的接墊結(jié)構(gòu)的暴露部分；以及形成一保護(hù)層，覆蓋于所述的金屬層上，部分暴露所述的透明電極層于所述的電容區(qū)域上。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及所述的 電容結(jié)構(gòu)的步驟，還包含下列步驟-形成一多晶硅層于所述的基板上； 形成一第一介電層于所述的多晶硅層上； 形成一柵電極層于所述的第一介電層上；形成一第一圖案化光刻膠層，于所述的控制區(qū)域、所述的電容區(qū)域及所 述的接墊區(qū)域上；以及以所述的第一圖案化光刻膠層為罩幕，去除暴露的部分，保留部分所述 的多晶硅層、所述的第一介電層及所述的柵電極層于所述的控制區(qū)域、所述 的電容區(qū)域及所述的接墊區(qū)域上。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述的多晶硅層的步驟還包含下列步驟形成一非晶硅層于所述的基板上；以及以一準(zhǔn)分子激光退火制造工藝，將所述的非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅亩嗑Ч鑼印?br> 4. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述的第一圖案化光刻膠層是以半色 調(diào)掩膜所形成。
5. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中于保留部分所述的多晶硅層、所述的 第一介電層及所述的柵電極層的步驟之后，還包含下列步驟灰化所述的第一圖案化光刻膠層；刻蝕去除部分所述的柵電極層，使所述的第一介電層部分暴露出來； 摻雜所述的多晶硅層，分別于所述的控制區(qū)域及所述的電容區(qū)域的多晶 硅層中，形成所述的第一導(dǎo)電部分及所述的第二導(dǎo)電部分；以及 移除所述的第一圖案化光刻膠層。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中摻雜所述的多晶硅層的步驟之后還包 含一步驟于所述的控制區(qū)域、所述的電容區(qū)域及所述的接墊區(qū)域，進(jìn)行一輕摻雜 制造工藝。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中暴露部分所述的第一導(dǎo)電部分、第二 導(dǎo)電部分、及所述的接墊結(jié)構(gòu)的步驟還包含下列步驟形成一第二圖案化光刻膠層；以及進(jìn)行一第二刻蝕制造工藝，使所述的第一導(dǎo)電部分、所述的第二導(dǎo)電部 分、及所述的接墊結(jié)構(gòu)部分暴露出來。
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述的金屬層的步驟還包含下列 步驟濺射所述的金屬層； 形成一第三圖案化光刻膠層；以及進(jìn)行一第三刻蝕制造工藝，去除部分所述的金屬層，使該金屬層包含一 第一金屬結(jié)構(gòu)、 一第二金屬結(jié)構(gòu)及一第三金屬結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬結(jié)構(gòu)電 性連接于所述的第一導(dǎo)電部分的一源極、所述的第二金屬結(jié)構(gòu)電性連接于所 述的第一導(dǎo)電部分的一漏極與所述的第二導(dǎo)電部分、第三金屬結(jié)構(gòu)電性連接 于所述的接墊結(jié)構(gòu)。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述的保護(hù)層且部分暴露所述的 透明電極層的步驟還包含下列步驟沉積所述的保護(hù)層； 形成一第四圖案化光刻膠層；以及進(jìn)行一第四刻蝕制造工藝，去除部分所述的保護(hù)層及所述的第二金屬結(jié) 構(gòu)，使所述的透明電極層于所述的電容區(qū)域部分暴露出來。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的透明電極層包括由氧化銦錫所 制成。
11. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述的液晶顯示器為一低溫多晶硅液晶顯 不器。
12. —種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，所述的液晶顯示器具有一基 板，該基板上定義有復(fù)數(shù)像素區(qū)域及復(fù)數(shù)接墊區(qū)域，各所述的像素區(qū)域包含一控制區(qū)域及一電容區(qū)域，該方法包含下列步驟形成一多晶硅層于所述的基板的控制區(qū)域及電容區(qū)域上；形成一第一介電層于所述的多晶硅層上；形成一柵電極層于所述的第一介電層上；形成一第一圖案化光刻膠層，于所述的控制區(qū)域、所述的電容區(qū)域及所 述的接墊區(qū)域上；以所述的第一圖案化光刻膠層為罩幕，保留部分所述的多晶硅層、所述 的第一介電層及所述的柵電極層于所述的控制區(qū)域、所述的電容區(qū)域及所述的接墊區(qū)域上；刻蝕去除部分所述的柵電極層，使所述的第一介電層部分暴露出來； 摻雜所述的多晶硅層，分別于所述的控制區(qū)域及所述的電容區(qū)域的多晶 硅層中形成一第一導(dǎo)電部分及一第二導(dǎo)電部分，于所述的控制區(qū)域上，形成 一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，及于所述的電容區(qū)域上，形成一電容結(jié)構(gòu)； 移除所述的第一圖案化光刻膠層；形成一中間介電層，覆蓋所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、所述的電容結(jié)構(gòu)、及 所述的接墊區(qū)域上的一接墊結(jié)構(gòu)；形成一透明電極層，覆蓋所述的中間介電層；移除部分所述的透明電極層與所述的中間介電層，以暴露部分所述的第 一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分、及所述的接墊結(jié)構(gòu)；形成一金屬層，電性連接所述的第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分、及所述 的接墊結(jié)構(gòu)的暴露部分；以及形成一保護(hù)層，覆蓋于所述的金屬層上，部分暴露所述的透明電極層于 所述的電容區(qū)域上。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述的形成一多晶硅層的步驟還包含形成一非晶硅層于所述的基板上；以及以一準(zhǔn)分子激光退火制造工藝，將所述的非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅亩嗑Ч鑼印?br> 14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述的第一圖案化光刻膠層是以半 色調(diào)掩膜所形成。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中于保留部分所述的多晶硅層、所述 的第一介電層及所述的柵電極層的步驟之后，還包含一步驟灰化所述的第一圖案化光刻膠層。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中于形成所述的第一導(dǎo)電部分及所述的第二導(dǎo)電部分的步驟之后，還包含一步驟于所述的控制區(qū)域、所述的電容區(qū)域及所述的接墊區(qū)域，進(jìn)行一輕摻雜 制造工藝。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中暴露部分所述的第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分及所述的接墊結(jié)構(gòu)的步驟，還包含下列歩驟形成一第二圖案化光刻膠層；以及進(jìn)行一第二刻蝕制造工藝，使所述的第一導(dǎo)電部分、所述的第二導(dǎo)電部 分、及所述的接墊結(jié)構(gòu)部分暴露出來。
18. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中電性連接所述的第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分、及所述的接墊結(jié)構(gòu)的暴露部分的步驟，還包含下列步驟濺射所述的金屬層； 形成一第三圖案化光刻膠層；以及進(jìn)行一第三刻蝕制造工藝，去除部分所述的金屬層，使該金屬層包含一 第一金屬結(jié)構(gòu)、 一第二金屬結(jié)構(gòu)及一第三金屬結(jié)構(gòu)，其中所述的第一金屬結(jié) 構(gòu)電性連接于所述的第一導(dǎo)電部分的一源極、所述的第二金屬結(jié)構(gòu)電性連接 于所述的第一導(dǎo)電部分的一漏極與所述的第二導(dǎo)電部分、所述的第三金屬結(jié) 構(gòu)電性連接于所述的接墊結(jié)構(gòu)。
19. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述的部分暴露所述的透明電極層 于所述的電容區(qū)域上的步驟，還包含下列步驟沉積所述的保護(hù)層； 形成一第四圖案化光刻膠層；以及進(jìn)行一第四刻蝕制造工藝，去除部分所述的保護(hù)層及所述的第二金屬結(jié) 構(gòu)，使所述的透明電極層于所述的電容區(qū)域部分暴露出來。
20. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述的透明電極層包括由氧化銦錫 所制成。
21.如權(quán)利要求12所述的方法，所述的液晶顯示器為一低溫多晶硅液晶
全文摘要
本發(fā)明是一種一液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造方法。于像素結(jié)構(gòu)的制造工藝中，相較于現(xiàn)有的七道掩膜制造工藝，本發(fā)明僅須使用四道掩膜制造工藝，故可大幅降低制造成本；此外，于制造過程中，可一并清除顯示區(qū)域上不必要的多層結(jié)構(gòu)，以提升其透光度。
文檔編號H01L27/12GK101131521SQ20071016174
公開日2008年2月27日 申請日期2007年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月25日
發(fā)明者李振岳 申請人:友達(dá)光電股份有限公司