專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器，更具體地講，涉及一種可以防止包括 在有機(jī)發(fā)光顯示器中的像素和驅(qū)動(dòng)器由于靜電放電而受損的有機(jī)發(fā)光顯示器。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示器是一種平板顯示器，利用通過陰極提供的電子和陽極提 供的空穴的復(fù)合來發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。有機(jī)發(fā)光顯示器的優(yōu)勢 方面在于有機(jī)發(fā)光顯示器薄、具有寬的視角并具有短的響應(yīng)時(shí)間。用于驅(qū)動(dòng)有才幾發(fā)光顯示器的方法包括無源(passive)矩陣法和有源 (active)矩陣法。無源矩陣法是選擇并驅(qū)動(dòng)陽極和陰極以直角交叉的線的方 法。另一方面，有源矩陣法是通過向有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)提供與數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流來實(shí)現(xiàn)圖像的方法。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)利用形成在 每個(gè)像素上的薄膜晶體管(TFT)。有源矩陣法的優(yōu)勢方面在于它可以顯示更 穩(wěn)定的亮度，且消耗的能量會比無源矩陣法消耗的能量少，因此，有源矩陣 法可以應(yīng)用于大型的高分辨率顯示器。傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器包括像素區(qū)和非像素區(qū)，其中，像素區(qū)包括像素 矩陣，非像素區(qū)包括用于驅(qū)動(dòng)像素的驅(qū)動(dòng)器和電源。像素區(qū)中的像素包括用于驅(qū)動(dòng)操作或開關(guān)操作的薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管。像素區(qū)和非像素區(qū) 通過多條線彼此電連接。傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器是通過形成薄膜晶體管、形成有機(jī)發(fā)光二極管、 包封和封裝的步驟來制造的。在這樣的制造步驟中，由于內(nèi)部環(huán)境因素或外 部環(huán)境因素導(dǎo)致在有機(jī)發(fā)光顯示器中會產(chǎn)生靜電。在用于制造有機(jī)發(fā)光顯示 器的幾乎所有的制造工藝(包括沉積工藝、蝕刻工藝等)中會產(chǎn)生靜電。此外，在有機(jī)發(fā)光顯示器上顯示圖像期間，也會由于外部環(huán)境因素產(chǎn)生靜電。根據(jù)傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器，問題在于，由于在上述或其它制造步驟中或由于外部環(huán)境因素而發(fā)生的靜電放電(ESD)，導(dǎo)致內(nèi)部電路受損。發(fā)明內(nèi)容一些方面解決了傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器的上述問題，并提供了一種有機(jī) 發(fā)光顯示器，該有機(jī)發(fā)光顯示器可以防止包括在有機(jī)發(fā)光顯示器中的像素和 驅(qū)動(dòng)器由于靜電放電而受損。一個(gè)方面是一種有機(jī)發(fā)光顯示器，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括在其中包括像 素區(qū)和非像素區(qū)的基底及形成在非像素區(qū)中的靜電放電電路，該靜電放電電 路包括第一電極層，形成在基底上；第一絕緣層，形成在第一電極層上； 第二電極層，形成在第一絕緣層上，其中，第一電極層和第二電極層中的至 少 一個(gè)包括形成為向著第 一 電極層和第二電極層中的另 一個(gè)水平地延伸的突 出電極。另一方面是一種有機(jī)發(fā)光顯示器，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括在其中包括像 素區(qū)和非像素區(qū)的基底及形成在非像素區(qū)中的靜電放電電路，該靜電放電電 路包括半導(dǎo)體層，形成在基底上；柵極絕緣層，形成在半導(dǎo)體層上；柵電 極，形成在柵極絕緣層上；絕緣中間層，形成為覆蓋柵電極；源/漏電極，形 成在絕緣中間層上，其中，柵電極包括第一突出電極，第一突出電極形成為 向著源/漏電極水平地延伸。


從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中，上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更清楚， 在附圖中圖l是示出了才艮據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖； 圖2是示出了圖1中的"A"部分的平面圖； 圖3是沿著圖2中的線I-I截取的垂直剖視圖；圖4是示出了靜電放電電路的另一示例中與圖2對應(yīng)的部分的平面圖； 圖5是示出了圖4中的突出電極的其它形狀的視圖； 圖6是示出了才艮據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器中與圖2對應(yīng)的部分的 平面圖；圖7是沿著圖6中的線II-II截取的垂直剖視圖；圖8是示出了才艮據(jù)另 一 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。
具體實(shí)施方式
在下文中，將參照附圖來描述特定的實(shí)施例。在附圖中，為了清楚說明 的目的，有時(shí)將省略對于這樣的說明不相關(guān)的部分。將說明根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器。圖1是示出了根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器100的示意圖。參照圖1，根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器100包括基底IIO,包括像素 區(qū)110a和非像素區(qū)110b，其中，像素區(qū)110a包括以矩陣形式布置的像素P， 非像素區(qū)110b形成在像素區(qū)110a的外圍；靜電放電電路120,形成在非像素 區(qū)110b上?；?10包括像素區(qū)110a，具有大致矩形的形狀；非像素區(qū)110b，形 成在像素區(qū)110a的外圍?；譏IO還可以與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng)器140 和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器150電連接。像素區(qū)110a是通過驅(qū)動(dòng)按照矩陣形式布置的多個(gè)像素來顯示圖像的區(qū) 域。每個(gè)像素形成在數(shù)據(jù)線(未示出)、掃描線(未示出)和發(fā)光控制線(未 示出)彼此交叉的區(qū)域附近。雖然沒有在圖1中示出，但是像素P可以包括 由薄膜晶體管、至少一個(gè)開關(guān)元件、容性元件和有^/L發(fā)光二極管形成的驅(qū)動(dòng)元件。非像素區(qū)110b形成在基底110上，環(huán)繞像素區(qū)110a。在非像素區(qū)110b 中，可以形成靜電放電電路120、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng)器140和發(fā)光控 制驅(qū)動(dòng)器150,其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng)器140和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器 150用于向限定像素P的數(shù)據(jù)線、掃描線和發(fā)光控制線中的每條提供驅(qū)動(dòng)信 號。此外，非像素區(qū)110b可以包括焊盤160，焊盤160用于將像素P、數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng)器140和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器150與外部模塊電連接。靜電放電電路120形成在基底IIO的非像素區(qū)110b上。靜電放電電路120 可以形成在基底110的端部的一側(cè)或多側(cè)。在該實(shí)施例中，靜電放電電路120 形成在基底110的除了形成有焊盤160的部分之外的每側(cè)。靜電放電電路120 可以形成為環(huán)繞基底110的每側(cè)的單片。靜電放電電路120保護(hù)內(nèi)部部件(例 如包括在像素中的驅(qū)動(dòng)元件、開關(guān)元件或有機(jī)發(fā)光二極管)不會由于靜電放電(ESD)而受損，其中，靜電放電(ESD)會發(fā)生在有機(jī)發(fā)光顯示器100 的制造工藝或隨后的處理工藝的過程中。靜電放電電路120也可保護(hù)形成在 非像素區(qū)110b上的電路，比如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng)器140、發(fā)光控制 驅(qū)動(dòng)器150和焊盤160等(將在隨后描述)。雖然靜電放電電路120已經(jīng)被描 述為形成在基底的端部，但是本發(fā)明不限于此。當(dāng)然，靜電放電電路120可 以形成在基底110的另一區(qū)域上。將在隨后描述靜電放電電路120的詳細(xì)結(jié) 構(gòu)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng)器140和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器150可以作為集成 電路(IC)放置在基底110的非像素區(qū)110b上。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng) 器140和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器150可以形成在與形成薄膜晶體管(未示出)的層 相同的層上，其中，薄膜晶體管包括在像素區(qū)110a的像素P中。另一方面， 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、掃描驅(qū)動(dòng)器140和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器150可以不形成在基底 110上，而是形成在另外的單獨(dú)的基底上。形成在另外的單獨(dú)的基底(未示 出)上的各驅(qū)動(dòng)器130、 140和150可以通過例如載帶封裝(TCP)、柔性印 刷電路(FPC)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)、玻璃覆晶(COG)及它們的等同物 中的任一種與基底110電連接，但是不限于此。焊盤160形成在基底110的非像素區(qū)110b上。焊盤160形成在基底110 的一側(cè)，并^皮構(gòu)造為將外部電路模塊(未示出)與驅(qū)動(dòng)器130、 140和150電 連接，或者焊盤160形成為將外部電路模塊與像素P電連接。靜電放電電路 120可以與形成在焊盤160的至少一側(cè)的接地焊盤160a電連接。將進(jìn)一步描述根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的用于有機(jī)發(fā)光顯示器100的靜電 放電電路120。圖2是示出了圖1中的"A"部分的平面圖，圖3是沿著圖2中的線I-I 截取的靜電放電電路120的垂直剖視圖。將在下文中描述的靜電放電電路120 不僅可以應(yīng)用于形成在基底110的部分(圖1中的"A")上的靜電放電電路 120，而且還可應(yīng)用于形成在基底110的所有其它區(qū)域上的靜電放電電路120。參照圖2和圖3，根據(jù)一些實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器100的靜電放電電 路120包括緩沖層121，形成在基底110的頂部上；柵極絕緣層122，形成 在緩沖層121的頂部上；柵電極123 (選擇性地被稱作"第一電極層")，形 成在柵極絕緣層122的頂部上；絕緣中間層124 (選擇性地被稱作"第一絕 緣層，，)，形成為覆蓋柵電極123;源/漏電極125 (選擇性地被稱作"第二電極層")，形成在絕緣中間層124的頂部上。此外，靜電放電電路120還可包 括第一保護(hù)層126，形成為覆蓋源/漏電極125;第二保護(hù)層127;第三電極 層128，形成在第二保護(hù)層127的頂表面上，并與源/漏電極125電連接。在 一些實(shí)施例中，柵電極123可包括第一突出電極123a，第一突出電極123a 形成為水平地延伸。此外，源/漏電極125可包括第二突出電極125a,第二突 出電才及125a形成為水平延伸?；?10以具有頂表面和底表面的板的形式形成，且頂表面和底表面之 間的厚度為從大約0.05mm至大約lmm。如果基底110的厚度低于大約 0.05mm，則造成的缺點(diǎn)是，在清潔、蝕刻和熱處理工藝的過程中，基底很有 可能損壞，且基底對外力的抗力小。此外，如果基底110的厚度高于大約lmm， 則難以將該基底應(yīng)用于薄型的各種顯示裝置中?；譏IO可以由普通玻璃、 塑料、不銹鋼和它們的等同物中的至少一種形成，但是不限于此。可以通過 對基底IIO進(jìn)行預(yù)壓(pre-compact)來形成基底110，以防止在用于防止基底 IIO容納雜質(zhì)的清潔基底的步驟中和制造其它組件的步驟中，基底110由于熱 或壓力而容易變形?；譏IO可以被劃分為像素區(qū)110a和非像素區(qū)llOb，其 中，像素區(qū)110a包括薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管，各種驅(qū)動(dòng)器形成在非像 素區(qū)110b上。緩沖層121至少用于防止潮氣(H20)、氫(H2)、氧(02)等穿透基底 110并滲透到靜電放電電路120中。為此目的，緩沖層121可以由在半導(dǎo)體 工藝的過程中可以容易地形成的氧化硅(Si02)層、氮化硅(Si3N4)層、有 機(jī)層和它們的等同物形成，但不限于此。當(dāng)然，緩沖層121可以形成為多層 結(jié)構(gòu)，或者可以一皮省略。柵極絕緣層122形成在緩沖層121的頂表面上。柵極絕緣層122形成在 柵電極123 (將在隨后描述)和緩沖層121之間，以獲得期望的電絕緣。柵 極絕緣層122可以由在半導(dǎo)體工藝的過程中可以容易地形成的氧化硅層、氮 化硅層、有機(jī)層和它們的等同物中的任一種形成，但不限于此。柵極絕緣層 122可以由PECVD法、LPCVD法、濺射法和其它方法中的任一種形成。柵電極123形成在柵極絕緣層122的頂部上。柵電極123可以與包括在 焊盤160 (見圖1)中的接地焊盤160a (見圖1)電連接。柵電極123可以由 例如鋁(Al)、鋁-釹(AlNd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉬-鵠(MoW)和鈦(Ti) 中的任一種形成，或者可以由它們的組合物制成的金屬材料形成，但不限于此。在柵極絕緣層122上沉積柵電極123之后，通過涂覆光致抗蝕劑、曝光、 顯影、蝕刻、剝離光致抗蝕劑等工藝，柵電極123可以以期望的數(shù)量位于期 望的位置。柵電極123用于引發(fā)絕緣中間層124 (將在隨后描述)的絕緣的 打破，并釋放靜電。此外，柵電極123可以通過包括在焊盤160 (見圖1)中 的接地焊盤160a將靜電接地。柵電極123可以包括用于相對容易地引發(fā)靜電 放電的第一突出電極123a。第一突出電極123a形成為在柵電極123中向著源/漏電極125(將在隨后 描述)水平地延伸。如圖2中所示，第一突出電極123a可以以形成在柵電極 123的一部分中的鋸齒形狀形成。此外，第一突出電極123a可以與柵電極123 一體地形成，并可在形成4冊電極123的過程中與4冊電才及123同時(shí)形成?？梢?形成第一突出電極123a的方式為，其端部el指向源/漏電極125或包括在源/ 漏電極125中的第二突出電極125a。第一突出電極123a的端部el可以以使 靜電電荷在相對短的時(shí)間內(nèi)被積聚的有角的形狀形成。第一突出電極123a可 以與第二突出電極125a (將在隨后描述)相對地形成。在柵電極123中發(fā)生 靜電放電的情況下，第一突出電極123a用于將靜電電荷積聚到有角的端部el 并形成高電場。然而，第一突出電極123a的形狀不限于在圖2中示出的形狀， 第一突出電極123a可以以使靜電電荷積聚的任意形狀形成。絕緣中間層124形成在柵電極123的頂部上。當(dāng)然，絕緣中間層124也 可形成在在柵電極123的外圍形成的柵極絕緣層122上。絕緣中間層124可 以由與柵極絕緣層122的材料相同的絕緣材料形成，并可包括氧化硅層、氮 化硅層、有機(jī)層等，但不限于此。絕緣中間層124可以由聚合物基絕緣材料、 塑料基絕緣材料、玻璃基絕緣材料和它們的等同物中的任一種形成，但不限引發(fā)絕緣的打破。源/漏電極125形成在絕緣中間層124的頂部上。源/漏電極125可以形成 在絕緣中間層124的頂部上。源/漏電極125可以形成為沿著水平方向與柵電 極123分隔開。源/漏電極125可以與形成在焊盤160 (見圖1 )上的接地焊 盤160a(見圖1)電連接。源/漏電極125用于引發(fā)形成在源/漏電極125和柵 電極123之間的絕緣中間層124的絕緣的打破，并釋放靜電。源/漏電極125 可以通過接地焊盤160a (見圖1)將靜電接地。源/漏電極125可以由與柵電 極123的材料相同的金屬材料形成，但不限于此?？梢酝ㄟ^例如PECVD法、LPCVD法、濺射法和它們的等同方法中的任一種來沉積源/漏電極125,然后， 可以通過例如涂覆光致抗蝕劑、曝光、顯影、蝕刻和剝離光致抗蝕劑的工藝 將源/漏電極125以期望的數(shù)量在期望的位置圖案化。另一方面，源/漏電極 125可以包括在源/漏電極125中形成為水平地延伸的第二突出電極125a。第二突出電極125a形成為在源/漏電極125中向著柵電極123水平地延 伸。如圖2中所示，第二突出電極125a可以以在源/漏電極125的一部分中 連續(xù)形成的鋸齒的形狀形成。此外，第二突出電極125a可以與源/漏電極125 一體地形成，并可以在形成源/漏電極125的過程中與源/漏電極125同時(shí)形成。 可以形成第二突出電才及125a的方式為，其端部e2指向4冊電才及123或包括在 柵電極123中的第一突出電極123a。與第一突出電極123a的端部el類似， 第二突出電極125a的端部e2可以以使靜電電荷積聚的有角的形狀形成。在 源/漏電極125中發(fā)生靜電放電的情況下，第二突出電極125a用于將靜電電 荷積聚到有角的端部e2,并形成高電場。同時(shí)，源/漏電極125和柵電極123之間的距離(沿水平方向)可以根據(jù) 將被控制的靜電的電壓電平和將形成在非像素區(qū)110b中的靜電放電電路120 的面積來變化。如果將被控制的靜電的電壓電平相對高(例如，在幾千伏以 上)，則源/漏電極125和柵電極123之間的距離(沿水平方向)盡可能長地 形成在能夠形成靜電放電電路120的區(qū)域內(nèi)。然而，源/漏電極125和柵電極 123之間的距離(沿水平方向)不受限制。靜電放電電路120還可包括形成在源/漏電極125上的保護(hù)層。保護(hù)層可 包括第一保護(hù)層126和第二保護(hù)層127。第一保護(hù)層126形成為覆蓋源/漏電 極125和絕緣中間層124，并用于保護(hù)源/漏電極125和柵電極123。可以由 從普通的有機(jī)層和它的等同物中選擇的任一種來形成第一保護(hù)層126，但不 限于此。此外，第二保護(hù)層127形成為覆蓋第一保護(hù)層126,并用作幫助靜 電放電電路120的表面基本上平面化。第二保護(hù)層127可以由苯并環(huán)丁烯 (BCB)、丙烯酰基(acryl)和它們的等同物中的至少一種來形成，但不限于 此。此外，靜電放電電路120還可包括在第二保護(hù)層127的頂表面上的第三 電極層128。第三電^l層128通過導(dǎo)電通孔vl與源/漏電極125電連接。第三但不限于此。第三電極層128有助于當(dāng)產(chǎn)生靜電時(shí)靜電通過導(dǎo)電通孔vl被釋放到源/漏電極125。根據(jù)上述實(shí)施例，靜電放電電路120形成在有機(jī)發(fā)光顯示器100的像素 區(qū)110a的外圍的非像素區(qū)110b的至少一側(cè)，并防止像素P及驅(qū)動(dòng)器130、140 和150由于靜電》文電而受損。更具體地講，通過柵電極123和源/漏電極125之間的絕緣中間層124來 傳導(dǎo)靜電放電電流。來自柵電極123或源/漏電極125的靜電由于絕緣中間層 124的絕緣的打破而被釋放。一部分靜電可以通過柵電極123和源/漏電極125 中的任一個(gè)而接地。此外，在靜電放電電路120的外部中產(chǎn)生的靜電可以通 過第三電極層128被傳輸?shù)皆?漏電極125，并可由此被釋放。靜電放電電路120的優(yōu)勢效果在于，釆用第一突出電極123a和第二突出 電極125a使靜電被相對容易地消耗，其中，第一突出電極123a和第二突出 電極125a由于靜電電荷的積聚而形成高電場，因此有助于絕緣的打破。更具體地講，第一突出電極123a的端部el和第二突出電極125a的端部 e2形成為有角的形狀。因此，當(dāng)產(chǎn)生靜電時(shí)，靜電電荷積聚在端部el和e2， 因此，在端部el和端部e2可形成相對高的電場。第一突出電極123a的端部 el和第二突出電極125a的端部e2彼此面對，有助于通過靜電放電打破第一 突出電極123a和第二突出電極125a之間的絕緣中間層124的絕緣。因此， 可以通過第一突出電極123a和第二突出電極125a更容易地消耗靜電放電。接下來，將描述在靜電放電電路120中的突出電極123a和125a的另一 示例。圖4是示出了另一靜電放電電路120'中與圖2對應(yīng)的部分的視圖，圖5 是示出了圖4中的突出電極123a'和125a'的其它形狀的視圖。靜電放電電路120'與圖2和圖3中的靜電放電電路120類似。在下文中， 將對突出電極123a'和突出電極125a'進(jìn)行說明。靜電放電電路120'包括第一突出電極123a'，形成為在柵電極123中水 平延伸；第二突出電極125a'，形成為在源/漏電極125中水平延伸。第一突出電極123a'和第二突出電極125a'可以以三角形的形式分別形成 在柵電極123和源/漏電極125的至少一部分上?？梢孕纬傻谝煌怀鲭姌O123a' 和第二突出電才及125a'的方式分別為，其一邊形成在4冊電極123和源/漏電極 125上，與該邊相對的頂點(diǎn)指向相對的電極。即，在以三角形的形式形成的 第一突出電才及123a'和第二突出電極125a，中，上述頂點(diǎn)可以是端部el'和e2'。第一突出電才及123a'的端部el'和第二突出電才及125a'的端部e2'可以彼此面對地 形成。如上所述，分別形成在第一突出電極123a'和第二突出電極125a'上的 端部el'和端部e2'形成為頂點(diǎn)，因此執(zhí)行與上述實(shí)施例的操作類似的操作。 通過柵電極123和源/漏電極125傳輸?shù)撵o電電荷積聚到端部el'和端部e2'， 在端部el'和端部e2'之間形成相對高的電場，因此可以有助于柵電極123和 源/漏電極125之間的絕緣的打破(穿過絕緣中間層124的絕緣的打破)。如圖5中所示，第一突出電極123a'和第二突出電極125a'中的每個(gè)可以 以矩形al'、五邊形a2'和梯形a3'中的任一種的形式形成。然而，第一突出電 極123a'和第二突出電極125a'的形狀不限于此，它們的形狀可以變化。第一突出電極123a'和第二突出電極125a'的優(yōu)勢方面在于，它們可以分 別以期望的數(shù)量在柵電極123和源/漏電極125的期望位置形成。因此，通過 在靜電集中產(chǎn)生的部分或易于受靜電影響的部分上形成第一突出電極123a' 和第二突出電極125a'，可以更容易地引發(fā)由于靜電而導(dǎo)致的絕緣的打破。接下來，在下文中將描述根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器。圖6是示出了根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器中與圖2對應(yīng)的部分的 平面圖，圖7是沿著圖6中的線II-II截取的垂直剖視圖。由于該實(shí)施例的有 機(jī)發(fā)光顯示器與圖1至圖4中示出的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器類似，所以在下文中將著重對不同特征的說明。參照圖6和圖7,根據(jù)該實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的靜電放電電路220 包括緩沖層221,形成在基底210的頂部上；半導(dǎo)體層229，形成在緩沖層 221的頂部上；4冊極絕緣層222，形成在半導(dǎo)體層229的頂部上；柵電極223， 形成在柵極絕緣層222的頂部上；絕緣中間層224,形成為覆蓋柵電極223; 源/漏電極225,形成在絕緣中間層224的頂部上。此外，靜電放電電路220 還可包括第一保護(hù)層226,形成為覆蓋源/漏電極225;第二保護(hù)層227;第 三電極層228，形成在第二保護(hù)層227的頂表面上，并通過通孔v2與源/漏電 極225電連接。柵電極223可包括第一突出電極223a，第一突出電極223a 形成為在柵電極223中水平延伸。此外，源/漏電極225可包括第二突出電極 225a，第二突出電極225a形成為在源/漏電極225中水平延伸。除了半導(dǎo)體層 229形成在緩沖層221的頂部上之外， 一些實(shí)施例可以由與上述實(shí)施例的結(jié) 構(gòu)和材料相同的結(jié)構(gòu)和材料形成。半導(dǎo)體層229可以形成在緩沖層221或基底210上。半導(dǎo)體層229用于與柵電極223和源/漏電極225 —起引發(fā)靜電放電。半導(dǎo)體層229可以由從非 晶硅、微硅(micro silicon)(晶粒尺寸在非晶硅和多晶硅之間的硅)、有機(jī)物 質(zhì)和它們的等同物中選擇的任一種形成，但不限于此。半導(dǎo)體層229可以通 過導(dǎo)電接觸cl與源/漏電極225電連接，其中，導(dǎo)電接觸cl形成為穿透絕緣 中間層224。半導(dǎo)體層229包括形成在彼此相對的兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)(未示 出)及形成在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)(未示出)。在非晶硅或孩i硅結(jié)晶為多 晶硅之后，通過圖案化，半導(dǎo)體層229可以形成在期望的位置并形成為期望 的形狀?？梢酝ㄟ^利用準(zhǔn)分子激光的激光結(jié)晶法、利用金屬改性(promoting)材 料的金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)法和固相結(jié)晶(SPC)法使非晶硅結(jié)晶。此外，現(xiàn) 有的激光結(jié)晶法中存在還利用掩模的連續(xù)橫向固化(SLS)法。激光結(jié)晶法 是最廣泛使用的方法。根據(jù)激光結(jié)晶法，可以利用多晶液晶顯示器的現(xiàn)有的 結(jié)晶方法，該處理方法簡單，且已經(jīng)完成了關(guān)于該處理方法的技術(shù)開發(fā)。金屬誘導(dǎo)結(jié)晶法是可以不利用激光結(jié)晶法而在低溫下結(jié)晶的方法中的一 種。金屬誘導(dǎo)結(jié)晶法的優(yōu)勢效果在于，金屬改性材料(比如Ni、 Co、 Pd、 Ti 等)最初被沉積或旋涂到非晶硅的表面上，然后，金屬改性材料直接滲透到 非晶硅的表面中，從而使非晶硅在低溫下結(jié)晶同時(shí)改變其相位。當(dāng)在非晶硅的表面上涂覆金屬層時(shí)利用掩模的另 一種金屬誘導(dǎo)結(jié)晶法意 在防止污染物(比如硅化鎳)沉積在薄膜晶體管的特定區(qū)域上。這種結(jié)晶方 法被稱作金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)法。用于金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶法的掩?？?以是蔭罩，蔭罩可以是線性掩才莫或點(diǎn)狀掩才莫。另一種金屬誘導(dǎo)結(jié)晶方法是在非晶硅的表面上沉積或旋涂金屬改性材料 之前在其上涂覆覆蓋層(capping layer)并控制引入到非晶硅中的金屬改性材 料的量的利用覆蓋層的金屬誘導(dǎo)結(jié)晶法(MICC)。至于覆蓋層，可以使用氮 化硅層。將從金屬改性材料層S1入到非晶硅中的金屬改性材料的量根據(jù)氮化 硅層的厚度而變化。此時(shí)，引入到氮化硅層中的金屬改性材料可以在整個(gè)氮 化硅層上形成，或者可通過利用蔭罩來選擇性地形成。在金屬改性材料使非 晶硅結(jié)晶成多晶硅之后，可以選擇性地去除覆蓋層。至于用于去除覆蓋層的 方法，可以〗吏用濕蝕刻法或干蝕刻法。微硅通常指晶粒尺寸為lnm-100nm的硅。微硅的特征在于其電子遷移率 為從l至50且其空穴遷移率為從0.01至0.2。微硅的特征在于其晶粒尺寸小于多晶硅的晶粒尺寸。此外，《效硅的晶粒之間的突起面積形成得小，因此， 晶粒之間的電子運(yùn)動(dòng)沒有受到阻礙，從而表現(xiàn)出均勻的特性。至于用于使微 硅結(jié)晶的方法，存在熱結(jié)晶法和激光結(jié)晶法。熱結(jié)晶法包括在沉積非晶硅的同時(shí)得到結(jié)晶結(jié)構(gòu)的方法和重新加熱法(reheating method )。激光結(jié)晶法是在 通過化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅之后利用激光結(jié)晶的結(jié)晶法，所采用的激光 主要是二極管激光(diode laser)。 二極管激光主要利用800nm范圍的紅光波 長，紅光波長用于使微硅被均勻地結(jié)晶。通過涂覆光致抗蝕劑、曝光、顯影、蝕刻和剝離光致抗蝕劑等的工藝， 通過上述方法形成的多晶硅以期望的數(shù)量位于期望的位置。在源/漏電極225中，與源區(qū)和漏區(qū)接觸的電極一體地形成。因此，當(dāng)施 加平常的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，靜電放電電路220不工作。同時(shí)，根據(jù)另一實(shí)施例的第一突出電極223a和第二突出電極225a可以 以與上述實(shí)施例的第一突出電極123a和第二突出電極125a的形成方式類似 的方式形成，且第一突出電極223a和第二突出電極225a的操作與第一突出 電極123a和第二突出電極125a的操作類似。根據(jù)上述實(shí)施例，靜電放電電路220的優(yōu)勢效果在于，由于可以通過形 成在柵電極223和源/漏電極225之間的絕緣中間層224釋放靜電，且可通過 形成在柵電極223和半導(dǎo)體層229之間的柵極絕緣層222或通過在源/漏電極 225和半導(dǎo)體層229之間的絕緣中間層224和柵極絕緣層222傳導(dǎo)靜電放電 電流，所以也可以通過利用其它通路來消耗靜電放電。此外，通過在柵電極223和源/漏電極225上形成積聚靜電的第一突出電 極223a和第二突出電極225a,可以更容易地消耗靜電放電電流。第一突出電 極223a和第二突出電極225a的操作與上述實(shí)施例的操作類似。圖8是示出了根據(jù)又一 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意圖。參照圖8，根據(jù)又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器300包括單獨(dú)形成在基底 310的每側(cè)的靜電放電電路320，其中，基底310包括像素區(qū)310a和非像素 區(qū)310b。因此，優(yōu)勢效果在于，靜電放電電路320可以選擇性地只形成在期 望發(fā)生靜電放電的區(qū)域上，或形成在其它期望的區(qū)域上。根據(jù)又一實(shí)施例， 每個(gè)靜電放電電路320可以與形成在基底310上的焊盤360的接地焊盤(未 示出)電連接。根據(jù)該實(shí)施例的靜電放電電路320的詳細(xì)結(jié)構(gòu)可以以與上述 實(shí)施例的方式類似的方式形成，靜電放電電路320的操作和優(yōu)勢效果也與上述實(shí)施例的類似。包括在像素P中的有機(jī)發(fā)光二極管包括例如陽極(ITO)、有機(jī)層和陰極(金屬)。有機(jī)層可以由發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)組成，其中，發(fā)射層通過電子和空穴復(fù)合并形成激子來發(fā)光，電子 傳輸層傳輸電子，空穴傳輸層傳輸空穴。此外，在電子傳輸層的一側(cè)可以形 成注入電子的電子注入層(EIL )，在空穴傳輸層的 一側(cè)可以形成注入空穴的 空穴注入層(HIL)。此外，在采用熒光有機(jī)發(fā)光二極管的情況下，在發(fā)射層(EML)和電子傳輸層(ETL)之間可以選擇性地形成空穴阻擋層(HBL), 在發(fā)射層(EML)和空穴傳輸層(HTL)之間可以選"t奪性地形成電子阻擋層(EBL )。此外，有機(jī)層可以形成為具有厚度減小的兩種層的薄型有機(jī)發(fā)光二極管。 例如，可以選^^性地形成空穴注入傳輸層(HITL )和電子注入傳輸層(EITL)， 其中，空穴注入傳輸層同時(shí)形成空穴注入層和空穴傳輸層，電子注入傳輸層 同時(shí)形成電子注入層和電子傳輸層。薄型有機(jī)發(fā)光二極管用于提高發(fā)光效率。 此外，在陽極(ITO)和發(fā)射層之間可以形成作為可選層的緩沖層。緩沖層被 劃分為用于緩沖電子的電子緩沖層和用于緩沖空穴的空穴緩沖層。電子緩沖層可以選擇性地形成在陰極(金屬)和電子注入層(EIL)之間， 并可用作電子注入層(EIL )的替代物。有機(jī)層的堆疊結(jié)構(gòu)可以是發(fā)射層(EML) /電子傳輸層(ETL) /電子緩沖層/陰極(金屬)。此外，空穴緩沖層可以選擇 性地形成在陽極(ITO )和空穴注入層(HIL )之間，并可用作空穴注入層(HIL ) 的替代物。此時(shí)，有機(jī)層的堆疊結(jié)構(gòu)可以是陽極(ITO) /空穴緩沖層/空穴傳 輸層(HTL) /發(fā)射層(EML)。可能的堆疊結(jié)構(gòu)如下a)普通堆疊結(jié)構(gòu)1. 陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子注入層/陰極2. 陽極/空穴緩沖層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子注 入層/陰極3. 陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子注入層/電子 緩沖層/陰極4. 陽極/空穴緩沖層/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子 注入層/電子緩沖層/陰極5. 陽極/空穴注入層/空穴緩沖層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子 注入層/陰極6. 陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子緩沖層/電子 注入層/陰核^b) 普通薄型結(jié)構(gòu)1. 陽極/空穴注入傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子注入層/陰極2. 陽極/空穴緩沖層/空穴注入傳輸層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子注入層/陰極3. 陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子注入傳輸層/電子緩沖層/陰極4. 陽極/空穴緩沖層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子注入傳輸層/電子緩沖層/陰極5. 陽極/空穴注入傳輸層/空穴緩沖層/發(fā)射層/電子傳輸層/電子注入層/陰極6. 陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射層/電子緩沖層/電子注入傳輸層/陰極c) 倒置堆疊結(jié)構(gòu)1. 陰極/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴注入層/陽極2. 陰極/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴注入層/空穴 緩沖層/陽極3. 陰極/電子緩沖層/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴 注入層/陽極4. 陰極/電子緩沖層/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴 緩沖層/陽極5. 陰極/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴緩沖層/空穴 注入層/陽極6. 陰極/電子注入層/電子緩沖層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴 注入層/陽極d) 倒置薄型結(jié)構(gòu)1. 陰極/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴注入傳輸層/陽極2. 陰極/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴注入傳輸層/空穴緩沖層/陽極3. 陰極/電子緩沖層/電子注入傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴注入層/陽極4. 陰極/電子緩沖層/電子注入傳輸層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴緩沖層/陽極5. 陰極/電子注入層/電子傳輸層/發(fā)射層/空穴緩沖層/空穴注入傳輸層/陽極6. 陰極/電子注入傳輸層/電子緩沖層/發(fā)射層/空穴傳輸層/空穴注入層/陽極至于用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的方法，可以使用無源矩陣法或有源矩陣 法。通過將陽極和陰極形成為交叉成直角并選擇和驅(qū)動(dòng)線，無源矩陣法的優(yōu) 勢效果是其制造工藝簡單且投資成本較低。然而，當(dāng)體現(xiàn)寬屏?xí)r，無源矩陣 法的缺點(diǎn)是其電流消耗高。通過在每個(gè)像素上形成有源元件比如薄膜晶體管 和容性元件，有源矩陣法的優(yōu)勢效果是其電流消耗低、圖像品質(zhì)優(yōu)良、使用 壽命長且可應(yīng)用于介質(zhì)和大尺寸的產(chǎn)品。根據(jù)上述實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示器設(shè)置有具有在基底的至少一側(cè)的靜電 放電電路，因此可以防止像素或驅(qū)動(dòng)器由于環(huán)境原因(來自顯示器的外部或 內(nèi)部的)產(chǎn)生的靜電放電而受損。此時(shí)，靜電》欠電電路包括突出電極，突出 電極積聚靜電電荷并形成高電場，因此可以更容易地消耗靜電放電電流。如上所述，有機(jī)發(fā)光顯示器的優(yōu)勢效果在于，通過在基底的外圍的至少 一側(cè)形成靜電方文電電路，可以防止像素或驅(qū)動(dòng)器由于靜電》文電而受損。此外，達(dá)到如下優(yōu)勢效果通過將突出電極形成為分別在靜電放電電路 的柵電極和源/漏電極上水平延伸，可以更有助于突出電極之間的絕緣的打 破，因此，可以更容易地消耗靜電放電。此外，達(dá)到如下優(yōu)勢效果通過在靜電放電電路中形成半導(dǎo)體層，除了 利用柵電極和源/漏電極之外還可以利用半導(dǎo)體層消耗靜電放電，因此，可以 利用各種通路來消耗靜電放電。此外，達(dá)到如下優(yōu)勢效果通過在基底的外圍的每側(cè)單獨(dú)地形成靜電放 電電路，可以選擇性地在期望發(fā)生靜電放電的區(qū)域中或其它區(qū)域中形成靜電 ;改電電^各。雖然已經(jīng)描述了有機(jī)發(fā)光顯示器的特定實(shí)施例作為示例的目的，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以對 實(shí)施例進(jìn)行各種修改和變化。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括基底，包括像素區(qū)和非像素區(qū)；靜電放電電路，形成在非像素區(qū)中，靜電放電電路包括第一電極層，形成在基底上；第一絕緣層，形成在第一電極層上；第二電極層，形成在第一絕緣層上，其中，第一電極層和第二電極層中的至少一個(gè)包括形成為向著第一電極層和第二電極層中的另一個(gè)水平延伸的突出電極。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，突出電極基本具有鋸齒 形、三角形、矩形、五邊形和梯形中的任一種形狀。
3、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，突出電極包括在第一電 極層中包括的第一突出電極，第一突出電極形成為水平地指向第二電極層。
4、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，突出電極包括在第二電 極層中包括的第二突出電極，第二突出電極形成為水平地指向第一電極層。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一電極層和第二電極 層中的每個(gè)包括形成為向著第一電極層和第二電極層中的另一個(gè)水平延伸的突出電才及。
6、 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一電極層的突出電極 和第二電極層的突出電極向著彼此延伸。
7、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括形 成在基底和第 一 電極層之間的半導(dǎo)體層。
8、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括形 成在半導(dǎo)體層和第 一 電極層之間的第二絕緣層。
9、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括形 成在基底和半導(dǎo)體層之間的緩沖層。
10、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括 形成在第二電極層上的保護(hù)層。
11、 如權(quán)利要求IO所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括 第三電極層，第三電極層形成在保護(hù)層上并通過通孔與第二電極層電連接。
12、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，非像素區(qū)包括 至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)器，被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)像素區(qū)中的像素；焊盤，被構(gòu)造為將像素和驅(qū)動(dòng)器與外部模塊電連接。
13、 如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，焊盤形成在基底的外 圍的至少一側(cè)。
14、 如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路形成在 基底的外圍的除了形成有焊盤的 一側(cè)之外的至少 一側(cè)。
15、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路單獨(dú)地 形成在基底的外圍的每側(cè)。
16、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路一體地 形成，以基本上環(huán)繞基底的外圍。
17、 如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一電極層和第二電 極層中的任一個(gè)與接地焊盤電連接。
18、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一電極層和第二電 極層包括鋁、鋁-釹、鉻、鉬、鉬-鴒和鈦中的至少一種。
19、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一絕緣層包括氧化 硅、氮化硅和有機(jī)物質(zhì)中的至少一種。
20、 一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括 基底，包括像素區(qū)和非像素區(qū)； 靜電放電電路，在非像素區(qū)中，靜電放電電路包括半導(dǎo)體層，形成在基底上； 柵極絕緣層，形成在半導(dǎo)體層上； 柵電極，形成在柵極絕緣層上； 絕緣中間層，形成為覆蓋柵電極； 源/漏電極，形成在絕緣中間層上，其中，4冊電極包括第一突出電極，第一突出電極形成為向著源/漏電 極水平延伸。
21、 如權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，源/漏電極包括第二 突出電極，第二突出電極形成為向著柵電極水平延伸。
22、 如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一突出電極和第二 突出電極形成為鋸齒形、三角形、矩形、五邊形和梯形中的任一種形狀。
23、 如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，形成靜電放電電路的 方式為第一突出電極和第二突出電極向著彼此延伸。
24、 如權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，柵電極和源/漏電極 中的至少 一個(gè)與接地焊盤電連接。
25、 如權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括 形成在基底和半導(dǎo)體層之間的緩沖層。
26、 如權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括 形成在源/漏電極上的保護(hù)層。
27、 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，靜電放電電路還包括 電極層，電極層形成在保護(hù)層上并與源/漏電極電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，在該有機(jī)發(fā)光顯示器中，靜電放電電路形成在基底的非像素區(qū)上。靜電放電電路包括第一電極層、形成在第一電極層上的第一絕緣層和形成在第一絕緣層上的第二電極層。第一電極層和第二電極層均包括形成為向著第一電極層和第二電極層中的另一個(gè)水平延伸的突出電極。根據(jù)該有機(jī)發(fā)光顯示器，由于通過突出電極來消耗靜電放電電流，可以防止包括在有機(jī)發(fā)光顯示器中的像素和驅(qū)動(dòng)器由于靜電放電而受損。
文檔編號H01L27/32GK101226954SQ20071016613
公開日2008年7月23日 申請日期2007年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月19日
發(fā)明者崔雄植, 鄭先伊 申請人:三星Sdi株式會社