專利名稱：液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤指一種可 減少串音效應(yīng)的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器的制造上，像素開口率的大小直接影響到背光源的利用率， 也影響到面板的顯示亮度。影響開口率大小的主要因素，即是透明像素電極 與數(shù)據(jù)線之間的距離，若欲追求較大的開口率，在布局時(shí)必須增加像素電極 面積而縮短透明像素電極與數(shù)據(jù)線之間的距離。然而，當(dāng)透明像素電極與數(shù)據(jù)線過于接近時(shí)，其所受到的雜散電容(Cpd， capacitance between pixel and data line)會(huì)變大，導(dǎo)致像素電極(pixel electrode)上充飽的電荷在下個(gè)畫面 (frame)轉(zhuǎn)換前，會(huì)因數(shù)據(jù)線傳送不同電壓，而產(chǎn)生串音效應(yīng)(cross talk)。另外， 共通電極與數(shù)據(jù)線之間的距離過于接近時(shí)，其所受到的雜散電容會(huì)變大，而 亦會(huì)產(chǎn)生串音效應(yīng)。為減少雜散電容的效應(yīng)，已有許多方式被研究，例如增加儲(chǔ)存電容的大 小，其可降低雜散電容占影響一個(gè)子像素單元(sub-pkel)所有電容的比率；另外，當(dāng)像素電極與數(shù)據(jù)線間有一穩(wěn)定電場屏蔽時(shí)，可降低數(shù)據(jù)線對像素電極 的寄生電容(parasitic capacitance);此夕卜，OIS(Optical Imaging Systems)亦提出， 利用曝光成型(photo-imaged)及旋轉(zhuǎn)涂布(SOG， spin on glass)方式涂布的有機(jī) 低介電常數(shù)絕緣膜(organic insulator film, K=2.7~3.5)，可降低數(shù)據(jù)線與像素電 極間的電容效應(yīng)，使像素電極可以重疊到數(shù)據(jù)線上。然而，上述方式會(huì)造成若干對于顯示效果或制造工藝上的不良影響，而 有待進(jìn)一步的改善。舉例來說，若以增大面積的方式增加儲(chǔ)存電容，會(huì)影響 像素開口率。有機(jī)低介電常數(shù)絕緣膜本身具有吸濕(water adsorption)、黃化(yellowed)及界面附著性(interface adhesion)不佳的問題，進(jìn)而影響制造工藝良 率(yield)及產(chǎn)出速度(throughput)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于提出一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，以減少串音 效應(yīng)。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種制作像素結(jié)構(gòu)的方法，包括 提供一基板；形成一第一層導(dǎo)電圖案于該基板上，其中該第一層導(dǎo)電圖案包括一掃描線、 一柵極，以及一第一數(shù)據(jù)線段，其中該柵極電性連接于該掃描線；形成一絕緣層于該第一層導(dǎo)電圖案上，其中該絕緣層至少具有復(fù)數(shù)個(gè)第 一接觸洞分別位于該第一數(shù)據(jù)線段上；形成一第二層導(dǎo)電圖案于該絕緣層上并同時(shí)填入該些第一接觸洞內(nèi)以形 成復(fù)數(shù)個(gè)第一連接插塞，其中該第二層導(dǎo)電圖案包括一第二數(shù)據(jù)線段、 一源 極、 一漏極，以及一遮光圖案，其中該第二數(shù)據(jù)線段電性連接于該源極以及 透過該些第一連接插塞電性連接于該第一數(shù)據(jù)線段，且該遮光圖案為一浮接 金屬，并與該第一數(shù)據(jù)線段部分重疊；形成一介電層于該第二層導(dǎo)電圖案之上；以及形成一像素電極于該介電層之上，其中該像素電極電性連接于該漏極。為達(dá)上述目的，本發(fā)明亦提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基板；一第一層導(dǎo)電圖案，設(shè)置于該基板上，該第一層導(dǎo)電圖案包括一掃描線、 一柵極連接于該掃描線，以及一第一數(shù)據(jù)線段；一絕緣層，設(shè)置于該第一層導(dǎo)電圖案上，該絕緣層具有復(fù)數(shù)個(gè)第一接觸洞；一第二層導(dǎo)電圖案，設(shè)置于該絕緣層上，該第二層導(dǎo)電圖案包括一第二 數(shù)據(jù)線段、 一源極連接于該第二數(shù)據(jù)線段、 一漏極、 一共通線，以及一遮光圖案，其中該遮光圖案為一浮接金屬，且與該第一數(shù)據(jù)線段部分重疊；復(fù)數(shù)個(gè)第一連接插塞，設(shè)置于所述的這些第一接觸洞之內(nèi)，且該第二數(shù)據(jù)線段通過該些第一連接插塞與該第一數(shù)據(jù)線段電性連接； 一像素電極，電性連接于該漏極；以及至少一介電層，設(shè)置于該第二層導(dǎo)電圖案與該像素電極之間。本發(fā)明亦提供一種液晶顯示面板，所述的液晶顯示面板包括一第一基板，包含如上所述的像素結(jié)構(gòu)；一第二基板，位于所述的第一基板之上，其中所述的第二基板包含一遮 光矩陣圖案對應(yīng)于所述的源極及所述的漏極的位置上方，以及一彩色濾光單 元對應(yīng)于所述的遮光圖案的位置上方；以及一液晶層位于所述的第一基板與所述的第二基板之間。為達(dá)上述目的，本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線；一數(shù)據(jù)線，與該掃描線交錯(cuò)排列，至少包含第一數(shù)據(jù)線段與第二數(shù)據(jù)線 段，其中該第一數(shù)據(jù)線段與該第二數(shù)據(jù)線段分別由一第一材料層及一第二材 料層所組成，且通過復(fù)數(shù)個(gè)連接插塞電性連接；一薄膜晶體管，電性與該掃描線及該第二數(shù)據(jù)線段連接；一像素電極，與該薄膜晶體管的一漏極電性連接；一遮光圖案，位于該第一數(shù)據(jù)線段的上方，且該遮光圖案為一浮接金屬；以及一共通線，位于該遮光圖案與該薄膜晶體管之間并平行于該掃描線，其 中該共通線、該遮光圖案與該第二數(shù)據(jù)線段由同一材料層所組成。 本發(fā)明亦提供一種液晶顯示面板，所述的液晶顯示面板包括 一第一基板，包含如上所述的像素結(jié)構(gòu)；一第二基板，位于所述的第一基板之上，其中所述的第二基板包含一遮 光矩陣圖案對應(yīng)于所述的薄膜晶體管的位置上方，以及一彩色濾光單元對應(yīng)于所述的遮光圖案的位置上方；以及一液晶層位于所述的第一基板與所述的第二基板之間。本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用第一層導(dǎo)電圖案作為第一數(shù)據(jù)線段，而第一數(shù)據(jù)線段與像素電極之間的距離相對較大，因此可有效減少像素 電極與第一數(shù)據(jù)線段之間的寄生電容及其所產(chǎn)生的串音效應(yīng)。另外，第二層導(dǎo)電圖案于對應(yīng)第一數(shù)據(jù)線段的位置設(shè)置有遮光圖案，而遮光圖案的作用之 一在于遮蔽第一數(shù)據(jù)線段周邊的漏光。此外通過調(diào)整遮光圖案的長度與尺寸， 可控制遮光圖案與第一數(shù)據(jù)線段之間的重疊面積，以及未為遮光圖案重疊的 第一數(shù)據(jù)線段的面積的比例，進(jìn)而使共通線與第一數(shù)據(jù)線段之間的寄生電容， 以及第一數(shù)據(jù)線段與像素電極之間的寄生電容達(dá)到平衡，以改善顯示效果。


圖1至圖3為本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的立體示意圖。圖4為沿圖3的切線AA'的剖面示意圖。圖5為沿圖3的切線BB'的剖面示意圖。圖6為第一層導(dǎo)電圖案的布局示意圖。圖7為第二層導(dǎo)電圖案的布局示意圖。圖8為像素電極與遮光矩陣圖案的布局示意圖。圖9為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的立體示意圖。圖10為圖9的像素結(jié)構(gòu)沿切線CC'的剖面示意圖。附圖標(biāo)號(hào)303434b34d36像素結(jié)構(gòu)第一連接插塞 第二連接插塞 介電層3234a34c3536a第一接觸洞 第二接觸洞 半導(dǎo)體層 第三接觸洞37歐姆接觸層40第一層導(dǎo)電圖案42掃描線44柵極46第一數(shù)據(jù)線段48電極圖案50第二層導(dǎo)電圖案52第二數(shù)據(jù)線段54源極56漏極58遮光圖案59共通線60像素電極70基板72遮光矩陣圖案74彩色濾光單元具體實(shí)施方式
請參考圖1至圖8。圖1至圖8為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的液晶顯示面板 的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。本實(shí)施例的液晶顯示面板包含有復(fù)數(shù)個(gè)像素結(jié)構(gòu)，而 圖標(biāo)中為便于說明僅繪示出單一像素結(jié)構(gòu)。圖1至圖3為制作本實(shí)施例的像 素結(jié)構(gòu)的方法示意圖，以立體方式繪示示意圖，而為清楚顯示像素結(jié)構(gòu)，圖 1至圖3未繪示出上基板與液晶層。此外，圖4為沿圖3的切線AA'的剖面 示意圖，圖5為沿圖3的切線BB'的剖面示意圖。另外，圖6為第一層導(dǎo)電 圖案的布局示意圖、圖7為第二層導(dǎo)電圖案的布局示意圖、圖8為像素電極 與遮光矩陣圖案的布局示意圖。如圖1所示，首先提供一基板(下基板或第一基板)32，并于基板32上形 成一第一層導(dǎo)電圖案40，其中基板32為一透明基板，例如玻璃基板或石英 基板，而第一層導(dǎo)電圖案40由第一材料層所構(gòu)成，其為導(dǎo)電性佳的材質(zhì)，例 如金屬。第一層導(dǎo)電圖案40于單一像素內(nèi)的布局(layout)如圖6中所顯示， 其包括一掃描線42、 一柵極44、 一第一數(shù)據(jù)線段46，以及--電極圖案48， 其中柵極44電性連接于掃描線42上，而柵極44、第一數(shù)據(jù)線段46與電極 圖案48彼此未電性連接。另外，第一數(shù)據(jù)線段46包含有三個(gè)尺寸較大的寬 區(qū)塊，其中位于兩端的寬區(qū)塊用以設(shè)置接觸洞，因?yàn)閷拝^(qū)塊較大的尺寸可容 許較大的對位誤差，而位于第一數(shù)據(jù)線段46中間的寬區(qū)塊則具有遮光效果。如圖2、圖4與圖5所示，接著于第一層導(dǎo)電圖案40上形成一絕緣層34， 并于絕緣層34中形成兩個(gè)第一接觸洞34a，分別對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)線段46兩 端的寬區(qū)塊的位置，以及一第二接觸洞34c對應(yīng)于電極圖案48。接著再于柵 極44上方的絕緣層34的表面形成一半導(dǎo)體層35，其中半導(dǎo)體層35的面積 以足以覆蓋柵極44為主，作為通道區(qū)之用，且對應(yīng)此處的絕緣層34為一柵 極絕緣層。隨后于半導(dǎo)體層35上形成一歐姆接觸層37，再于歐姆接觸層37 與絕緣層34上形成一第二層導(dǎo)電圖案50。第二層導(dǎo)電圖案50于單一像素內(nèi) 的布局如圖7中所顯示，其包括一第二數(shù)據(jù)線段52、 一源極54連接于第二 數(shù)據(jù)線段52、 一漏極56、 一遮光圖案58，以及一共通線59，其中第二層導(dǎo) 電圖案50由第二材料層所構(gòu)成，其為導(dǎo)電性佳的材質(zhì)，例如金屬，而第二層 導(dǎo)電圖案50的各圖案的相關(guān)位置配置請參閱圖2所示。于形成第二層導(dǎo)電圖 案50的步驟中，將第二層導(dǎo)電圖案50填入第一接觸洞34a以形成第一連接 插塞34b，以及填入第二接觸洞34c以形成第二連接插塞34d，其中靠近柵極 44的第一連接插塞34b用于連接源極54與第一數(shù)據(jù)線段46的電性，而另一 第一連接插塞34b則連接第一數(shù)據(jù)線段46與相鄰像素的第二數(shù)據(jù)線段52的 電性。另外，第二連接插塞34d用于連接漏極56與電極圖案48的電性。此 外，半導(dǎo)體層35與第二層導(dǎo)電圖案50的源極54與漏極56透過歐姆接觸層 37相接，藉此柵極44、半導(dǎo)體層35、源極54與漏極56等構(gòu)成薄膜晶體管。共通線59主要設(shè)置于電極圖案48的上方并延伸至部分第一數(shù)據(jù)線段46 的上方，且共通線59位于遮光圖案58與薄膜晶體管之間并平行于掃描線42。 遮光圖案58位于第一數(shù)據(jù)線段46的上方與第一數(shù)據(jù)線段46部分重疊，藉此 可遮蔽部分第一數(shù)據(jù)線段46周邊的漏光。此外，遮光圖案58與共通線59 兩者之間具有一距離，因此兩者彼此電性不相連，使得遮光圖案58成為一浮 接(floating)金屬。如圖3所示，接著于第二層導(dǎo)電圖案50上形成至少一介電層36覆蓋， 并于介電層36中形成至少一第三接觸洞36a。第三接觸洞36a的位置位于電極圖案48的上方并與第二導(dǎo)電圖案50的漏極56及共通線59相鄰，其中共 通線59對應(yīng)于第三接觸洞36a的位置則具有一截角，而且絕緣層34對應(yīng)第 三接觸洞36a的位置亦具有一開口，藉此對應(yīng)第三接觸洞36a位置的電極圖 案48可被曝露。隨后再于介電層36的表面形成有一像素電極60，并使像素 電極60填入第三接觸洞36a內(nèi)并與電極圖案48電性連接，而不致與共通線 59短路，而由于電極圖案48可經(jīng)由第二連接插塞34d與漏極56電性連接， 因此像素電極60得以與漏極56電性連接。介電層36亦稱為保護(hù)層，其由絕 緣材質(zhì)構(gòu)成且可視設(shè)計(jì)考慮為一單層結(jié)構(gòu)介電層或多層復(fù)合結(jié)構(gòu)介電層，介 電層36的材質(zhì)可視其厚度、制造工藝條件或材料介電常數(shù)的考慮而為無機(jī)材 質(zhì)如氧化硅或氮化硅，或?yàn)橛袡C(jī)材質(zhì)如環(huán)氧樹酯，或使用無機(jī)材質(zhì)組成的多 層復(fù)合結(jié)構(gòu)、有機(jī)材質(zhì)組成的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，或無機(jī)材質(zhì)與有機(jī)材質(zhì)組成的 多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，而像素電極60為透明導(dǎo)電材質(zhì)構(gòu)成，例如氧化銦錫。如圖4、圖5與圖8所示，提供另一基板(上基板或第二基板)70，其包括 一遮光矩陣圖案72(黑色矩陣圖案)與一彩色濾光單元74、將基板32與基板 70結(jié)合，并于其間形成一液晶層80，以形成本實(shí)施例的液晶顯示面板的像素 結(jié)構(gòu)30。值得說明的是基板32另包括配向膜，且基板70另包括共通電極與 配向膜等液晶顯示面板的必要組件，為本領(lǐng)域具通常知識(shí)者所熟知，故在此 不多加贅述其作用及制作方式。本實(shí)施例的像素電極30主要包括兩個(gè)儲(chǔ)存電容，其中共通線59、像素 電極60與設(shè)置于其間的介電層36構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容，而另一方面電極圖案 48、共通線59與設(shè)置于其間的絕緣層34則構(gòu)成第二儲(chǔ)存電容，其中第一儲(chǔ) 存電容為一 MII(metal-insulator-ITO)儲(chǔ)存電容，而第二儲(chǔ)存電容為一 MIM(metal畫insulator隱metal)儲(chǔ)存電容。由于第一數(shù)據(jù)線段46上方設(shè)置有遮光圖案58，因此遮光矩陣圖案72的 位置對應(yīng)薄膜晶體管、儲(chǔ)存電容與開關(guān)組件(如圖4與圖8所示)，而不需設(shè) 置于對應(yīng)第一數(shù)據(jù)線段46的位置，因此避免了遮光矩陣圖案72在此處因?qū)ξ徊粶?zhǔn)產(chǎn)生漏光的問題，至于第一數(shù)據(jù)線段46有一小部分未被遮光圖案58 所覆蓋，則可通過寬區(qū)塊遮光。另外，彩色濾光單元74的位置則對應(yīng)像素結(jié) 構(gòu)30的顯示區(qū)，包含對應(yīng)于遮光圖案58的位置上方(如圖5與圖8所示)。本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)30的主要特征之一在于第一數(shù)據(jù)線 段46設(shè)置于第一層導(dǎo)電圖案40，而非設(shè)置于第二層導(dǎo)電圖案50，因此第一 數(shù)據(jù)線段46與像素電極60之間的距離相對較大，再加上第二層導(dǎo)電圖案50 的遮光圖案58提供的屏蔽效果，因此可有效減少像素電極60與第一數(shù)據(jù)線 段46之間的寄生電容及其所產(chǎn)生的串音效應(yīng)。另外，第二層導(dǎo)電圖案50于 對應(yīng)第一數(shù)據(jù)線段46的位置設(shè)置有遮光圖案58。遮光圖案58的作用之一在 于遮蔽第一數(shù)據(jù)線段46周邊的漏光，而不需于此處設(shè)置遮光矩陣圖案，可增 加開口率與避免遮光矩陣圖案的對位不準(zhǔn)所產(chǎn)生的漏光問題。另外通過調(diào)整 遮光圖案58的長度與尺寸，可控制遮光圖案58與第一數(shù)據(jù)線段46之間的重 疊面積，以及未為遮光圖案58重疊的第一數(shù)據(jù)線段46的面積的比例，進(jìn)而 使共通線59與第一數(shù)據(jù)線段46之間的寄生電容，以及第一數(shù)據(jù)線段46與像 素電極60之間的寄生電容達(dá)到平衡，以改善顯示效果。請參考圖9與圖10，并一并參考圖1至圖2、圖5至圖8。圖9與圖10 為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖9為 本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的立體示意圖，圖10為圖9的像素結(jié)構(gòu)沿切線 CC'的剖面示意圖，而本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)其它示意圖與前述實(shí)施例無異， 請參考前一實(shí)施例的示意圖，且兩實(shí)施例相同的部分使用相同標(biāo)號(hào)標(biāo)注而不 再多加贅述。如圖9與圖IO所述，本實(shí)施例與前述實(shí)施例不同處在于，在本 實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中，第三接觸洞36a的位置位于漏極56之上，藉此填入第 三接觸洞36a的像素電極60直接與漏極56電性連接，因此像素電極60不需 透過電極圖案48與漏極56電性連接。由于像素電極60可與漏極56直接電 性連接，因此共通線59不需如前述實(shí)施例另設(shè)置截角提供第三接觸洞36a 的設(shè)置。在不需設(shè)置截角的情形下，共通線59靠近顯示區(qū)的邊界可向內(nèi)縮即可使共通線59與電極圖案48以及像素電極60維持相同的重疊面積，如此一 來由第一儲(chǔ)存電容(由像素電極60、共通線59與其間的介電層36構(gòu)成)與第 二儲(chǔ)存電容(由電極圖案48、共通線59與設(shè)置于其間的絕緣層34構(gòu)成)所提 供的儲(chǔ)存電容值可維持不變，卻可進(jìn)一步提升像素結(jié)構(gòu)的開口率。另外值得說明的是在本實(shí)施例中，亦可視儲(chǔ)存電容的規(guī)格要求不同而選 擇性地不設(shè)置電極圖案48與第二接觸洞34c，換言之在此狀況下本實(shí)施例的 像素結(jié)構(gòu)30的儲(chǔ)存電容僅由第一儲(chǔ)存電容提供。綜上所述，在本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上，數(shù)據(jù)線由第 一層導(dǎo)電圖案與第二層導(dǎo)電圖案跨接所構(gòu)成，在此狀況下可減少因?yàn)橛傻诙?層導(dǎo)電圖案作為數(shù)據(jù)線與像素電極距離過近所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)線與像素電極的寄 生電容。此外，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)利用第二層導(dǎo)電圖案的遮光圖案遮蔽數(shù)據(jù) 線周圍的漏光，遮光圖案雖然會(huì)與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生寄生電容，但遮光圖案亦 可屏蔽像素電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，因此本發(fā)明通過調(diào)整遮光圖案的 長度，可以在像素電極與數(shù)據(jù)線間的寄生電容以及遮光圖案與數(shù)據(jù)線間的寄 生電容兩者之間取得平衡，以使液晶顯示面板的顯示效果達(dá)到最佳化。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均 等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種制作像素結(jié)構(gòu)的方法，所述的方法包括提供一基板；形成一第一層導(dǎo)電圖案于所述的基板上，其中所述的第一層導(dǎo)電圖案包括一掃描線、一柵極，以及一第一數(shù)據(jù)線段，其中所述的柵極電性連接于所述的掃描線；形成一絕緣層于所述的第一層導(dǎo)電圖案上，其中所述的絕緣層至少具有復(fù)數(shù)個(gè)第一接觸洞分別位于所述的第一數(shù)據(jù)線段上；形成一第二層導(dǎo)電圖案于所述的絕緣層上并同時(shí)填入所述的這些第一接觸洞內(nèi)以形成復(fù)數(shù)個(gè)第一連接插塞，其中所述的第二層導(dǎo)電圖案包括一第二數(shù)據(jù)線段、一源極、一漏極，以及一遮光圖案，其中所述的第二數(shù)據(jù)線段電性連接于所述的源極以及透過所述的這些第一連接插塞電性連接于所述的第一數(shù)據(jù)線段，且所述的遮光圖案為一浮接金屬，并與所述的第一數(shù)據(jù)線段部分重疊；形成一介電層于所述的第二層導(dǎo)電圖案之上；以及形成一像素電極于所述的介電層之上，其中所述的像素電極電性連接于所述的漏極。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述的方法另包括于形成所述的第二層導(dǎo) 電圖案時(shí)形成一共通線，并使所述的共通線與所述的遮光圖案具有一距離。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述的共通線、所述的像素電極與設(shè) 置于其間的所述的介電層形成一第一儲(chǔ)存電容。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的第一層導(dǎo)電圖案另包括一電極 圖案，電性連接于所述的漏極。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述的電極圖案、所述的共通線與設(shè) 置于其間的所述的絕緣層形成一第二儲(chǔ)存電容。
6. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述的絕緣層另包括一第二接觸洞，介于所述的漏極與所述的電極圖案之間，且形成所述的第二層導(dǎo)電圖案的步 驟另包括將所述的漏極填入所述的第二接觸洞內(nèi)形成一第二連接插塞，以連 接所述的電極圖案及所述的漏極的電性。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述的介電層另包括一第三接觸洞， 對應(yīng)于所述的電極圖案，且形成所述的像素電極的步驟另包括將所述的像素 電極填入所述的第三接觸洞內(nèi)并與所述的電極圖案電性連接，藉此所述的像 素電極透過所述的電極圖案與所述的第二連接插塞而與所述的漏極電性連 接。
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的介電層另包括一第三接觸洞， 于所述的漏極之上，且形成所述的像素電極的步驟另包括將所述的像素電極 填入所述的第三接觸洞內(nèi)并藉此與所述的漏極電性連接。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的第一數(shù)據(jù)線段至少具有復(fù)數(shù)個(gè) 寬區(qū)塊，具所述的復(fù)數(shù)個(gè)第一接觸洞分別位于所述的這些寬區(qū)塊上。
10. —種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)包括 一基板；一第一層導(dǎo)電圖案，設(shè)置于所述的基板上，所述的第一層導(dǎo)電圖案包括 一掃描線、 一柵極連接于所述的掃描線，以及一第一數(shù)據(jù)線段；一絕緣層，設(shè)置于所述的第一層導(dǎo)電圖案上，所述的絕緣層具有復(fù)數(shù)個(gè) 第一接觸洞；一第二層導(dǎo)電圖案，設(shè)置于所述的絕緣層上，所述的第二層導(dǎo)電圖案包 括一第二數(shù)據(jù)線段、 一源極連接于所述的第二數(shù)據(jù)線段、 一漏極、 一共通線， 以及一遮光圖案，其中所述的遮光圖案為一浮接金屬，且與所述的第一數(shù)據(jù) 線段部分重疊；復(fù)數(shù)個(gè)第一連接插塞，設(shè)置于所述的這些第一接觸洞之內(nèi)，且所述的第 二數(shù)據(jù)線段通過所述的這些第一連接插塞與所述的第一數(shù)據(jù)線段電性連接；一像素電極，電性連接于所述的漏極；以及至少一介電層，設(shè)置于所述的第二層導(dǎo)電圖案與所述的像素電極之間。
11. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的共通線與所述 的遮光圖案具有一距離。
12. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的共通線、所述 的像素電極與設(shè)置于其間的所述的介電層構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容。
13. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一層導(dǎo)電圖 案另包括一電極圖案，電性連接于所述的漏極。
14. 如權(quán)利要求13所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的電極圖案、所 述的共通線與設(shè)置于其間的所述的絕緣層構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
15. 如權(quán)利要求13所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的絕緣層另包括 一第二接觸洞，設(shè)置于所述的漏極與所述的電極圖案之間，以及一第二連接 插塞設(shè)置于所述的第二接觸洞之內(nèi)，且所述的電極圖案通過所述的第二連接 插塞電性連接于所述的漏極。
16. 如權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的介電層另包括 一第三接觸洞，對應(yīng)于所述的電極圖案，且所述的像素電極填入所述的第三 接觸洞并與所述的電極圖案電性連接，藉此所述的像素電極透過所述的電極 圖案與所述的第二連接插塞而與所述的漏極電性連接。
17. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的介電層另包括 --第三接觸洞，對應(yīng)于所述的漏極，且所述的像素電極填入所述的第三接觸 洞并藉此與所述的漏極電性連接。
18. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的介電層包括一 單層結(jié)構(gòu)介電層或一多層復(fù)合結(jié)構(gòu)介電層。
19. 一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)包括-一掃描線；一數(shù)據(jù)線，與所述的掃描線交錯(cuò)排列，至少包含第一數(shù)據(jù)線段與第二數(shù)據(jù)線段，其中所述的第一數(shù)據(jù)線段與所述的第二數(shù)據(jù)線段分別由一第一材料 層及一第二材料層所組成，且通過復(fù)數(shù)個(gè)連接插塞電性連接；一薄膜晶體管，電性與所述的掃描線及所述的第二數(shù)據(jù)線段連接； 一像素電極，與所述的薄膜晶體管的一漏極電性連接； 一遮光圖案，位于所述的第一數(shù)據(jù)線段的上方，且所述的遮光圖案為一 浮接金屬；以及一共通線，位于所述的遮光圖案與所述的薄膜晶體管之間并平行于所述 的掃描線，其中所述的共通線、所述的遮光圖案與所述的第二數(shù)據(jù)線段由同 一材料層所組成。
20. 如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的共通線與所述的遮光圖案具有一距離。
21. 如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)另包括一介電層設(shè)置于所述的共通線與所述的像素電極之間，且所述的共通線、 所述的像素電極與設(shè)置于其間的所述的介電層構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容。
22. 如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)另包 括一電極圖案與所述的第一數(shù)據(jù)線段由同一材料層所組成，且所述的電極圖 案電性連接于所述的漏極。
23. 如權(quán)利要求22所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)另包 括一絕緣層設(shè)置于所述的電極圖案與所述的共通線之間，且所述的電極圖案、 所述的共通線與設(shè)置于其間的所述的絕緣層構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
24. 如權(quán)利要求23所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的絕緣層另包括 一第二接觸洞，設(shè)置于所述的漏極與所述的電極圖案之間，以及一第二連接 插塞設(shè)置于所述的第二接觸洞之內(nèi)，且所述的電極圖案通過所述的第二連接 插塞電性連接于所述的漏極。
25. 如權(quán)利要求24所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的介電層另包括 一第三接觸洞，對應(yīng)于所述的電極圖案，且所述的像素電極填入所述的第三接觸洞并與所述的電極圖案電性連接，藉此所述的像素電極透過所述的電極 圖案與所述的第二連接插塞而與所述的漏極電性連接。
26. 如權(quán)利要求21所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的介電層另包括 一第三接觸洞，對應(yīng)于所述的漏極，且所述的像素電極填入所述的第三接觸 洞并藉此與所述的漏極電性連接。
27. 如權(quán)利要求21所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的介電層包括一 單層結(jié)構(gòu)介電層或一多層復(fù)合結(jié)構(gòu)介電層。
28. —種液晶顯示面板，其特征在于，所述的液晶顯示面板包括 一第一基板，包含如權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)；一第二基板，位于所述的第一基板之上，其中所述的第二基板包含一遮 光矩陣圖案對應(yīng)于所述的薄膜晶體管的位置上方，以及一彩色濾光單元對應(yīng) 于所述的遮光圖案的位置上方；以及一液晶層位于所述的第一基板與所述的第二基板之間。
29. —種液晶顯示面板，其特征在于，所述的液晶顯示面板包括 一第一基板，包含如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)；一第二基板，位于所述的第一基板之上，其中所述的第二基板包含一遮 光矩陣圖案對應(yīng)于所述的源極及所述的漏極的位置上方，以及一彩色濾光單 元對應(yīng)于所述的遮光圖案的位置上方；以及一液晶層位于所述的第一基板與所述的第二基板之間。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述的像素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線；一數(shù)據(jù)線至少包含第一數(shù)據(jù)線段與第二數(shù)據(jù)線段，第一數(shù)據(jù)線段與第二數(shù)據(jù)線段分別由一第一材料層及一第二材料層所組成且通過復(fù)數(shù)個(gè)連接插塞電性連接；一薄膜晶體管；一像素電極，與薄膜晶體管的一漏極電性連接；一遮光圖案位于第一數(shù)據(jù)線段的上方，且該遮光圖案為一浮接金屬；以及一共通線，其中該共通線、該遮光圖案與該第二數(shù)據(jù)線段由同一材料層所組成。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101226902SQ200810009429
公開日2008年7月23日 申請日期2008年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月1日
發(fā)明者張格致, 黃國有 申請人:友達(dá)光電股份有限公司