專利名稱：標(biāo)兵式晶粒挑揀方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明發(fā)明為一種有關(guān)于標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，特別是指一種為了使晶粒分級(jí)
挑揀過程更精準(zhǔn)及更有效率，所以需要使位移偏差補(bǔ)償更有效果，而利用標(biāo)兵來(lái)提高位移 偏差補(bǔ)償?shù)哪芰?，而同?jí)挑揀則是為了使以往在整個(gè)挑檢過程中不斷換級(jí)挑揀而產(chǎn)生的 做法，即通過標(biāo)兵的選擇加入以使位移偏差補(bǔ)償更有效果，而同級(jí)挑揀則因減少換級(jí)(換
Bin)次數(shù)而使得晶粒挑揀能更快速的一種全新晶粒挑揀方法。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖l(請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2)，此圖為本發(fā)明習(xí)知的其中一種晶粒挑揀方法的流
程圖，本圖之流程如以下的方法步驟 步驟10 :將晶圓劃分成復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域。
步驟11 :起始劃分區(qū)域內(nèi)晶粒數(shù)量最多分級(jí)依序作晶粒挑揀。
步驟12 :起始劃分區(qū)域內(nèi)晶粒數(shù)量次多分級(jí)依序作晶粒挑揀。
步驟13 :劃分區(qū)域內(nèi)晶粒挑揀完畢再跨移至下一劃分區(qū)域。
步驟14 :將所有劃分區(qū)域之晶粒依序挑揀完畢。 按，一般習(xí)知的晶粒挑揀的方法種類很多，上述即為其中一種的方法流程，但都有 速度太慢、效率太差或是晶粒挑揀過程不夠精準(zhǔn)因而造成晶粒的誤選的缺點(diǎn)，因此本發(fā)明 人特提出一種全新的晶粒挑揀方法，亦即于習(xí)知的晶粒挑揀過程中將標(biāo)兵加入位置偏差補(bǔ) 償概念中并晶粒同級(jí)(Bin)挑揀概念，來(lái)提高晶粒挑揀之準(zhǔn)確性及速度效率，同時(shí)也提高 了整體晶粒挑揀過程的高效能，由此可見，本發(fā)明實(shí)具有相當(dāng)?shù)目蓪＠约霸瓌?chuàng)性，舉目所 及并無(wú)此類標(biāo)兵跳躍式的晶粒挑揀方法公開使用，本發(fā)明發(fā)明實(shí)是獨(dú)創(chuàng)的發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，加入標(biāo)兵的目的是為了在要求 設(shè)備生產(chǎn)快又準(zhǔn)的狀況下，加強(qiáng)位移偏差補(bǔ)償能力，以最精簡(jiǎn)有效的設(shè)備生產(chǎn)運(yùn)作步驟，有 效提升至以往技術(shù)所不能達(dá)到的的準(zhǔn)確度及生產(chǎn)速度。 一種為了使晶粒分級(jí)挑揀過程更精 準(zhǔn)及更有效率，所以需要使位移偏差補(bǔ)償更有效果，而利用標(biāo)兵來(lái)提高位移偏差補(bǔ)償?shù)哪?力；同級(jí)挑揀是為了使以往在整個(gè)挑檢過程中不斷換級(jí)挑揀造成制程時(shí)間上的浪費(fèi)而產(chǎn)生 的做法，即通過標(biāo)兵以使位移偏差補(bǔ)償更有效果，而因減少換級(jí)(換Bin)次數(shù)而使得晶粒 挑揀更快速的一種全新晶粒挑揀方法，使達(dá)到與習(xí)知技術(shù)相比較能更減少換級(jí)(Bin)次數(shù) 而能更快速作晶粒挑揀，且因標(biāo)兵能有效調(diào)整修正補(bǔ)償晶粒偏移量而降低晶粒挑揀時(shí)的誤 選機(jī)率，進(jìn)而達(dá)到高效能晶粒挑揀目的。 為達(dá)上述的目的，本發(fā)明為一種標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其方法步驟包括a)提供 一劃分成復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域的晶圓圖形(wafer m即)；b)通過一攝影系統(tǒng)以絕對(duì)坐標(biāo)作初次 定位，以及不斷紀(jì)錄該晶圓圖形內(nèi)所有晶粒間的相對(duì)位置；c)在該晶圓圖形的復(fù)數(shù)個(gè)劃分 區(qū)域內(nèi)，都預(yù)先規(guī)劃一標(biāo)兵晶粒，以作為得到待挑揀晶粒目地坐標(biāo)的路標(biāo)，并且用來(lái)作為待挑揀晶粒位移偏差補(bǔ)償?shù)南鄬?duì)參考坐標(biāo)位置；d)在該晶圓圖形預(yù)設(shè)的劃分區(qū)域內(nèi)，選擇一 起始標(biāo)兵晶粒，開始挑揀晶粒總數(shù)數(shù)量最少的同級(jí)(Bin)晶粒，直至該同級(jí)晶粒挑揀完畢 為止；e)反復(fù)方法步驟d)，回到預(yù)先規(guī)劃的該起始標(biāo)兵晶粒位置，從頭挑揀晶粒總數(shù)數(shù)量 次少的同級(jí)晶粒，如此反復(fù)，直至該晶圓圖形內(nèi)所有各同級(jí)晶粒依晶?？倲?shù)依序換級(jí)(換 Bin)，由晶?？倲?shù)最少至最多，該晶圓圖形內(nèi)所有晶粒挑揀完畢為止。 進(jìn)一步，其中該復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域之劃分是依該晶圓圖形的左右邊及上下邊為邊線 開始劃分。 進(jìn)一步，其中該所有劃分區(qū)域內(nèi)的該標(biāo)兵晶粒的選取是依人為設(shè)定選取條件加以 選取，即預(yù)先規(guī)劃適當(dāng)距離的該標(biāo)兵晶粒平均分布于該晶圓圖形，以作為在晶粒挑揀路徑 上，當(dāng)需經(jīng)過大范圍已挑揀晶粒區(qū)域時(shí)的路標(biāo)。 進(jìn)一步，其中該所有劃分區(qū)域內(nèi)的該標(biāo)兵晶粒的選取條件更進(jìn)一步包括以下三個(gè) 設(shè)定條件1)其中該標(biāo)兵晶粒應(yīng)為最接近該所預(yù)先規(guī)劃的劃分區(qū)域內(nèi)的中心位置為最佳； 2)各劃分區(qū)域內(nèi)所有晶粒與該標(biāo)兵晶粒的距離皆不宜太遠(yuǎn)，如此彼此的相對(duì)位置不會(huì)過分 誤差；以及3)劃分區(qū)域與劃分區(qū)域間的該標(biāo)兵晶粒間的距離皆不宜太遠(yuǎn)，如此該標(biāo)兵晶粒 與該另一標(biāo)兵晶粒間的相對(duì)位置不會(huì)過分誤差。
進(jìn)一步，其中該攝影系統(tǒng)為一CCD系統(tǒng)。 進(jìn)一步，其中該CCD系統(tǒng)是用來(lái)作為該晶圓圖形的整片掃描以辨識(shí)計(jì)算所有晶粒 的初始位置、等級(jí)(Bin)及數(shù)量等。 進(jìn)一步，其中該方法步驟b)的不斷紀(jì)錄所有晶粒相對(duì)位置是作為晶粒挑揀時(shí)，因 藍(lán)膜(blue tape)頂破松弛導(dǎo)致所有待挑揀晶粒產(chǎn)生位移的相對(duì)位置調(diào)整補(bǔ)償參考。
進(jìn)一步，其中該方法步驟c)的該標(biāo)兵晶粒挑選之后，該待挑揀晶粒的挑揀方式為 如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則先跳回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到下個(gè) 劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒。 進(jìn)一步，其中該方法步驟c)的該標(biāo)兵晶粒挑選之后，該待挑揀晶粒的挑揀方式為 如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則不需跳回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，即直接跳到下 個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒。 進(jìn)一步，其中晶粒的挑揀為以該晶圓圖形內(nèi)的晶?？倲?shù)數(shù)量最少的同等級(jí)(相同 Bin)晶粒開始挑揀。 進(jìn)一步，其中該所有劃分區(qū)域內(nèi)晶粒挑揀是以晶粒位置偏移量作估算并以該標(biāo)兵 晶粒作路標(biāo)，立即對(duì)當(dāng)時(shí)該攝影系統(tǒng)影像范圍內(nèi)的其它晶粒位置作調(diào)校補(bǔ)償，使晶粒挑揀 時(shí)的誤選降到最低。 進(jìn)一步，其中該方法步驟d)的晶粒挑揀方法是以該起始標(biāo)兵晶粒開始并采用數(shù) 量最少的同級(jí)晶粒開始挑揀，在晶圓全片挑揀完畢之后再?gòu)念^回到該起始標(biāo)兵晶粒，由晶 粒總數(shù)數(shù)量次少的同級(jí)晶粒挑揀，依序直至所有晶粒挑揀完畢，此種晶粒挑揀方式由于換 級(jí)(換Bin)次數(shù)大大減少，因此也大大加快晶粒挑揀的速度。 進(jìn)一步，其中該同級(jí)晶粒挑揀是先挑同級(jí)晶?？倲?shù)最少的晶粒，因開始挑的晶粒 數(shù)量少，頂破藍(lán)膜(blue tape)次數(shù)就少，所以藍(lán)膜(bluetape)頂破松弛所累積造成的晶 粒位移偏差量就小，因此從同級(jí)晶?？倲?shù)最少的晶粒先挑，此時(shí)未挑揀晶粒還很多，而使大 部份未挑揀晶粒的位移偏差量可以通過此挑檢順序而降低，提高挑揀精確度。


圖1為本發(fā)明習(xí)知的晶粒挑揀方法流程圖。
圖2為本發(fā)明發(fā)明之晶粒挑揀方法流程圖。
圖3為本發(fā)明發(fā)明之晶粒挑揀方法平面示意圖。
圖中主要組件符號(hào)說明
10 :晶圓劃分成復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域。
11 :起始劃分區(qū)域內(nèi)晶?？倲?shù)數(shù)量最多分級(jí)依序作晶粒挑揀。
12 :起始劃分區(qū)域內(nèi)晶?？倲?shù)數(shù)量次多分級(jí)依序作晶粒挑揀。
13 :起始劃分區(qū)域內(nèi)晶粒挑揀完畢跨移至下一個(gè)劃分區(qū)域。
14 :所有晶粒挑揀完畢。
20 :晶圓劃分區(qū)域形成一晶圓圖形。 21 :用CCD作晶圓圖形之全片掃描以紀(jì)錄所有晶粒之相對(duì)位置及等級(jí)(Bin)。
22 :選擇起始標(biāo)兵晶粒及其它標(biāo)兵晶粒。 23 :從晶圓圖形內(nèi)各等級(jí)晶(Bin)粒之中，總數(shù)數(shù)量最少的同級(jí)(Bin)的晶粒開始 挑揀。 24:起始劃分區(qū)域內(nèi)同級(jí)晶粒挑揀完畢再跨移至下一劃分區(qū)域作同級(jí)晶粒挑揀。 如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則先跳回原先劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到下個(gè) 劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒；如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則 也可以不需跳回原先劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，即直接跳到下個(gè)劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，之后，再 跳到該待挑揀晶粒。 25 :晶圓圖形內(nèi)數(shù)量次少作同級(jí)晶粒挑揀。 26:起始劃分區(qū)域內(nèi)同級(jí)晶粒挑揀完畢再跨移至下一劃分區(qū)域作同級(jí)晶粒挑揀。 如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則先跳回原先劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到下個(gè) 劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒；如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則 也可以不需跳回原先劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，即直接跳到下個(gè)劃分區(qū)域之標(biāo)兵晶粒，之后，再 跳到該待挑揀晶粒。27:所有晶粒挑揀完畢30:晶圓圖形31:藍(lán)膜(blue t即e)32:標(biāo)兵晶粒33:起始標(biāo)兵晶粒34:劃分區(qū)域35:分級(jí)晶粒36:偏移標(biāo)兵晶粒37:晶茅立
具體實(shí)施例方式為使發(fā)明的技術(shù)特征能夠進(jìn)一步得到了解，特提出以下之詳細(xì)說明
請(qǐng)參閱圖2(請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3)，此圖為本發(fā)明的晶粒挑揀流程圖，其方法步驟主要 包括 步驟20 :將晶圓劃分成復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域以形成一晶圓圖形。 步驟21 :用CCD作晶圓圖形的全片掃描以紀(jì)錄所有晶粒的相對(duì)位置及等級(jí)(Bin)。
步驟22 :依設(shè)定條件在所有劃分區(qū)域內(nèi)選擇標(biāo)兵晶粒以作為晶粒挑揀的路標(biāo)。
步驟23 :從晶圓圖形內(nèi)各等級(jí)晶(Bin)粒之中，總數(shù)數(shù)量最少的同級(jí)(Bin)的晶 粒開始挑揀。 步驟24 :從起始劃分區(qū)域內(nèi)同級(jí)(Bin)晶粒挑揀完畢后再跨移至下一劃分區(qū)域的 標(biāo)兵晶粒，作同級(jí)(Bin)晶粒挑揀，至所有劃分區(qū)域內(nèi)的同級(jí)(Bin)晶粒挑揀完畢。如果該 待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則先跳回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到下個(gè)劃分區(qū) 域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒；如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則也可以 不需跳回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，即直接跳到下個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該 待挑揀晶粒。 步驟25 :從晶圓圖形內(nèi)晶?？倲?shù)數(shù)量次少開始挑揀。 步驟26 :從起始劃分區(qū)域內(nèi)同級(jí)(Bin)晶粒挑揀完畢后再跨移至下一劃分區(qū)域的 標(biāo)兵晶粒作同級(jí)(Bin)晶粒挑揀。如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則先跳回原先劃分 區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到下個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒；如果 該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則也可以不需跳回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，即直接跳到 下個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒。 步驟27 :如此反復(fù)，直至所有劃分區(qū)域內(nèi)的各同級(jí)(Bin)晶粒依晶?？倲?shù)數(shù)量依 序換級(jí)(換Bin)，由最少至最多，至所有晶粒挑揀完畢為止。 請(qǐng)參閱圖3(請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2)，圖3為本發(fā)明的晶粒挑揀方法平面示意圖，由此圖 可知一全新的晶粒挑揀方法，其方法步驟如下 通過CCD作晶圓圖形30的全片掃瞄以辨識(shí)及計(jì)算晶圓圖形30的所有晶粒37數(shù) 量及相對(duì)位置等(請(qǐng)參考圖3的a部分，當(dāng)晶圓圖形30的所有晶粒37開始整片掃瞄，以辨 識(shí)及計(jì)算晶粒37的初始位置、等級(jí)與數(shù)量等)。 將晶圓圖形30劃分成復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域34并選定各劃分區(qū)域34的標(biāo)兵晶粒32及 起始標(biāo)兵晶粒33(請(qǐng)參考圖3的b部分，依晶圓圖形30的左右邊與上下邊為邊線，開始劃 分區(qū)域34，并選定每個(gè)劃分區(qū)域34的標(biāo)兵晶粒32，盡量選擇劃分區(qū)域34中間的晶粒37為 標(biāo)兵晶粒32)。 由晶圓圖形內(nèi)的晶粒37總數(shù)數(shù)量最少的同級(jí)(Bin)的分級(jí)晶粒35開始挑揀(請(qǐng) 參考圖3的c部分，在晶粒37之挑檢過程中因頂破藍(lán)膜31而產(chǎn)生晶粒37的位置偏移，如 圖3的d部分的偏移標(biāo)兵晶粒36)。若下個(gè)待挑揀的晶粒37在別的劃分區(qū)域34，則應(yīng)先跳 回原先劃分區(qū)域的該起始標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到下個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到 該待挑揀晶粒，也可以不需跳回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，即直接跳到下個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo) 兵晶粒，之后，再跳到該待挑揀晶粒。 采依序跳躍或直接跳躍到下個(gè)待挑揀晶粒的劃分區(qū)域34的標(biāo)兵晶粒32，然后再 挑揀該顆待挑揀的晶粒37 ;如瑕鵬一般， 一定要跳過目標(biāo)劃分區(qū)域34間路線上所經(jīng)過的所 有標(biāo)兵晶粒32。
在作晶粒37挑揀的時(shí)候，會(huì)以被挑揀的晶粒37位置偏移量為標(biāo)準(zhǔn)，立即對(duì)當(dāng)時(shí)
CCD影像范圍內(nèi)的其它晶粒37位置做調(diào)校補(bǔ)償(請(qǐng)參考圖3的d部分)。 綜合以上說明，可知本發(fā)明不但具有其優(yōu)越功效，亦為熟悉此技藝之人士所不易
思及，且從未先見于國(guó)內(nèi)外刊物或已公開使用，本發(fā)明符合新穎性、創(chuàng)造性及實(shí)用性的專利
三要件，提出申請(qǐng)，懇請(qǐng)批準(zhǔn)。 有關(guān)上述實(shí)施例的選擇與描述，純粹是為了解釋本發(fā)明發(fā)明的原理及其較佳實(shí)用 模式，借以讓熟習(xí)該項(xiàng)技藝者對(duì)其特定目的掌握其不同應(yīng)用的變化。任何熟習(xí)該項(xiàng)技藝者 雖因此可據(jù)以完成若干修改或變化，如僅非實(shí)質(zhì)變更，其雖有達(dá)成相同的效果，然均屬本發(fā) 明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其方法步驟包括a)提供一劃分成復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域的晶圓圖形；b)通過一攝影系統(tǒng)以絕對(duì)坐標(biāo)作初次定位，以及不斷紀(jì)錄該晶圓圖形內(nèi)所有晶粒間的相對(duì)位置；c)在該晶圓圖形的復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域內(nèi)，都預(yù)先規(guī)劃一標(biāo)兵晶粒，以作為得到待挑揀晶粒目地坐標(biāo)的路標(biāo)，并且用來(lái)作為待挑揀晶粒位移偏差補(bǔ)償?shù)南鄬?duì)參考坐標(biāo)位置；d)在該晶圓圖形預(yù)設(shè)的劃分區(qū)域內(nèi)，選擇一起始標(biāo)兵晶粒，開始挑揀晶?？倲?shù)數(shù)量最少的同級(jí)晶粒，直至該晶圓圖形內(nèi)同級(jí)晶?？倲?shù)數(shù)量最少的所有同級(jí)晶粒挑揀完畢為止；e)反復(fù)方法步驟d)，回到預(yù)先規(guī)劃的該起始標(biāo)兵晶粒位置，從頭挑揀晶粒總數(shù)數(shù)量次少的同級(jí)晶粒，如此反復(fù)，直至該晶圓圖形內(nèi)所有各同級(jí)晶粒依晶粒總數(shù)依序換級(jí)，由晶粒總數(shù)最少至最多，該晶圓圖形內(nèi)所有晶粒挑揀完畢為止。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域的 劃分是依該晶圓圖形的左右邊及上下邊為邊線開始劃分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該所有劃分區(qū)域內(nèi)的 該標(biāo)兵晶粒的選取是依人為設(shè)定選取條件加以選取，即預(yù)先規(guī)劃適當(dāng)距離的該標(biāo)兵晶粒平 均分布于該晶圓圖形，以作為在晶粒挑揀路徑上，當(dāng)需經(jīng)過大范圍已挑揀晶粒區(qū)域時(shí)的路 標(biāo)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該所有劃分區(qū)域內(nèi)的 該標(biāo)兵晶粒的選取條件更進(jìn)一步包括以下三個(gè)設(shè)定條件1) 其中該標(biāo)兵晶粒應(yīng)為最接近該所預(yù)先規(guī)劃之劃分區(qū)域內(nèi)的中心位置為最佳；2) 各劃分區(qū)域內(nèi)所有晶粒與該標(biāo)兵晶粒的距離皆不宜太遠(yuǎn)，如此彼此的相對(duì)位置不會(huì) 過分誤差；以及3) 劃分區(qū)域與劃分區(qū)域間的該標(biāo)兵晶粒間的距離皆不宜太遠(yuǎn)，如此該標(biāo)兵晶粒與該另 一標(biāo)兵晶粒間的相對(duì)位置不會(huì)過分誤差。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該攝影系統(tǒng)為一 CCD 系統(tǒng)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該CCD系統(tǒng)是用來(lái)作 為該晶圓圖形的整片掃描以辨識(shí)計(jì)算所有晶粒的初始位置、等級(jí)(Bin)及數(shù)量。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該方法步驟b)的不斷 紀(jì)錄所有晶粒相對(duì)位置是作為晶粒挑揀時(shí)，因藍(lán)膜頂破松弛導(dǎo)致所有待挑揀晶粒產(chǎn)生位移 的相對(duì)位置調(diào)整補(bǔ)償參考。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該方法步驟C)的該標(biāo)兵晶粒挑選之后，該待挑揀晶粒的挑揀方式為如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則先跳 回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到下個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待挑 揀晶粒。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該方法步驟c)的該標(biāo)兵晶粒挑選之后，該待挑揀晶粒的挑揀方式系為如果該待挑揀晶粒在其它劃分區(qū)域，則不 需跳回原先劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，即直接跳到下個(gè)劃分區(qū)域的標(biāo)兵晶粒，之后，再跳到該待 挑揀晶粒。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中晶粒的挑揀為以該晶 圓圖形內(nèi)的晶?？倲?shù)數(shù)量最少的同等級(jí)晶粒開始挑揀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該所有劃分區(qū)域內(nèi)晶 粒挑揀是以晶粒位置偏移量作估算并以該標(biāo)兵晶粒作路標(biāo)，立即對(duì)當(dāng)時(shí)該攝影系統(tǒng)影像范 圍內(nèi)的其它晶粒位置作調(diào)校補(bǔ)償，使晶粒挑揀時(shí)的誤選降到最低。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該方法步驟d)的晶 粒挑揀方法是以該起始標(biāo)兵晶粒開始，并采用數(shù)量最少的同級(jí)晶粒開始挑揀，在晶圓全片 挑揀完畢之后再?gòu)念^回到該起始標(biāo)兵晶粒，由晶粒總數(shù)數(shù)量次少的同級(jí)晶粒挑揀，依序直 至所有晶粒挑揀完畢，此種晶粒挑揀方式由于換級(jí)次數(shù)大大減少，因此也大大加快晶粒挑 揀的速度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，其特征為其中該同級(jí)晶粒挑揀是 先挑同級(jí)晶?？倲?shù)最少的晶粒，因開始挑的晶粒數(shù)量少，頂破藍(lán)膜次數(shù)就少，所以藍(lán)膜頂破 松弛所累積造成的晶粒位移偏差量就小，因此從同級(jí)晶粒總數(shù)最少的晶粒先挑，此時(shí)未挑 揀晶粒還很多，而使大部份未挑揀晶粒的位移偏差量可以透過此挑檢順序而降低，提高挑 揀精確度。
全文摘要
本發(fā)明為一種標(biāo)兵式晶粒挑揀方法，首先提供一布滿晶粒的晶圓，通過CCD系統(tǒng)(影像辨識(shí)與定位系統(tǒng))，取得布滿晶粒的晶圓圖形(wafer map)，將晶圓圖形劃分成復(fù)數(shù)個(gè)劃分區(qū)域，并紀(jì)錄每個(gè)晶粒(包括標(biāo)兵晶粒)間的相對(duì)位置以作為在晶粒挑揀過程中晶粒位移補(bǔ)償修正參考基準(zhǔn)，之后，再在所有復(fù)數(shù)個(gè)各別劃分區(qū)域內(nèi)中心位置選擇一晶粒作為標(biāo)兵晶粒，之后，以一劃分區(qū)域內(nèi)的起始標(biāo)兵晶粒為起始點(diǎn)，選擇晶?？倲?shù)數(shù)量最少的同級(jí)(Bin)晶粒開始挑揀，然后，依序采標(biāo)兵方式逐一挑揀完所有劃分區(qū)域內(nèi)的同級(jí)晶粒，之后，再選擇數(shù)量次少的同級(jí)(Bin)晶粒開使始挑揀，然后，依序也采標(biāo)兵方式逐一挑揀完所有劃分區(qū)域內(nèi)的數(shù)量次的同級(jí)晶粒，如此反復(fù)則將所有晶粒挑揀完畢，由于在晶粒挑揀過程中會(huì)產(chǎn)生晶粒偏移的狀況，故需作偏移補(bǔ)償修正的動(dòng)作，依本發(fā)明的上述方法步驟使能更快速及更精準(zhǔn)的作晶粒的挑揀。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101728227SQ20081017196
公開日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月27日
發(fā)明者盧彥豪 申請(qǐng)人:威控自動(dòng)化機(jī)械股份有限公司