專利名稱：具有角度濾波元件的發(fā)光二極管芯片的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片。
背景技術：
借助于例如生成藍光并通過合適的轉換材料將藍光的一部分轉變 為黃光的LED，由于原來的藍光與所轉換的黃光形成顏色混合而可能生 成白光。在此出現(xiàn)的問題在專利申請文獻DE 199 18 370 Al中有所說 明。由于光束在包圍LED的樹脂填充物中的光程不同，在該樹脂填充物 中包含轉換材料，所以在器件的邊緣區(qū)域，總光束中的黃色分量占大部 分，而相反地在中間區(qū)域，藍色分量占大部分。根據(jù)專利申請文獻DE 199 18 370 Al，該問題通過以下途徑解決通過樹脂填充物的相應外形 (Gestalt)、即通過樹脂填充物的凸起表面，為全方向發(fā)射的光束提供 統(tǒng)一的光程。

發(fā)明內容
本發(fā)明的任務在于提供一種具有統(tǒng)一色度坐標(Farbort)的發(fā)光 二極管芯片。
通過根據(jù)權利要求1的發(fā)光二極管芯片來解決該任務。 該發(fā)光二極管芯片的有利改進方案在從屬權利要求中說明。 根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片包括半導體本體，所述半導體本體生成 第一波長的光束；以及發(fā)光轉換元件，所述發(fā)光轉換元件從第一波長的光束 中生成第二波長的光束；和角度濾波元件，所述角度濾波元件將以相對于主 輻射方向的預定角度范圍落在所述角度濾波元件上的光束至少部分地向著所 述半導體本體的方向反射回去。
可以有利地借助于所述發(fā)光二極管芯片來生成混合色的總光束，例如白光，所述總光束由第一波長的光束和第二波長的光束以合適的分量組成，使 得觀察者可以將由混合色的總光^Jt成的顏色印象既與由第一波長的光^Jt 成的顏色印象區(qū)分開又與由第二波長的光束造成的顏色印象區(qū)分開。
所述預定角度范圍尤其給出如下角度范圍在該角度范圍內如果不^f吏用 角度濾波元件，則特定的光束分量對于觀察者來說是可以識別的?？商鎿Q地 還可考慮，將所述預定角度范圍選為如下的角度范圍在該角度范圍中特定 的光束分量在沒有角度濾波元件的情況下對于觀察者來說未被充分表現(xiàn) (unterrepresent ieren)地識別。由所述發(fā)光二極管芯片發(fā)出的總光束尤其 具有第一波長的光束分量和笫二波長的光束分量。優(yōu)選地，第一和第二波長 對應于二種不同的相互補充的顏色。在開始時所述示例的情況下，預定角度 范圍給出如下角度范圍在該角度范圍中觀察者在沒有角度濾波元件的情況 下由于總光束中的藍光分量較高而黃光分量較低而能夠感知偏冷的白光。優(yōu) 選地將預定角度范圍相對于主輻射方向對稱設置。
根據(jù)優(yōu)選的變型方案，使用角度濾波元件，所述角度濾波元件將笫一波 長的光束的至少一部分反射回去，使得由所述發(fā)光二極管芯片發(fā)出的總光束 具有不取決于角度的、統(tǒng)一的色度坐標。此外這可以通過以下方式實現(xiàn)借 助于在所述角度濾波元件處的反射，從所述發(fā)光二極管芯片射出的第一波長 的光束有所減弱。
根據(jù)另一優(yōu)選變型方案，可以借助于所述角度濾波元件將第一波長的光 束向著所述半導體本體的方向反射回去。有利的是，反射回去的光束被^L^ 所述半導體本體并被再次發(fā)射，這被稱為"光子回收"。因此，反射回去的光 束沒有丟失，而是可以在重新發(fā)射之后從半導體本體中射出，然后該光束以 其它角度落在所述角度濾波元件上。在此，如下角度是有利的在所述角度 的情況下第一波長的光束和第二波長的光束之間的比例均衡，使得由器件發(fā) 出的總光束具有期望的色度坐標。借助于所述角度濾波元件，有利地改變了 所述發(fā)光二極管芯片的輻射特性(Profil)，使得預定角度范圍內的光束強度 減弱而其它角度內的光束強度增強。
所述角度濾波元件的一種可能布置在于，將所述角度濾波元件與所述半 導體本體直接接觸地或者有間距地布置在所述半導體本體上。在所述角度濾 波元件上還可以布置發(fā)光轉換元件。優(yōu)選地，所述發(fā)光轉換元件在主輻射方 向上布置在角度濾波元件的后面。
有利地，在該布置情況下的角度濾波元件既適用于反射從背面射入的第一波長的光束，又適用于反射從正面射入的第二波長的光束。因此，所述角
二波長的光;向著發(fā)光二極管芯片的輸出耦合:的方向反射。由此可I^提高 所述發(fā)光二極管芯片的效率。
根據(jù)優(yōu)選實施方式，所述發(fā)光轉換元件是敷設在所述角度濾波元件上的 發(fā)光轉換層。在發(fā)光轉換層厚度均勻并且半導體本體的發(fā)射是全方向的情況 下，如果沒有角度濾波元件，則由于光程取決于角度而預計第一波長的光束 會在垂直于半導體本體表面的方向上具有提高的分量。角度濾波元件的光學 效果可以有利地適應于發(fā)光轉換元件的外形，使得所述發(fā)光轉換元件可以基 本上被不同形狀地形成。
根據(jù)另一優(yōu)選實施方式，所述發(fā)光轉換元件是澆鑄體，所述澆鑄體包含
導體本體。所述發(fā)光轉換物質優(yōu)選在所述澆鑄體中均勻分布。
為了將從半導體本體發(fā)射的第 一波長的光束的至少一部分進行波長轉換
成尤其是第二波長的較大波長，設置了所述發(fā)光轉換物質。根據(jù)W0 98/12757 公知諸如YAG: Ce的合適的發(fā)光轉換物質，該文獻的內容特此尤其是參照發(fā) 光物質(Leuchtstoff )而通過引用結合于此。發(fā)光轉換元件有利地是塑料層， 優(yōu)選是硅層，在該塑料層中矩陣式地嵌入至少一種發(fā)光轉換物質。所述發(fā)光 轉換元件有利地利用絲網(wǎng)印刷法(Siebdruckverfahren)以層的形式敷i殳在 半導體本體的光束出射面上。
用于布置角度濾波元件的另一可能性在于，所述角度濾波元件布置在發(fā) 光轉換元件的后面，其中所述發(fā)光轉換元件直接接觸地或者有間距地布置在 所述半導體本體上。優(yōu)選地，將所述角度濾波元件在主輻射方向上布置在所 述發(fā)光轉換元件的后面。
根據(jù)優(yōu)選的擴展方案，所述角度濾波元件是介質濾波器。有利地，包含 介質材料或者是介質濾波器的角度濾波元件的反射和透射特征可以通過選擇 角度濾波元件的材料和結構來進行調整。
堆疊。特別優(yōu)選的是，折射率在多于兩層的情況下交替變化，即第一層和第 三層具有第一折射率，而布置在笫 一層和第三層之間的第二層具有第二折射 率，該第二折射率與第一折射率不同。在具有不同折射率的兩層之間的過度處， 一部分光束被反射而一部分光束被透射，該被透射的一部分光束優(yōu)選地 對應于未反射的光束分量，從而幾乎不會通過吸收形成損失。
含硅材料適用于所述介質濾波器。例如，第一層可以包含氧化硅并且第 二層可以包含氮化硅。此外，還可將含鈥的材料應用于所述介質濾波器。例 如，第一層可以包含氧化硅并且第二層可以包含氧化鈦。
根據(jù)優(yōu)選的變型方案，所述角度濾波元件是布M鏡。在此，構成布拉 格鏡的所述層具有合適的厚度，使得有利地利用干涉效應。優(yōu)選的層厚度位
于第一波長的1/4和3/4之間的范圍內，其中波長應被理解為在相應媒介中 的波長。
此外，作為角度濾波元件可以考慮尤其對于較小入射角具有增大的反射 率而對于較大入射角具有增大的透射率的任何元件。例如，角度濾波元件可 以是具有這樣一種表面結構的元件，該表面結構適于根據(jù)入射的光線的入射 角來不同強度地反射該光線。該表面結構可以由多個結構元件組成，所述結 構元件優(yōu)選規(guī)則地布置在角度濾波元件的表面上。該結構元件的可能形式是 圓錐形的、棱錐形的或棱鏡形的實心體或空心體。
根據(jù)有利的擴展方案，向著所述半導體本體的方向被反射回去的光束的 波長位于所述角度濾波元件的停止帶(Stoppband)的長波邊緣處。由此，角 度濾波元件反射以相對小的入射角落在所述角度濾波元件上的光束，因為所 述光束仍位于停止帶內，而具有較大入射角的光束被透射。
根據(jù)替換的擴展方案，向著所述半導體本體的方向被反射回去的光束的 波長位于所述角度濾波元件的停止帶內。在這里，以小入射角落在角度濾波 元件上的光束也M射回去，而以較大入射角落在所述角度濾波元件上的光 束凈皮透射。
在另一有利的擴展方案中，所迷半導體本體是薄膜半導體本體。在制造 薄膜半導體本體時，首先外延地在生長襯底上生長功能性半導體層序列，該 半導體層序列尤其包括發(fā)射光束的活性層，接著在所述半導體層序列的與生 長襯底相對的表面上敷設新的載體，隨后分離所述生長襯底。因為尤其是用 于氮化合物半導體的生長襯底如SiC、藍寶石(Saphir)或者GaN比較貴，
該方法尤其提供了可將所述生長襯底重復使用的優(yōu)點。將由藍寶石構成的生 長襯底從由氮化合物半導體構成的半導體層序列上剝落例如可以用從W0 98/14986中公知的激光溶解方法(Laser-Lift-0ff - Verfahren)來進行。在例如I. Schnitzer等人的A卯l. Phys. Lett. 63 (16)， 1993年10月 18曰，2174-2176頁中il明了薄膜LED的基本原理，其公開內容特此通過引 用結合于此。
所述半導體本體尤其可以具有基于氮化合物半導體的外延層序列。"基 于氮化合物半導體"在本文中表示，活性的外延層序列或者該外延層序列的 至少一層包括氮的ni/V族化合物半導體材料，優(yōu)選AlxGayln卜pyN,其中0《 x<l， 0<y<l并且x + y《1。在此，該材料不必強制地具有按照上迷7>式的 在數(shù)學上精確的組成。更確切地說，該材料可以具有一種或多種摻雜物質以 及附加組分，所述摻雜物質以及附加組分基本上不改變Al,Gayln卜,—yN材料的 特有的物理特征。然而，為了簡化起見，上述公式只包含晶格的主要組分(Al, Ga, In, N)，即使這些組分可以部分地由少量其它物質代替。
根據(jù)發(fā)光二極管芯片的另一擴展方案，在所述半導體本體背向所述角度 濾波元件的一側上布置有反射層。借助于將入射的光束優(yōu)選向著所述半導體 本體方向反射回去的所述反射層一由此又可以進行光子回收，所迷發(fā)光二極 管芯片的效率可以進一步^L提高。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管器件具有根據(jù)所述實施例的發(fā)光二極管芯片， 其中所述發(fā)光二極管芯片布置在殼體內。


根據(jù)下面結合圖1至6闡述的實施例來給出本發(fā)明的其它特征、優(yōu) 點和改進方案。 其中
圖1A示出適用于根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光二極管芯片的半 導體芯片，圖1B示出根據(jù)本發(fā)明笫一實施方式的發(fā)光二極管芯片，
圖2A示出不具有角度濾波元件的常規(guī)半導體芯片，圖2B示出不具
有角度濾波元件的常規(guī)發(fā)光二極管芯片，
圖3A示出根據(jù)第一優(yōu)選變型方案的角度濾波元件，圖3B示出圖3A 所示的角度濾波元件的反射角度謙(Ref lexionswinkelspektru邁)，
圖4A示出根據(jù)第二優(yōu)選變型方案的角度濾波元件，圖4B示出圖4A
所示的角度濾波元件的反射角度譜，
圖5A示出根據(jù)第三優(yōu)選變型方案的角度濾波元件，圖5B示出圖5A所示的角度濾波元件的反射角譜，圖5C示出圖5A所示的角度濾波元件 的取決于波長的反射光譜，
圖6示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的發(fā)光二極管芯片。
具體實施例方式
圖1A所示的半導體芯片10具有半導體本體1和角度濾波元件4。 角度濾波元件4在主輻射方向H上布置在半導體本體1的后面。主輻射 方向H與生長方向平行，形成半導體本體1的層(未示出)在該生長方 向上生長。此外，主輻射方向H與主伸展平面E垂直，該主伸展平面E 由半導體芯片IO的兩個最長棱邊張緊(aufspannen)。
半導體本體1是具有朗伯特(Lambert)輻射特性的薄膜半導體本 體，這表示，當不存在角度濾波元件時，在主輻射方向H(6-0。)上 出現(xiàn)強度最大值。然而利用角度濾波元件4，半導體芯片IO具有與朗伯 特輻射特性相比壓縮了的(gestaucht)輻射特性。因此，在主輻射方 向H上出現(xiàn)的強度值1。小于以角度為6,或-^出現(xiàn)的強度值I"這樣 的優(yōu)點是，如圖1B所示的、在輸出耦合面上具有均勻厚度的發(fā)光轉換 元件5的發(fā)光二極管芯片11與常規(guī)發(fā)光二極管芯片相比減弱在主輻射 方向H上發(fā)射的光束(參見圖2B)。因此，由發(fā)光二極管芯片11發(fā)射的 總光束在角度區(qū)域[-6， 6]中具有統(tǒng)一的色度坐標，其中該角度區(qū)域 優(yōu)選從-90°延伸到90° 。
圖1A所示的半導體本體1的背面與不同于生長襯底的載體2相連。 載體2優(yōu)選包含具有高導熱性的材料，例如含Si材料如SiC。此外，高 導電性的栽體2是有利的，從而借助于載體2使半導體芯片IO可以在
背面進行電連接。
半導體本體1的正面是粗糙的。粗糙的表面與平整的表面相比使得 在半導體本體1的活性區(qū)中所生成的光束能夠更好地輸出耦合。然而， 與平坦的表面相比，層可以更容易從粗糙的表面剝離。因此，粗糙的半 導體本體1配備有平坦化層3。平坦化層3優(yōu)選包含可被半導體本體1 中所生成的光束透過的材料。例如對于平坦化層3來說可以使用Si02。
角度濾波元件4優(yōu)選是具有多個層的介質濾波器，該多個層具有不 同的折射率。這些層可以依次敷設、例如濺射在平坦化層3上。可替換 地，可以在平坦化層3上布置單獨的、預先制備的角度濾波元件4。在本文中用圖3A、 4A和5A來說明可能的角度濾波元件。
圖1B所示的發(fā)光二極管芯片11如圖1A所示的半導體芯片10那樣構造，但是附加地具有發(fā)光轉換元件5。發(fā)光轉換元件5是澆鑄體，在該澆鑄體中嵌入其余的半導體芯片。該澆鑄體包含發(fā)光轉換物質以用于將半導體本體1發(fā)射的具有第一波長M的光束的至少一部分進行波長
轉換成更大的波長，尤其是第二波長入2。如通過箭頭所表明的那樣，在主輻射方向H上發(fā)射的具有第一波長M的光束與在其它角度下所發(fā)
出的光束強度相同。
與此相反，在不具有角度濾波元件的常規(guī)芯片10的情況下，如圖2A所示，光束在主輻射方向H上的強度最大，這在具有發(fā)光轉換元件5的常規(guī)發(fā)光二極管芯片IO的情況下導致，具有第一波長入，的光束在主輻射方向H上同樣具有強度最大值。該效應還由于通過發(fā)光轉換元件5的光路在主輻射方向上最短而加強。因此，在主輻射方向H上，較少的具有第一波長入的光束被轉換成具有笫二波長A 2的光束。
圖3A示出角度濾波元件4的第 一優(yōu)選變型方案。該角度濾波元件4是介質多層濾波器。該角度濾波元件4具有多個層，該多個層通過材料或者層厚度來相互區(qū)分。層40a和40b尤其可以具有為X 74n的層厚度，其中n是相應層材料的折射率。對于層40和40b合適的材料是具有折射率n產(chǎn)l. 5的Si02，而對于層40a合適的材料是具有折射率n2=2. 0的SiN。折射率n在角度濾波元件4中周期性變化。該角度濾波元件4由Si02/SiN布拉格鏡(Bragg-Spiegel)的三個周期構成。然而，該角度濾波元件4不限于這個數(shù)量的周期。更確切地說，層的數(shù)量取決于反射
角度譜的期望特性。
圖3A所示的角度濾波元件4與設計波長入D協(xié)調一致，該設計波長
入。小于半導體本體所生成的光束的波長L換句話說，設計波長入n位于角度濾波元件4的通帶內。此外，角度濾波元件4與波長M不協(xié)調(verstimmt),換句話說，波長入，位于角度濾波元件4的停止帶的長波邊緣處。由此，角度濾波元件4反射以較小入射角落在該角度濾波元件4上的光束，而對以較大入射角落在該角度濾波元件4上的光束被透射。尤其是波長入,約為460nm，而設計波長入。約為400nm。
根據(jù)圖3B的視圖示出圖3A所示的角度濾波元件4的反射角度譜。虛線曲線I以圖形示出所有角度6的強度反射因子，其中-90° < 6 <90° 。實線曲線n以圖形示出同樣角度范圍的強度透射因子。如從圖3B
中獲悉的，主輻射方向上、也就是在角度6=0°時的透射明顯較弱而反射明顯增強。這種關系在大約30° <6《60°以及-60°《6《-30°的
角度范圍中相反。
以較小入射角一即與主輻射方向成-30°《6<30°的角度范圍一落在角度濾波元件4上的光束有大約40%被反射，而以較大入射角一即與主輻射方向成30°《6 <60°以及-60° < 6《-30。的角度范圍一落在角度濾波元件4上的光束有80%到100%被透射。
在該實施例中適用預定角度范圍[-30。 ， 30° ]。
圖4A示出角度濾波元件4的另一實施例。該角度濾波元件4也是介質多層濾波器。該角度濾波元件4的層被布置為使得第一折射率&和第二折射率ri2周期性重復。該角度濾波元件4在兩個層40之間總共具有五個這樣的周期。優(yōu)選地，層40和40b包含具有相同折射率n!的材料，而層40a具有折射率為xi2的材料。尤其適用的是n々ih。例如可以是折射率n產(chǎn)l. 5而折射率n2=2. 0。對于層40和40b合適的材料是Si02，而對于層40a合適的材料是SiN。
對于層40a來說，層厚度尤其是入！/4n2，而對于層40b來iJL，層厚度尤其是M/4n"由此，在主輻射方向H上落在角度濾波元件4上并在層40a和40b之間的過渡處被反射的光束可以有利地發(fā)生結構干涉。因為兩個經(jīng)過反射的光束之間的光程差是A(p-O,其中第一光束在層40b/層40a的第一過渡處被反射，而第二光束在布置在后面的層40&/層40b的第二過渡處被反射。這是通過以下途徑產(chǎn)生的，在第一過渡處由于光密度更大的媒介的反射而出現(xiàn)等于7t的相位突變(Phasensprung )，該相位突變等于由于第二光束通過層40a的路徑較長而形成的同樣為7c的相移(Phasenverschiebung)。
角度濾波元件4與波長M協(xié)調一致，這表示，波長入，不像在根據(jù)圖3A的角度濾波元件的情況下那樣位于停止帶的邊緣，而是位于停止帶內。如圖4B所示，角度濾波元件4對于較小的入射角具有高反射能
力(參見曲線1)，而對于較大的入射角具有小反射能力(參見曲線n )。
圖5A所示的角度濾波元件4 (該角度濾波元件4是失調諧振器)尤其適用于如在圖1B中所構成的發(fā)光二極管芯片11,其中發(fā)光轉換元件5布置在角度濾波元件4的后面。因為該角度濾波元件4不只對于第一波長入，一該第一波長入，在這里優(yōu)選位于藍光光譜范圍內一的光束具有
高的反射率，而且還對于第二波長入2 —該第二波長A 2在這里優(yōu)選位于
黃光光鐠范圍內一的光束具有高的反射率。如從圖5C所示視圖中獲悉的那樣，其中在圖5C中描繪有相對于波長[mn]的強度反射因子(參見曲線i)以及強度透射因子(參見曲線n )，曲線I在藍光光譜范圍內具有峰值A，而在黃光光譜范圍內具有峰值B。因此，由發(fā)光轉換元件5(參見圖1B)在向著角度濾波元件4的方向上所發(fā)射的光束可以有利地借助于該角度濾波元件4在向著發(fā)光二極管芯片的輸出耦合面的方向上被反射。
角度濾波元件4具有如圖5A所示那樣的層序列，該層序列包括具有相同的第一折射率ih的層40和40b、以及具有第二折射率112的層40a，第二折射率ri2大于第一折射率ni。尤其是，層40和40b包含具有折射率n產(chǎn)l. 5的Si02，而層40a具有折射率為n2=2. 0的Ti02。對于層40a合適的層厚度是A !/4n2，而對于層40b合適的層厚度是5入V8rh。
在圖5B中示出根據(jù)圖5A的角度濾波元件4的反射角度譜。如前面的實施例那樣，在這里，對于較小入射角的強度反射因子還是高于對于較大入射角的強度反射因子(參見曲線I )。由此得出強度透射譜(參見曲線II )和與其相關的輻射特性，該輻射特性與朗伯特輻射特性相比被壓縮在更小的入射角范圍內。
圖6示出發(fā)光二極管芯片11的另一實施例。在此，角度濾波元件4在主輻射方向H上布置在發(fā)光轉換元件5的后面。因此，在發(fā)光轉換元件5中就已經(jīng)可以進行光子回收(Photorecycling)。因為在由角度濾波元件4向著半導體本體1的方向上反射回的光束到達半導體本體1之前，該光束可以被吸入發(fā)光轉換元件5并被重新發(fā)射。典型地，被吸入發(fā)光轉換元件5的光束以更大波長入2被重新發(fā)射。如果角度濾波元件4只對于波長為人的光束示出增強了的反射能力，則根據(jù)圖6的發(fā)光二極管芯片ll相對于圖1B示出的發(fā)光二極管芯片ll在總光束中具有增大了的光束入2的分量。
本發(fā)明不限于借助于實施例的說明。更確切地說，本發(fā)明包括每個新的特征以及這些特征的每個組合，這尤其包含權利要求中的特征的每個組合，即使該特征或該組合自身未在權利要求或實施例中明確說明。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管芯片(11)，具有-半導體本體(1)，所述半導體本體(1)生成第一波長(λ1)的光束，-發(fā)光轉換元件(5)，所述發(fā)光轉換元件(5)從第一波長(λ1)的光束中生成第二波長(λ2)的光束，以及-角度濾波元件(4)，所述角度濾波元件(4)將以相對于主輻射方向(H)的預定角度范圍落在所述角度濾波元件(4)上的光束至少部分地向著所述半導體本體(1)的方向反射回去。
2. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述角度濾波元件(4)將第一波長(的光束的至少一部分反射回去，使得由所述發(fā)光二極管芯片(11)發(fā)出的總光束具有不取決于角度的、 統(tǒng)一的色度坐標。
3. 根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 由所述發(fā)光二極管芯片(11)發(fā)出的總光束具有第一波長(M)的光束分量和第二波長(入2)的光束分量。
4. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述角度濾波元件(4)將第一波長(入，)的光束向著所述半導體本體(I) 的方向反射回去。
5. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11),其中 所述角度濾波元件(4)布置在所述半導體本體(1)上，并且所述發(fā)光轉換元件(5)在主輻射方向(H)上布置在角度濾波元件(4)的后面。
6. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11),其中 所述角度濾波元件(4)將第二波長(入2)的光束向著發(fā)光二極管芯片(II) 的輸出耦合面的方向反射。
7. 根據(jù)權利要求5或6所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述發(fā)光轉換元件(5 )是敷設在所述角度濾波元件(4 )上的發(fā)光轉換層。
8. 根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述發(fā)光轉換元件(5 )是澆鑄體，所迷澆鑄體包含發(fā)光轉換物質并且在所述澆鑄體中嵌入所述角度濾波元件(4)和所述半導體本體(11)。
9. 根據(jù)權利要求1至4之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述發(fā)光轉換元件(5)布置在所述半導體本體(1)上，并且所述角度濾波元件(4)在主輻射方向(H)上布置在所述發(fā)光轉換元件(5)的后面。
10. 根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述發(fā)光轉換元件(5 ) :設在所述半導體本體(1)上的發(fā)光轉換層。
11. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述角度濾波元件(4)是介質濾波器。
12. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中疊。 " 、"'_ , -
13. 根據(jù)權利要求12所述的發(fā)光二極管芯片(11),其中 第一層(40b)包含氧化硅，并且第二層(40a)包含氮化硅。
14. 根據(jù)權利要求11至13之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述角度濾波元件(4)是布拉格鏡。
15. 根據(jù)權利要求1至11之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述角度濾波元件(4)具有結構元件。
16. 根據(jù)權利要求15所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述結構元件被構造為圓錐形式的、棱錐形式的、棱鏡形式的或者相同倒轉的CPC。
17. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 向著所述半導體本體(1)的方向M射回去的光束的波長位于所述角度濾波元件(4)的停止帶的長波邊緣處。
18. 根據(jù)權利要求1至16之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 向著所迷半導體本體(1)的方向M射回去的光束的波長位于所述角度濾波元件(4)的停止帶內。
19. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 所述半導體本體(1)是薄膜半導體本體。
20. 根據(jù)前述權利要求之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中 在所述半導體本體(1)背向所述角度濾波元件(4)的一側上布置有反射層。
21. —種發(fā)光二極管器件，所述發(fā)光二極管器件具有根據(jù)權利要求1至20之一所述的發(fā)光二極管芯片(11)，其中所述發(fā)光二極管芯片(11)布置 在殼體內。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片具有半導體本體(1)，所述半導體本體生成第一波長的光束；發(fā)光轉換元件(5)，所述發(fā)光轉換元件從第一波長的光束中生成第二波長的光束；以及角度濾波元件(4)，所述角度濾波元件將以相對于主輻射方向的特定角度落在所述角度濾波元件上的光束向著所述半導體本體的方向反射回去。
文檔編號H01L33/00GK101681967SQ200880018196
公開日2010年3月24日 申請日期2008年5月21日 優(yōu)先權日2007年5月30日
發(fā)明者K·斯特魯貝爾, R·沃思 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司