專利名稱：：放射線攝像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及將放射線圖像攝像的放射線攝像裝置，特別是涉及用于乳房x射線攝影的用途的大型的放射線攝像裝置。
背景技術(shù)：
：在醫(yī)療用、產(chǎn)業(yè)用的x射線攝影中，近年來，代替x射線感光薄膜，而使用放射線檢測元件的放射線影像系統(tǒng)被廣泛利用。此種放射線影像系統(tǒng)并非如X射線感光薄膜般，需要顯影，可以實時地確認放射線影像等，方便性高、數(shù)據(jù)的保存性或處理的容易性等方面，都具有優(yōu)點。一般的放射線影像系統(tǒng)是通過閃爍器而將入射的放射線影像轉(zhuǎn)換為可見光等(包括紫外線*紅外線)，通過排列為1維或2維狀的光檢測元件而將轉(zhuǎn)換后的光影像檢測出，并作為對應(yīng)影像數(shù)據(jù)的電信號而予以輸出。特別是，在固體攝像元件的受光面上直接堆積閃爍器的構(gòu)造的放射線檢測元件，具有其處理容易的優(yōu)點?？墒?，固體攝像元件愈大畫面化，其制造時的良率愈降低。因此，各攝像元件的大畫面化有其界限。另一方面，放射線與可見光等不同，無法通過光學系統(tǒng)而縮小影像，因此，需要覆蓋實像的尺寸的攝像元件。例如，在胸部的X射線攝像裝置、或乳癌診斷用的乳腺攝像裝置、顎部的全景照相攝像裝置等中，已知有通過將小型的攝像元件排列為瓷磚狀的對接(buttable)排列，而形成大畫面的攝像元件的技術(shù)(例如，參考專利文獻l)。進而，作為縮小對接排列的各攝像元件間的邊界部份的無效區(qū)域的技術(shù)，還已知有將多個檢測器由放射線入射方向來看進行前后錯開而配置，以使得其攝像區(qū)域不相重疊的技術(shù)(例如，參考專利文獻2)。專利文獻1:日本特開平9-153606號公報專利文獻2:日本特開2000-292546號公報
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的課題如上所述，將攝像元件對接排列時，如專利文獻2所記載的，在相互的邊界部的無效區(qū)域的產(chǎn)生會成為問題。如依據(jù)專利文獻2的技術(shù)，通過配置使其攝像區(qū)域不重疊，雖可使無效區(qū)域縮小，但是，在由放射線入射方向看被配置于前面的攝像元件所遮住的地方，放射線會由于基板等而衰減。特別是，在醫(yī)療用的放射線攝像裝置中，為了減少被驗者或操作者的暴露量，需要一面減少放射線量，一面能進行高靈敏度*高分辨率的測定的機器，此種衰減會使所獲得的影像的分辨率變差，并不優(yōu)選。因此，本發(fā)明的課題在于提供即使以少的放射線量，也能高靈敏度，高分辨率取得大畫面的放射線影像的對接排列的放射線攝像裝置。解決課題的手段為了解決上述課題，本發(fā)明的放射線攝像裝置是，在2維排列像素而形成受光部的固體攝像元件的受光面，堆積閃爍器，其通過放射線入射而發(fā)出光，該光包括此固體攝像元件發(fā)出包含具有靈敏度的波長光的光的，將以保護膜覆蓋閃爍器而形成的放射線攝像元件于基臺上排列而配置mxn(m為2以上、n為1以上的整數(shù))個，其特征為在鄰接配置的任意二個放射線攝像元件間，(1)一方的放射線攝像元件在基臺的固定面，比另一方的放射線攝像元件的放射線入射面更突出于放射線入射方向，而且，(2)由放射線入射方向來看，被配置于背面的放射線攝像元件的受光部，在不被配置于前面的放射線攝像元件所遮住的狀態(tài)下，兩者接近地配置，(3)被配置于前面的放射線攝像元件的受光部，擴展至被配置于背面的放射線攝像元件側(cè)的周緣部，直到該周緣部形成與受光部中心部略同一厚度的閃爍器。根據(jù)本發(fā)明，在鄰接配置于基臺的放射線攝像元件間，該受光部被接近地配置。此時，由放射線入射方向來看，被配置于背面的放射4線攝像元件的受光部不被配置于前面的放射線攝像元件所遮住，因此，即使在被配置于背面?zhèn)鹊姆派渚€攝像元件中，受光部的全面也成為有效攝像區(qū)域。另外，被配置于前面的放射線攝像元件其受光部擴展至接近被配置于背面的放射線攝像元件側(cè)的周緣部，因此，受光區(qū)域的邊界被擴大至被配置于背面的放射線攝像元件側(cè)為止。而且，通過直到周緣部為止使閃爍器形成為均勻厚度，可以擴大被配置于前面的放射線攝像元件的有效影像區(qū)域，同時，可實現(xiàn)區(qū)域內(nèi)的攝像特性的均勻化。在鄰接配置的任意的2個放射線攝像元件中，可以被配置于由放射線入射方向來看，被配置于背面的放射線攝像元件的端部與被配置于前面的放射線攝像元件的端部重疊的位置。由此，從放射線入射方向看，受光部被接近地配置。在鄰接配置的任意二個放射線攝像元件中，在由放射線入射方向來看被配置于背面的放射線攝像元件中，可以從被配置在前面的放射線攝像元件所遮住的端部側(cè)的受光部端部至外側(cè)止堆積有閃爍器，且形成直到該受光部端部為止均勻厚度的閃爍器。在被配置于背面的放射線攝像元件中，在由被配置于前面的放射線攝像元件所遮住的位置，也可以存在有受光部以外的部分。即可由受光部起朝外側(cè)形成電路或保持部。而且，如直到受光部端部為止形成有均勻厚度的閃爍器，則容易地在受光部全體使攝像特性均勻化。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可不限制有效影像區(qū)域，而將各放射線攝像元件的受光部接近配置，因此，可一面抑制無效區(qū)域的產(chǎn)生，一面使有效影像區(qū)域內(nèi)的攝像特性均勻化。因此，通過組合多個攝像元件，而通過對接排列來形成大畫面的攝像元件，可以抑制由于攝像元件不同所產(chǎn)生的影像不均或失焦，即使是少的放射線量，也可以獲得高靈敏度，高分辨率的影像。由放射線入射方向來看端部重疊而配置，可使受光部更接近地配置，因而能使無效區(qū)域變得更小。在被配置于背面的放射線攝像元件中，與被配置于前面的放射線攝像元件不同，不需要將受光部接近周緣部附近而配置。通過將受光部設(shè)置于基板的中央附近，可以直到受光部的端部為止容易地形成均勻厚度的閃爍器，產(chǎn)品的良率更為提升。特別是，在將大小不同的2個放射線攝像元件鄰接配置時，通過使配置于背面的放射線攝像元件大些，可以直到受光部的端部為止容易地形成均勻厚度的閃爍器，產(chǎn)品的良率更為提升。圖1是關(guān)于本發(fā)明的放射線攝像裝置的由放射線入射方向所見到的正面圖。圖2是圖i的n-ii線剖面圖。圖3是圖2的放射線攝像元件的邊界部分的放大圖。圖4是表示在本發(fā)明的放射線攝像裝置所使用的放射線攝像元件的制造工序的圖。圖5是表示圖4的工序的后續(xù)的圖。圖6是表示圖5的工序的后續(xù)的圖。圖7是表示在本發(fā)明的放射線攝像裝置中所使用的配線基板的圖。圖8是表示圖6的工序的后續(xù)的圖。圖9是說明用于放射線攝像元件的載置的裝置的圖。圖10是說明利用本發(fā)明的放射線攝像裝置的乳房X射線攝影的圖。圖11是表示本發(fā)明的放射線攝像裝置的第2實施方式的剖面構(gòu)造圖。圖12是圖11的放射線攝像元件的邊界部分的放大圖。圖13是表示本發(fā)明的放射線攝像裝置的第3實施方式的剖面構(gòu)造圖。圖14是圖13的放射線攝像元件的邊界部分的放大圖。符號的說明1:基臺2、3、3a:放射線攝像元件5:影像傳感器6:載置用裝置9:被驗者10:固定基臺10a、10b:載置面11、12:配線基板20、30:Si基板21、31:光感應(yīng)部22、32:移位寄存器部23、33:增幅部24、34:焊盤部25、35:閃爍器26、36:保護膜60:上空間61:下空間62:真空泵70、71:平板75:放射線源90:乳房100:放射線攝像裝置111、121:貫通孔112、122:粘結(jié)件具體實施例方式以下，參考附圖，對本發(fā)明的適當?shù)膶嵤┓绞阶鲈敿氄f明。為了使說明容易理解，在各圖中，對于相同的構(gòu)成要素，盡可能賦予相同的參考符號，省略重復(fù)的說明。在圖1圖3中表示本發(fā)明的放射線攝像裝置的第1實施方式。圖i是由放射線入射方向所見到的正面圖，圖2是其n-n線剖面圖，圖3是圖2中的放射線攝像元件的邊界部分的放大圖。如圖1圖3所示，此放射線攝像裝置100，在基臺1上以不同高度配置有放射線攝像元件2和3。各放射線攝像元件2、3是形成在Si基板20、30上的MOS(Metal-OxideSemiconductor:金屬氧化物半導(dǎo)體)型的影像傳感器，形成為矩形平板狀。此處，Si基板20的尺寸為184mmx231mm，Si基板30的尺寸為96mmx231mm，厚度都是725pm。直到此Si基板20、30表面的鄰接的2邊的附近為止，配置有受光區(qū)域的光感應(yīng)部(受光部)21、31。此2邊在圖1中，為被配置于另一方的放射線攝像元件2或3側(cè)的邊與位于圖中下側(cè)的邊。各光感應(yīng)部21、31是，進行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換元件的多個光電二極管被排列為2維狀而形成像素。在各光電二極管中，配置有分別對應(yīng)的MOSFET(Field-EffectTransistor:場效應(yīng)晶體管)，以控制在光電二極管所產(chǎn)生的電荷的讀出。光感應(yīng)部21的尺寸為179.4mmx209mm(面積約37500mm2)，具有3520x4416像素(合計約1550萬像素)。另一方面，光感應(yīng)部31的尺寸是其約一半的82.8mmx209mm(面積約17300mm2)，具有1760x4416像素(合計約780萬像素)。在沿著Si基板20、30的光感應(yīng)部21、31的外側(cè)的2邊的區(qū)域，分別形成有移位寄存器部22、32及增幅部23、33，在其更外側(cè)形成焊盤部24、34。移位寄存器部22、32是分別通過光感應(yīng)部21、31內(nèi)的對應(yīng)的MOSFET與未圖示出的配線而電連接，控制MOSFET的驅(qū)動，而將在光電二極管所產(chǎn)生的電荷向增幅部23、33傳輸。增幅部23、33分別由多個增幅器(chargeamplifier,電荷放大器)、并聯(lián)連接于各增幅器的電容元件、及與它們并聯(lián)連接的開關(guān)元件等所形成。增幅部23、33的各增幅器介由MOSFET而通過未圖示出的配線與對應(yīng)的光電二極管電連接。焊盤部24、34由通過未圖示出的配線而分別連接于移位寄存器部22、32的焊盤部24a、34a、通過未圖示出的配線而分別連接于增幅部23、33的焊盤部24b、34b所形成。通過在芯片邊緣形成電極或配線，具有不使因為切割所產(chǎn)生的微碎片或在該部分所產(chǎn)生的電子電洞對到達光感應(yīng)部21、31的效果。在光感應(yīng)部21、31與其周圍的Si基板20、30表面上，形成有通過放射線入射而產(chǎn)生包含特定波長的光線的閃爍器25、35。此處，閃爍器25、35連續(xù)形成直到光感應(yīng)部21、31接近的Si基板20、30的側(cè)壁部為止。另外，閃爍器25、35也可覆蓋移位寄存器部22、32或增幅部23、33而形成。另外，移位寄存器部22、32或增幅部23、33優(yōu)選為，它們的表面優(yōu)選被光遮蔽部件及放射線遮蔽部件所覆蓋，但是，在由閃爍器25、35所覆蓋時，也可以是不具有放射線遮蔽部件的構(gòu)成。放射線直接入射移位寄存器部22、32或增幅部23、33時，有時會成為噪聲的原因，成為誤動作的原因，通過以吸收放射線的閃爍器25、35進行覆蓋，可以抑制此種噪聲或誤動作的發(fā)生。另外，需要使焊盤部24、34露出，因此，閃爍器25、35形成為不到達這些區(qū)域。閃爍器25、35所產(chǎn)生的光，只要是包含光感應(yīng)部21、31的光電二極管具有靈敏度的波長的光即可，除了可見光以外，也可以為紫外線或紅外線。在閃爍器25、35中雖可使用各種材料，但是，優(yōu)選發(fā)光效率好的摻雜Tl的Csl作為材料。此閃爍器25、35可通過蒸鍍而在光感應(yīng)部21、31的表面直接形成為柱狀結(jié)晶。另外，閃爍器25、35，在光感應(yīng)部21、31上方，直到其端部為止，形成為大致均勻的厚度。閃爍器25、35的厚度優(yōu)選設(shè)為30550pm左右。在本實施方式中，閃爍器25、35的厚度設(shè)定為165pm。保護膜26、36形成為覆蓋閃爍器25、35的表面并將它們分別進行密封。被作為閃爍器25、35使用的Csl具有吸收空氣中的水蒸汽(濕氣)而溶解的潮解性。為了防止水蒸汽滲入閃爍器25、35，以水蒸汽遮斷性(水分不透過性)良好的耐濕保護膜進行覆蓋。保護膜26、36可以使用水蒸汽遮斷性良好的有機膜、無機膜及它們的組合，而優(yōu)選使用例如，聚對二甲苯樹脂(Threebond公司制造、商品名Palylene)或其一種的聚對氯二甲苯(同一公司制造，商品名PalyleneC)。此保護膜26、36是由Si基板20、30的受光面上的閃爍器25、35、及其周圍的焊盤部24、34、與閃爍器25、35的邊界區(qū)域起，超過形成有閃爍器25、35的側(cè)壁部分而直到Si基板20、30的背面(光感應(yīng)部21、31的形成面的相反面)連續(xù)地形成為一體。保護膜26、36的厚度優(yōu)選為幾^im十幾(im左右，在本實施方式中，設(shè)定為10pm。另一方面，基臺1由上面形成為階梯狀的固定基臺10、分別被固定在此固定基臺10的載置面10a、10b上，且各放射線攝像元件2、3被固定在其上的配線基板11、12所形成。固定基臺IO例如是陶瓷制，其尺寸為372x245mm，厚度在載置面10a部分為5mm，在載置面10b部分為4mm，10a和10b的高低差為lmm。載置面10a、10b都形成為比后述的配線基板11、12稍微寬些。配線基板ll、12也還是陶瓷制的基板，其尺寸是被設(shè)定為比對應(yīng)的放射線攝像元件2、3稍寬些，例如，配線基板ll為226x248mm，配線基板12為138x248mm。另外，厚度兩者都是設(shè)定為3.2mm。在配線基板11、12上設(shè)置有多個由表面貫穿至背面的貫通孔111、121(參考圖2、3)。這些貫通孔lll、121如由表面或背面?zhèn)葋砜?，被等間隔配置于所畫的格子線的交點上。以下，以p表示鄰接的貫通孔111、121的間隔的間隔。這些貫通孔lll、121只要僅設(shè)于分別載置放射線攝像元件2、3的區(qū)域內(nèi)就足夠，但是也可以突出載置區(qū)域而全面設(shè)置。貫通孔lll、121的大小可考慮配線基板ll、12的強度、厚度、貫通孔lll、121的通氣性而適當設(shè)定配置。在本實施方式中，貫通孔111、121的直徑設(shè)為0.4mm0.5mm左右，其間距p設(shè)定為20mm。接著，具體說明此放射線攝像裝置100的制造方法。首先，如圖4所示，準備在矩形的Si基板20上已形成有光感應(yīng)部21、移位寄存器部22(未圖示)、增幅部23(未圖示)、焊盤部24的影像傳感器5。此處，光感應(yīng)部21并非位于Si基板20的中央，而是靠近鄰接的2邊而配置。此影像傳感器5例如可以通過在12英吋(約30公分)直徑的Si晶圓上通過使用歩進機裝置等公知的手法，在形成被集成化的電路后，切斷為所期望的尺寸而制造。接著，在罩上光罩的狀態(tài)下將Si基板20配置于閃爍器的蒸鍍室內(nèi)使得比光感應(yīng)部21更寬的區(qū)域露出，形成閃爍器25。此處，對光感應(yīng)部21接近的Si基板20的側(cè)壁部分，也使其由光罩露出。作為光罩可以使用利用沿著光感應(yīng)部21的周圍的2邊的部分，及該部分的背面，而將Si基板20保持為相反向的蒸鍍保持器。在此狀態(tài)下，通過真空蒸鍍法，使在Si基板20的露出部分生長摻雜Tl的Csl的柱狀結(jié)晶。被蒸鍍的閃爍器25的厚度一到達所期望的厚度(例如，165pm)，則從蒸鍍室取出形成有閃爍器25的影像傳感器5(參考圖5)。由此，可以形成由光感應(yīng)部21的全面至鄰接的側(cè)壁部為止，具有大致均勻厚度的閃爍器25。閃爍器25的素材Csl，其吸濕性高，如在露出狀態(tài)下放置，會吸收空氣中的水蒸汽而溶解(具有潮解性)。因此，為了保護閃爍器25，通過CVD(化學性蒸鍍)法，以厚度10pm的Palylene包住影像傳感器5的大致全體，而形成保護膜26。在CSI的柱狀結(jié)晶間雖有間隙，但是，Palylene會某種程度進入此狹窄間隙，因此，保護膜26與閃爍器25密接，而將閃爍器25密封。通過此Palylene涂布，可以在表面有微細凹凸的閃爍器25上形成均勻厚度的精密薄膜涂布層。另外，Palylene的CVD形成，真空度比金屬蒸鍍時低，可以在常溫進行，因此，加工容易。將如此形成的保護膜26在規(guī)定位置進行切斷，去除不需要部分，使焊盤部24部分露出(參考圖6)。在本實施方式中，雖只在包圍閃爍器25的區(qū)域殘留保護膜26，但是，也可以殘留保護膜26至比此寬的區(qū)域。例如，也可以只使焊盤部24a、24b露出，其以外的區(qū)域以保護膜26進行覆蓋。由此，可以獲得圖1圖3所示的放射線攝像元件2。關(guān)于放射線攝像元件3，也可以通過同樣的手法制造。接著，如圖7所示，準備具有貫通孔111的配線基板11，在配線基板11的放射線攝像元件2的載置面上格子狀地涂布絕緣性樹脂的粘結(jié)件112。此時，粘結(jié)件112避開貫通孔111而配置在與在水平方向上鄰接的貫通孔111之間的大致中心位置上。具體為涂布粘結(jié)件112使配置貫通孔111的格子線在格子線的延長方向的2方向分別錯開0.5p的格子線上延伸。在本實施方式中，粘結(jié)件112的寬度為lmm、厚度為0.5mm左右。涂布粘結(jié)件112后，在配線基板11的粘結(jié)件涂布面上面對放射線攝像元件2的背面(與Si基板20的光感應(yīng)部21的形成面相反側(cè)的表面)載置(參考圖8)，在此狀態(tài)下，將配線基板11導(dǎo)入如圖9所示的裝置6。此裝置6采取朝所導(dǎo)入的配線基板11的上側(cè)的空間60與朝下側(cè)的空間61通過配線基板11被分離的構(gòu)造。而且，具備將下側(cè)的空間61內(nèi)的空氣排出的真空泵62。將配線基板11導(dǎo)入裝置6后，使真空泵62工作，將下側(cè)的空間61內(nèi)減壓。配線基板11的貫通孔111通到下側(cè)的空間61，因此，通過此減壓，放射線攝像元件2的背面?zhèn)鹊臍鈮罕绕浔砻?光感應(yīng)部21形成面)側(cè)的氣壓低。通過如此所產(chǎn)生的表面?zhèn)扰c背面?zhèn)鹊臍鈮翰?，放射線攝像元件2被按壓于配線基板11。由此，粘結(jié)件112會薄薄擴展于放射線攝像元件2與配線基板11之間。在此狀態(tài)下，使粘結(jié)件112硬化，而將放射線攝像元件2固定于配線基板11。固定后，將配置于與配線基板11的放射線攝像元件2的焊盤部24，及對應(yīng)配置于面對面區(qū)域的未圖示的焊盤部的焊盤部24，通過同樣未圖示出的導(dǎo)線進行連接(引線接合)。通過同樣的手法，將放射線攝像元件3通過粘結(jié)件122而固定于配線基板12上。如此，利用設(shè)置于配線基板ll、12的貫通孔111、121，使放射線攝像元件2、3的表面與背面間產(chǎn)生氣壓差，通過所產(chǎn)生的氣壓差，將放射線攝像元件2、3按壓于配線基板11、12而進行固定，因此，不需要在放射線攝像元件2、3的表面上設(shè)置按壓用的多余空間，可將閃爍器25、35的形成面在放射線攝像元件2、3的表面中確保為最大限度。因此，對于光感應(yīng)部21、31，可使放射線攝像元件2、3的面積變得緊密，可實現(xiàn)最終所獲得的放射線攝像裝置100的致密化。進而，通過氣壓差而以大致均勻的力量將放射線攝像元件2、3的表面全體按壓于配線基板11、12，因此，即使在固定大面積、薄型的放射線攝像元件2、3，也可以抑制撓曲、變形、彎曲等的發(fā)生，能夠確保受光面的平板性。進而不會對閃爍器25、35局部性施以力量，因此，在固定時，閃爍器25、35不會損傷，產(chǎn)品的良率也可以提升。另外，保護膜26、36是側(cè)壁的包圍閃爍器25、35的部分迂回至放射線攝像元件2、3的背面?zhèn)榷粖A于配線基板ll、12之間而固定，因此，可以有效地防止保護膜26、36的剝離。此處，放射線攝像元件2、3的閃爍器25、35形成至側(cè)壁的處所中，在被配置于放射線攝像裝置100的情形，在圖1中的形成下側(cè)邊的位置中，如將放射線攝像元件2、3配置于比配線基板11、12稍許(lmm程度)內(nèi)側(cè)時，可以防止在使用中，對側(cè)壁上的保護膜26、36施加多余的力量，能有效地抑制由此部分的剝離。另夕卜，配線基板11、12在放射線攝像元件2、3的載置面的外側(cè)區(qū)域也具有貫通孔111、121的情形，需要事先塞住此貫通孔111、121。塞住這些貫通孔lll、121的方法，可由載置面?zhèn)纫詺饷苄员∧じ采w這些貫通孔111、121、由相反側(cè)以氣密性的面板、光罩等覆蓋。如此一來，在裝置6內(nèi)，上側(cè)的空間60與下側(cè)的空間61不會通過貫通孔111、121而直接連通，可使兩空間60、61間確實產(chǎn)生氣壓差。此處，通過使下空間61減壓，而使兩空間60、61產(chǎn)生氣壓差，但是，如果放射線攝像元件2、3的表面?zhèn)鹊臍鈮罕认聜?cè)的氣壓高，也可以利用其它的方法。例如，對上空間60送入氣體(例如空氣)，通過加壓上空間60內(nèi)的氣體，使兩空間60、61間產(chǎn)生氣壓差。進而，并用兩方，加壓上空間60內(nèi)，減壓下空間61內(nèi)亦可。在此情形下，也可將下空間61內(nèi)的氣體導(dǎo)入上空間60內(nèi)，使用單獨的泵而進行加壓與減壓。另外，即使裝置內(nèi)不設(shè)置兩方的空間，只設(shè)置進行加壓或減壓的空間60或61的一方，另一方設(shè)為開放狀態(tài)亦可。另外，氣體并不限定于空氣，也可以使用氮氣等，也可將裝置6放入氮氣盒中后來進行。如此，在配線基板H、12上分別固定了放射線攝像元件2、3后，使放射線攝像元件2、3的光感應(yīng)部21、31相接近而將配線基板11、12配置于個別的載置面10a、10b上并進行固定，可以獲得圖1圖3所示的放射線攝像裝置100。此處，在基臺1上設(shè)置階差而配置放射線攝像元件2、3，與在同一平面上排列放射線攝像元件2、3而配置的情形相比，可使放射線攝像元件2、3的光感應(yīng)部21、31接近為不重疊的程度而配置。另外，由放射線入射方向來看，即使是使個別的光感應(yīng)部21、31接近配置時，兩放射線攝像元件2、3的端部不接觸，因此，可以防止由于端部的閃爍器25、35或保護膜26、36的接觸所致的破損。因此，由于保護膜26、36的損傷所致的剝離也可以進行抑制，得以確保閃爍器25、35的耐濕性。放射線攝像元件2與3如由放射線入射方向來看，雖成為被配置于不同距離，但是，其距離是設(shè)為11.5mm的程度。在此種大畫面的放射線攝像裝置100中，是攝取通過由分開50公分程度的位置的放射線源大致垂直入射的放射線所形成的影像，此距離差不會使獲得的影像或鮮明度、分辨率降低。因此，即使通過低暴露量的放射線量，也可以取得鮮明、分辨率高的影像。在本實施方式中，于放射線入射方向被配置于背面的放射線攝像元件3中，射入光感應(yīng)部31上的閃爍器35的放射線不被遮住，因此，直到其角落為止，都可設(shè)為有效的靈敏度區(qū)域。另一方面，于放射線入射方向被配置于前面的放射線攝像元件2中，可擴大有效的靈敏度區(qū)域到其端部邊邊。因此，鄰接配置的光感應(yīng)部21、31間的距離可以降低至約150pm的程度，元件的光感應(yīng)部21、31間的無效區(qū)域D可以縮小至23像素份程度。另外，接近無效區(qū)域D的像素的輸出不被損害，因此，在合成由兩放射線攝像元件2、3所獲得的影像信號時的影像處理變得容易，直到邊界部分都可以獲得鮮明的影像。另外，即使通過內(nèi)插處理而求得無效區(qū)域的影像信息時，其的內(nèi)插處理也變得容易。根據(jù)本發(fā)明，以利用12英吋晶圓的制造工序中，使用具有最大尺寸設(shè)為22xl8cm尺寸以下的受光區(qū)域的影像傳感器，可以實現(xiàn)具有27x22cm尺寸的受光區(qū)域的放射線攝像裝置100。因此，可以達成制造成本的降低與良率的提升。接著，說明本實施方式的工作。在乳房X射線攝影中，如圖10所示，以放射線透過性的2片平板70、71夾住被驗者9的乳房90，通過配置于平板71側(cè)的放射線攝像裝置100而攝取由放射線源75所發(fā)出的X射線的乳房90透過影像。此時，如將被驗者9的軀體側(cè)配置于圖1所示的放射線攝像裝置100的下邊側(cè)時，可使光感應(yīng)部21、31接近軀體。透過構(gòu)成乳房90的透過X射線影像的乳房90的X射線(放射線)，透過平板71，而射入放射線攝像裝置100的入射面(保護膜26、36表面)。射入的X射線(放射線)透過保護膜26、36到達閃爍器25、35而被吸收。閃爍器25、35與吸收的X射線的光量大致成比例而放射(發(fā)出)特定波長的光(在本實施方式中，為波長570nm)。如此由閃爍器25、35所放射的光線到達光感應(yīng)部21、31，由各個光電二極管吸收，作為對應(yīng)于光量的電荷而被蓄積一定時間(光電轉(zhuǎn)換)。此光的光量是對應(yīng)于入射的X射線的光量，因此，蓄積在各光電二極管的電信號成為對應(yīng)入射的X射線的光量。即在各光電二極管中可獲得對應(yīng)于X射線影像的各像素的亮度的電信號(以下，稱為各像素的影像信號)。通過移位寄存器部22、32而操作對應(yīng)各光電二極管的MOSFET，各光電二極管的電荷(對應(yīng)各像素的影像信號)通過未圖示的信號線而被讀出于增幅部23、33的電荷放大器，在被放大后，由焊盤部24、34而被送至對應(yīng)的配線基板11、12側(cè)的焊盤部，由未圖示的特定的電路被處理后，作為特定形式的影像數(shù)據(jù)信號而由輸出端子輸出?；诖溯敵鲂盘枺梢栽诒O(jiān)視器上表示X射線影像，且可以儲存于特定的存儲裝置而進行保存。本實施方式的放射線攝像裝置100為，光感應(yīng)部21、31被配置于裝置的周緣部附近，因此，可以直到乳房90的底部部分而進行攝像。而且，可以確保放射線攝像元件2、3本身的平板性，而且，使兩方的光感應(yīng)部21、31接近配置，因此，可對乳房90整體攝取沒有變形的精度高的X射線影像。另外，即使在魁梧女性的乳房X射線攝影時，也能由一次的放射線照射而良好地取得乳房90的由放射線得到的全體影像。因此，可以降低暴露量。而且，超過接近軀體的側(cè)壁而形成有保護膜26、36，其被夾于配線基板ll、12之間，所以可以確實防止由于與人體接觸而使保護膜26、36剝離，汗水或水分由接觸部分滲入而導(dǎo)致閃爍器25、35劣化。圖11是表示關(guān)于本發(fā)明的放射線攝像裝置的第2實施方式的剖面構(gòu)造圖(對應(yīng)第1實施方式的圖2)，圖12是該放射線攝像元件的邊界部分的放大圖。在此實施方式中，由放射線入射方向來看，放射線攝像元件2與放射線攝像元件3的端部重疊配置方面，與圖1圖3所示的第1實施方式不同。但是，個別的光感應(yīng)部21、31并不重疊，被配置于背面的放射線攝像元件3的光感應(yīng)部31被配置于不通過放射線攝像元件2所遮住的位置。如此配置兩攝像元件時，兩放射線攝像元件2、3的端部區(qū)域重疊，由此可使在光感應(yīng)部21、31間的邊界所產(chǎn)生的無效區(qū)域D的寬度減少至第1實施方式的一半程度。因此，可將兩者間的無效區(qū)域D減少至一半程度的2像素份以下，實質(zhì)上也可以設(shè)為0像素。圖13是表示關(guān)于本發(fā)明的放射線攝像裝置的第3實施方式的剖面構(gòu)造圖(對應(yīng)第1實施方式的圖2)，圖14是該放射線攝像元件的邊界部分的放大圖。此實施方式是第2實施方式的變形例，不同點為被配置于背面的放射線攝像元件3a的光感應(yīng)部31a不擴展至放射線攝像元件2側(cè)的周緣部，從光感應(yīng)部31a至端部之間，與其它的實施方式相比，可以設(shè)為比較寬的方面。此處，在被配置于前面的放射線攝像元件2中，至有效受光區(qū)域的端部，為了一面確保攝像特性，一面通過遮住其它的放射線攝像元件3a，使得所產(chǎn)生的無效區(qū)域D變小，需要將光感應(yīng)部21接近緣部而配置的同時，需要至端部形成均勻厚度的閃爍器25。因此，如前所述，優(yōu)選至側(cè)壁部分為止，大致均勻厚度連續(xù)形成閃爍器25，但是，需要在閃爍器25蒸鍍工序上下工夫，在大型的放射線攝像元件2的情形中，特別需要時間。但是，在被配置于背面的放射線攝像元件3a中，只要以光感應(yīng)部31a不通過被配置于前面的放射線攝像元件2所遮住的限度(兩光感應(yīng)部21、31a不重疊的限度內(nèi))使光感應(yīng)部31a接近放射線攝像元件2而配置即可，因此，不需要至側(cè)壁部分以大致均勻的厚度形成閃爍器35a，可保持兩端部而進行蒸鍍。因此，被配置于背面?zhèn)鹊姆派渚€攝像元件3a的制造工序可以簡略化。另外，在使大小不同的2個放射線攝像元件接近配置的情況中，通過增大配置于背面?zhèn)鹊姆派渚€攝像元件，可以容易地形成直到受光部的端部為止為均勻厚度的閃爍器，產(chǎn)品的良率可以進一步提升。在以上的說明中，作為保護膜26、36雖針對Palylene護膜做說明，但是，如在Palylene膜的表面設(shè)置由Al、Ag、Au等的金屬薄膜所形成的反射膜，則可將由閃爍器25、35所反射的光導(dǎo)入光感應(yīng)部21、31，可以獲得亮度高的影像。為了保護此金屬薄膜，也可以進一步在其背面施以Palylene膜等。另夕卜，也可以以樹脂等將保護膜26、36的周圍固定于Si基板20、30。另外，在上述實施方式中，作為閃爍器使用Csl(Tl)，但是，并不限定于此，也可以使用Csl(Na)、Nal(Tl)、Lil(Eu)、KI(Tl)等。另外，對于上述實施方式中的聚對二甲苯，除了聚對二甲苯以外，也包含聚單氯對二甲苯、聚二氯對二甲苯、聚四氯對二甲苯、聚氟對二甲苯、聚二甲基對二甲苯、聚二乙基對二甲苯等。在以上說明中，雖說明了組合配置2個攝像元件的例子，但是，組合3個以上的攝像元件而形成大畫面的攝像裝置時，本發(fā)明也可以合適地使用。此時，只要在鄰接的2個攝像元件間進行配置，使得上述的攝像元件間的關(guān)系成立即可。產(chǎn)業(yè)上的可利用性關(guān)于本發(fā)明的放射線攝像元件適合于乳房X射線攝影或胸部X射線攝影等的需要大畫面的放射線攝像元件。權(quán)利要求1.一種放射線攝像元件，其特征在于，具備固體攝像元件，該固體攝像元件通過樹脂的粘結(jié)件而固定在具有貫通孔的配線基板上。2.如權(quán)利要求1所述的放射線攝像元件，其特征在于，在所述固體攝像元件的受光面堆積有閃爍器。3.如權(quán)利要求2所述的放射線攝像元件，其特征在于，所述閃爍器被保護膜覆蓋。4.如權(quán)利要求3所述的放射線攝像元件，其特征在于，所述保護膜迂回至與所述固體攝像元件的受光面相反的一側(cè)的面，所述保護膜被夾于所述固體攝像元件和所述粘結(jié)件之間。5.—種放射線攝像裝置，其特征在于，具備如權(quán)利要求1~4中任一項所述的放射線攝像元件，所述配線基板形成有階差，在因所述階差而高度不同的面上，固定有其他固體攝像元件。6.如權(quán)利要求5所述的放射線攝像裝置，其特征在于，設(shè)置于所述階差的高的一方的面上的固體攝像元件的側(cè)面從所述階差突出。全文摘要在固定基臺(10)上配線基板(11)與(12)具有高低差地進行配置，其上安裝有各在光感應(yīng)部(21)、(31)之上堆積有閃爍器(25)、(35)的放射線攝像元件(2)、(3)。放射線攝像元件(2)被配置為其載置面比放射線攝像元件(3)的放射線入射面更為突出，另外，放射線攝像元件(2)的光感應(yīng)部(21)與放射線攝像元件(3)的光感應(yīng)部(31)，被接近配置為不重疊的程度。而且，放射線攝像元件(2)的光感應(yīng)部(21)延伸至放射線攝像元件(3)側(cè)的邊緣附近為止，而形成有直到該位置為大致均勻厚度的閃爍器(25)。文檔編號H01L31/09GK101552265SQ200910128468公開日2009年10月7日申請日期2005年5月10日優(yōu)先權(quán)日2004年5月11日發(fā)明者久嶋竜次,本田真彥,森治通,藤田一樹申請人:浜松光子學株式會社