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      高壓二極管新型生產(chǎn)工藝的制作方法

      文檔序號:7051422閱讀:282來源:國知局
      專利名稱:高壓二極管新型生產(chǎn)工藝的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及二極管的制造工藝,具體涉及高壓二極管的生產(chǎn)工藝 的改進。
      背景技術(shù)
      目前的高壓二極管的制造過程中,所使用的硅片為區(qū)熔單晶片、 硅片擴散后采取表面鍍鎳后再鍍金、銅引線采用表面鍍銀;這三種材 料因其制造工藝復(fù)雜、成本昂貴,導(dǎo)致高壓二極管的原材料費用高、 價格高。
      中國專利200680047677.4公開了一種集成高壓二極管及制 造方法,它主要提供了一種集成二極管的生產(chǎn)制造方法,利用這種方 法獲得的高壓集成二極管,成本高昂、市場價格難以下調(diào),導(dǎo)致市場 占有率低下,難以占有大量市場份額。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種高壓二極管新型生產(chǎn)工藝,它能大大降 低高壓二極管的生產(chǎn)成本,平均降低生產(chǎn)成本達到50%,可以大大降 低高壓二級管的市場價格,快速占領(lǐng)市場;也為環(huán)保、節(jié)能做出了大
      量的貢獻。為了解決背景技術(shù)所存在的問題,本發(fā)明是采用以下技術(shù)
      方案,高壓二極管的生產(chǎn)工藝包含以下工藝步驟1、硅片擴散;2、 鍍鎳;3、合金;4、切斷;5、硅塊腐蝕;6、焊接;7、堿腐蝕;8、 上膠;9、模壓;10、電鍍;11、測試。
      所述的步驟1硅片擴散采用直拉單晶片,采用直拉單晶片取代傳
      統(tǒng)技術(shù)的區(qū)熔單晶片,可以降低本道工序成本60%。
      所述的步驟2鍍鎳,采用表面鍍鎳擴散,采用表面鍍鎳擴散取代 面鍍鎳后鍍金硅擴散片,可以降低本道工序成本50%。所述的步驟6焊接,采用裸銅引線焊接,采用裸銅引線焊接代替 鍍銀焊接,由于銅的成本比銀的價格低很多,本道工序可以降低成本
      500/0。
      本發(fā)明中高壓二極管的生產(chǎn)過程中經(jīng)過改進,整體降低成本50%, 已經(jīng)完全克服技術(shù)上的難點,采用價格便宜的三種材料生產(chǎn)加工高壓 二極管。
      本發(fā)明能大大降低高壓二極管的生產(chǎn)成本,平均降低生產(chǎn)成本達 到50%,可以大大降低高壓二級管的市場價格,快速占領(lǐng)市場;也為 環(huán)保、節(jié)能做出了大量的貢獻。
      具體實施例方式
      具體實施方式
      采用以下技術(shù)方案高壓二極管的生產(chǎn)工藝包含 以下工藝步驟1、硅片擴散;2、鍍鎳;3、合金;4、切斷;5、硅 塊腐蝕;6、焊接;7、堿腐蝕;8、上膠;9、模壓;10、電鍍;11、測試。
      所述的步驟1硅片擴散采用直拉單晶片,采用直拉單晶片取代傳
      統(tǒng)技術(shù)的區(qū)熔單晶片,可以降低本道工序成本60%。
      所述的步驟2鍍鎳,采用表面鍍鎳擴散,采用表面鍍鎳擴散取代 面鍍鎳后鍍金硅擴散片,可以降低本道工序成本50%。
      所述的步驟6焊接,采用裸銅引線焊接,采用裸銅引線焊接代替 鍍銀焊接,由于銅的成本比銀的價格低很多,本道工序可以降低成本 50%。
      本發(fā)明中高壓二極管的生產(chǎn)過程中經(jīng)過改進,整體降低成本50%, 已經(jīng)完全克服技術(shù)上的難點,采用價格便宜的三種材料生產(chǎn)加工高壓 二極管。
      本發(fā)明能大大降低高壓二極管的生產(chǎn)成本,平均降低生產(chǎn)成本達 到50%,可以大大降低高壓二級管的市場價格,快速占領(lǐng)市場;也為 環(huán)保、節(jié)能做出了大量的貢獻。
      權(quán)利要求
      1、高壓二極管新型生產(chǎn)工藝,它的生產(chǎn)工藝步驟為1、硅片擴散;2、鍍鎳;3、合金;4、切斷;5、硅塊腐蝕;6、焊接;7、堿腐蝕;8、上膠;9、模壓;10、電鍍;11、測試;其特征在于所述的步驟1硅片擴散采用直拉單晶片。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓二極管新型生產(chǎn)工藝,其特征在 于所述的步驟2鍍鎳,采用表面鍍鎳擴散。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓二極管新型生產(chǎn)工藝,其特征在 于所述的步驟6焊接,采用裸銅引線焊接。
      全文摘要
      高壓二極管新型生產(chǎn)工藝,它涉及二極管的制造工藝,具體涉及高壓二極管的生產(chǎn)工藝的改進。本發(fā)明是采用以下技術(shù)方案,高壓二極管的生產(chǎn)工藝包含以下工藝步驟1.硅片擴散;2.鍍鎳;3.合金;4.切斷;5.硅塊腐蝕;6.焊接;7.堿腐蝕;8.上膠;9.模壓;10.電鍍;11.測試。所述的步驟1硅片擴散采用直拉單晶片,采用直拉單晶片取代傳統(tǒng)技術(shù)的區(qū)熔單晶片,可以降低本道工序成本60%。本發(fā)明中高壓二極管的生產(chǎn)過程中經(jīng)過改進,整體降低成本50%,已經(jīng)完全克服技術(shù)上的難點,采用價格便宜的三種材料生產(chǎn)加工高壓二極管。本發(fā)明能大大降低高壓二極管的生產(chǎn)成本,平均降低生產(chǎn)成本達到50%,可以大大降低高壓二級管的市場價格,快速占領(lǐng)市場;也為環(huán)保、節(jié)能做出了大量的貢獻。
      文檔編號H01L21/329GK101621003SQ20091018409
      公開日2010年1月6日 申請日期2009年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月13日
      發(fā)明者王志敏 申請人:王志敏
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