專利名稱：片式led金屬基板和片式led發(fā)光裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明專利涉及一種發(fā)光二極管(LED)技術(shù)，特別是涉及一種片式LED金屬基板和片式 LED發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著LED生產(chǎn)技術(shù)的不斷提高，LED應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，使得LED的亮度及光電穩(wěn)定特性 要求不斷提升。目前片式發(fā)光二極管生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，如中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮?01131330.7，申請(qǐng)日為2002年04月10日，發(fā)明名稱為片式發(fā)光二極管及其制造方法，包括具 備安裝在主印刷電路板的一個(gè)面一側(cè)的底座，從上述底座延伸并且貫通設(shè)置在主印刷電路板 上的孔而配置的本體部分，設(shè)置在該本體部分上而且在主印刷電路板的另一個(gè)面一側(cè)發(fā)光的 發(fā)光部分，在底座上設(shè)置與發(fā)光部分電連接的一對(duì)外部連接用電極，發(fā)光部分用樹(shù)脂密封塊 密封。在把底座安裝到主印刷電路板的背面一側(cè)時(shí)，配置發(fā)光部分使得與配置在主印刷電路 板上的液晶背照光的導(dǎo)光方向一致。片式發(fā)光二極管的制造方法是在一片集合電路基板上經(jīng) 過(guò)多個(gè)工序形成多個(gè)片式發(fā)光二極管，在最終的工序中分割集合電路基板使得制作一個(gè)個(gè)片 式發(fā)光二極管。
片式發(fā)光二極管以其優(yōu)越的性能得到廣泛的應(yīng)用，隨著應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Πl(fā)光效率以及使用壽 命的高水平要求， 一種以金屬作為芯片的承載基板的片式LED開(kāi)始出現(xiàn)。如申請(qǐng)?zhí)枮?00137787. 7的發(fā)明專利，公開(kāi)了一種"晶片式發(fā)光二極管及其制造方法"，涉及一種晶片 式發(fā)光二極管及其制造方法，它是于一金屬基板表面鍍銀，經(jīng)蝕刻后形成數(shù)個(gè)線架，該線架 于一端粘晶，并通過(guò)打線連接至相對(duì)另一端，進(jìn)行封膠后并進(jìn)行切割即構(gòu)成一晶片式發(fā)光二 極管，其裸露于底部的線架即構(gòu)成電氣接點(diǎn)。該發(fā)明專利提供了一種以金屬作為芯片承載基 板的發(fā)光二極管，散熱性能及產(chǎn)品壽命得到明顯提高。但封裝材料與基板之間的粘接強(qiáng)度、 基板封裝過(guò)程中容易產(chǎn)生變形、單體器件的可靠性等問(wèn)題并沒(méi)有得到良好的解決。此外，還有一種塑封引線框架式LED，其制造過(guò)程為采用金屬引線框架，沖壓后形成多 個(gè)單元，然后為每個(gè)單元注射封裝一塑料框架，再進(jìn)行LED芯片的封裝。其優(yōu)點(diǎn)在于發(fā)光強(qiáng) 度明顯優(yōu)越于普通片式LED，但制造成本高，生產(chǎn)工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種片式LED金屬基板，所述基板能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的容易 產(chǎn)生變形的問(wèn)題，本發(fā)明的基板具有兩個(gè)位置相對(duì)的上孔部和下孔部，兩個(gè)分別與上孔部、 下孔部?jī)?nèi)側(cè)相連的弓1線連接部， 一個(gè)連接上孔部所連的弓1線連接部的芯片安放部，兩個(gè)分別 與上孔部、下孔部外側(cè)相連的焊接部，以及兩個(gè)分別位于芯片安放部?jī)蓚?cè)并且連接上孔部、 下孔部的加強(qiáng)筋。該基板采用硬度高、韌性好的金屬材料制成。由于本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)在封 裝過(guò)程中，能夠承受合模壓力的影響而不變形。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種封裝材料與金屬基板牢固結(jié)合的片式LED發(fā)光裝置， 該發(fā)光裝置的基板上具有上孔部和下孔部，在模塑過(guò)程中，塑封材料穿過(guò)上、下孔部的穿孔 而將基板包裹起來(lái)，形成牢固的結(jié)合；同時(shí)，金屬基板上的加強(qiáng)筋在模壓封裝切割后殘留在 封裝器件內(nèi)部，從而增大了封裝膠體與基板的結(jié)合面積，使封裝材料與基板的結(jié)合更加牢固
本發(fā)明的再一個(gè)目的在于提供一種可靠性高的片式LED器件封裝結(jié)構(gòu)，該片式LED的基板 上的加強(qiáng)筋能夠固定上上孔部、下孔部及正、負(fù)電極的相對(duì)位置，S卩，在模壓封裝過(guò)程中， 該加強(qiáng)筋能夠保證基板的上、下孔部和正、負(fù)電極始終處于同一水平面上，確保了產(chǎn)品的可 靠性和一致性；此外，在LED芯片安放部同側(cè)的焊接部上表面印刷有油墨，在器件使用過(guò)程 中，該油墨層能夠防止由于高溫而融化的焊錫進(jìn)入器件封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部而破壞金屬引線等結(jié)構(gòu) ，從而有效地提高了器件的可靠性。
本發(fā)明的再一個(gè)目的在于提供一種金屬基板結(jié)構(gòu)制造方法以及利用該金屬基板結(jié)構(gòu)制造 高可靠性金屬基板片式LED發(fā)光裝置的制造方法。在該方法中，利用硬度高、韌性好的金屬 基板制備片式LED器件，并且通過(guò)在金屬基板上設(shè)置加強(qiáng)筋，并且使加強(qiáng)筋與上、下孔部連 接成一定弧度或者傾斜角度，從而使切割機(jī)沿垂直方向就能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)LED器件的分離，這種 方法不僅使工藝簡(jiǎn)單，而且提高了產(chǎn)品的一致性和可靠性，由此得到性能優(yōu)良、 一致性好的片式LED發(fā)光裝置；此外，該方法中利用金屬基板表面電鍍一層或者多層金屬的工藝，不僅 提高了發(fā)光裝置沖切斷面的可焊性和耐腐蝕性，同時(shí)提高了基板的反光效率，進(jìn)而提高了器 件的出光效率；另外，在該方法中，通過(guò)采用在芯片安放部同側(cè)的焊接部上表面印刷油墨的 工藝，不僅防止了由于高溫而融化的焊錫進(jìn)入器件封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部而破壞金屬引線的現(xiàn)象發(fā)生 ，提高了器件的可靠性，同時(shí)為下游應(yīng)用廠家后續(xù)工藝的操作提供了方便。


下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，其中
圖l (圖1A和1B)是本發(fā)明的金屬基板第一實(shí)施例的示意圖2 (圖2A和2B)是本發(fā)明的金屬基板第二實(shí)施例的示意圖3是本發(fā)明的片式LED發(fā)光裝置制造方法的流程圖4 (圖4A-4E)是圖3流程圖中模壓封裝后的片式LED發(fā)光裝置；
圖5 (圖5A-5D)是圖3流程圖的劃片切割步驟示意圖以及切割后的獨(dú)立片式LED發(fā)光裝置
附圖標(biāo)記
1、金屬基板；2、芯片；3、引線；4、封裝膠體；5、劃片機(jī)；11、基板單元；12、分 隔槽線；13、定位孔；14、切割基準(zhǔn)孔；111、上孔部；112、下孔部；113、引線連接部； 114、芯片安放部；115、焊接部；116、加強(qiáng)筋；117、加強(qiáng)筋剩余部；1101、小穿孔；1102 、條形穿孔；
具體實(shí)施例方式
根據(jù)上述附圖1和附圖2，對(duì)本發(fā)明的片式LED發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法作進(jìn)一步 說(shuō)明。
本實(shí)施例中，本發(fā)明金屬基板1結(jié)構(gòu)包括M行XN列的基板單元陣列，其中M、 N至少不同時(shí)等于l，在所述各基板單元行的兩側(cè)設(shè)置分隔槽線，共M+1條，將各基板單元行分隔，對(duì)應(yīng) 所述基板單元列的兩端部分別設(shè)有N+1個(gè)切割基準(zhǔn)孔，對(duì)應(yīng)于各基板單元列的側(cè)邊；如附圖1 、2所示的金屬基板1結(jié)構(gòu)，包括3行X7列的基板單元11陣列、4條分隔槽線12、 4個(gè)定位孔 13和16個(gè)切割基準(zhǔn)孔14。
如附圖l、附圖2、附圖5C所示的金屬基板1的基板單元結(jié)構(gòu)，基板單元ll設(shè)置有兩個(gè)位 置相對(duì)的上孔部111和下孔部112 ，兩個(gè)分別與上孔部111和下孔部112內(nèi)側(cè)相連的弓1線連接部 113， 一個(gè)連接上孔部111所連的引線連接部113的芯片安放部114，兩個(gè)分別與上孔部111和 下孔部112外側(cè)相連的焊接部115，以及兩個(gè)分別位于芯片安放部114兩側(cè)并且連接上孔部111 和下孔部112的加強(qiáng)筋116。
各個(gè)基板單元的上孔部111和下孔部112可設(shè)置有如附圖1所示的多個(gè)小穿孔1101，或者 如附圖2所示的一個(gè)條形穿孔1102。
除了本實(shí)施例的圖示外，芯片安放部114還可以設(shè)置有圓形或者方形的反射杯。 加強(qiáng)筋116與上孔部111和下孔部112的連接成一定弧度或一定角度。 分隔槽線12分別設(shè)置在各基板單元行的兩側(cè)，縱向分離各基板單元行的基板單元ll。 定位孔13設(shè)置在金屬帶材的四周。
對(duì)應(yīng)所述基板的各單元列兩側(cè)的端部分別設(shè)有切割基準(zhǔn)孔14，切割基準(zhǔn)孔14為長(zhǎng)窄形且 相互平行，并且與各加強(qiáng)筋列的位置相對(duì)應(yīng)。
所述金屬基板l外部鍍一層或多層金屬，如Ni、 Au、 Ag。
所述焊接部115上表面有一層油墨，油墨不覆蓋該焊接部115的邊緣與下表面。 根據(jù)附圖3-5所示，對(duì)本發(fā)明的基于上述金屬基板1的片式LED發(fā)光裝置及其制造方法作 進(jìn)一步說(shuō)明。
如附圖3所示，本實(shí)施例還公開(kāi)了一種基于上述金屬基板1結(jié)構(gòu)的片式LED發(fā)光裝置制造
方法，其步驟包括Sl、金屬基板沖切；S2、電鍍；S3、印刷油墨；S4、 LED芯片安放和引 線鍵合；S5、模壓封裝；S6、劃片切割；S7、測(cè)試包裝。其中，S3印刷油墨步驟是可選擇的 、非必須的步驟。
在S1金屬基板沖切步驟中，將金屬帶材通過(guò)沖切工藝形成M行XN列的基板單元陣列，M 、N至少不同時(shí)等于l，在所述各基板單元行的兩側(cè)設(shè)置有分隔槽線，共M+1條，將各基板單元行分隔，對(duì)應(yīng)所述基板單元列的兩端部分別設(shè)有N+1個(gè)切割基準(zhǔn)孔，對(duì)應(yīng)于各基板單元列 的側(cè)邊；參見(jiàn)圖4所示，形成的基板單元陣列為3行X7列，4條分隔槽線12、 4個(gè)定位孔13和 16個(gè)切割基準(zhǔn)孔14。
對(duì)于基板單元ll，通過(guò)沖切工藝形成兩個(gè)位置相對(duì)的上孔部111和下孔部112，兩個(gè)分 別與上孔部111和下孔部112內(nèi)側(cè)相連的引線連接部113， 一個(gè)連接上孔部111所連的引線連接 部113的芯片安放部114，兩個(gè)分別與上孔部111和下孔部112外側(cè)相連的焊接部115 ，以及兩 個(gè)分別位于芯片安放部114兩側(cè)并且連接上孔部111和下孔部112的加強(qiáng)筋116。
基板單元的上孔部111和下孔部112是通過(guò)沖切方式在金屬基板1上形成多個(gè)小穿孔1101 (如圖l所示)或者一個(gè)條形穿孔1102 (如圖2所示)。
在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中，所述芯片安放部114可以通過(guò)沖壓方法在上面形成圓形或者 方形反射杯。
所述分隔槽線12是通過(guò)沖切工藝形成的，分列在各基板單元行的兩側(cè)。 所述定位孔13通過(guò)沖切工藝形成在金屬基板1的四周；除了沖切工藝，定位孔13還可以 通過(guò)鉆孔工藝形成。
所述切割基準(zhǔn)孔14是通過(guò)沖切工藝在基板1上對(duì)應(yīng)所述基板單元列兩側(cè)邊的端部形成的 長(zhǎng)窄形穿孔，并且相互平行，與加強(qiáng)筋列的位置一一對(duì)應(yīng)。
在S2電鍍步驟中，將S1步驟完成后基板1置于鍍液(電或化學(xué)鍍液)中，在基板l外部鍍 一層或多層金屬，如Ni、 Au、 Ag (選一種)等，電鍍完成后清洗表面污漬，完成基板l的制 備。在基板上鍍金屬一方面提高沖斷面的可焊性和耐腐蝕性能，另一方面是提高基板的反光 效率，進(jìn)而提高器件的出光效率。
電鍍的過(guò)程中，整個(gè)基板l表面均鍍一層或多層金屬，與先電鍍后沖壓的方式相比，由 于基板單元陣列的行陣列與行陣列之間設(shè)置有分隔槽線，在鍍的過(guò)程中為發(fā)光裝置的焊接部 115兩側(cè)鍍了一層或多層金屬，提高了發(fā)光裝置沖切斷面的可焊性及耐腐蝕性能。
在S3印刷油墨步驟中，在與芯片安放同側(cè)的所述焊接部115上表面印刷一層油墨，油墨 不覆蓋該焊接部115的邊緣與下表面。
上述印刷油墨的目的在于，阻止在器件使用過(guò)程中焊錫順著銅箔流進(jìn)器件而破壞金線等 結(jié)構(gòu)，以確保器件可靠性，它是為考慮到下游應(yīng)用廠家采取的一些工藝而存在。因此整個(gè)工 序完成后，油墨不會(huì)抹去。在S4 LED芯片安放和引線鍵合步驟中，將LED芯片2用粘合劑固定于金屬基板1的芯片安 放部114，并采用金屬引線3連接芯片電極與基板上的引線連接部113，實(shí)現(xiàn)芯片電極與外部 電極的電氣連接。
在S5模壓封裝步驟中，是將上述半成品置于模具中心的模穴，從注膠口注入封裝膠體4 。封裝膠體4填充整個(gè)模穴，并同時(shí)加熱使之固化。
如附圖4A所示，封裝膠體4塑封在金屬基板1的上下兩側(cè)，覆蓋所述的芯片2、引線3、并 填充所述上孔部111和下孔部112的多個(gè)小穿孔1101，并且焊接部115保留在封裝膠體4的外面 ;所述封裝膠體4具有光學(xué)透鏡作用，其橫截面可為矩形(附圖4B、 4D)或者梯形(附圖4C 、4E)。
在S6劃片切割步驟中，如附圖5A所示，劃片機(jī)5沿所述切割基準(zhǔn)孔14將金屬基板1分割成 為M行XN列個(gè)獨(dú)立的片式LED發(fā)光裝置，如附圖5B所示。
如附圖5C和附圖5D所示，在所述切割過(guò)程中，所述基板單元11兩側(cè)的加強(qiáng)筋116被切斷 ，實(shí)現(xiàn)器件單元的正負(fù)極分離，遺留在基板單元11上的為加強(qiáng)筋剩余部117;所述加強(qiáng)筋剩 余部117與上孔部111和下孔部112的連接成一定弧度或一定傾斜角度。
在S7測(cè)試包裝步驟中，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試、編帶，完成產(chǎn)品的制造過(guò)程，由此可以得到性 能優(yōu)良、 一致性好的片式LED發(fā)光裝置。
根據(jù)上述附圖4、附圖5所示，本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例是根據(jù)上述實(shí)施例的金屬基板結(jié)構(gòu) 和LED發(fā)光裝置的制造方法制造的片式LED發(fā)光裝置。在本實(shí)施例中，所述片式LED發(fā)光裝置 的結(jié)構(gòu)包括一金屬基板l、至少一個(gè)安放在所述金屬基板上的芯片2、連接所述芯片2與金屬 基板1的金屬引線3，以及覆蓋金屬基板1的封裝膠體4;其中所述金屬基板l的結(jié)構(gòu)如上述實(shí) 施例所述的基板結(jié)構(gòu)，包括有兩個(gè)位置相對(duì)的上孔部l 1 l和下孔部l 12，上孔部l 1 l和下孔部 112設(shè)置有至少1個(gè)穿孔，兩個(gè)分別與上孔部111和下孔部112內(nèi)側(cè)相連的引線連接部113， 一 個(gè)連接上孔部111所連的引線連接部113的芯片安放部114，兩個(gè)分別與上孔部111和下孔部 112外側(cè)相連的焊接部115，加強(qiáng)筋剩余部和涂覆在所述焊接部115表面的油墨。所述加強(qiáng)筋 剩余部是加強(qiáng)筋在分割工序中被切斷的余留部分，實(shí)現(xiàn)器件單元的正負(fù)極分離；所述加強(qiáng)筋 剩余部分別與上孔部111和下孔部112的連接成一定弧度或一定傾斜角度。所述封裝膠體4封 裝在金屬基板的上下兩側(cè)，覆蓋所述的芯片2、引線3，并填充在大、小孔部的穿孔內(nèi)。
顯而易見(jiàn)，在此描述的本發(fā)明可以有許多變化，這種變化不能認(rèn)為偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，所有對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的改變，都包括在本權(quán)利要求書(shū)的涵蓋范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬基板(1)結(jié)構(gòu)由基板單元(11)組成，所述基板單元(11)結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)位置相對(duì)的上孔部(111)和下孔部(112)，兩個(gè)分別與上孔部(111)和下孔部(112)內(nèi)側(cè)相連的引線連接部(113)，一個(gè)連接上孔部(111)所連的引線連接部(113)的芯片安放部(114)，兩個(gè)分別與上孔部(111)和下孔部(112)外側(cè)相連的焊接部(115)，以及兩個(gè)分別位于芯片安放部?jī)蓚?cè)并且連接上孔部(111)和下孔部(112)的加強(qiáng)筋(116)。
2 如權(quán)利要求1所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述基板單元(11)的上孔部(111)和下孔部(112)分別至少有一個(gè)穿孔。
3 如權(quán)利要求1所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述基板單元(11)的芯片安放部(114)有圓形或者方形反射杯。
4 如權(quán)利要求1所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 加強(qiáng)筋與上孔部(111)和下孔部(112)的連接成一定弧度或一定傾斜角度。
5 如權(quán)利要求1所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述金屬基板(1)還包括對(duì)應(yīng)所述基板單元(11)上孔部(111)和下孔部(112)兩側(cè)的 金屬基板(1)端部的切割基準(zhǔn)孔(14)，并且與所述加強(qiáng)筋(116)的位置相對(duì)應(yīng)。
6 如權(quán)利要求5所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述切割基準(zhǔn)孔(14)設(shè)置為長(zhǎng)窄形且相互平行。
7.如權(quán)利要求1所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述金屬基板(1)結(jié)構(gòu)還包括在所述金屬帶材四周的定位孔(13)。
8.如權(quán)利要求1所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述金屬基板(1)結(jié)構(gòu)具有M行XN列個(gè)所述基板單元(11) ， M、 N至少不同時(shí)等于l;在所述 各基板單元行的兩側(cè)設(shè)置分隔槽線(12)，共M+1條，將各基板單元行分隔，對(duì)應(yīng)所述基板 單元列的兩端部分別設(shè)有N+1個(gè)切割基準(zhǔn)孔，對(duì)應(yīng)于各基板單元列的側(cè)邊。
9.如權(quán)利要求1至8所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于 :所述金屬基板(1)表面鍍有一層或多層金屬。
10.如權(quán)利要求9所述的片式LED金屬基板(1)結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述焊接部(115)上表面有一層油墨，油墨不覆蓋該焊接部(115)的邊緣與下表面。
11.一種片式LED發(fā)光裝置的制造方法，其包括下列加工步驟a) 金屬基板(1)沖切步驟:將金屬帶材通過(guò)沖切工藝形成基板單元，包括形成有兩個(gè) 位置相對(duì)的上孔部(111)和下孔部(112)，兩個(gè)分別與上孔部(111)和下孔部(112)內(nèi) 側(cè)相連的引線連接部(113)， 一個(gè)連接上孔部所連的引線連接部(113)的芯片安放部( 114)，兩個(gè)分別與上孔部(111)和下孔部(112)外側(cè)相連的焊接部(115)，以及兩個(gè)分 別位于芯片安放部(114)兩側(cè)并且連接上孔部(111)和下孔部(112)的加強(qiáng)筋(116)， 所述加強(qiáng)筋(116)與上孔部(111)和下孔部(112)連接成一定弧度或一定傾斜角度，在 對(duì)應(yīng)所述上孔部(111)和下孔部(112)兩側(cè)的金屬基板(1)端部形成切割基準(zhǔn)孔(14)， 所述切割基準(zhǔn)孔(14)與所述加強(qiáng)筋(116)的位置相對(duì)應(yīng)；b) 電鍍步驟將基板置于鍍液中，在基板外部鍍一層或多層金屬；c)芯片安放和引線 鍵合步驟將LED芯片用粘合劑固定于金屬基板(1)的芯片安放部(114)，并采用金屬引 線(3)連接芯片電極與基板上的引線連接部(113)，實(shí)現(xiàn)芯片電極與外部電極的電氣連接d)模壓封裝步驟將封裝膠體塑封在金屬基板(1)的上下兩側(cè)，覆蓋所述的芯片、引 線、并填充所述上孔部(111)和下孔部(112)的穿孔，并且焊接部(115)保留在膠體的 外面；e) 劃片切割步驟，沿切割基準(zhǔn)孔(14)分別將所述基板單元的加強(qiáng)筋(116)與上孔部 (111)和下孔部(112)的連接切割分離，使遺留在所述基板單元的加強(qiáng)筋剩余部(117)僅與上孔部(111)或者下孔部(112)連接。f) 測(cè)試包裝步驟:該步驟對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試、編帶，完成產(chǎn)品的制造過(guò)程。
12 如權(quán)利要求11所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述a)金屬基板(1)沖切步驟沖切出的基板單元的上孔部(111)和下孔部(112)上 分別形成有至少一個(gè)穿孔。
13 如權(quán)利要求11所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述a)金屬基板(1)沖切步驟還包括通過(guò)沖壓方法在所述芯片安放部上面形成圓形或 者方形反射杯。
14 如權(quán)利要求11所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述切割基準(zhǔn)孔沖切為長(zhǎng)窄形且相互平行。
15 如權(quán)利要求11所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述a)金屬基板(1)沖切步驟還包括在所述金屬帶材四周通過(guò)沖切工藝形成定位孔
16 如權(quán)利要求11所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述a)金屬基板(1)沖切步驟還包括在所述金屬帶材內(nèi)通過(guò)沖切工藝形成M行XN列 個(gè)基板單元，M、 N至少不同時(shí)等于l;在所述各基板單元行的兩側(cè)有l(wèi)條槽線，共M+1條，將 各基板單元行分隔，對(duì)應(yīng)所述基板單元列的兩端部分別設(shè)有N+1個(gè)切割基準(zhǔn)孔，對(duì)應(yīng)于各基 板單元列的側(cè)邊。
17 如權(quán)利要求11所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述b)電鍍步驟在基板外部鍍的金屬是Ni、 Au、 Ag。
18 如權(quán)利要求11所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在于在所述b)電鍍步驟完成后，還有印刷油墨的工藝步驟，在與芯片安放同側(cè)的所述焊接部 上表面印刷一層油墨，油墨不覆蓋該焊接部的邊緣與下表面。
19. 如權(quán)利要求18所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述c)芯片安放和引線鍵合步驟是在基板沖壓、電鍍、印刷油墨完成后直接進(jìn)行。
20. 如權(quán)利要求11至19所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特 征在于所述d)模壓封裝步驟包括將完成了上述工藝步驟的半成品至于模具中心的模穴，從 注膠口注入封裝膠體，封裝膠體填充整個(gè)模穴，并同時(shí)加熱使之固化。
21. 如權(quán)利要求20所述的一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，其特征在 于所述e)劃片切割步驟還包括在切割過(guò)程中，劃片機(jī)沿所述切割基準(zhǔn)孔將陣列的基板單元 分割成為MXN個(gè)獨(dú)立的片式LED發(fā)光裝置。
22. 一種利用上述片式LED發(fā)光裝置制造方法所制造的片式LED發(fā)光裝 置，包括 一金屬基板(1)、至少一個(gè)安放在所述金屬基板(1)上的芯片(2)、連接所 述芯片(2)與金屬基板(1)的金屬引線(3)，以及覆蓋金屬基板(1)的封裝膠體(4) ;其中所述金屬基板(1)包括有兩個(gè)位置相對(duì)的上孔部(111)和下孔部(112)，兩個(gè)分 別與上孔部(111)和下孔部(112)內(nèi)側(cè)相連的引線連接部(113)， 一個(gè)連接上孔部(111 )所連的引線連接部(113)的芯片安放部(114)，兩個(gè)分別與上孔部(111)和下孔部( 112)外側(cè)相連的焊接部(115)，加強(qiáng)筋剩余部(117)和涂覆在所述焊接部(115)表面的 油墨。
23. 如權(quán)利要求11所述的片式LED發(fā)光裝置，其特征在于所述上孔部 (111)和下孔部(112)設(shè)置有至少l個(gè)穿孔。
24. 如權(quán)利要求11所述的片式LED發(fā)光裝置，其特征在于所述加強(qiáng)筋 剩余部(117)是加強(qiáng)筋(116)在分割工序中被切斷的余留部分，實(shí)現(xiàn)器件單元的正負(fù)極分 離；所述加強(qiáng)筋剩余部分(117)別與上孔部(111)和下孔部(112)的連接成一定弧度或 一定傾斜角度。
25.如權(quán)利要求11所述的片式LED發(fā)光裝置，其特征在于所述封裝膠 體(4)封裝在金屬基板(1)的上下兩側(cè)，覆蓋所述的芯片、引線、并填充在大、小孔部的 穿孔內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種片式LED金屬基板和片式LED發(fā)光裝置及其制造方法。本發(fā)明的基板由基本單元組成，所述基本單元具有兩個(gè)位置相對(duì)的上孔部和下孔部，兩個(gè)分別與上孔部、下孔部?jī)?nèi)側(cè)相連的引線連接部，一個(gè)連接上孔部所連的引線連接部的芯片安放部，兩個(gè)分別與上孔部、下孔部外側(cè)相連的焊接部，以及兩個(gè)分別位于芯片安放部?jī)蓚?cè)并且連接上孔部、下孔部的加強(qiáng)筋。本發(fā)明還涉及一種片式LED發(fā)光裝置制造方法，所述方法的步驟包括金屬基板沖切、電鍍、印刷油墨、LED芯片安放和引線鍵合、模壓封裝、劃片切割、測(cè)試包裝，本發(fā)明還包括上述金屬基板和上述方法制造的片式LED發(fā)光裝置。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，而且提高了產(chǎn)品的一致性和可靠性，所制造的片式LED發(fā)光裝置產(chǎn)品性能優(yōu)良、一致性好的。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101630716SQ20091030568
公開(kāi)日2010年1月20日 申請(qǐng)日期2009年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月17日
發(fā)明者余彬海, 李軍政, 梁麗芳, 潘利兵, 龍孟華 申請(qǐng)人:佛山市國(guó)星光電股份有限公司