專利名稱：：半導(dǎo)體芯片封裝及方形扁平無引腳封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體芯片封裝及方形扁平無引腳封裝。
背景技術(shù)：
：低引腳數(shù)芯片封裝(low-pin-countchippackage)因其是低價(jià)格方案而流行，且因?yàn)榈鸵_數(shù)芯片封裝的成本低于細(xì)微間距球柵陣列封裝(ThinandFinepitchBallGridArray,TFBGA)而廣泛應(yīng)用于本產(chǎn)業(yè)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的加快改進(jìn)，操作速度及相應(yīng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度不斷提高。為響應(yīng)改進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)的需要，需要高效的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，例如高密度封裝(high-densitypackaging)。方形扁平無引腳(QuadFlatNon-lead，以下簡稱為QFN)封裝是一種流行的低引腳數(shù)高密度封裝類型。因?yàn)镼FN封裝具有相對(duì)較短的信號(hào)導(dǎo)線(signaltrace)及較快信號(hào)傳輸速度，QFN封裝已成為低引腳數(shù)芯片封裝的主流且適合于高頻芯片封裝。圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的QFN封裝100的剖面圖(cross-sectionalview)。圖2為圖1所示的QFN封裝100的底視圖(bottomview)。如圖1和圖2所示，QFN封裝100包括附著(attached)于裸芯片焊盤(diepad)150的芯片(chip)110；多個(gè)內(nèi)連接焊盤(innerconnectionpads)160’，被配置于裸芯片焊盤150的外圍周圍，和多個(gè)外連接焊盤(outerconnectionpads)160”，被配置于內(nèi)連接焊盤160，的周圍。在芯片110的活性表面(activesurface)設(shè)置多個(gè)鍵合焊盤(bondingpads)112且鍵合焊盤112通過金絲114電連接至相應(yīng)的內(nèi)連接焊盤160’和外連接焊盤160”。封裝體(packagebody)120囊封(encapsulate)芯片110、金絲114、裸芯片焊盤150的上部分、以及內(nèi)連接焊盤160’和外連接焊盤160”的每一個(gè)的上部分160a，這樣，內(nèi)連接焊盤160’和外連接焊盤160”的每一個(gè)的下部分160b從封裝體120的底部向外延伸。從圖2更易看出，一般的，當(dāng)從QFN封裝100的底部觀察時(shí)，內(nèi)連接焊盤160’和外連接焊盤160”具有圓形形狀。上述QFN封裝100的不利點(diǎn)(drawback)之一為當(dāng)內(nèi)連接焊盤160’和外連接焊盤160”的間距變更窄時(shí)，難以避免(inevitable)使用具有更細(xì)微的導(dǎo)線寬度的印刷電路板(PrintedCircuitBoard，以下簡稱為PCB)。因此，成本增加。圖3顯示用于圖1所示的QFN封裝100的PCB的部分布線設(shè)計(jì)(tracelayout)的示意圖。例如，當(dāng)使用的設(shè)計(jì)規(guī)則包括0.5mm的間距(pitch，P)，及0.27mm的圓形焊盤直徑(circlepaddiameter,C)時(shí)，需要使用具有細(xì)微的導(dǎo)線寬度(width,W)為3mil的PCB。通常具有3mil導(dǎo)線寬度的PCB的成本比具有4mil導(dǎo)線寬度的PCB的成本高出約5%-10%。為降低成本，業(yè)界希望使用具有較大導(dǎo)線寬度的PCB。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明特提供半導(dǎo)體芯片封裝及方形扁平無引腳封裝。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括芯片、多個(gè)內(nèi)連接焊盤、多個(gè)外連接焊盤、多個(gè)鍵合焊盤以及封裝體。內(nèi)連接焊盤，被配置于芯片的外圍周圍；外連接焊盤，被配置于內(nèi)連接焊盤和半導(dǎo)體芯片封裝的外圍之間，其中，當(dāng)從半導(dǎo)體芯片封裝的底部觀察時(shí)，外連接焊盤其中之一具有橢圓形形狀；鍵合焊盤，被設(shè)置于芯片的活性表面之上，且鍵合焊盤通過多個(gè)鍵合線電連接至相應(yīng)的內(nèi)連接焊盤和外連接焊盤；封裝體，用以囊封芯片、內(nèi)連接焊盤和外連接焊盤的每一個(gè)的上部分及鍵合線，這樣，內(nèi)連接焊盤和外連接焊盤的每一個(gè)的下部分從封裝體的底部向外延伸。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種方形扁平無引腳封裝，包括芯片、多個(gè)第一和第二連接焊盤、多個(gè)鍵合焊盤以及封裝體。第一和第二連接焊盤，被排列為矩陣，且被配置于芯片周圍，其中，當(dāng)從方形扁平無引腳封裝的底部觀察時(shí)，第一和第二連接焊盤具有不同底面形狀；鍵合焊盤，被設(shè)置于芯片的活性表面之上，且鍵合焊盤通過鍵合線電連接至相應(yīng)的第一和第二連接焊盤；封裝體，用以囊封芯片、第一和第二連接焊盤的每一個(gè)的上部分及鍵合線，這樣，第一和第二連接焊盤的每一個(gè)的下部分從封裝體的底部向外延伸。在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括芯片、多個(gè)內(nèi)連接焊盤、多個(gè)外連接焊盤、多個(gè)鍵合焊盤以及封裝體。內(nèi)連接焊盤，被配置于芯片的外圍周圍；外連接焊盤，被配置于內(nèi)連接焊盤和芯片的外圍之間，其中當(dāng)從半導(dǎo)體芯片封裝的底部觀察時(shí)，外連接焊盤其中之一具有矩形形狀且具有長邊和短邊；鍵合焊盤，被設(shè)置于芯片的活性表面之上，且鍵合焊盤通過鍵合線電連接至相應(yīng)的內(nèi)連接焊盤和外連接焊盤；封裝體，用以囊封芯片、內(nèi)連接焊盤和外連接焊盤的每一個(gè)的上部分及鍵合線，這樣，內(nèi)連接焊盤和外連接焊盤的每一個(gè)的下部分從封裝體的底部向外延伸。本發(fā)明通過所提供的半導(dǎo)體芯片封裝及方形扁平無引腳封裝，可用于具有較大導(dǎo)線寬度的PCB，降低PCB的成本。圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的QFN封裝的剖面圖。圖2為圖1所示的QFN封裝的底視圖。圖3顯示用于圖1所示的QFN封裝的PCB的部分布線設(shè)計(jì)的示意圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝的剖面圖。圖5為圖4所示的QFN封裝的底視圖。圖6為特別用于圖4的QFN封裝的PCB的一部分布線設(shè)計(jì)的示意圖。圖7為根據(jù)符合本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝的底視圖。圖8為符合本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝的底視圖的示意圖。圖9為特別用于圖8所示的QFN封裝的PCB的部分布線設(shè)計(jì)的示意圖。圖10為符合本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝的底視圖的示意圖。具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明之上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施方式，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。應(yīng)注意，以下所述實(shí)施方式僅用以例示本發(fā)明的目的，其并非本發(fā)明的限制。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。圖4為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝200的剖面圖。圖5為圖4所示的QFN封裝200的底視圖。如圖4和圖5所示，QFN封裝200包括附著于裸芯片焊盤250的芯片210；多個(gè)內(nèi)連接焊盤260，被配置于裸芯片焊盤250的外圍周圍；多個(gè)中間連接焊盤(middleconnectionpads)260’，被配置于內(nèi)連接焊盤260的周圍，以及多個(gè)外連接焊盤260”，被配置于中間連接焊盤260，的周圍。芯片210可通過傳導(dǎo)性粘合層(conductiveadhesivelayer)或者非傳導(dǎo)性粘合層(nonconductiveadhesivelayer)附著于裸芯片焊盤250，其中非傳導(dǎo)性粘合層例如為環(huán)氧樹脂(印oxy)。應(yīng)可理解，在某些情況下，裸芯片焊盤250可被省略，這樣，僅芯片210的底面從QFN封裝200的底部被暴露。也應(yīng)可理解，圍繞(encompass)裸芯片焊盤250的內(nèi)連接焊盤260的安排是范例的。在某些情況下，可以省略一些內(nèi)連接焊盤260。從圖5更易看出，多個(gè)內(nèi)連接焊盤260被配置為環(huán)繞裸芯片焊盤250。多個(gè)外連接焊盤260”被沿著QFN封裝200的四個(gè)外圍邊(即外圍)配置。中間連接焊盤260’被配置于多個(gè)內(nèi)連接焊盤260和多個(gè)外連接焊盤260”之間。在本實(shí)施方式中，裸芯片焊盤250、內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’、外連接焊盤260”設(shè)有第一金屬涂層(coating)，其中第一金屬涂層允許接合(bond)和鍵合線(bondingwires)214—起被形成。例如，第一金屬涂層可包括鎳(nickel)層224以及金層222。應(yīng)可理解，金層222也可為鈀(palladium)層。鎳層224覆蓋(cover)裸芯片焊盤250、內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260，、外連接焊盤260”的上部表面。金層222覆蓋鎳層224。裸芯片焊盤250、內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260，、外連接焊盤260”的下部表面被第二金屬涂層覆蓋。第二金屬涂層可包括鎳層234以及金層232。應(yīng)可理解，金層232也可為鈀層。鎳層234覆蓋裸芯片焊盤250、內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的下部表面。金層232覆蓋鎳層234。第二金屬涂層防止裸芯片焊盤250、內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’、外連接焊盤260”的下部表面受到腐蝕(corrosion)或者污染(contamination),因此，保證輝點(diǎn)可靠性(solder-jointreliability)。在芯片210的活性表面設(shè)置多個(gè)鍵合焊盤212且鍵合焊盤212通過鍵合線214，例如金絲電連接至相應(yīng)的內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”。封裝體220囊封芯片210，鍵合線214，裸芯片焊盤250的上部分，以及內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的上部分260a，這樣，內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的下部分260b從封裝體220的底部向外延伸。封裝體220可通過現(xiàn)有技術(shù)的塑料成型(plasticmolding)方法例如傳遞模塑(transfermolding)或者其它可用成型方法形成。QFN封裝200可被安放于基板例如PCB或者母板(motherboard)例如其它無引線(Ieadless)裝置上。例如，相應(yīng)于從QFN封裝200的底面被暴露的內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260，和外連接焊盤260”的樣式的焊膏(solderpaste)樣式被絲網(wǎng)印刷(screenprinted)在PCB之上。QFN封裝200接著被定位(positioned)于PCB并且焊接劑被通過現(xiàn)有技術(shù)的表面貼裝技術(shù)(surfacemounttechnology)回流(reflowed)。從圖5更易看出，當(dāng)從QFN封裝200的底部觀察時(shí)，中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)具有橢圓形形狀，而當(dāng)從QFN封裝200的底部觀察時(shí)，內(nèi)連接焊盤260的每一個(gè)具有圓形形狀。在另一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)從QFN封裝200的底部觀察時(shí)，所有內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”可具有橢圓形形狀。應(yīng)可理解，在本發(fā)明的上下文中，術(shù)語“橢圓”貫穿于其中，“橢圓”可指包括真實(shí)(truly)橢圓形的形狀，即具有直的(straight)平行(或者稍微偏離)邊，通過半圓(或者其片斷)覆蓋兩端(ends)的輪廓(outline)，也可意指為包括那些外表上為橢圓形或者卵形的形狀。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，當(dāng)從QFN封裝200的底部觀察時(shí)，僅從封裝體220的底部向外延伸的中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的下部分260b，具有橢圓形形狀。當(dāng)從QFN封裝200的底部觀察時(shí)，中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的上部分260a，具有圓形形狀。以此方式，中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的上部分260a的一部分(section)被從QFN封裝200的底部暴露。然而，在另一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)從QFN封裝200的底部觀察時(shí)，中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的上部分260a和下部分260b二者均可具有相同的橢圓形形狀。如圖5所示，當(dāng)從QFN封裝200的底部觀察時(shí)，中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的橢圓形下部分260b具有長軸和短軸。中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”被沿著芯片210的外邊沿安排，這樣，中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的橢圓形下部分260b的長軸大體上被指示于相對(duì)于芯片210的中心的半徑方向上。然而，應(yīng)可理解，在某些情況下，中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的每一個(gè)的橢圓形下部分260b的長軸可大體上垂直于芯片210的外邊沿。根據(jù)本實(shí)施方式，內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”被安排為具有單一間距265的矩陣，所述的矩陣關(guān)于芯片210的中心輻射對(duì)稱(radiallysymmetrical)。使用本實(shí)施方式的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，PCB的成本明顯降低。圖6為特別用于圖4的QFN封裝200的PCB的一部分布線設(shè)計(jì)(layout)的示意圖。為簡潔起見，僅繪示相應(yīng)于圖5的虛線(dashedline)區(qū)380所特別指出的兩個(gè)內(nèi)連接焊盤260、兩個(gè)中間連接焊盤260’和兩個(gè)外連接焊盤260”的六個(gè)焊接劑球焊盤(solderballlands)381、382、383、384、385、386。如圖6所示，因?yàn)閮?nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”被安排為具有單一間距的矩陣，PCB之上的焊接劑球焊盤381-386也具有單一間距(以P表示)。例如，焊接劑球焊盤381的中心和焊接劑球焊盤382的中心之間的距離等于焊接劑球焊盤383的中心和焊接劑球焊盤384的中心之間的距離。焊接劑球焊盤383-386具有相應(yīng)于虛線區(qū)380之內(nèi)的中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的形狀的橢圓形形狀結(jié)構(gòu)(configuration)。焊接劑球焊盤383-386的每一個(gè)均具有長軸(majoraxis,以A表示)及短軸(minoraxis,以B表示)。根據(jù)本實(shí)施方式，當(dāng)使用的設(shè)計(jì)規(guī)則包括0.5mm的間距(P)、0.27mm的圓形焊盤直徑(以C表示)、0.27mm的長軸(A)、0.19mm的短軸時(shí)(B)，4mil的導(dǎo)線寬度(W)是可允許的(在此種情況下，焊接劑球焊盤383和384之間的距離D，例如，為大約0.31mm)。在另一個(gè)實(shí)施方式中，在兩個(gè)鄰近的焊接劑球焊盤383和384之間也可能排布(route)兩條3mil的導(dǎo)線，因?yàn)楫?dāng)和現(xiàn)有技術(shù)相比時(shí)，兩個(gè)鄰近的焊接劑球焊盤383和384之間的空間(space)，即距離D，增加。內(nèi)連接焊盤260、中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”被安排為具有單一間距265的矩陣，并且中間連接焊盤260’和外連接焊盤260”的空間大于中間連接焊盤260’和內(nèi)連接焊盤260的空間也是本實(shí)施方式的一個(gè)密切特性。應(yīng)可注意，在一個(gè)范例中，PCB之上的焊接劑球焊盤383-386的每一個(gè)的長軸可稍微大于焊接劑球焊盤381和382的每一個(gè)的圓形焊盤直徑，這樣，焊接劑球焊盤383-386的7每一個(gè)的表面區(qū)域大體上等于焊接劑球焊盤381和382的每一個(gè)的表面區(qū)域。通過這樣，焊接劑球的每一個(gè)的接觸表面區(qū)域可大體上相等。焊接劑球和焊接劑球焊盤之間的連接強(qiáng)度(jointstrength)由接觸表面區(qū)域(contactsurfacearea)決定。通過為相等尺寸的焊接劑球提供大體上相同的接觸表面區(qū)域，PCB之上可避免不需要的焊接劑溢出(overflow)。然而，以上描述的方式并不是本發(fā)明的限制。在另一些情況下，外連接焊盤的每一個(gè)的底面區(qū)域可小于或者等于內(nèi)連接焊盤的每一個(gè)的底面區(qū)域。圖7為根據(jù)符合本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝200a的底視圖，其中相似數(shù)值的標(biāo)號(hào)代表相似的層(layers)，區(qū)域(regions)或者元件(elements)。如圖7所示，QFN封裝200a包括裸芯片焊盤250以接收芯片(圖7中未示出)；多個(gè)內(nèi)連接焊盤360，被配置于裸芯片焊盤250的外圍周圍；多個(gè)中間連接焊盤360’，被配置于內(nèi)連接焊盤360的周圍；多個(gè)外連接焊盤360”，被配置于中間連接焊盤360’的周圍。封裝體220囊封裸芯片焊盤250的上部分，內(nèi)連接焊盤360、中間連接焊盤360’和外連接焊盤360”的每一個(gè)的上部分360a，這樣，內(nèi)連接焊盤360、中間連接焊盤360’和外連接焊盤360”的每一個(gè)的下部分360b從封裝體220的底部向外延伸。當(dāng)從QFN封裝200a的底部觀察時(shí)，中間連接焊盤360’和外連接焊盤360”的每一個(gè)的下部分360b具有矩形形狀，具有長邊(longside)和短邊(shortside)，且當(dāng)從QFN封裝200a的底部觀察時(shí)，內(nèi)連接焊盤360的每一個(gè)具有正方形形狀。在本實(shí)施方式中，在QFN封裝200a的底部的四個(gè)角落390，連接焊盤362(通過虛線區(qū)表示)的每一個(gè)的形狀和內(nèi)連接焊盤360的每一個(gè)的形狀保持相同。在一個(gè)范例中，在QFN封裝200a的底部的四個(gè)角落390的連接焊盤362的每一個(gè)的尺寸未被調(diào)整，并大體上和內(nèi)連接焊盤360的每一個(gè)的尺寸相同。圖8為符合本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝200b的底視圖的示意圖，其中相似數(shù)值的標(biāo)號(hào)代表相似的層，區(qū)域或者元件。如圖8所示，同樣地，QFN封裝200b包括裸芯片焊盤250以接收芯片(圖8中未示出)，多個(gè)內(nèi)連接焊盤460，被配置于裸芯片焊盤250的外圍周圍；多個(gè)中間連接焊盤460’，被配置于內(nèi)連接焊盤460的周圍；多個(gè)外連接焊盤460”，被配置于中間連接焊盤460，的周圍。內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”被安排為交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(staggeredconfiguration)。封裝體220囊封裸芯片焊盤250的上部分，內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的上部分460a，這樣，內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的下部分460b從封裝體220的底部向外延伸。當(dāng)從QFN封裝200b的底部觀察時(shí)，中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的下部分460b具有橢圓形形狀，并且當(dāng)從QFN封裝200b的底部觀察時(shí)，內(nèi)連接焊盤360的每一個(gè)具有圓形形狀。QFN封裝200b具有對(duì)角線400且中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的下部分460b的長軸被指示為平行于對(duì)角線400。根據(jù)本實(shí)施方式，內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460’和外連接焊盤460”被安排為具有單一間距的矩陣，所述的矩陣關(guān)于芯片210的中心輻射對(duì)稱。圖9為特別用于圖8所示的QFN封裝200b的PCB的部分布線設(shè)計(jì)的示意圖。為簡潔起見，僅繪示出相應(yīng)于通過圖8的虛線區(qū)480特別指出的兩個(gè)內(nèi)連接焊盤460、兩個(gè)中間連接焊盤460，和兩個(gè)外連接焊盤460”的六個(gè)焊接劑球焊盤481、482、483、484、485、486。如圖9所示，PCB之上的焊接劑球焊盤481-486也具有單一間距⑵。例如，焊接劑球焊盤8481的中心和鄰近的焊接劑球焊盤483的中心之間的距離等于焊接劑球焊盤484的中心和鄰近的焊接劑球焊盤485的中心之間的距離。在虛線區(qū)480之內(nèi)，焊接劑球焊盤483-486具有相應(yīng)于中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的形狀的橢圓形形狀結(jié)構(gòu)。焊接劑球焊盤483-486的每一個(gè)均具有長軸及短軸。根據(jù)本實(shí)施方式，當(dāng)使用的設(shè)計(jì)規(guī)則包括0.5mm的間距(P)、0.27mm的圓形焊盤直徑、0.27mm的長軸、0.19mm的短軸時(shí)，并且由于橢圓形焊接劑球焊盤483-486的長軸也和對(duì)角線400對(duì)準(zhǔn)，4mil的導(dǎo)線寬度(W)是可允許的。圖10為符合本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的QFN封裝200c的底視圖的示意圖，其中相似數(shù)值的標(biāo)號(hào)代表相似的層、區(qū)域或者元件。如圖10所示，QFN封裝200c包括裸芯片焊盤250以接收芯片(圖10中未示出)，多個(gè)內(nèi)連接焊盤460，被配置于裸芯片焊盤250的外圍周圍；多個(gè)中間連接焊盤460’，被配置于內(nèi)連接焊盤460的周圍；多個(gè)外連接焊盤460”，被配置于中間連接焊盤460，的周圍。內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”被安排為交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。封裝體220囊封裸芯片焊盤250的上部分，內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的上部分460a，這樣，內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的下部分460b從封裝體220的底部向外延伸。當(dāng)從QFN封裝200c的底部觀察時(shí)，中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的下部分460b具有橢圓形形狀，并且當(dāng)從QFN封裝200c的底部觀察時(shí)，內(nèi)連接焊盤460的每一個(gè)具有圓形形狀。QFN封裝200c具有第一對(duì)角線400a以及第二對(duì)角線400b。內(nèi)連接焊盤460、中間連接焊盤460’和外連接焊盤460”可被分為四組，分別被配置于通過虛線坐標(biāo)軸χ軸和y軸界定的四個(gè)象限區(qū)(quadrantregions)500、600、700和800。在本實(shí)施方式中，象限區(qū)500和象限區(qū)700之內(nèi)的中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的下部分460b的長軸被指示為平行于第一對(duì)角線400a，并且象限區(qū)600和象限區(qū)800之內(nèi)的中間連接焊盤460，和外連接焊盤460”的每一個(gè)的下部分460b的長軸被指示為平行于第二對(duì)角線400b。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化和修飾，均應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。9權(quán)利要求一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括芯片；多個(gè)內(nèi)連接焊盤，被配置于該芯片的外圍周圍；多個(gè)外連接焊盤，被配置于該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該半導(dǎo)體芯片封裝的外圍之間，其中，當(dāng)從該半導(dǎo)體芯片封裝的底部觀察時(shí)，該多個(gè)外連接焊盤其中之一具有橢圓形形狀；多個(gè)鍵合焊盤，被設(shè)置于該芯片的活性表面之上，且該多個(gè)鍵合焊盤通過多個(gè)鍵合線電連接至相應(yīng)的該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該多個(gè)外連接焊盤；以及封裝體，用以囊封該芯片、該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該多個(gè)外連接焊盤的每一個(gè)的上部分及該多個(gè)鍵合線，這樣，該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該多個(gè)外連接焊盤的每一個(gè)的下部分從該封裝體的底部向外延伸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，當(dāng)從該半導(dǎo)體芯片封裝的該底部觀察時(shí)，該多個(gè)內(nèi)連接焊盤其中之一具有圓形形狀。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，當(dāng)從該半導(dǎo)體芯片封裝的該底部觀察時(shí)，該多個(gè)內(nèi)連接焊盤其中之一具有正方形形狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝為方形扁平無引腳封裝。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片封裝更包括裸芯片焊盤，且其中該芯片附著于該裸芯片焊盤。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該多個(gè)外連接焊盤被排列為具有單一間距的矩陣。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，該多個(gè)內(nèi)連接焊盤在兩個(gè)內(nèi)連接焊盤之間具有第一空間，且該多個(gè)外連接焊盤在兩個(gè)外連接焊盤之間具有第二空間，以及其中該第二空間大于該第一空間。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，該多個(gè)外連接焊盤的每一個(gè)的該下部分具有長軸和短軸，且該長軸大體上被指示為相對(duì)于該芯片的中心的半徑方向上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，該多個(gè)外連接焊盤的每一個(gè)的該下部分具有長軸和短軸，且該長軸大體上垂直于該芯片的外邊沿。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其特征在于，該多個(gè)外連接焊盤的每一個(gè)的該下部分具有長軸和短軸，且該長軸大體上被指示于對(duì)角方向上，其中，該對(duì)角方向和該半導(dǎo)體芯片封裝的對(duì)角線平行。11.一種方形扁平無引腳封裝，包括-H-*LL心片；多個(gè)第一和第二連接焊盤，被排列為矩陣，且被配置于該芯片周圍，其中，當(dāng)從該方形扁平無引腳封裝的底部觀察時(shí)，該多個(gè)第一和第二連接焊盤具有不同底面形狀；多個(gè)鍵合焊盤，被設(shè)置于該芯片的活性表面之上，且該多個(gè)鍵合焊盤通過多個(gè)鍵合線電連接至相應(yīng)的該多個(gè)第一和第二連接焊盤；以及封裝體，用以囊封該芯片、該多個(gè)第一和第二連接焊盤的每一個(gè)的上部分及該多個(gè)鍵合線，這樣，該多個(gè)第一和第二連接焊盤的每一個(gè)的下部分從該封裝體的底部向外延伸。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該多個(gè)第一和第二連接焊盤的該矩陣關(guān)于該芯片的中心輻射對(duì)稱。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該多個(gè)第一和第二連接焊盤的該矩陣具有單一間距。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該方形扁平無引腳封裝更包括裸芯片焊盤，其中該芯片附著于該裸芯片焊盤。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該多個(gè)第一連接焊盤為多個(gè)內(nèi)連接焊盤且該多個(gè)第二連接焊盤為多個(gè)外連接焊盤，其中該多個(gè)外連接焊盤其中之一的底面區(qū)域小于或者等于該多個(gè)內(nèi)連接焊盤其中之一的底面區(qū)域。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該多個(gè)外連接焊盤的底面區(qū)域其中之一為橢圓形形狀且具有長軸和短軸，且該長軸大體上被指示為相對(duì)于該芯片的中心的半徑方向上。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該多個(gè)外連接焊盤的底面區(qū)域其中之一為橢圓形形狀且具有長軸和短軸，且該長軸大體上垂直于該芯片的外邊沿。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該多個(gè)外連接焊盤的底面區(qū)域其中之一為橢圓形形狀且具有長軸和短軸，且該長軸大體上被指示于對(duì)角方向上，其中，該對(duì)角方向和該半導(dǎo)體芯片封裝的對(duì)角線平行。19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方形扁平無引腳封裝，其特征在于，該多個(gè)外連接焊盤的底面區(qū)域其中之一為矩形形狀且具有長邊和短邊。20.一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括-H-*LL心片；多個(gè)內(nèi)連接焊盤，被配置于該芯片的外圍周圍；多個(gè)外連接焊盤，被配置于該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該芯片的外圍之間，其中當(dāng)從該半導(dǎo)體芯片封裝的底部觀察時(shí)，該多個(gè)外連接焊盤其中之一具有矩形形狀且具有長邊和短邊；多個(gè)鍵合焊盤，被設(shè)置于該芯片的活性表面之上，且該多個(gè)鍵合焊盤通過多個(gè)鍵合線電連接至相應(yīng)的該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該多個(gè)外連接焊盤；以及封裝體，用以囊封該芯片、該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該多個(gè)外連接焊盤的每一個(gè)的上部分及該多個(gè)鍵合線，這樣，該多個(gè)內(nèi)連接焊盤和該多個(gè)外連接焊盤的每一個(gè)的下部分從該封裝體的底部向外延伸。全文摘要本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片封裝及方形扁平無引腳封裝。方形扁平無引腳封裝包括芯片、多個(gè)第一和第二連接焊盤、多個(gè)鍵合焊盤以及封裝體。第一和第二連接焊盤，被排列為矩陣，且被配置于芯片周圍，其中，當(dāng)從方形扁平無引腳封裝的底部觀察時(shí)，第一和第二連接焊盤具有不同的底面形狀；鍵合焊盤被設(shè)置于芯片的活性表面上，且通過鍵合線電連接至相應(yīng)的第一和第二連接焊盤；封裝體，用以囊封芯片、第一和第二連接焊盤的每一個(gè)的上部分及鍵合線，這樣，第一和第二連接焊盤的每一個(gè)的下部分從封裝體的底部向外延伸。所述半導(dǎo)體芯片封裝及方形扁平無引腳封裝，可用于具有較大導(dǎo)線寬度的PCB，降低PCB的成本。文檔編號(hào)H01L23/13GK101887870SQ20101000007公開日2010年11月17日申請(qǐng)日期2010年1月6日優(yōu)先權(quán)日2009年5月11日發(fā)明者劉嘉惠,張峻瑋,謝東憲申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司