專利名稱：制作摻雜阱以及包含該摻雜阱的晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種制作摻雜阱以及包含該摻雜阱的晶體管的方法。
背景技術(shù)：
晶體管，尤其是“金屬-半導(dǎo)體-氧化物”場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，是集成電路最常見(jiàn)的元件之一。漏電電流是衡量晶體管性能的重要指標(biāo)。漏電電流越低意味著晶體管對(duì)電流的控制能力越強(qiáng)。采用淺摻雜技術(shù)(LDD)是目前在晶體管制造領(lǐng)域最常見(jiàn)的技術(shù)之一。該技術(shù)是采用與源/漏極相同的摻雜離子注入源/漏極與導(dǎo)電溝道之間的區(qū)域，形成的摻雜濃度小于源/漏極的摻雜濃度，形成所謂的淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的作用是增大源極和漏極摻雜區(qū)域之間的溝道長(zhǎng)度，抑制短溝道效應(yīng)，從而降低晶體管在關(guān)斷狀態(tài)下源極和漏極之間的漏電電流。圖1A-1C為現(xiàn)有技術(shù)形成晶體管的流程中各步驟的截面圖。首先，如圖IA所示， 在襯底100上形成具有第一圖案的光刻膠層101，以具有第一圖案的光刻膠層101為掩膜進(jìn)行離子注入，形成淺摻雜區(qū)102A和102B。然后去除具有第一圖案的光刻膠層101。襯底 100可以為P型或N型襯底，淺摻雜區(qū)102A和102B的摻雜離子具有與襯底100相反的導(dǎo)電類型。接著，如圖IB所示，在襯底100上形成具有第二圖案的光刻膠層103，具有第二圖案的光刻膠層103覆蓋在襯底上未進(jìn)行離子注入的區(qū)域的正上方，并且具有第二圖案的光刻膠層103寬于襯底上未進(jìn)行離子注入的區(qū)域。以具有第二圖案的光刻膠層103為掩膜進(jìn)行離子注入，形成源極104A和漏極104B。源極104A和漏極104B的摻雜離子具有與淺摻雜區(qū) 102A和102B的摻雜離子相同的導(dǎo)電類型。然后去除具有第二圖案的光刻膠層103，完成淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)的制作。其中，淺摻雜源極結(jié)構(gòu)包含源極104A和淺摻雜區(qū)102A，淺摻雜漏極結(jié)構(gòu)包括漏極104B和淺摻雜區(qū)102B。此外，為了完成晶體管的制作，還要在襯底100上未進(jìn)行離子注入的區(qū)域(即原來(lái)由具有第一圖案的光刻膠層101所覆蓋的區(qū)域)的正上方形成柵極結(jié)構(gòu)105，如圖IC所示。采用淺摻雜技術(shù)可以縮短源極104A和漏極104B之間的距離，抑制短溝道效應(yīng)?，F(xiàn)有技術(shù)中采用上述的雙注入技術(shù)形成摻雜阱(即，淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu))，摻雜離子在襯底 100中呈梯度分布，由此產(chǎn)生的襯底100表面的摻雜濃度的分布也具有梯度，靠近柵極結(jié)構(gòu) 101 一側(cè)的摻雜濃度較低，遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)101 —側(cè)的摻雜濃度較高。另外，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件的集成化程度也越來(lái)越高，因此， 對(duì)于半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸的要求也越來(lái)越高。在對(duì)半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行控制的同時(shí)，為了優(yōu)化結(jié)深和減少漏電的原因，對(duì)半導(dǎo)體器件之間的接觸面積也有所要求。例如現(xiàn)有制作圖像傳感器的光電二極管摻雜阱的過(guò)程中，將摻雜阱做成離子深度呈梯度分布，以增加半導(dǎo)體器件與襯底間的接觸面積，即PN結(jié)面積，進(jìn)而使結(jié)電容增大、電阻增大，提高抗擊穿的能力，并減小漏電流的產(chǎn)生。
圖2A-2B為現(xiàn)有技術(shù)形成深度呈梯度分布的摻雜阱的流程中各步驟的截面圖。如圖2A所示，在襯底200上形成具有第一圖案的光刻膠層201。然后，以具有第一圖案的光刻膠層201為掩膜進(jìn)行離子注入，形成第一摻雜阱202，去除第一光刻膠層201。如圖IB所示，在襯底200上形成具有第二圖案的光刻膠層203。然后，以具有第二圖案的光刻膠層203 為掩膜進(jìn)行離子注入，形成第二摻雜阱204，去除具有第二圖案的光刻膠層203。上述雙注入工藝均采用相同的離子，形成深度呈梯度分布的摻雜阱，增大了 PN結(jié)面積。深度呈梯度分布的摻雜阱在半導(dǎo)體工藝中具有廣泛應(yīng)用，其應(yīng)用范圍不限于上述兩種類型。然而，現(xiàn)有工藝形成深度呈梯度分布的摻雜阱均采用雙注入工藝，即形成光刻膠-第一次注入-形成光刻膠-第二次注入。雙注入工藝需要進(jìn)行兩次注入，大部分情況需要兩次去除光刻膠，因此，工藝步驟較多，需要較長(zhǎng)的工藝周期，并且增加了工具的負(fù)擔(dān)， 不利于生產(chǎn)效率的提高。因此，需要一種新的摻雜阱的制作方法，以縮短工藝周期，減少工藝步驟，降低工具的負(fù)擔(dān)，并提高生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。本發(fā)明提供了一種制作摻雜阱的方法，包括提供襯底，在襯底上形成具有第一圖案的光刻膠層；在所述具有第一圖案的光刻膠層和所述襯底上涂覆交聯(lián)材料層；對(duì)所述襯底進(jìn)行烘焙，以便使所述交聯(lián)材料層發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，而在所述交聯(lián)材料層的與所述具有第一圖案的光刻膠層接觸的部分形成交聯(lián)層；去除所述交聯(lián)材料層中未發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的部分，以留下所述交聯(lián)層；在所述交聯(lián)層上形成具有第二圖案的光刻膠層；以所述具有第二圖案的光刻膠層和所述具有第一圖案的光刻膠層為掩膜進(jìn)行離子注入，在所述襯底中形成所述摻雜阱。優(yōu)選地，所述具有第一圖案的光刻膠層的厚度為300-600nm。優(yōu)選地，所述具有第一圖案的光刻膠層和所述具有第二圖案的光刻膠層的總厚度為 1500-1900nm。優(yōu)選地，形成所述具有第一圖案的光刻膠層的材料為能產(chǎn)生光酸分子的光刻膠， 所述交聯(lián)材料層的材料為化學(xué)收縮輔助解析增強(qiáng)刻蝕用材料。優(yōu)選地，所述烘焙所用的烘焙溫度為60-120°C。優(yōu)選地，所述烘焙所用的烘焙時(shí)間為60-90秒。優(yōu)選地，所述第二圖案與所述第一圖案不同。優(yōu)選地，所述摻雜阱為深度呈梯度分布的摻雜阱。優(yōu)選地，在橫向上，所述第二圖案的寬度小于所述第一圖案的寬度，且所述摻雜阱為淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供了一種制作晶體管的方法，包括采用上述方法制作所述摻雜阱作為淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)；去除所述具有第一圖案的光刻膠層、所述交聯(lián)層和所述具有第二圖案的光刻膠層；在所述襯底上與所述具有第二圖案的光刻膠層所對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成柵極結(jié)構(gòu)，以形成所述晶體管。根據(jù)本發(fā)明的摻雜阱的制作方法，能夠有效地縮短工藝周期，減少工藝步驟，降低工具的負(fù)擔(dān)，并提高生產(chǎn)效率。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖1A-1C為現(xiàn)有技術(shù)形成晶體管的流程中各步驟的截面圖；圖2A-2B為現(xiàn)有技術(shù)形成深度呈梯度分布的摻雜阱的流程中各步驟的截面圖；圖3A-3G為根據(jù)本發(fā)明的方法形成晶體管的流程中各步驟的截面圖；圖4A-4F為根據(jù)本發(fā)明的方法形成深度呈梯度分布的摻雜阱的流程中各步驟的截面圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的方法形成深度呈梯度分布的摻雜阱的流程圖。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說(shuō)明本發(fā)明是如何形成深度呈梯度分布的摻雜阱。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。實(shí)施例一圖3A-3G為根據(jù)本發(fā)明的方法形成晶體管的流程中各步驟的截面圖。如圖3A所示，提供襯底300，襯底300可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅；襯底300也可以是硅、鍺、砷化鎵或者硅鍺化合物；襯底300還可以具有外延層或外延層上硅結(jié)構(gòu)；襯底300還可以是其它半導(dǎo)體材料，這里不再一一列舉。襯底300可以為P型或N型襯底。在襯底300上形成具有第一圖案的光刻膠層301，具有第一圖案的光刻膠層301的厚度可以為 300-600nm。在橫向上，第一圖案的寬度為D1，其中所述橫向?yàn)榕c后續(xù)工藝中形成的柵極的橫截面平行，并且與襯底300的表面平行的方向，即圖3A所示的方向X。具有第一圖案的光刻膠層301的形成方法為先在襯底300上形成光刻膠層，然后經(jīng)曝光、顯影等工藝而形成。如圖;3B所示，在具有第一圖案的光刻膠層301和襯底300上涂覆交聯(lián)材料層302。 形成具有第一圖案的光刻膠層301的材料為能產(chǎn)生光酸分子的光刻膠，例如，i-line型光刻膠、ArF型光刻膠或KrF型光刻膠。交聯(lián)材料層302的材料可以是AZ電子材料公司提供的化學(xué)收縮輔助解析增強(qiáng)刻蝕用材料(Resolution Enhancement Lithography Assisted By Chemical Shrink, RELACS)。如圖3C所示，烘焙經(jīng)上述步驟形成的涂覆有交聯(lián)材料層302的襯底300，以便使交聯(lián)材料層302發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，而在交聯(lián)材料層302的與具有第一圖案的光刻膠層301接觸的部分形成交聯(lián)層303。其中，烘焙的溫度為60-120°C，烘焙時(shí)間為60-90秒。在烘焙過(guò)程中，具有第一圖案的光刻膠層301與交聯(lián)材料層302在邊界處(即交聯(lián)材料層302的與具有第一圖案的光刻膠層301接觸的部分)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，在具有第一圖案的光刻膠層301 的表面形成一層不溶于水的交聯(lián)層303。然后經(jīng)由水溶性顯影液的顯影步驟，去除交聯(lián)材料層302中未發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的部分，以留下交聯(lián)層303。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，交聯(lián)材料層的材料為RELACS。RELACS主要是由水溶性的高分子與交聯(lián)劑所組成。光刻膠中含有光酸分子，經(jīng)過(guò)曝光、顯影等工藝后，由于堿性的顯影液會(huì)與光刻膠層邊緣的光酸分子產(chǎn)生中和作用，使得邊緣的光酸分子濃度下降。在烘焙步驟中，殘留在光刻膠中的光酸分子因?yàn)槭軣岫a(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在擴(kuò)散的過(guò)程中會(huì)同時(shí)產(chǎn)生新的光酸分子，這些光酸分子會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入RELACS層內(nèi)，催化RELACS的交聯(lián)反應(yīng)，具體的反應(yīng)過(guò)程可以視之為三個(gè)分子參與的化學(xué)反應(yīng)P+C+H+ — PC+H+，其中，P代表RELACS試劑中的高分子，C代表RELACS中的交聯(lián)分子，H+為光刻膠在形成具有圖案的光刻層后殘留的光酸分子，PC則代表高分子與交聯(lián)分子產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)后的產(chǎn)物。如圖3D所示，在交聯(lián)層303上形成具有第二圖案的光刻膠層304預(yù)界定淺摻雜區(qū)的位置。第二圖案與第一圖案不同。在本實(shí)施例中，形成兩層光刻膠層是為了定義晶體管的淺摻雜源/漏結(jié)構(gòu)，因此，進(jìn)一步要求在橫向上，第二圖案的寬度(D2)小于第一圖案的寬度 (D1)，以在襯底上與D1-D2Qd)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成淺摻雜區(qū)。具有第二圖案的光刻膠層304的形成方法為先在襯底300及交聯(lián)層303上形成光刻膠層，然后經(jīng)曝光、顯影等工藝而形成。 具有第一圖案的光刻膠層301和具有第二圖案的光刻膠層304的總厚度為1500-1900nm。 第二圖案的具體位置和具體寬度可以根據(jù)要形成的淺摻雜區(qū)的寬度和深度分布情況具體確定。具有第二圖案的光刻膠層304可以進(jìn)一步阻擋離子注入到襯底300中，以使具有第二圖案的光刻膠層304所對(duì)應(yīng)的襯底300上的區(qū)域不進(jìn)行摻雜。本實(shí)施方式要形成淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)，以通過(guò)淺摻雜區(qū)來(lái)增大隨后要形成的源 /漏極之間的距離，抑制短溝道效應(yīng)。因此，具有第二圖案的光刻膠層304位于具有第一圖案的光刻膠層301的正上方，并且在橫向上，第二圖案的寬度比第一圖案的寬度小2d，其中，寬度d對(duì)應(yīng)于淺摻雜區(qū)的寬度。如圖3E所示，以具有第二圖案的光刻膠層304和具有第一圖案的光刻膠層301為掩膜進(jìn)行離子注入，在襯底300中形成源極306A和漏極306B，以及淺摻雜區(qū)305A和305B。 源極306A和漏極306B，以及淺摻雜區(qū)305A和305B的摻雜離子具有與襯底300相反的導(dǎo)電類型。當(dāng)襯底300為P型時(shí)，所述摻雜離子為N型，例如砷離子、磷離子等；當(dāng)襯底300為N 型時(shí)，所述摻雜離子為P型，例如銦離子、硼離子、氟化硼離子等。如圖3F所示，采用灰化等工藝去除具有第二圖案的光刻膠層304、交聯(lián)層303和具有第一圖案的光刻膠層301。此外，為了完成晶體管的制作，在襯底300上未進(jìn)行離子注入的區(qū)域(即具有第二圖案的光刻膠層304所對(duì)應(yīng)的區(qū)域)的正上方形成柵極結(jié)構(gòu)307，如圖3G所示。實(shí)施例二圖4A-4F為根據(jù)本發(fā)明的方法形成深度呈梯度分布的摻雜阱的流程中各步驟的截面圖。如圖4A所示，提供襯底400，襯底400可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅；襯底400也可以是硅、鍺、砷化鎵或者硅鍺化合物；襯底400還可以具有外延層或外延層上硅結(jié)構(gòu)；襯底400還可以是其它半導(dǎo)體材料，這里不再一一列舉。在襯底400上形成具有第一圖案的光刻膠層401，具有第一圖案的光刻膠層401的厚度可以為800-3000nm。如圖4B所示，在具有第一圖案的光刻膠層401和襯底400上涂覆交聯(lián)材料層402。 形成具有第一圖案的光刻膠層401的材料為能產(chǎn)生光酸分子的光刻膠，例如，i-line型光刻膠、ArF型光刻膠或KrF型光刻膠。交聯(lián)材料層402的材料可以是AZ電子材料公司提供的 RELACS。如圖4C所示，烘焙經(jīng)上述步驟形成的涂覆有交聯(lián)材料層402的襯底400，以便使交聯(lián)材料層402發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，而在交聯(lián)材料層402的與具有第一圖案的光刻膠層401接觸的部分形成交聯(lián)層403。其中，烘焙的溫度為60-120°C，烘焙時(shí)間為60-90秒。在烘焙過(guò)程中，具有第一圖案的光刻膠層401與交聯(lián)材料層402在邊界處(即交聯(lián)材料層402的與具有第一圖案的光刻膠層401接觸的部分)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，在具有第一圖案的光刻膠層401 的表面形成一層不溶于水的交聯(lián)層403。然后經(jīng)由水溶性顯影液的顯影步驟，去除交聯(lián)材料層402中未發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的部分，以留下交聯(lián)層403。如圖4D所示，在交聯(lián)層403上形成具有第二圖案的光刻膠層404，預(yù)界定形成淺摻雜區(qū)的位置。為了使摻雜阱的深度呈梯度分布，通常第一圖案與第二圖案不同。以此來(lái)實(shí)現(xiàn)在由兩層光刻膠層覆蓋的襯底400上的區(qū)域不進(jìn)行摻雜；在僅由一層光刻膠層覆蓋的襯底400上的區(qū)域，注入的離子濃度較低、深度較淺；在未被任何光刻膠層覆蓋的襯底400 上的區(qū)域，注入的離子濃度較高、深度較深。具有第二圖案的光刻膠層404的厚度可以為 800-3000nmo第二圖案的位置和寬度可以根據(jù)要形成的淺摻雜區(qū)的寬度和深度分布情況具體確定。具有第一圖案的光刻膠層401和具有第二圖案的光刻膠層404的形成方法與圖 3A-3G所示的方法相同，即先形成光刻膠層，然后經(jīng)曝光、顯影等工藝使光刻膠層具有圖案。如圖4E所示，以具有第二圖案的光刻膠層404和具有第一圖案的光刻膠層401為掩膜進(jìn)行離子注入，在襯底400中形成深度呈梯度分布的摻雜阱405。摻雜阱405可以為N 型或P型。當(dāng)摻雜阱405為N型時(shí)，摻雜離子為N型，例如砷離子、磷離子等；當(dāng)摻雜阱405 為P型時(shí)，摻雜離子為P型，例如銦離子、硼離子、氟化硼離子等。如圖4F所示，采用灰化等工藝去除具有第二圖案的光刻膠層404、交聯(lián)層403和具有第一圖案的光刻膠層401，完成整個(gè)摻雜工藝。根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施方式，在形成具有第一圖案的光刻膠層、交聯(lián)層和具有第二圖案的光刻膠層后，采用一次注入形成深度呈梯度分布的摻雜阱。因此，與現(xiàn)有技術(shù)的兩次注入、兩次去除光刻膠圖案相比，能夠有效地縮短工藝周期，減少工藝步驟，降低工具的負(fù)擔(dān)，并提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明不限于上述兩種實(shí)施方式，本發(fā)明的方法可以用于形成各種類型的深度呈梯度分布的摻雜阱。圖5為根據(jù)本發(fā)明的方法形成深度呈梯度分布的摻雜阱的流程圖。在步驟501中， 提供襯底，在襯底上形成具有第一圖案的光刻膠層。在步驟502中，在具有第一圖案的光刻膠層和襯底上涂覆交聯(lián)材料層。在步驟503中，對(duì)襯底進(jìn)行烘焙，以便使交聯(lián)材料層發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，而在交聯(lián)材料層的與具有第一圖案的光刻膠層接觸的部分形成交聯(lián)層。在步驟504 中，去除交聯(lián)材料層中未發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的部分，以留下交聯(lián)層。在步驟505中，在交聯(lián)層上形成具有第二圖案的光刻膠層，預(yù)界定形成淺摻雜區(qū)的位置。在步驟506中，以具有第二圖案的光刻膠層和具有第一圖案的光刻膠層為掩膜進(jìn)行離子注入，形成深度呈梯度分布的摻雜阱。在步驟507中，采用灰化等工藝去除具有第二圖案的光刻膠層、交聯(lián)層和具有第一圖案的光刻膠層，完成整個(gè)摻雜工藝。具有根據(jù)如上所述的實(shí)施例制造的摻雜阱的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于多種集成電路 (IC)中。根據(jù)本發(fā)明的IC例如是存儲(chǔ)器電路，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、 同步DRAM (SDRAM)、靜態(tài)RAM (SRAM)、或只讀存儲(chǔ)器(ROM)等等。根據(jù)本發(fā)明的IC還可以是邏輯器件，如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、合并式DRAM邏輯集成電路(掩埋式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、射頻器件或任意其他電路器件。根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可用于例如用戶電子產(chǎn)品，如個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等各種電子產(chǎn)品中，尤其是射頻產(chǎn)品中。本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種制作摻雜阱的方法，包括提供襯底，在所述襯底上形成具有第一圖案的光刻膠層；在所述具有第一圖案的光刻膠層和所述襯底上涂覆交聯(lián)材料層；對(duì)所述襯底進(jìn)行烘焙，以便使所述交聯(lián)材料層發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，而在所述交聯(lián)材料層的與所述具有第一圖案的光刻膠層接觸的部分形成交聯(lián)層；去除所述交聯(lián)材料層中未發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的部分，以留下所述交聯(lián)層；在所述交聯(lián)層上形成具有第二圖案的光刻膠層；以所述具有第二圖案的光刻膠層和所述具有第一圖案的光刻膠層為掩膜進(jìn)行離子注入，在所述襯底中形成所述摻雜阱。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有第一圖案的光刻膠層的厚度為 300-600nm。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有第一圖案的光刻膠層和所述具有第二圖案的光刻膠層的總厚度為1500-1900nm。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述具有第一圖案的光刻膠層的材料為能產(chǎn)生光酸分子的光刻膠，所述交聯(lián)材料層的材料為化學(xué)收縮輔助解析增強(qiáng)刻蝕用材料。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述烘焙所用的烘焙溫度為60-120°C。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述烘焙所用的烘焙時(shí)間為60-90秒。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第二圖案與所述第一圖案不同。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述摻雜阱為深度呈梯度分布的摻雜阱。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在橫向上，所述第二圖案的寬度小于所述第一圖案的寬度，且所述摻雜阱為淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)。
10.一種制作晶體管的方法，包括采用如權(quán)利要求1所述的方法制作所述摻雜阱作為淺摻雜源/漏極結(jié)構(gòu)；去除所述具有第一圖案的光刻膠層、所述交聯(lián)層和所述具有第二圖案的光刻膠層；在所述襯底上與所述具有第二圖案的光刻膠層所對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成柵極結(jié)構(gòu)，以形成所述晶體管。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種摻雜阱的制作方法，包括提供襯底，在襯底上形成具有第一圖案的光刻膠層；在具有第一圖案的光刻膠層和襯底上涂覆交聯(lián)材料層；對(duì)襯底進(jìn)行烘焙，以便使交聯(lián)材料層發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，而在交聯(lián)材料層的與具有第一圖案的光刻膠層接觸的部分形成交聯(lián)層；去除交聯(lián)材料層中未發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的部分，以留下交聯(lián)層；在交聯(lián)層上形成具有第二圖案的光刻膠層；以具有第二圖案的光刻膠層和具有第一圖案的光刻膠層為掩膜進(jìn)行離子注入，在襯底中形成摻雜阱。根據(jù)本發(fā)明的摻雜阱的制作方法，能夠有效地縮短工藝周期，減少工藝步驟，降低工具的負(fù)擔(dān)，并提高生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H01L21/266GK102347236SQ20101024547
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月29日
發(fā)明者周朝禮 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司