專(zhuān)利名稱(chēng)：堆疊式封裝結(jié)構(gòu)、其封裝結(jié)構(gòu)及封裝結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，詳言之，有關(guān)于一種 堆疊式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)、其封裝結(jié)構(gòu)及封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
參考圖1，圖1顯示了已知堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。該堆疊式封裝結(jié)構(gòu)1 包括一下封裝結(jié)構(gòu)2及一上封裝結(jié)構(gòu)3。該下封裝結(jié)構(gòu)2包括一基板本體21、一焊罩層 (Solder Mask) 22、一下晶片23及一封膠對(duì)。該基板本體21具有一上表面211、多個(gè)第一 焊墊212及多個(gè)第二焊墊213，這些第一焊墊212及這些第二焊墊213位于該上表面211。 該焊罩層22位于該上表面211上，該焊罩層22具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口 221，以顯露這些第一 焊墊212及這些第二焊墊213。該下晶片23利用一粘膠層25貼附于該焊罩層22，且利用 多條導(dǎo)線(xiàn)沈電性連接至這些第一焊墊212。該封膠M包覆部分該焊罩層22、這些導(dǎo)線(xiàn)沈 及該下晶片^3。該上封裝結(jié)構(gòu)3堆疊于該下封裝結(jié)構(gòu)2上，且包括多個(gè)焊球31。這些焊球31接觸 這些第二焊墊213，以使該上封裝結(jié)構(gòu)3電性連接至該下封裝結(jié)構(gòu)2。參考圖2，該封裝結(jié)構(gòu)1的缺點(diǎn)如下，當(dāng)這些焊球31的間距(Pitch)變小時(shí)，這些 焊球31的外徑也必須隨之變小。因此，在該封膠M的厚度無(wú)法有效變小時(shí)，這些焊球31 會(huì)無(wú)法接觸到這些第二焊墊213，而形成開(kāi)路(Open Circuit)，導(dǎo)致該上封裝結(jié)構(gòu)3無(wú)法電 性連接至該下封裝結(jié)構(gòu)2。因此，有必要提供一種創(chuàng)新且具進(jìn)步性的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)、其封裝結(jié)構(gòu)及封裝結(jié) 構(gòu)的制造方法，以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，包括一下封裝結(jié)構(gòu)及一上封裝結(jié)構(gòu)。該下封裝 結(jié)構(gòu)包括一基板本體、一焊罩層、多個(gè)銅柱及一下晶片。該基板本體具有一上表面及多個(gè)焊 墊，這些焊墊位于該上表面。該焊罩層位于該上表面上，該焊罩層具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口，以 顯露這些焊墊。這些銅柱位于部分這些焊墊上。該下晶片電性連接至該基板本體。該上封 裝結(jié)構(gòu)堆疊于該下封裝結(jié)構(gòu)上，且電性連接至這些銅柱。在本發(fā)明中，這些銅柱可達(dá)到墊高的目的。因此，即使該上封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)接元件的 間距變小，本發(fā)明可在不改變?cè)摶灞倔w原本的結(jié)構(gòu)或線(xiàn)路布局的情況下，而使得這些導(dǎo) 接元件可以接觸到等銅柱。藉此，該上封裝結(jié)構(gòu)可以電性連接至該下封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明另提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟(a)提供一基板本體，該 基板本體具有一上表面、一焊罩層及多個(gè)焊墊，這些焊墊及該焊罩層位于該上表面，該焊罩 層具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口，以顯露這些焊墊；(b)形成一絕緣層于該焊罩層上，該絕緣層具有 多個(gè)外圍開(kāi)口，這些外圍開(kāi)口的位置相對(duì)部分焊罩層開(kāi)口 ；(c)形成多個(gè)銅柱于這些外圍 開(kāi)口內(nèi)且位于部分這些焊墊上；(d)移除該絕緣層；(e)電性連接一下晶片至該基板本體；(f)覆蓋一模具于該焊罩層上，該模具具有一中央模穴及多個(gè)外圍模穴，該中央模穴容置該 下晶片，這些外圍模穴容置于這些銅柱；及(g)注入一封膠于該中央模穴內(nèi)，以包覆部分該 焊罩層及該下晶片。


圖1顯示已知堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；圖2顯示已知堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的分解剖視示意圖；圖3顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的分解剖視示意圖；圖4顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的組合后的剖視示意圖；圖5顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的分解剖視示意圖；圖6至13顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的制造方法示意圖；及圖14顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的剖視示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖3，顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的分解剖視示意圖。參考圖 4，顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的組合后的剖視示意圖。該堆疊式封裝結(jié)構(gòu) 4包括一下封裝結(jié)構(gòu)5及一上封裝結(jié)構(gòu)6。該下封裝結(jié)構(gòu)5包括一基板本體51、一焊罩層 (Solder Mask)52、一絕緣層(Insulation Layer) 58、多個(gè)銅柱(Copper Pillar) 59、一下晶 片53及一封膠M。該基板本體51具有一上表面511及多個(gè)焊墊(多個(gè)第一焊墊512及多個(gè)第二焊 墊513)，這些焊墊位于該上表面511。該焊罩層52位于該上表面511上，其具有多個(gè)焊罩 層開(kāi)口，以顯露這些焊墊。在本實(shí)施例中，該焊罩層開(kāi)口包括多個(gè)第一開(kāi)口 521及多個(gè)第二 開(kāi)口 522。這些第一開(kāi)口 521的位置相對(duì)這些第一焊墊512，以顯露這些第一焊墊512。這 些第二開(kāi)口 522的位置相對(duì)這些第二焊墊513，以顯露這些第二焊墊513。該絕緣層58位于該焊罩層52上，其具有一中央開(kāi)口 581及多個(gè)外圍開(kāi)口 582。這 些外圍開(kāi)口 582圍繞該中央開(kāi)口 581，且這些外圍開(kāi)口 582的位置相對(duì)部分焊罩層開(kāi)口。在 本實(shí)施例中，該中央開(kāi)口 581顯露所有這些第一焊墊512及部分該焊罩層52，這些外圍開(kāi) 口 582的位置相對(duì)這些第二開(kāi)口 522，以顯露這些第二焊墊513。較佳地，這些外圍開(kāi)口 582 位于這些第二開(kāi)口 522的正上方，且這些外圍開(kāi)口 582的截面大小與這些第二開(kāi)口 522大 致相同。該絕緣層58額外附加于該焊罩層52上，其厚度可以依實(shí)際需要調(diào)整，且該絕緣層 58的材質(zhì)可以與該焊罩層52相同。這些銅柱59位于這些外圍開(kāi)口 582及這些第二開(kāi)口 522內(nèi)的第二焊墊513上，且 這些銅柱59電性連接這些第二焊墊513。這些銅柱59會(huì)填滿(mǎn)這些外圍開(kāi)口 582及這些第 二開(kāi)口 522，但其高度不會(huì)超過(guò)該絕緣層58。較佳地，每一焊墊(第一焊墊512及第二焊墊 513)的上表面還包括第一表面處理層(圖中未示)。該銅柱59位于該第二焊墊513的第 一表面處理層上，且該銅柱59的上表面還包括第二表面處理層591。在本實(shí)施例中，該第一 表面處理層及該第二表面處理層591的材質(zhì)為鎳/金，且該銅柱59的材質(zhì)為銅。該下晶片53位于該中央開(kāi)口 581內(nèi)，且電性連接至該基板本體51。亦即，該中央 開(kāi)口 581的尺寸大于該下晶片53。在本實(shí)施例中，該下晶片53打線(xiàn)方式電性連接至這些第一焊墊512。因此，該下晶片53利用一粘膠層55貼附于該焊罩層52，且利用多條導(dǎo)線(xiàn)56 電性連接至該基板本體51的這些第一焊墊512，該些導(dǎo)線(xiàn)56的材質(zhì)可以是金或銅。該封膠M包覆部分該焊罩層52、部分絕緣層58及該下晶片53、這些導(dǎo)線(xiàn)56及這 些第一焊墊512。在本實(shí)施例中，該封膠討除了充滿(mǎn)該中央開(kāi)口 581之外，還會(huì)蓋到該絕緣 層58的上表面。要注意的是，在其他實(shí)施例中，可以不具有該封膠M。該上封裝結(jié)構(gòu)6堆疊于該下封裝結(jié)構(gòu)5上，且電性連接至這些銅柱59。在本實(shí)施 例中，該上封裝結(jié)構(gòu)6包括多個(gè)導(dǎo)接元件61 (例如焊球)，這些導(dǎo)接元件61接觸這些銅柱 59 (或這些銅柱59的第二表面處理層591)，如圖4所示。參考圖5，顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的分解剖視示意圖。本實(shí)施例 的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)7與第一實(shí)施例的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)4(圖3及圖4)大致相同，其中相同 的元件賦予相同的編號(hào)。本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同處在于，該下晶片53以覆晶方式電性 連接至該基板本體51。因此，該下晶片53還包括多個(gè)凸塊531，這些凸塊531接觸這些第 一焊墊512。此外，本實(shí)施例可以不具有該封膠M。參考圖6至13，顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的制造方法示意圖。參 考圖6，提供一基板本體51。該基板本體51具有一上表面511、一焊罩層52及多個(gè)焊墊(多 個(gè)第一焊墊512及多個(gè)第二焊墊51 ，這些焊墊位于該上表面511。該焊罩層52位于該上 表面511上，其具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口，以顯露這些焊墊。在本實(shí)施例中，該焊罩層開(kāi)口包括 多個(gè)第一開(kāi)口 521及多個(gè)第二開(kāi)口 522。這些第一開(kāi)口 521的位置相對(duì)這些第一焊墊512， 以顯露這些第一焊墊512。這些第二開(kāi)口 522的位置相對(duì)這些第二焊墊513，以顯露這些第 二焊墊513。參考圖7，形成一絕緣層58于該焊罩層52上，其具有多個(gè)外圍開(kāi)口 582，且這些外 圍開(kāi)口 582的位置相對(duì)部分焊罩層開(kāi)口。在本實(shí)施例中，該絕緣層58還具有一中央開(kāi)口 581，這些外圍開(kāi)口 582圍繞該中央開(kāi)口 581。該中央開(kāi)口 581顯露所有這些第一焊墊512 及部分該焊罩層52，這些外圍開(kāi)口 582的位置相對(duì)這些第二開(kāi)口 522，以顯露這些第二焊墊 513。較佳地，這些外圍開(kāi)口 582位于這些第二開(kāi)口 522的正上方，且這些外圍開(kāi)口 582的 截面大小與這些第二開(kāi)口 522大致相同。該絕緣層58額外附加于該焊罩層52上，其厚度 可以依實(shí)際需要調(diào)整，且該絕緣層58的材質(zhì)可以與該焊罩層52相同。參考圖8，形成多個(gè)銅柱59于這些外圍開(kāi)口 582內(nèi)且位于部分這些焊墊上。在本 實(shí)施例中，這些銅柱59位于這些外圍開(kāi)口 582及這些第二開(kāi)口 522內(nèi)的第二焊墊513上， 且這些銅柱59電性連接這些第二焊墊513。這些銅柱59會(huì)填滿(mǎn)這些外圍開(kāi)口 582及這些 第二開(kāi)口 522，但其高度不會(huì)超過(guò)該絕緣層58。較佳地，每一焊墊(第一焊墊512及第二焊 墊51 的上表面還包括第一表面處理層(圖中未示)。該銅柱59位于該第二焊墊513的 第一表面處理層上，且本實(shí)施例還包括一形成第二表面處理層591于該銅柱59的上表面的 步驟。參考圖9，移除該絕緣層58，使得這些銅柱59突出于該絕緣層58。要注意的是， 在其它實(shí)施例中，也可以不移除該絕緣層58而直接附著下晶片后進(jìn)行封膠作業(yè)，如圖3至 5的下封裝結(jié)構(gòu)5所示。參考圖10，電性連接一下晶片53至該基板本體51。在本實(shí)施例中，該下晶片53 打線(xiàn)方式電性連接至這些第一焊墊512。因此，該下晶片53利用一粘膠層55貼附于該焊罩層52，且利用多條導(dǎo)線(xiàn)56電性連接至該基板本體51的這些第一焊墊512。接著，覆蓋一 模具8于該焊罩層52上。該模具8具有一中央模穴81及多個(gè)外圍模穴82，該中央模穴81 容置該下晶片53，這些外圍模穴82容置于這些銅柱59。參考圖11，注入一封膠M于該中央模穴81內(nèi)，以包覆部分該焊罩層52及該下晶 片53。接著，移除該模具8，且形成多個(gè)焊球于該基板本體51下表面，以形成一下封裝結(jié)構(gòu) fe。要注意的是，在其他實(shí)施例中，可以不具有該封膠54，因此可以省略覆蓋該模具8及注 入該封膠M等步驟。參考圖12，提供一上封裝結(jié)構(gòu)6。在本實(shí)施例中，該上封裝結(jié)構(gòu)6包括多個(gè)導(dǎo)接元 件61 (例如焊球)。參考圖13，將該上封裝結(jié)構(gòu)6堆疊于該下封裝結(jié)構(gòu)fe上，且電性連接至這些銅柱 59。這些導(dǎo)接元件61接觸這些銅柱59 (或這些銅柱59的第二表面處理層591)，以形成一 堆疊式封裝結(jié)構(gòu)如。在其他實(shí)施例的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)4b中，如圖14所示，這些導(dǎo)接元件 61會(huì)包覆這些銅柱59的部分側(cè)壁。參考圖13，顯示本發(fā)明堆疊式封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的剖視示意圖。該堆疊式封 裝結(jié)構(gòu)如包括一下封裝結(jié)構(gòu)fe及一上封裝結(jié)構(gòu)6。該下封裝結(jié)構(gòu)fe包括一基板本體51、 一焊罩層52、多個(gè)銅柱59、一下晶片53及一封膠M。該基板本體51具有一上表面511及多個(gè)焊墊(多個(gè)第一焊墊512及多個(gè)第二焊 墊513)，這些焊墊位于該上表面511。該焊罩層52位于該上表面511上，其具有多個(gè)焊罩 層開(kāi)口，以顯露這些焊墊。在本實(shí)施例中，該焊罩層開(kāi)口包括多個(gè)第一開(kāi)口 521及多個(gè)第二 開(kāi)口 522。這些第一開(kāi)口 521的位置相對(duì)這些第一焊墊512，以顯露這些第一焊墊512。這 些第二開(kāi)口 522的位置相對(duì)這些第二焊墊513，以顯露這些第二焊墊513。這些銅柱59位于這些第二開(kāi)口 522內(nèi)的第二焊墊513上，且這些銅柱59突出于 該焊罩層52。較佳地，每一焊墊(第一焊墊512及第二焊墊51 的上表面還包括第一表 面處理層(圖中未示)。該銅柱59位于該第二焊墊513的第一表面處理層上，且該銅柱59 的上表面還包括第二表面處理層591。在本實(shí)施例中，該第一表面處理層及該第二表面處理 層591的材質(zhì)為鎳/金，且該銅柱59的材質(zhì)為銅。該下晶片53電性連接至該基板本體51。在本實(shí)施例中，該下晶片53打線(xiàn)方式電 性連接至這些第一焊墊512。因此，該下晶片53利用一粘膠層55貼附于該焊罩層52，且利 用多條導(dǎo)線(xiàn)56電性連接至該基板本體51的這些第一焊墊512，該些導(dǎo)線(xiàn)56的材質(zhì)可以是 金或銅。該封膠M包覆部分該焊罩層52及該下晶片53、這些導(dǎo)線(xiàn)56及這些第一焊墊512。 要注意的是，在其他實(shí)施例中，可以不具有該封膠M。該上封裝結(jié)構(gòu)6堆疊于該下封裝結(jié)構(gòu)fe上，且電性連接至這些銅柱59。在本實(shí)施 例中，該上封裝結(jié)構(gòu)6包括多個(gè)導(dǎo)接元件61 (例如焊球)，這些導(dǎo)接元件61接觸這些銅柱 59 (或這些銅柱59的第二表面處理層591)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下。這些銅柱59可達(dá)到墊高的目的。因此，即使這些導(dǎo)接元件61 的間距變小(或這些導(dǎo)接元件61的外徑變小)，本發(fā)明可在不改變?cè)摶灞倔w51原本的結(jié) 構(gòu)或線(xiàn)路布局的情況下，而使得這些導(dǎo)接元件61可以接觸到等銅柱59(或這些銅柱59的 第二表面處理層591)。藉此，該上封裝結(jié)構(gòu)6可以電性連接至該下封裝結(jié)構(gòu)5，5a。
此外，已知堆疊封裝結(jié)構(gòu)在進(jìn)行球?qū)η蚨询B時(shí)，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，需要將回焊溫度再提高 3-5度，才能將二顆球熔融在一起。然而，在本發(fā)明中，由于使用這些銅柱59，因此不需改變 回焊溫度即可進(jìn)行回焊。上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化仍不脫本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)由 權(quán)利要求書(shū)限定。
權(quán)利要求
1.一種堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，包括 一下封裝結(jié)構(gòu)，包括一基板本體，具有一上表面及多個(gè)焊墊，這些焊墊位于該上表面； 一焊罩層，位于該上表面上，該焊罩層具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口，以顯露這些焊墊； 多個(gè)銅柱，位于部分這些焊墊上；及 一下晶片，電性連接至該基板本體；及一上封裝結(jié)構(gòu)，堆疊于該下封裝結(jié)構(gòu)上，且電性連接至這些銅柱。
2.如權(quán)利要求1所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下封裝結(jié)構(gòu)還包括一封膠，包 覆部分該焊罩層及該下晶片。
3.如權(quán)利要求2所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一絕緣層，位于該焊罩層 上，該絕緣層具有一中央開(kāi)口及多個(gè)外圍開(kāi)口，這些外圍開(kāi)口圍繞該中央開(kāi)口，這些外圍開(kāi) 口的位置相對(duì)部分焊罩層開(kāi)口，這些銅柱位于這些外圍開(kāi)口內(nèi)且位于部分這些焊墊上，該 下晶片位于該中央開(kāi)口內(nèi)，該封膠還包覆部分該絕緣層。
4.如權(quán)利要求3所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，這些焊墊包括多個(gè)第一焊墊及 多個(gè)第二焊墊，該焊罩層開(kāi)口包括多個(gè)第一開(kāi)口及多個(gè)第二開(kāi)口，這些第一開(kāi)口的位置相 對(duì)這些第一焊墊，以顯露這些第一焊墊，這些第二開(kāi)口的位置相對(duì)這些第二焊墊，以顯露這 些第二焊墊，該絕緣層的中央開(kāi)口顯露所有這些第一焊墊及部分該焊罩層，該絕緣層的外 圍開(kāi)口的位置相對(duì)這些第二開(kāi)口，這些銅柱位于這些外圍開(kāi)口及這些第二開(kāi)口內(nèi)的第二焊 墊上，且該下晶片電性連接至這些第一焊墊。
5.如權(quán)利要求3所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層的材質(zhì)與該焊罩層相同。
6.如權(quán)利要求1所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一焊墊的上表面還包括第一 表面處理層，該銅柱位于該第一表面處理層上，且該銅柱的上表面還包括第二表面處理層。
7.如權(quán)利要求5所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一表面處理層及該第二表 面處理層的材質(zhì)為鎳/金，且該銅柱的材質(zhì)為銅。
8.如權(quán)利要求1所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上封裝結(jié)構(gòu)包括多個(gè)導(dǎo)接元 件，這些導(dǎo)接元件接觸這些銅柱。
9.如權(quán)利要求8所述的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，這些導(dǎo)接元件為焊球。
10.一種封裝結(jié)構(gòu)，包括一基板本體，具有一上表面及多個(gè)焊墊，這些焊墊位于該上表面； 一焊罩層，位于該上表面上，該焊罩層具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口，以顯露這些焊墊； 多個(gè)銅柱，位于部分這些焊墊上；及 一下晶片，電性連接至該基板本體。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一封膠，包覆部分該焊罩層及 該下晶片。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一絕緣層，位于該焊罩層上， 該絕緣層具有一中央開(kāi)口及多個(gè)外圍開(kāi)口，這些外圍開(kāi)口圍繞該中央開(kāi)口，這些外圍開(kāi)口 的位置相對(duì)部分焊罩層開(kāi)口，這些銅柱位于這些外圍開(kāi)口內(nèi)且位于部分這些焊墊上，該下 晶片位于該中央開(kāi)口內(nèi)，該封膠還包覆部分該絕緣層。
13.如權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，這些焊墊包括多個(gè)第一焊墊及多個(gè) 第二焊墊，該焊罩層開(kāi)口包括多個(gè)第一開(kāi)口及多個(gè)第二開(kāi)口，這些第一開(kāi)口的位置相對(duì)這 些第一焊墊，以顯露這些第一焊墊，這些第二開(kāi)口的位置相對(duì)這些第二焊墊，以顯露這些第 二焊墊，該絕緣層的中央開(kāi)口顯露所有這些第一焊墊及部分該焊罩層，該絕緣層的外圍開(kāi) 口的位置相對(duì)這些第二開(kāi)口，這些銅柱位于這些外圍開(kāi)口及這些第二開(kāi)口內(nèi)的第二焊墊 上，且該下晶片電性連接至這些第一焊墊。
14.如權(quán)利要求12所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層的材質(zhì)與該焊罩層相同。
15.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一焊墊的上表面還包括第一表面 處理層，該銅柱位于該第一表面處理層上，且該銅柱的上表面還包括第二表面處理層。
16.如權(quán)利要求15所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一表面處理層及該第二表面處 理層的材質(zhì)為鎳/金，且該銅柱的材質(zhì)為銅。
17.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟(a)提供一基板本體，該基板本體具有一上表面、一焊罩層及多個(gè)焊墊，這些焊墊及該 焊罩層位于該上表面，該焊罩層具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口，以顯露這些焊墊；(b)形成一絕緣層于該焊罩層上，該絕緣層具有多個(gè)外圍開(kāi)口，這些外圍開(kāi)口的位置相 對(duì)部分焊罩層開(kāi)口；(c)形成多個(gè)銅柱于這些外圍開(kāi)口內(nèi)且位于部分這些焊墊上；(d)移除該絕緣層；(e)電性連接一下晶片至該基板本體；(f)覆蓋一模具于該焊罩層上，該模具具有一中央模穴及多個(gè)外圍模穴，該中央模穴容 置該下晶片，這些外圍模穴容置于這些銅柱；及(g)注入一封膠于該中央模穴內(nèi)，以包覆部分該焊罩層及該下晶片。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，該絕緣層還具有一中央開(kāi)口，這些外 圍開(kāi)口圍繞該中央開(kāi)口。
19.如權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，該步驟(a)中這些焊墊包括多個(gè)第 一焊墊及多個(gè)第二焊墊，該焊罩層開(kāi)口包括多個(gè)第一開(kāi)口及多個(gè)第二開(kāi)口，這些第一開(kāi)口 的位置相對(duì)這些第一焊墊，以顯露這些第一焊墊，這些第二開(kāi)口的位置相對(duì)這些第二焊墊， 以顯露這些第二焊墊，該步驟(b)中該絕緣層的外圍開(kāi)口的位置相對(duì)這些第二開(kāi)口，該步 驟(c)中這些銅柱位于這些外圍開(kāi)口及這些第二開(kāi)口內(nèi)的第二焊墊上，且該步驟(e)中該 下晶片電性連接至這些第一焊墊。
20.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，該步驟(a)中每一焊墊的上表面還包 括第一表面處理層，該步驟(c)中該銅柱位于該第一表面處理層上，且該步驟(C)之后還包 括一形成第二表面處理層于該銅柱的上表面的步驟。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)于一種堆疊式封裝結(jié)構(gòu)、其封裝結(jié)構(gòu)及封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，該堆疊式封裝結(jié)構(gòu)包括一下封裝結(jié)構(gòu)及一上封裝結(jié)構(gòu)。該下封裝結(jié)構(gòu)包括一基板本體、一焊罩層、多個(gè)銅柱及一下晶片。該焊罩層具有多個(gè)焊罩層開(kāi)口，以顯露該基板本體的焊墊。這些銅柱位于部分這些焊墊上。該下晶片電性連接至該基板本體。藉此，這些銅柱可達(dá)到墊高的目的，使得該上封裝結(jié)構(gòu)可以電性連接至該下封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L23/498GK102064162SQ201010550499
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者翁承誼 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司