一種堆疊半導(dǎo)體封裝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種堆疊半導(dǎo)體封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體封裝體可包括能快速存儲(chǔ)及處理大量數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體芯片。一種在基板上具有至少二個(gè)堆疊半導(dǎo)體芯片的堆疊半導(dǎo)體封裝體不僅能增進(jìn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，亦可提升數(shù)據(jù)處理速度。在封裝體內(nèi)的堆疊半導(dǎo)體芯片需要電性連接到基板。眾所皆知使用引線的引線接合法以及使用凸塊的倒裝芯片接合法是用以實(shí)現(xiàn)想要的電性連接的兩種方法。
[0003]雖然使用引線來電性連接的引線接合法頻繁地用于堆疊結(jié)構(gòu)中，其缺點(diǎn)在于電性連接每個(gè)附加的堆疊芯片的每個(gè)引線的長度不可避免地變長。這導(dǎo)致信號(hào)傳輸長度增加，進(jìn)而使得封裝體的電性能劣化且造成封裝體的尺寸增大。而且，由于越來越長的引線，可能發(fā)生已知為“大弧度引線”的缺陷。相比于引線接合法倒裝芯片接合法提供較短的信號(hào)傳輸長度，然而，由于阻礙堆疊的某些限制因素，倒裝芯片接合法一般被視為難以實(shí)現(xiàn)高集成度的方法。
[0004]現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝還存在強(qiáng)度不夠大、散熱性能不夠好等缺點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種設(shè)計(jì)簡單、強(qiáng)度大、散熱性能好和電學(xué)性能好的堆疊半導(dǎo)體封裝。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括有基板和外殼，所述外殼位于基板上，所述外殼頂部設(shè)置有散熱層，所述外殼設(shè)置有五層，由外到內(nèi)分別是第二模塑層、第二鋁層、鋁蜂窩層、第一鋁層和第一模塑層，所述第一模塑層內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片模塊，所述半導(dǎo)體芯片模塊底部設(shè)置有支撐構(gòu)件，所述半導(dǎo)體芯片模塊包括有半導(dǎo)體芯片和固定構(gòu)件，所述半導(dǎo)體芯片和固定構(gòu)件均設(shè)置有一個(gè)以上，所述半導(dǎo)體芯片之間為堆疊式設(shè)置，所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置有接合墊，所述基板頂部設(shè)置有連接墊，所述連接墊與基板為電性連接，所述連接墊與接合墊之間設(shè)置有連接構(gòu)件，所述基板底部設(shè)置有球焊盤，所述球焊盤與基板為電性連接，所述球焊盤上設(shè)置有連接端子。
[0008]作為優(yōu)選，所述第一鋁層的厚度為0.01-0.02cm。
[0009]作為優(yōu)選，所述鋁蜂窩層的厚度為0.05-0.08cm。
[0010]作為優(yōu)選，所述第二鋁層的厚度為0.01-0.02cm。
[0011 ]作為優(yōu)選，所述外殼的高度為0.5-0.6cm。
[0012]作為優(yōu)選，所述基板的高度為0.1-0.2cm。
[0013]作為優(yōu)選，所述第一鋁層、鋁蜂窩層和第二鋁層為一體式設(shè)置，使結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固。
[0014]作為優(yōu)選，所述散熱層與第二模塑層為一體式設(shè)置，使結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固。
[0015]本實(shí)用新型的有益效果為:該堆疊半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)簡單，通過第二鋁層、鋁蜂窩層和第一鋁層的配合設(shè)置，大大提高了半導(dǎo)體封裝的強(qiáng)度;在外殼頂部設(shè)置有散熱層，提高了半導(dǎo)體封裝的散熱性能;該堆疊半導(dǎo)體封裝內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片之間為堆疊式設(shè)置，使其具有優(yōu)異的電學(xué)性能與高度的集成能力。
【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型一種堆疊半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]如圖1所示，一種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括有基板I和外殼2，所述外殼2位于基板I上，所述外殼2頂部設(shè)置有散熱層16，所述外殼2設(shè)置有五層，由外到內(nèi)分別是第二模塑層15、第二鋁層14、鋁蜂窩層13、第一鋁層12和第一模塑層11，所述第一模塑層11內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片模塊3，所述半導(dǎo)體芯片模塊3底部設(shè)置有支撐構(gòu)件17，所述半導(dǎo)體芯片模塊3包括有半導(dǎo)體芯片5和固定構(gòu)件4，所述半導(dǎo)體芯片5和固定構(gòu)件4均設(shè)置有一個(gè)以上，所述半導(dǎo)體芯片5之間為堆疊式設(shè)置，所述半導(dǎo)體芯片5上設(shè)置有接合墊8，所述基板I頂部設(shè)置有連接墊7，所述連接墊7與基板I為電性連接，所述連接墊7與接合墊8之間設(shè)置有連接構(gòu)件6，所述基板I底部設(shè)置有球焊盤10，所述球焊盤10與基板I為電性連接，所述球焊盤10上設(shè)置有連接端子9。
[0018]所述第一鋁層12的厚度為0.01-0.02cm。
[0019]所述鋁蜂窩層13的厚度為0.05-0.08cm。
[0020]所述第二鋁層14的厚度為0.01-0.02cm。
[0021]所述外殼2的高度為0.5-0.6cm。
[0022]所述基板I的高度為0.1-0.2cm。
[0023]所述第一鋁層12、鋁蜂窩層13和第二鋁層14為一體式設(shè)置，使結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固。
[0024]所述散熱層16與第二模塑層15為一體式設(shè)置，使結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固。
[0025]本實(shí)用新型的有益效果為:該堆疊半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)簡單，通過第二鋁層、鋁蜂窩層和第一鋁層的配合設(shè)置，大大提高了半導(dǎo)體封裝的強(qiáng)度;在外殼頂部設(shè)置有散熱層，提高了半導(dǎo)體封裝的散熱性能;該堆疊半導(dǎo)體封裝內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片之間為堆疊式設(shè)置，使其具有優(yōu)異的電學(xué)性能與高度的集成能力。
[0026]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:包括有基板和外殼，所述外殼位于基板上，所述外殼頂部設(shè)置有散熱層，所述外殼設(shè)置有五層，由外到內(nèi)分別是第二模塑層、第二鋁層、鋁蜂窩層、第一鋁層和第一模塑層，所述第一模塑層內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片模塊，所述半導(dǎo)體芯片模塊底部設(shè)置有支撐構(gòu)件，所述半導(dǎo)體芯片模塊包括有半導(dǎo)體芯片和固定構(gòu)件，所述半導(dǎo)體芯片和固定構(gòu)件均設(shè)置有一個(gè)以上，所述半導(dǎo)體芯片之間為堆疊式設(shè)置，所述半導(dǎo)體芯片上設(shè)置有接合墊，所述基板頂部設(shè)置有連接墊，所述連接墊與基板為電性連接，所述連接墊與接合墊之間設(shè)置有連接構(gòu)件，所述基板底部設(shè)置有球焊盤，所述球焊盤與基板為電性連接，所述球焊盤上設(shè)置有連接端子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:所述第一鋁層的厚度為0.0l-0.02cm。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:所述鋁蜂窩層的厚度為0.05-0.08cm。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:所述第二鋁層的厚度為0.01-0.02cm。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:所述外殼的高度為0.5-0.6cm。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:所述基板的高度為0.1-0.2cm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:所述第一鋁層、鋁蜂窩層和第二鋁層為一體式設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其特征在于:所述散熱層與第二模塑層為一體式設(shè)置。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括有基板和外殼，所述外殼位于基板上，所述外殼頂部設(shè)置有散熱層，所述外殼設(shè)置有五層，由外到內(nèi)分別是第二模塑層、第二鋁層、鋁蜂窩層、第一鋁層和第一模塑層，所述第一模塑層內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片模塊，所述半導(dǎo)體芯片模塊底部設(shè)置有支撐構(gòu)件，所述半導(dǎo)體芯片模塊包括有半導(dǎo)體芯片和固定構(gòu)件，所述半導(dǎo)體芯片和固定構(gòu)件均設(shè)置有一個(gè)以上，所述半導(dǎo)體芯片之間為堆疊式設(shè)置；該堆疊半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)簡單、強(qiáng)度大、散熱性能好和電學(xué)性能好。
【IPC分類】H01L23/29, H01L23/31, H01L23/367
【公開號(hào)】CN205355036
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521143341
【發(fā)明人】王偉
【申請(qǐng)人】天津津泰锝科技有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日