專利名稱：在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜及使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜及使用方法，特別是涉及一種在晶圓(wafer)上快速選取失效晶粒(die)的薄膜及使用方法。
背景技術(shù)：
在工廠(FAB)集成電路失效分析過程中，關(guān)鍵的一步就是如何從晶圓上按照測試坐標(biāo)選取失效晶粒。然而，在實際應(yīng)用中會遇到如下問題第一，對于二次篩選(CP2)失效的晶圓，已經(jīng)打過點的，可以采用對點的辦法找取失效晶粒，但是打點只有一種顏色，如果失效晶粒分布比較密集，找出目標(biāo)晶粒就會比較困難。對于一次篩選(CPl)失效嚴(yán)重的晶圓，不再測試二次篩選，也不會打點，找出目標(biāo)晶粒更是困難。如果專門去借用測試儀打點，不僅浪費時間，而且占用量產(chǎn)機時。第二，不管晶粒面積比較大還是比較小，在整枚晶圓上選取失效晶粒，都要經(jīng)歷數(shù)坐標(biāo)、標(biāo)注并確認(rèn)的過程。這個過程比較費時，而且晶圓上如果有幾千或者幾萬個晶粒，選取其中的一個失效晶粒需要耗費大量時間和人力；第三，精確度不能保證，在數(shù)的過程中，所有的晶粒都是重復(fù)的，很容易數(shù)差行、差列，在數(shù)錯的失效晶粒上進(jìn)行失效分析，會浪費大量的寶貴資源和人力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜及使用方法。利用該薄膜可以準(zhǔn)確、省時地在晶圓上找到失效晶粒，給選取失效晶粒工作帶來極大便利。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜，是由絕緣材料制成的具有透明性質(zhì)的薄膜。其中，該薄膜上標(biāo)示有坐標(biāo)系，該坐標(biāo)系與晶圓上的測試坐標(biāo)系對應(yīng)。薄膜上的坐標(biāo)格子大小可隨實際晶粒的大小而變。所述薄膜還有用于與晶圓對準(zhǔn)的對準(zhǔn)標(biāo)記，包括缺口(notch)標(biāo)記、左右邊界標(biāo)記。所述絕緣材料包括塑料類材料或者其它，有透明、絕緣的特點；其中，塑料類材料包括常用的PVC(聚氯乙烯)材料，PET(聚酯)材料。所述薄膜的形狀可以為四方形或者做成可以持續(xù)使用的長卷，大小可隨晶圓大小而變；薄膜的厚度以不起卷而且透明為原則，太薄容易起卷，太厚則透視度不好，比如可采用Imm以下的厚度。另外，本發(fā)明的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜的使用方法，包括步驟(1)根據(jù)晶圓上測試出的失效晶粒坐標(biāo)，在薄膜上的相應(yīng)坐標(biāo)處標(biāo)注記號；(2)利用薄膜上存在的坐標(biāo)系和對準(zhǔn)標(biāo)記，與晶圓對準(zhǔn)后，將薄膜貼在晶圓上；(3)揭去薄膜后，薄膜上的相應(yīng)坐標(biāo)處的記號就轉(zhuǎn)移到了晶圓上。
所述步驟(1)中的記號，是不易大面積擴散的記號，如可以為用馬克(mark)筆或圓珠筆標(biāo)注的記號。本發(fā)明的有益效果如下(1)不管是打過墨點的晶圓還是沒有打過墨點的晶圓，均可以使用此方法；(2)不管是晶粒面積比較大還是比較小，均可以使用此方法，區(qū)別在于坐標(biāo)系的密集與否；(3)相比于過去的方法在數(shù)的過程中，所有的晶粒都是重復(fù)的，很容易數(shù)差行、 差列，在數(shù)錯的失效晶粒上進(jìn)行失效分析，不僅精確度不能保證，而且浪費了寶貴的資源和人力；而本發(fā)明方便操作，即學(xué)即用，精確有效；(4)本發(fā)明的薄膜還能重復(fù)使用，節(jié)省成本。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是實施例中的薄膜示意圖；圖2是實施例中的將薄膜貼在晶圓上的示意圖；圖3是實施例中的薄膜上的記號轉(zhuǎn)移到晶圓上后的示意圖。
具體實施例方式本實施例中的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜，是一種由PVC(聚氯乙烯)制成的具有透明性質(zhì)的薄膜，厚度為0. 1 1mm。由于本實施例中采用的晶圓是8英寸晶圓，因此，采用200mmX200mm的四方形薄膜。該薄膜上標(biāo)示有坐標(biāo)系，如圖1所示，該坐標(biāo)系與晶圓上的測試坐標(biāo)系對應(yīng)，其中，晶圓上的晶粒大小為ImmX 1mm，薄膜上的坐標(biāo)格子大小就設(shè)計為lmmXlmm。另外，該薄膜上還有用于與晶圓對準(zhǔn)的對準(zhǔn)標(biāo)記，如圖1中所示的notch標(biāo)記markl，左右邊界標(biāo)記 mark20下面以晶圓上測試出來的失效晶粒坐標(biāo)(χ = 12，y = 14)為例，來說明使用上述薄膜的方法。該方法的具體包括步驟(1)在薄膜上用mark筆在點(x = 12，y = 14)做記號，如圖1所示；(2)利用薄膜上存在的坐標(biāo)系和對準(zhǔn)標(biāo)記(markl、mark2)，與晶圓對準(zhǔn)后，將薄膜貼在晶圓上，如圖2所示；(3)揭去薄膜后，薄膜上的記號(χ = 12，y = 14)就轉(zhuǎn)移到晶圓上(即印在晶圓上)，如圖3所示。按照上述步驟進(jìn)行操作，可以非常簡單地找到失效晶粒位置，省去了在晶圓上直接數(shù)坐標(biāo)所耗費的人力和時間，減少了出錯的概率，而且本實施例的薄膜還能重復(fù)使用，節(jié)省成本。
權(quán)利要求
1.一種在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜，是由絕緣材料制成的具有透明性質(zhì)的薄膜，其特征在于所述薄膜上標(biāo)示有坐標(biāo)系，該坐標(biāo)系與晶圓上的測試坐標(biāo)系對應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜，其特征在于所述絕緣材料包括塑料類材料。
3.如權(quán)利要求2所述的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜，其特征在于所述塑料類材料包括聚氯乙烯材料、聚酯材料。
4.如權(quán)利要求1所述的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜，其特征在于所述薄膜的形狀為四方形或者持續(xù)使用的長卷；薄膜的厚度為Imm以下。
5.如權(quán)利要求1所述的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜，其特征在于所述薄膜上還有用于與晶圓對準(zhǔn)的對準(zhǔn)標(biāo)記，包括缺口標(biāo)記、左右邊界標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求1-5任意一項所述的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜的使用方法，包括步驟(1)根據(jù)晶圓上測試出的失效晶粒坐標(biāo)，在薄膜上的相應(yīng)坐標(biāo)處標(biāo)注記號；(2)利用薄膜上存在的坐標(biāo)系和對準(zhǔn)標(biāo)記，與晶圓對準(zhǔn)后，將薄膜貼在晶圓上；(3)揭去薄膜后，薄膜上的相應(yīng)坐標(biāo)處的記號就轉(zhuǎn)移到了晶圓上。
7.如權(quán)利要求6所述的在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜的使用方法，其特征在于 所述步驟(1)中的記號是用馬克筆或圓珠筆標(biāo)注的記號。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在晶圓上快速選取失效晶粒的薄膜及使用方法，該薄膜是由絕緣材料制成的具有透明性質(zhì)的薄膜，其中，該薄膜上標(biāo)示有坐標(biāo)系，該坐標(biāo)系與晶圓上的測試坐標(biāo)系對應(yīng)。該薄膜的使用方法，包括步驟1)根據(jù)晶圓上測試出的失效晶粒坐標(biāo)，在薄膜上的相應(yīng)坐標(biāo)處標(biāo)注記號；2)利用薄膜上存在的坐標(biāo)系和對準(zhǔn)標(biāo)記，與晶圓對準(zhǔn)后，將薄膜貼在晶圓上；3)揭去薄膜后，薄膜上的相應(yīng)坐標(biāo)處的記號就轉(zhuǎn)移到了晶圓上。利用本發(fā)明可以準(zhǔn)確、省時地在晶圓上找到失效晶粒，給選取失效晶粒工作帶來極大便利。
文檔編號H01L21/66GK102468119SQ20101055116
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者馬香柏 申請人:上海華虹Nec電子有限公司