專利名稱：直角單晶硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種光伏產(chǎn)業(yè)中的直角單晶硅片。
背景技術(shù)：
目前，在光伏產(chǎn)業(yè)中的單晶硅片的四邊為直邊，在二個相鄰直邊過渡處為大圓弧 邊，可用面積小，發(fā)電效率低。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種可用面積大、發(fā)電效率高的直角單晶硅 片。本實用新型涉及的直角單晶硅片，包括一個硅片基體，其特殊之處是所述的硅片 基體的四角為直角。本實用新型的優(yōu)點是由于單晶硅片的四角為直角，增大了整個硅片的可用面積， 使硅片的發(fā)電效率提高8%以上。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的俯視放大圖；圖3是圖1的左視放大圖。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型有一個硅片基體1，所述的硅片基體1的四角101為直角。
權(quán)利要求一種直角單晶硅片，包括一個硅片基體，其特征是所述的硅片基體的四角為直角。
專利摘要一種直角單晶硅片，解決了現(xiàn)有的單晶硅片的四邊為直邊，在二個相鄰直邊過渡處為大圓弧邊，可用面積小，發(fā)電效率低的問題。它包括一個硅片基體，其特殊之處是所述的硅片基體的四角為直角。由于單晶硅片的四角為直角，增大了整個硅片的可用面積，使硅片的發(fā)電效率提高8％以上。
文檔編號H01L31/0352GK201681949SQ20102016936
公開日2010年12月22日 申請日期2010年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者劉雷, 楊廣宇, 趙亮, 陳立民, 陳鵬 申請人:錦州日鑫硅材料有限公司