一種單晶硅片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種單晶硅片，包括矩形本體，本體的四角為圓弧，且該四個(gè)圓弧位于同一圓上。該單晶硅片適應(yīng)于現(xiàn)有主流光伏電池片制造產(chǎn)線，在通過性上滿足產(chǎn)線最大尺寸冗余，可在適用于現(xiàn)有裝置尺寸的基礎(chǔ)上增加受光面積，從而能夠在不增加或增加極少制造成本的基礎(chǔ)上獲得更高的單電池片發(fā)電量，降低度電發(fā)電成本。
【專利說明】—種單晶娃片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于光伏領(lǐng)域的單晶硅片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，人類對(duì)高效能源的需求持續(xù)增長(zhǎng)。光伏發(fā)電作為人類可持續(xù)發(fā)展的主要綠色能源的一種，日益受到世界各國的重視并得到大力發(fā)展。目前，光伏發(fā)電的最大問題仍在于度電成本偏高，無法平價(jià)上網(wǎng)，需要政府補(bǔ)貼支持。為了降低度電發(fā)電成本，需要提高單電池片的發(fā)電量，光伏產(chǎn)業(yè)的上下游廠家投入了大量的人力物力，或者開發(fā)高轉(zhuǎn)化效率的半導(dǎo)體材料，或者改善晶硅材料制造工藝，或者優(yōu)化電池片制造工藝等，其目的都是通過提高轉(zhuǎn)效率來提高單電池片的發(fā)電量，實(shí)現(xiàn)度電的發(fā)電成本降低。然而這些方法的實(shí)現(xiàn)都比較復(fù)雜，都以額外的成本投入為代價(jià)，制造成本往往大幅上升，最終又制約了度電發(fā)電成本的實(shí)際下降。
[0003]為了解決上述問題，專利號(hào)為“201120333107.x”的中國專利公開記載了，一種圖1所示的由上、下兩平行平面組成的方形薄片即作為單晶硅片的本體10的太陽能級(jí)單晶硅片，其主要特點(diǎn)是，單晶硅片本體10的四個(gè)角2為圓弧，如此，使得該單晶硅片切割后不會(huì)造成缺角、不易崩邊，且在加工硅片端面時(shí)，不容易產(chǎn)生破壞性的崩口，提高了硅片生產(chǎn)的良品率和后期加工的使用率；相對(duì)于倒角而言，提高了邊緣表面質(zhì)量；將硅片的厚度由原來的200±20 μ m降低到160±4 μ m,提高了娃片的出片率，同時(shí)，磨圓角后增大了娃片可用面積，提高了發(fā)電效率。
[0004]單就該專利記載而言，其用以增大硅片可用面積的四個(gè)圓弧角，并非同心圓弧，只是僅為了工藝和單晶硅片本體形狀結(jié)構(gòu)的需要，限定了其四個(gè)圓弧角的角度a為90°，由此，不能看出，該專利記載的太陽能級(jí)單晶硅片其借助四個(gè)圓弧角增大硅片可用面積非常有限，主要是因?yàn)?四個(gè)圓弧角并非同心圓弧(其說明書附圖圖1更為直觀)，致使其所在圓弧半徑R不可能過大，正如該專利文件記載的圓弧半徑R在15~16mm之間,相應(yīng)的圓弧角的面積也不會(huì)太大，因此，其增加的硅片本體可用面積受限。因此，不難看出，該專利文件主要解決的問題是，提供一種不易造成缺角、不易崩碎的太陽能級(jí)單晶硅片，即改進(jìn)工藝，提高出產(chǎn)量，在增加硅片可用面積、提高發(fā)電量方面貢獻(xiàn)有限。
[0005]由此可見，目前尚未有理想的提高單電池片發(fā)電量和降低發(fā)電成本的技術(shù)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的在是適應(yīng)于現(xiàn)有光伏電池片制造生產(chǎn)線的前提下，較為明顯的提高單晶硅片的發(fā)電量、同時(shí)又控制生產(chǎn)成本。
[0007]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種單晶硅片，包括矩形本體，其特殊之處在于，所述本體的四角為圓弧，且該四個(gè)圓弧位于同一圓上。
[0008]上述本體的截面由兩個(gè)平行相對(duì)的橫邊、兩個(gè)平行相對(duì)的縱邊及連接在相鄰的橫邊和縱邊之間的四個(gè)圓弧邊構(gòu)成；兩個(gè)橫邊之間的間距A:156 ^ 157 mm ;兩個(gè)縱邊之間的間距B:156 ≤A ≤157 mm ;所述圓的直徑D:203≤D≤215_。
[0009]上述兩個(gè)縱邊的間距B等于所述兩個(gè)橫邊的間距A:156.5≤A≤157 mm。
[0010]上述圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211_。
[0011]上述圓的直徑D:204.75 ≤ D ≤ 205.25mm 或 209.75 ≤ D ≤ 210.25mm。
[0012]上述兩個(gè)橫邊的間距A大于所述兩個(gè)縱邊的間距B，且:156.5≤A≤157 mm。
[0013]上述兩個(gè)縱邊的間距B:156.5≤B≤157 mm。
[0014]上述圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211mm。
[0015]上述圓的直徑D:204.75 ≤ D ≤ 205.25mm 或 209.75 ≤ D ≤ 210.25mm。
[0016]上述兩個(gè)橫邊(11)的間距A與兩個(gè)縱邊(12)的間距B均為156.75 mm，所述圓的直徑D為205mm ；
[0017]或兩個(gè)橫邊的間距A與兩個(gè)縱邊的間距B均為157mm，所述圓的直徑D為210mm ;
[0018]或所述兩個(gè)橫邊的間距A為156.75mm，兩個(gè)縱邊的間距B為156.25 mm，圓的直徑D 為 212mm。
[0019]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:適應(yīng)于現(xiàn)有主流光伏電池片制造產(chǎn)線，在通過性上滿足產(chǎn)線最大尺寸冗余，可在適用于現(xiàn)有裝置尺寸的基礎(chǔ)上增加受光面積，從而能夠在不增加或增加極少制造成本的基礎(chǔ)上獲得更高的單電池片發(fā)電量，降低度電發(fā)電成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是已有技術(shù)中的單晶硅片的示意圖。
[0021]圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施例一提供的單晶硅片的示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記說明:1、本體；2、角；a、角度；R、圓弧半徑；D、直徑；11、橫邊；12、縱邊；
13、圓弧邊；A、橫邊距；B、縱邊距。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為了適應(yīng)于現(xiàn)有光伏電池片制造生產(chǎn)線的前提下，較為明顯的提高單晶硅片的發(fā)電量、同時(shí)又控制生產(chǎn)成本，本實(shí)施例提供了一種圖2所示的單晶硅片，包括矩形本體10，特殊之處在于本體10的四角為圓弧，且該四個(gè)圓弧位于同一圓上，如此一來，可以最大限度的增大四個(gè)角的弧長(zhǎng)，從而有效的增加單晶硅片的可用面積，提高單電池片發(fā)電量。
[0024]基于該改進(jìn)后的單晶硅片，可以在滿足光伏電池片制造生產(chǎn)線的前提下和成本控制的前提下，可以根據(jù)具體工藝設(shè)計(jì)，制造不同尺寸的單晶硅片，結(jié)合圖2，可見該單晶硅片的本體10的截面由兩個(gè)平行相對(duì)的橫邊11、兩個(gè)平行相對(duì)的縱邊12及連接在相鄰的橫邊11和縱邊12之間的四個(gè)圓弧邊13構(gòu)成；且兩個(gè)橫邊11之間的間距A (可稱為橫邊距):156≤ A≤157 mm ;兩個(gè)縱邊12之間的間距B (可稱為縱邊距):156 ≤ A ≤157 mm ;所述圓的直徑D:203≤D≤215_。
[0025]現(xiàn)舉例詳細(xì)說明，在不同的工藝尺寸下，該單晶硅片的發(fā)電量。
[0026]詳例一:
[0027]本實(shí)施例中，單晶硅片的本體10的截面為準(zhǔn)方形，縱邊距B等于橫邊距A，橫邊距A、縱邊距B的大小為156.5~157毫米，具體可以是156.75毫米，直徑D的大小為204~206毫米，具體可以是205毫米。[0028]此時(shí)，相較于A=B=156毫米，D=200毫米的普通單晶硅片，面積增大1.63%。利用該單晶硅片10加工太陽能電池片，無需額外增加設(shè)備等投入，即可獲得更高的單電池片發(fā)電量。
[0029]當(dāng)然，直徑D的大小還可以為203.5毫米、204.5毫米、205.5毫米、206.5毫米、207暈米、207.5暈米、208暈米、208.5暈米、209暈米、209.5暈米、210暈米、210.5暈米、211暈米、211.5毫米、212毫米、212.5毫米、213毫米、213.5毫米、214毫米或214.5毫米等具體值，或者處于以上任意兩個(gè)值之間的范圍內(nèi)。
[0030]可以理解，由于加工精度的影響，上述邊距A、B及直徑D的值，允許存在±0.25毫米的偏差。并且，隨著加工精度的提高，偏差值并不限于為±0.25毫米。
[0031]詳例二:
[0032]本實(shí)施例中，單晶硅片的本體10的截面為準(zhǔn)方形，縱邊距B等于橫邊距A，橫邊距A、縱邊距B的大小為156.5~157毫米，具體可以是157毫米，直徑D的大小為209~211毫米，具體可以是210毫米。此時(shí)，相較于A=B=156毫米，D=200毫米的普通單晶硅片，面積增大2.54%ο
[0033]當(dāng)然，直徑D的大小還可以為203.5毫米、204毫米、204.5毫米、205毫米、205.5暈米、206暈米、206.5暈米、207暈米、207.5暈米、208暈米、208.5暈米、209.5暈米、210.5毫米、211.5毫米、212毫米、212.5毫米、213毫米、213.5毫米、214毫米或214.5毫米等具體值，或者處于以上任意兩個(gè)值之間的范圍內(nèi)?？梢岳斫?，由于加工精度的影響，上述邊距A、B及直徑R的值，允許存在±0.25毫米的偏差。
[0034]詳例三:
[0035]本實(shí)施例中，橫邊距A大于縱邊距B，橫邊距A大小為156.5~157毫米，縱邊距B的大小為156~157毫米。具體地，縱邊距B為156.25毫米，橫邊距為156.75毫米。直徑R為212毫米。此時(shí)，相較于A=B=156毫米，D=200毫米的一般單晶硅片，面積增大2.13%。
[0036]當(dāng)然，橫邊距A、縱邊距B的大小也可以均為156.5~157毫米。此外，直徑D的大小還可以為203.5暈米、204暈米、204.5暈米、205暈米、205.5暈米、206暈米、206.5暈米、207暈米、207.5暈米、208暈米、208.5暈米、209暈米、209.5暈米、210暈米、210.5暈米、211毫米、211.5毫米、212.5毫米、213毫米、213.5毫米、214毫米或214.5毫米等具體值，或者處于以上任意兩個(gè)值之間的范圍內(nèi)。
[0037]可以理解，由于加工精度的影響，上述橫邊距A、縱邊距B及直徑D的值，允許存在±0.25毫米的偏差。并且，隨著加工精度的提高，偏差值并不限于為±0.25毫米。
[0038]綜上所述，不難看出，該四個(gè)角為圓弧且該四個(gè)圓弧在同一圓上的單晶硅片，存在以下兩種基本的尺寸選擇:
[0039]一、縱邊距B等于橫邊距A，且156.5≤A≤157 mm，此時(shí)，相應(yīng)的圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211mm ;也可以是204.75≤D≤205.25mm或209.75 ^ D ^ 210.25mm。
[0040]具體地可以是橫邊距A與縱邊距B均為157 mm，相應(yīng)的圓的直徑D為210mm。
[0041]二、橫邊距A大于縱邊距B，且:156.5≤A≤157 mm，縱邊距B: 156.5 < B< 157 mm，相應(yīng)的圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211mm ;還可以是204.75 ≤ D ≤ 205.25mm 或 209.75 ≤ D ≤ 210.25mm。[0042]具體地可以是:橫邊距A為156.75mm,縱邊B為156.25 _，圓的直徑D為212_。
[0043]但不管選擇哪種情形或哪種情形下的工藝尺寸，都不難看出，以上各實(shí)施例提供的單晶硅片，適應(yīng)于現(xiàn)有主流光伏電池片制造產(chǎn)線，在通過性上滿足產(chǎn)線最大尺寸冗余，可在適用于現(xiàn)有裝置尺寸的基礎(chǔ)上最大限度的增加受光面積，最大可使受光面積相較于普通硅片增加2.95%，從而能夠在不增加或增加極少制造成本的基礎(chǔ)上獲得更高的單電池片發(fā)電量，降低度電發(fā)電成本。而相對(duì)于專利號(hào)為“201120333107.x”的中國專利，由于以上各實(shí)施例提供的單晶硅片的本體10的四個(gè)圓弧角都在同一個(gè)圓上，明顯地增大了圓弧的弧長(zhǎng)，有效的增加了單晶硅片的可用面積，提高了其發(fā)電量。
[0044]以上例舉僅僅是對(duì)本實(shí)用新型的舉例說明，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍的限制，凡是與本實(shí)用新型相同或相似的設(shè)計(jì)均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單晶硅片，包括矩形本體(10)，其特征在于:所述本體(10)的四角為圓弧，且該四個(gè)圓弧位于同一圓上。
2.如權(quán)利要求1所述的單晶硅片，其特征在于:所述本體(10)的截面由兩個(gè)平行相對(duì)的橫邊(11)、兩個(gè)平行相對(duì)的縱邊(12)及連接在相鄰的橫邊(11)和縱邊(12)之間的四個(gè)圓弧邊(13)構(gòu)成； 所述兩個(gè)橫邊(11)之間的間距A:156≤A≤157mm ;兩個(gè)縱邊(12)之間的間距B:156≤ A ≤157mm ;所述圓的直徑D:203≤D≤215_。
3.如權(quán)利要求2所述的單晶硅片，其特征在于:所述兩個(gè)縱邊(12)的間距B等于所述兩個(gè)橫邊(11)的間距A:156.5≤A≤157mm。
4.如權(quán)利要求3所述的單晶硅片，其特征在于:所述圓的直徑D:204≤D≤206mm或209 ≤D ≤211mm。
5.如權(quán)利要求3或4所述的單晶硅片，其特征在于:所述圓的直徑D:204.75 ≤ D ≤ 205.25mm 或 209.75 ≤ D ≤ 210.25mm。
6.如權(quán)利要求2所述的單晶硅片，其特征在于:所述兩個(gè)橫邊(11)的間距A大于所述兩個(gè)縱邊(12)的間距B，且:156.5≤A≤157mm。
7.如權(quán)利要求6所述的單晶硅片，其特征在于:所述兩個(gè)縱邊(12)的間距B:156.5 ≤ B ≤ 157mm。
8.如權(quán)利要求6或7所述的單晶硅片，其特征在于:所述圓的直徑D:204≤ D ≤ 206mm或 209 ≤D ≤ 211mm。
9.如權(quán)利要求8所述的單晶硅片，其特征在于:所述圓的直徑D:204.75 ≤ D ≤ 205.25mm 或 209.75 ≤ D ≤ 210.25mm。
10.如權(quán)利要求2所述的單晶硅片，其特征在于:所述兩個(gè)橫邊(11)的間距A與兩個(gè)縱邊(12)的間距B均為156.75mm，所述圓的直徑D為205mm ； 或兩個(gè)橫邊(11)的間距A與兩個(gè)縱邊(12)的間距B均為157mm，所述圓的直徑D為210mm ； 或所述兩個(gè)橫邊(11)的間距A為156.75mm，兩個(gè)縱邊(12)的間距B為156.25mm，所述圓的直徑D為212mm。
【文檔編號(hào)】H01L31/0352GK203787439SQ201320814312
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2013年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月12日
【發(fā)明者】李振國, 鐘寶申, 鄧良平 申請(qǐng)人:西安隆基硅材料股份有限公司