專利名稱：一種單晶硅片清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅片制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種單晶硅片清潔方法。
背景技術(shù)：
硅片是光伏行業(yè)中至關(guān)重要的組成部件，主要用于對(duì)光能進(jìn)行轉(zhuǎn)化，通過光輻射產(chǎn)生電能。為了增加硅片的吸光能力，一般會(huì)對(duì)硅片采取制絨工藝，通過化學(xué)腐蝕或者激光刻蝕等工藝將硅片進(jìn)行非平面處理。如對(duì)單晶硅片進(jìn)行制絨:首先，對(duì)需要進(jìn)行制絨的單晶硅片清洗，將單晶硅片放置于清洗液中，然后采用超聲波進(jìn)行清洗；然后，將清洗干燥后的單晶硅片放置于堿液中進(jìn)行腐蝕到達(dá)制絨效果。需要對(duì)制絨原理做出解釋，制絨原理為:單晶硅片中晶粒為各向異性，因此當(dāng)單晶硅片放置于堿液中進(jìn)行腐蝕時(shí)，晶粒不同方向上的腐蝕程度是不一樣的，因此，當(dāng)采用堿液對(duì)單晶硅片表面進(jìn)行腐蝕后，單晶硅片的表面會(huì)呈現(xiàn)出倒金字塔狀的形狀，這種非平面結(jié)構(gòu)將增加硅片的受光面積，提高硅片對(duì)光能的轉(zhuǎn)化率。然而，現(xiàn)有技術(shù)中由于單晶硅片尺寸較小，為了方便工作人員對(duì)硅片進(jìn)行操作，一般會(huì)采用貼紙方法將一定數(shù)量的硅片割開。貼紙將不可避免地帶來硅片污染，即使是硅片進(jìn)行清洗，超聲波清洗也不能夠?qū)⑷康馁N紙清除干凈。這些殘留的貼紙將阻止硅片在制絨過程中硅晶粒與堿溶液的反應(yīng)，如此制備出的制絨單晶硅片表面會(huì)出現(xiàn)大量的未反應(yīng)泛白區(qū)，導(dǎo)致單晶硅片的制絨失敗。綜上所述，如何提供一種單晶硅片清潔方法，使用該方法能夠有效地對(duì)單晶硅片表面進(jìn)行處理，提高單晶硅片的制絨質(zhì)量，成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題為提供一種單晶硅片清潔方法，使用該方法能夠有效地對(duì)單晶娃片表面進(jìn)行處理，提聞單晶娃片的制續(xù)質(zhì)量。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種單晶硅片清潔方法，包括步驟:1)對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理；2)將烘燒處理后的硅片進(jìn)行超聲波清洗；3)對(duì)硅片進(jìn)行去損傷處理。優(yōu)選地，所述步驟1)中采用的是硅片絲網(wǎng)印刷工序中使用的燒結(jié)爐對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理。在上述單晶硅片清潔方法中，首先對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理，該步驟能夠通過高溫烘燒作用將單晶硅片表面上貼覆的貼紙或者有機(jī)物燃燒掉。由于單晶硅片的性質(zhì)穩(wěn)定，所以這種烘燒處理在不對(duì)硅片本身產(chǎn)生影響的情況下將硅片表面的貼紙或者有機(jī)物有效處理。然后對(duì)烘燒處理后的硅片進(jìn)行超聲波清洗，在對(duì)硅片進(jìn)行了烘燒處理后再采用超聲波清洗，能夠?qū)⒐杵砻娴男」腆w顆粒清除。最后對(duì)清洗潔凈的硅片進(jìn)行去損傷處理，進(jìn)一步提聞單晶娃片表面的平整程度，提聞娃片與喊液的反應(yīng)質(zhì)量。本發(fā)明提供的一種單晶娃片清潔方法結(jié)合烘燒與超聲波清洗共同對(duì)單晶硅片表面進(jìn)行處理，能夠有效清除硅片表面的雜質(zhì)，從而提聞了單晶娃片的制續(xù)質(zhì)量。


圖1為本發(fā)明第一種實(shí)施例中單晶硅片清潔方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的核心為提供一種單晶硅片清潔方法，使用該方法能夠有效地對(duì)單晶硅片表面進(jìn)行處理，提高單晶硅片的制絨質(zhì)量。為了使本領(lǐng) 域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請參考圖1，圖1為本發(fā)明第一種實(shí)施例中單晶硅片清潔方法的流程圖。本發(fā)明提供了一種單晶硅片清潔方法，包括步驟:SI)對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理；S2)將烘燒處理后的硅片進(jìn)行超聲波清洗；S3)對(duì)硅片進(jìn)行去損傷處理。在上述單晶硅片清潔方法中，首先對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理，該步驟能夠通過高溫烘燒作用將單晶硅片表面上貼覆的貼紙或者有機(jī)物燃燒掉。由于單晶硅片的性質(zhì)穩(wěn)定，所以這種烘燒處理在不對(duì)硅片本身產(chǎn)生影響的情況下將硅片表面的貼紙或者有機(jī)物有效處理。然后對(duì)烘燒處理后的硅片進(jìn)行超聲波清洗，在對(duì)硅片進(jìn)行了烘燒處理后再采用超聲波清洗，能夠?qū)⒐杵砻娴男」腆w顆粒清除。最后對(duì)清洗潔凈的硅片進(jìn)行去損傷處理，進(jìn)一步提聞單晶娃片表面的平整程度，提聞娃片與喊液的反應(yīng)質(zhì)量。本發(fā)明提供的一種單晶娃片清潔方法結(jié)合烘燒與超聲波清洗共同對(duì)單晶硅片表面進(jìn)行處理，能夠有效清除硅片表面的雜質(zhì)，從而提聞了單晶娃片的制續(xù)質(zhì)量。具體地，步驟SI)中采用的是硅片絲網(wǎng)印刷工序中使用的燒結(jié)爐對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理。如此設(shè)計(jì)能夠避免引進(jìn)新設(shè)備對(duì)單晶硅片進(jìn)行烘燒處理，降低硅片處理的運(yùn)行成本，并且使用絲網(wǎng)印刷工序中使用的燒結(jié)爐進(jìn)行對(duì)硅片的烘燒，能夠提高燒結(jié)爐的使用率，避免了燒結(jié)爐的閑置。一般情況下，對(duì)單晶硅片進(jìn)行烘燒的設(shè)備還可以選用其他裝置，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，硅片本身的穩(wěn)定性較高，并且其耐熱程度也較高，一般可達(dá)到1200°C，因此常規(guī)加熱設(shè)備都可用于對(duì)單晶硅片的烘燒。即使硅片由于高溫氧化，其氧化物Si02也能夠在制絨堿性溶液中與堿溶液發(fā)生反應(yīng)，之后溶解于堿液中不對(duì)硅片表面的制絨反應(yīng)產(chǎn)生任何影響。以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種單晶硅片清潔方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種單晶硅片清潔方法，其特征在于，包括步驟: 1)對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理； 2)將烘燒處理后的硅片進(jìn)行超聲波清洗； 3)對(duì)硅片進(jìn)行去損傷處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述單晶硅片清潔方法，其特征在于，所述步驟I)中采用的是硅片絲網(wǎng)印刷工序 中使用的燒結(jié)爐對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單晶硅片清潔方法，包括步驟1)對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理；2)將烘燒處理后的硅片進(jìn)行超聲波清洗；3)對(duì)硅片進(jìn)行去損傷處理。在上述單晶硅片清潔方法中，首先對(duì)硅片進(jìn)行烘燒處理，該步驟能夠通過高溫烘燒作用將單晶硅片表面上貼覆的貼紙或者有機(jī)物燃燒掉。然后對(duì)烘燒處理后的硅片進(jìn)行超聲波清洗，在對(duì)硅片進(jìn)行了烘燒處理后再采用超聲波清洗，能夠?qū)⒐杵砻娴男」腆w顆粒清除。最后對(duì)清洗潔凈的硅片進(jìn)行去損傷處理，進(jìn)一步提高單晶硅片表面的平整程度，提高硅片與堿液的反應(yīng)質(zhì)量。本發(fā)明提供的一種單晶硅片清潔方法結(jié)合烘燒與超聲波清洗共同對(duì)單晶硅片表面進(jìn)行處理，能夠有效清除硅片表面的雜質(zhì)，從而提高了單晶硅片的制絨質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L31/18GK103147132SQ20111040386
公開日2013年6月12日 申請日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者王競爭 申請人:浚鑫科技股份有限公司