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      取代苯并硫?qū)俨⒈交衔?、包含該化合物的薄膜以及包括該薄膜的有機(jī)半導(dǎo)體裝置的制作方法

      文檔序號(hào):6827100閱讀:941來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:取代苯并硫?qū)俨⒈交衔?、包含該化合物的薄膜以及包括該薄膜的有機(jī)半導(dǎo)體裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及取代苯并硫?qū)俨⒈?benzochalcogenoacene)化合物、包含該化合物的薄膜以及包括該薄膜的有機(jī)半導(dǎo)體裝置。
      背景技術(shù)
      非專利文獻(xiàn)1中,記載了ニ苯并[d,d’ ]噻吩并[3,2-b; 4,5’ _b,] ニ噻吩,且在該專利文獻(xiàn)1中,記載了下式所示的苯并硫?qū)俨⒈交衔?br> 權(quán)利要求
      1.式(1)所示的取代苯并硫?qū)俨⒈交衔?br> 2.權(quán)利要求1所述的化合物,其中式(1)中的全部E均為硫原子。
      3.權(quán)利要求1或2所述的化合物,其中式(1)中的R1和R2各自獨(dú)立地表示氫原子、任選氟代的C4,烷基、任選氟代的C4,烷氧基、任選氟代的任選烷基化或烷氧基化的C6,芳基、任選氟代的C7,芳烷基、任選氟代的任選烷基化或烷氧基化的C4,雜芳基、或任選氟代的c5_3(1雜芳烷基。
      4.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的化合物,其中式(1)所示的化合物為式( 所示的化合物
      5.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式O)中,E各自獨(dú)立地表示硫原子或硒原子,R1和 R2各自獨(dú)立地表示氫原子、任選氟代的C4,烷基、或任選烷基化或氟代的C3,三烷基甲硅^71: ο
      6.權(quán)利要求5所述的化合物,其中式( 中的R1和R2各自獨(dú)立地表示C4,烷基或C3, 三烷基甲硅烷基。
      7.權(quán)利要求5所述的化合物,其中式(2)中的R1和R2為C4,烷基。
      8.權(quán)利要求5所述的化合物,其中式O)中的R1和R2相同且表示C4_2(l烷基。
      9.權(quán)利要求5所述的化合物,其中式O)中的R1和R2為C6_12烷基。
      10.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式O)中的R1和R2各自獨(dú)立地表示氫原子、任選氟代的C4,烷基、任選氟代的C4,烷氧基、任選氟代的任選烷基化的C6,芳基,或任選氟代的。7-30萬(wàn)ス兀全。
      11.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式O)中的R1和R2相同且表示c4_2(l烷氧基。
      12.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式O)中的R1和R2相同且表示具有CV2tl烷基的
      13.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式O)中的R1和R2相同且表示C7_2(l芳烷基。
      14.權(quán)利要求5所述的化合物,其中式( 中的R1和R2各自獨(dú)立地表示C3,三烷基甲娃ス兀備。
      15.權(quán)利要求5所述的化合物,其中式( 中的R1和R2各自獨(dú)立地表示C3_14三烷基甲し 6-10 芳基。硅烷基。
      16.權(quán)利要求4或5所述的化合物,其中式O)中的R1和R2相同且表示己基或十二烷
      17.權(quán)利要求4-16中任一項(xiàng)所述的化合物,其中式中的全部E均為硫原子。
      18.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式(2)中的全部E均表示硫原子,式(2)中的R1和R2表示己基。
      19.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式( 中的全部E均表示硫原子,式( 中的R1和 R2相同且表示十二烷基。
      20.權(quán)利要求4所述的化合物,其中式(2)中的全部E均表示硫原子,式(2)中的R1和 R2各自獨(dú)立地表示C6_12烷基。
      21.下述式[5]、[7]、[12]、[15]、[18]或[42]所示的化合物
      22.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的化合物,其中式(1)所示的化合物為式C3)所示的化合物
      23.權(quán)利要求22所述的化合物,其中式(3)中的R1和R2相同且表示C4_2(l烷基。
      24.ー種薄膜,其包含權(quán)利要求1-23中任一項(xiàng)所述的化合物。
      25.ー種薄膜,其由權(quán)利要求1-23中任一項(xiàng)所述的化合物構(gòu)成。
      26.一種有機(jī)半導(dǎo)體裝置,其包含權(quán)利要求M或25所述的薄膜。
      27.ー種有機(jī)晶體管,其包含權(quán)利要求M或25所述的薄膜。
      全文摘要
      本發(fā)明提供適用于作為有機(jī)半導(dǎo)體材料的新型化合物,該化合物為式(1)所示的取代苯并硫?qū)俨⒈交衔铮峁┌摶衔锏谋∧ぁ⒁约熬哂性摫∧ぷ鳛闃?gòu)成成分的有機(jī)半導(dǎo)體裝置。在式(1)中,E各自獨(dú)立地表示硫原子或硒原子,并且R1和R2各自獨(dú)立地表示氫原子、任選取代的C4-30烷基、任選取代的C4-30烷氧基、任選取代的C6-30芳基、任選取代的C7-30芳烷基、任選取代的C4-30雜芳基、任選取代的C5-30雜芳烷基、或任選氟代的C3-30三烷基甲硅烷基,R1和R2兩者不為氫原子。
      文檔編號(hào)H01L51/05GK102574868SQ20108004026
      公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月10日
      發(fā)明者吉川榮二, 宮田康生, 山口茂弘 申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社, 國(guó)立大學(xué)法人名古屋大學(xué)
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