專利名稱：半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法和倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中借助于倒裝芯片接合將半導(dǎo)體元件例如半導(dǎo)體芯片安裝 (倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。在此類倒裝芯片連接中，將半導(dǎo)體芯片以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在此類半導(dǎo)體器件等中，可能存在半導(dǎo)體芯片的背面用保護(hù)膜保護(hù)以防止半導(dǎo)體芯片損壞等的情況(參見，專利文獻(xiàn)1至10)。專利文獻(xiàn)1 JP-A-2008-166451專利文獻(xiàn)2 JP-A-2008-006386專利文獻(xiàn)3 JP-A-2007-261035專利文獻(xiàn)4 JP-A-2007-250970專利文獻(xiàn)5 JP-A-2007-158026專利文獻(xiàn)6 JP-A-2004-221169專利文獻(xiàn)7 JP-A-2004-214288專利文獻(xiàn)8 JP-A-2004-142430專利文獻(xiàn)9 JP-A-2004-072108專利文獻(xiàn)10 JP-A-2004-063551然而，為了通過保護(hù)膜保護(hù)半導(dǎo)體芯片背面，需要添加新步驟以將保護(hù)膜粘貼至在切割步驟中獲得的半導(dǎo)體芯片的背面。結(jié)果，步驟數(shù)量增加以及生產(chǎn)成本等增加。因此， 出于減少生產(chǎn)成本的目的，本發(fā)明人開發(fā)了半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有包括以下的結(jié)構(gòu)具有基材和在基材上的壓敏粘合劑層的切割帶，和形成于切割帶的壓敏粘合劑層上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。在生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，如下使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。首先，將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上。接下來，切割半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體元件。隨后，將半導(dǎo)體元件從切割帶的壓敏粘合劑層剝離并與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起拾取，然后將半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接至被粘物如基板上。由此，獲得倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。然而，在上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，在壓敏粘合劑層與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的緊密粘合性高的情況下，半導(dǎo)體元件的拾取在一些情況下變得困難。此外，可以考慮使用照射固化型壓敏粘合劑層作為壓敏粘合劑層并且在拾取半導(dǎo)體元件時將壓敏粘合劑層照射_固化以改進(jìn)拾取性的方法，但存在由于壓敏粘合劑層的固化和收縮而導(dǎo)致在整個半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上發(fā)生翹曲(warp)的情況。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到前述問題進(jìn)行本發(fā)明，其目的是提供在與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起拾取時能夠容易剝離半導(dǎo)體元件并由此能夠改進(jìn)生產(chǎn)率的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，以及生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。為了解決前述問題，本發(fā)明人已進(jìn)行了廣泛和深入的研究。結(jié)果，已發(fā)現(xiàn)前述問題可通過采用以下構(gòu)造解決，由此導(dǎo)致完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上的壓敏粘合劑層；和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜設(shè)置于所述壓敏粘合劑層上，其中所述壓敏粘合劑層的至少一部分已通過用放射線照射而預(yù)先固化。作為上述構(gòu)造，由于通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層，導(dǎo)致例如在拾取半導(dǎo)體元件時在壓敏粘合劑層和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間顯示良好的剝離性而無需用放射線照射。結(jié)果，能夠改進(jìn)拾取性。此外，由于不需要用放射線照射的步驟，因此能夠減少用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)步驟的數(shù)量，也能夠降低生產(chǎn)成本。倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選粘貼至通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。根據(jù)該構(gòu)造，壓敏粘合劑層的表面是硬的，并且在粘貼至倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜時，變得可以降低兩者之間的緊密粘合性。因此，降低壓敏粘合劑層和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的錨固效果，并且例如，在拾取半導(dǎo)體芯片時壓敏粘合劑層和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離性變得良好。結(jié)果，能夠改進(jìn)拾取性。此外，當(dāng)通過用放射線照射來固化壓敏粘合劑層時，由于形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致壓敏粘合劑層的體積減小。因此，例如，當(dāng)粘貼至倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜后形成通過用放射線照射而固化的壓敏粘合劑層時，給予倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以應(yīng)力。結(jié)果，在一些情況下在整個半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上發(fā)生翹曲。然而，在上述構(gòu)造中，在通過用放射線照射而固化壓敏粘合劑層后粘貼和形成倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，因此能夠防止給予倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜不必要的應(yīng)力。結(jié)果，獲得沒有翹曲的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層的部分優(yōu)選在上述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜中對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘貼部分的部分。根據(jù)該構(gòu)造，通過用放射線照射而預(yù)先固化對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘貼部分的壓敏粘合劑層的部分，僅在該部分降低壓敏粘合力。 從而，在壓敏粘合劑層的其它部分不降低壓敏粘合力，因而，在切割半導(dǎo)體晶片時能夠抑制芯片飛散的發(fā)生并能夠顯示用于加工半導(dǎo)體晶片的充分的保持力。倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選包含著色劑。由于該構(gòu)造，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜可具有顯示優(yōu)良的激光標(biāo)識性和優(yōu)良的外觀性的功能。結(jié)果，例如，能夠通過倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，通過利用任何各種標(biāo)識法如印刷法和激光標(biāo)識法進(jìn)行標(biāo)識，從而將各種信息如文字信息和圖形信息賦予至半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)的面上。此外，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜和切割帶可容易地彼此區(qū)分，因而可提高加工性等。
此外，本發(fā)明還提供使用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接至被粘物上，其中從所述半導(dǎo)體晶片的粘貼至所述半導(dǎo)體元件的剝離，所述壓敏粘合劑層沒有用放射線照射。根據(jù)該方法，由于使用包括通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，因此能夠不用放射線照射壓敏粘合劑層而良好地進(jìn)行半導(dǎo)體元件的拾取。即，由于不需要用放射線照射的步驟，變得可以減少用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)步驟的數(shù)量，因而能夠降低生產(chǎn)成本。此外，即使在半導(dǎo)體晶片具有規(guī)定電路圖案的情況下， 也能夠防止發(fā)生由用放射線照射引起的電路圖案中的問題。結(jié)果，變得可以生產(chǎn)高度可靠的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。此外，本發(fā)明還提供通過如上所述的用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法制造的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明，在包括含有基材和基材上的放射線固化型壓敏粘合劑層的切割帶以及形成于壓敏粘合劑層上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中， 采用通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層。因此，即使不用放射線照射，壓敏粘合劑層和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜之間的良好剝離也變得可能。結(jié)果，例如，在拾取半導(dǎo)體元件時，不需要用放射線照射的步驟，可以減少生產(chǎn)步驟的數(shù)量。此外，即使在半導(dǎo)體晶片具有規(guī)定電路圖案的情況下，也能夠防止發(fā)生由用放射線照射而引起的電路圖案中的問題。結(jié)果，可以生產(chǎn)高度可靠的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件同時降低生產(chǎn)成本。


圖1為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的截面示意圖。圖2為示出本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的另一個實施方案的截面示意圖。圖3A-3D為示出使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個實施方案的截面示意圖。附圖標(biāo)記說明1,11 半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜2，12 半導(dǎo)體背面用膜3切割帶4半導(dǎo)體晶片5半導(dǎo)體芯片6被粘物
12a 半導(dǎo)體晶片粘合部分12b 除了半導(dǎo)體晶片粘合部分之外的部分31 基材32 壓敏粘合劑層32a 對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘合部分的部分32b 除了對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘合部分的部分之外的部分51 在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K(bump)61 粘合至被粘物6的連接墊(connecting pad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實施例方式參考圖1和2描述本發(fā)明的實施方案，但本發(fā)明不限于這些實施方案。圖1為示出根據(jù)本實施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的截面示意圖。圖2為示出根據(jù)本實施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的另一個實施方案的截面示意圖。此外，在本說明書的附圖中，未給出對于描述不必要的部分，并且有通過放大、縮小等示出的部分， 以使描述容易。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (下文中有時也稱作“切割帶集成的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜"、“具有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜"或"具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護(hù)膜")具有包括以下的構(gòu)造包括在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3和形成于壓敏粘合劑層32上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2 (下文中有時稱作"半導(dǎo)體背面用膜"或"半導(dǎo)體背面保護(hù)膜")。半導(dǎo)體背面用膜2僅形成于對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘貼部分的部分32a上。此外，本發(fā)明可為具有包括設(shè)置于壓敏粘合劑層32整個表面上的半導(dǎo)體背面用膜12的構(gòu)造的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜11。此外，半導(dǎo)體背面用膜2的表面(要粘貼至晶片背面的表面)可用隔離膜等保護(hù)直至該膜粘貼至晶片背面。(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜)半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)具有膜形狀。半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜作為產(chǎn)物的實施方案中通常處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))，且可在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片之后熱固化(稍后描述細(xì)節(jié))。半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)可由樹脂組合物形成，且優(yōu)選由包含熱固性樹脂組分和熱塑性樹脂組分的樹脂組合物形成。此外，半導(dǎo)體背面用膜2(或12)可由不使用熱固性樹脂組分的熱塑性樹脂組合物構(gòu)成或者可由不使用熱塑性樹脂組分的熱固性樹脂組合物構(gòu)成。熱塑性樹脂組分的實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯_乙酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂如6-尼龍和6，6_尼龍、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、飽和聚酯樹脂如PET (聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT (聚對苯二甲酸丁二醇酯)，聚酰胺酰亞胺樹脂或氟樹脂。所述熱塑性樹脂可單獨或兩種以上組合使用。在這些熱塑性樹脂中，包含少量離子性雜質(zhì)、具有高耐熱性和能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹脂是特別優(yōu)選的。
丙烯酸類樹脂不特別限制，其實例包括含有一種或兩種以上具有30個以下碳原子、優(yōu)選4至18個碳原子、更優(yōu)選6-10個碳原子和特別地8或9個碳原子的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類樹脂具有也包括甲基丙烯酸類樹脂的廣泛含義。所述烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、 叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、 異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸類樹脂的其它單體(除烷基為具有30個以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒有特別限制，其實例包括含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸(crotonic acid)；酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基) 丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroethylacryloylphosphate)。在這點上， (甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰基是指丙烯?；?或甲基丙烯酰基，等等，這應(yīng)用于整個說明書中。此外，除了環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂之外，熱固性樹脂組分的實例還包括，氨基樹脂、 不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂和熱固性聚酰亞胺樹脂。熱固性樹脂組分可以單獨使用或以其兩種以上的組合使用。作為熱固性樹脂組分，包含僅少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹脂是合適的。此外，酚醛樹脂適合用作環(huán)氧樹脂的固化劑。環(huán)氧樹脂不特別限制，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂如雙酚A 型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolak)型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆(o-cresol novolak)型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂和四苯基羥基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧樹脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，在以上示例的那些中，酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂和四苯基羥基乙烷型環(huán)氧樹脂是優(yōu)選的。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂具有高反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)異。此外，上述酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，其實例包括酚醛清漆型酚醛樹脂如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂和壬基苯酚酚醛清漆樹脂；甲階型酚醛樹脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚對氧苯乙烯。所述酚醛樹脂可單獨使用，或兩種或多種組合使用。在這些酚醛樹脂中，苯酚酚醛清漆樹脂和苯酚芳烷基樹脂是特別優(yōu)選的。這是因為可改進(jìn)半導(dǎo)體器件的連接可靠性。環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基為0. 5至2. 0當(dāng)量，基于每當(dāng)量環(huán)氧樹脂組分中的環(huán)氧基團(tuán)。更優(yōu)選0.8至1.2當(dāng)量。S卩，當(dāng)混合比變?yōu)樵谠摲秶鈺r，固化反應(yīng)不能充分進(jìn)行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化。在本發(fā)明中，可使用環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進(jìn)催化劑。熱固化促進(jìn)催化劑沒有特別限定，可適當(dāng)選自已知的熱固化促進(jìn)催化劑并使用。熱固化促進(jìn)催化劑可單獨使用或以兩種以上的組合使用。作為熱固化促進(jìn)催化劑，例如，可使用胺類固化促進(jìn)催化劑、磷類固化促進(jìn)催化劑、咪唑類固化促進(jìn)催化劑、硼類固化促進(jìn)催化劑或磷_硼類固化促進(jìn)催化劑。半導(dǎo)體背面用膜特別適合由含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的樹脂組合物或含有環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物形成。由于這些樹脂僅包含少量離子性雜質(zhì)并且具有高耐熱性，所以能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。盡管在這種情況下的混合比沒有特別限定，但例如在包含丙烯酸類樹脂的情況下，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的混合量可以在基于100重量份丙烯酸類樹脂組分為10-200重量份的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。重要的是半導(dǎo)體背面用膜2(或12)具有對于半導(dǎo)體晶片背面(非電路面)的粘合性(緊密粘合性)。半導(dǎo)體背面用膜2(或12)可例如由包含環(huán)氧樹脂作為熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成。在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)預(yù)先固化至一定程度的情況下，在其制備時，可以添加能夠與在聚合物的分子鏈端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高在高溫下的粘合特性并且可以實現(xiàn)耐熱性的改進(jìn)。交聯(lián)劑不特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，例如，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑、胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑或環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。交聯(lián)劑可單獨或以兩種以上組合使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名"C0L0NATE L”，由 NipponPolyurethane Industry Co.， Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括 N, N, N' , N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及還有在分子中具有兩個以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹脂。交聯(lián)劑的使用量沒有特別限定，可依賴于交聯(lián)程度適當(dāng)選擇。具體地，優(yōu)選交聯(lián)劑的使用量為通常7重量份以下(例如0. 05至7重量份)，基于100重量份聚合物組分(特別地，在分子鏈末端具有官能團(tuán)的聚合物)。當(dāng)交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分大于7重量份時，粘合力降低，因此不優(yōu)選該情況。從改進(jìn)內(nèi)聚力的觀點，交聯(lián)劑的量基于100重量份聚合物組分優(yōu)選為0. 05重量份以上。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外線等照射進(jìn)行交聯(lián)處理。優(yōu)選將半導(dǎo)體背面用膜2(或12)著色。由此，能夠顯示優(yōu)良的激光標(biāo)識性和優(yōu)良的外觀性，且變得能夠使半導(dǎo)體器件具有增值的外觀性。如上所述，由于著色的半導(dǎo)體背面用膜2(或12)具有優(yōu)良的標(biāo)識性，可借助于利用任何各種標(biāo)識方法如印刷法和激光標(biāo)識法通過半導(dǎo)體背面用膜2(或12)進(jìn)行標(biāo)識以賦予各種信息如文字信息和圖形信息至半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)的面上。特別地，通過控制著色的顏色，變得能夠觀察通過優(yōu)良可視性地標(biāo)識而賦予的信息(例如，文字信息和圖形信息)。此外，當(dāng)將半導(dǎo)體背面用膜著色時，切割帶和半導(dǎo)體背面用膜可容易地彼此區(qū)分，因而可提高加工性等。另外，例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過使用不同的顏色分類其產(chǎn)物。在將半導(dǎo)體背面用膜2(或12)著色的情況(該膜既不是無色的也不是透明的情況)下，通過著色顯示的顏色沒有特別限定，但例如優(yōu)選暗色如黑色、藍(lán)色或紅色，黑色是特別適合的。在本發(fā)明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，優(yōu)選50以下(0至50)，更優(yōu)選40 以下(0至40)的在L*a*b*顏色空間中定義的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以下 (0至25)的在L*a*b*顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點上，在黑色中，在L*a*b* 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當(dāng)選擇。例如，a*和b*兩者均優(yōu)選在-10 至10，更優(yōu)選-5至5，進(jìn)一步優(yōu)選-3至3(特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本實施方案中，在L*a*b*顏色空間中定義的L*、a*和b*可通過用色差計 (商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差計)測量來確定。L*a*b*顏色空間為在 1976 年由 CommissionInternationale de 1，Eclairage (CIE)建議的顏色空間，是指稱為CIE1976(L*a*b*)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)著色時，根據(jù)目標(biāo)顏色，可使用著色劑(著色試劑)。 作為此類著色劑，可適當(dāng)使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍(lán)色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨使用或以兩種以上的組合使用。在這點上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇和使用。特別地，當(dāng)染料用作著色劑時，染料變?yōu)樘幱谕ㄟ^溶解于半導(dǎo)體背面用膜2(或 12)中而均勻地或幾乎均勻地分散的狀態(tài)，因此可容易地生產(chǎn)具有均勻的或幾乎均勻的著色濃度的半導(dǎo)體背面用膜(結(jié)果，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)。因此，當(dāng)染料用作著色劑時，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中的半導(dǎo)體背面用膜2(或12)可具有均勻的或幾乎均勻的著色濃度且可提高標(biāo)識性和外觀性。黑色著色劑不特別限制，例如，可適當(dāng)選自無機黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色劑可為青色著色劑(藍(lán)_綠色著色劑)、品紅色著色劑(紅_紫色著色劑)和黃色著色劑(黃色著色劑)的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨或以兩種以上的組合使用。當(dāng)然，黑色著色劑可與除黑色之外顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、 活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機黑色顏料。在本發(fā)明中，作為黑色著色劑，也可利用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、29、 34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等等。作為此類黑色著色劑，例如，商品名〃 Oil Black BY"、商品名〃 Oil Black BS 〃、商品名〃 Oil Black HBB “、商品名“Oil Black803 “、商品名“Oil Black 860〃、商品名〃 Oil Black 5970〃、商品名〃 Oil Black 5906〃、商品名〃 Oil Black 5905"(由 Orient ChemicalIndustries Co.，Ltd.制造)等是商購可得的。除了黑色著色劑的其它著色劑的實例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。青色著色劑的實例包括青色染料如C. I.溶劑藍(lán)25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性藍(lán)6和 45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍(lán) 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、 22、25、56、60、63、65、66 ;C. I.甕藍(lán) 4、60 ;C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、24、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨使用或以兩種以上的組合使用。在這點上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒有特別限定，可根據(jù)各著色劑的種類和目標(biāo)顏色等適當(dāng)選擇。在將半導(dǎo)體背面用膜2(或12)著色的情況下，著色形式?jīng)]有特別限定。半導(dǎo)體背面用膜可為例如添加有著色劑的單層膜狀制品。此外，該膜可為至少將至少由熱固性樹脂組分形成的樹脂層與著色劑層層壓的層壓膜。在這點上，在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)為樹脂層和著色劑層的層壓膜的情況下，層壓形式中的半導(dǎo)體背面用膜2(或12)優(yōu)選具有樹脂層/著色劑層/樹脂層的層壓形式。在該情況下，在著色劑層兩側(cè)的兩種樹脂層可為具有相同組成的樹脂層或可為具有不同組成的樹脂層。向半導(dǎo)體背面用膜2(或12)中，根據(jù)需要可適當(dāng)共混其它添加劑。其它添加劑的實例除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可為任意無機填料和有機填料，但無機填料是合適的。通過共混填料如無機填料，能夠?qū)崿F(xiàn)賦予半導(dǎo)體背面用膜以導(dǎo)電性、改進(jìn)導(dǎo)熱性和控制彈性模量等。在這點上， 半導(dǎo)體背面用膜2(或12)可為導(dǎo)電性的或非導(dǎo)電性的。無機填料的實例包括由以下組成的各種無機粉末二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、陶瓷如碳化硅和氮化硅、金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀，和焊料及碳等。填料可以單獨使用或以兩種以上的組合使用。特別地，填料適合為二氧化硅，更適合為熔凝二氧化硅。無機填料的平均粒徑優(yōu)選在0. 1 μ m-80 μ m的范圍內(nèi)。無機填料的平均粒徑可通過激光衍射型粒徑分布測量設(shè)備來測量。填料(特別地，無機填料)的共混量優(yōu)選為80重量份以下(0重量份-80重量份)， 更優(yōu)選為0重量份-70重量份，基于100重量份有機樹脂組分。阻燃劑的實例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可以單獨使用或以兩種以上的組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實例包括β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨使用或以兩種以上的組合使用。離子捕集劑的實例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可以單獨使用或以兩種以上的組合使用。半導(dǎo)體背面用膜2(或12)例如可通過利用包括以下步驟的常規(guī)使用方法形成將熱固性樹脂例如環(huán)氧樹脂和如果必要的熱塑性樹脂如丙烯酸類樹脂以及任選的溶劑和其它添加劑混合從而制備樹脂組合物，接著將其成形為膜狀層。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜的膜狀層(粘合劑層)例如能夠通過以下方法形成包括將樹脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層32上的方法；包括將樹脂組合物施涂至適當(dāng)?shù)母綦x膜(例如，剝離紙)上以形成樹脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至壓敏粘合劑層32上的方法；等等。在這點上，樹脂組合物可為溶液或分散液。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)由包含熱固性樹脂組分如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的情況下，在將半導(dǎo)體背面用膜2(或12)施用至半導(dǎo)體晶片之前的階段，該膜處于熱固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將其施用至半導(dǎo)體晶片之后 (具體地，通常，在當(dāng)包封材料在倒裝芯片結(jié)合步驟中固化時)，半導(dǎo)體背面用膜2(或12) 中的熱固性樹脂組分完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2(或12)包含熱固性樹脂組分時，該膜也處于熱固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)沒有特別限定，但例如在50重量％以下(0-50重量％)的范圍內(nèi)合適地選擇，并優(yōu)選30重量％以下 (0-30重量％)，特別優(yōu)選10重量％以下(0-10重量％)。半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的凝膠分?jǐn)?shù)可通過以下測量方法測量。<凝膠分?jǐn)?shù)測量方法>
從半導(dǎo)體背面用膜2(或12)中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹在網(wǎng)型片(mesh-type sheet)中后，將它在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后， 從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng)型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并干燥后的重量)，然后根據(jù)以下表達(dá)式(a)計算凝膠分?jǐn)?shù) (重量％ )。凝膠分?jǐn)?shù)(重量％) = {(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)}X100 (a)半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)的凝膠分?jǐn)?shù)能夠通過樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及除此之外的加熱溫度和加熱時間等來控制。在本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)為由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的膜狀制品的情況下，可有效地顯示對半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。此外，由于在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中使用切割水，半導(dǎo)體背面用膜2(或12)吸收水分，從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水分含量。當(dāng)在仍維持此類高水分含量下進(jìn)行倒裝芯片接合時，水蒸氣殘留在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)和半導(dǎo)體晶片或其加工體 (半導(dǎo)體)之間的粘合界面處，并且在一些情況下產(chǎn)生浮起。因此，通過構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜2(或12)為將具有高透濕性的芯材料設(shè)置于其各表面上的構(gòu)造，水蒸氣擴(kuò)散，由此可以避免此類問題。從該觀點，其中半導(dǎo)體背面用膜2(或12)形成于芯材料的一面或兩面的多層結(jié)構(gòu)可用作半導(dǎo)體背面用膜。芯材料的實例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑料無紡纖維增強的樹脂基板、硅基板和玻璃基板。半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的厚度(在層壓膜的情況下為總厚度)不特別限制， 但例如可適當(dāng)選自2μπι-200μπι的范圍。另外，該厚度優(yōu)選約4μπι-160μπι，更優(yōu)選約 6 μ m-100 μ m 禾口特另U優(yōu)選約 10 μ m-80 μ m。半導(dǎo)體背面用膜2(或12)在23°C下在未固化狀態(tài)時的拉伸貯能彈性模量優(yōu)選為 IGPa以上(例如，lGPa-50GPa)，更優(yōu)選2GPa以上，特別地3GPa以上是適合的。當(dāng)該拉伸貯能彈性模量為IGPa以上時，當(dāng)在將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜2(或12) —起從切割帶的壓敏粘合劑層32剝離之后將半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)放置在支承體上并進(jìn)行輸送等時，能夠有效地抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。在這點上，支承體例如為載帶中的頂帶和底帶等。如上所述，在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)由包含熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成的情況下，熱固性樹脂組分通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的拉伸貯能彈性模量為處于熱固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)的在 23°C下的拉伸貯能彈性模量。此處，半導(dǎo)體背面用膜2(或12)可為單層或?qū)訅憾鄬拥膶訅耗?。在層壓膜的情況下，作為整個層壓膜的拉伸貯能彈性模量為充分的IGPa以上(例如，lGPa-50GPa)。此外， 處于未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背面用膜的拉伸貯能彈性模量(23°C )可通過適當(dāng)設(shè)定樹脂組分 (熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂)的種類和含量或填料如二氧化硅填料的種類和含量來控制。在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)為層壓多層的層壓膜的情況下(半導(dǎo)體背面用膜具有層壓層形式的情況下)，作為層壓層形式，例如，可示例由晶片粘合層和激光標(biāo)識層構(gòu)成的層壓形式。此外，在晶片粘合層和激光標(biāo)識層之間，可設(shè)置其它層(中間層、遮光層、補強層、 著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)。在這點上，晶片粘合層為顯示對晶片優(yōu)良的緊密粘合性(粘合性質(zhì))的層和與晶片背面接觸的層。另一方面，激光標(biāo)識層為顯示優(yōu)良的激光標(biāo)識性的層和在半導(dǎo)體芯片背面上激光標(biāo)識時利用的層。拉伸貯能彈性模量通過如下測定制備不層壓至切割帶3上的處于未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)，并使用由Rheometrics Co.，Ltd.制造的動態(tài)粘彈性測量設(shè)備 "SolidAnalyzer RS A2”，于規(guī)定溫度(23°C )下，在氮氣氣氛中，在樣品寬度10mm、樣品長度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，并將該測量的彈性模量作為所得拉伸貯能彈性模量的值。在示于圖1的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，將膜優(yōu)選設(shè)計為使半導(dǎo)體背面用膜2相對于半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合力大于相對于壓敏粘合劑層32的前述部分32a的壓敏粘合力(稍后提及)。相對于半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合力依賴于種類適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，但考慮到在切割、拾取和模片結(jié)合時的可靠性以及拾取性，壓敏粘合力優(yōu)選在0. 5N/20mm-15N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 7N/20mm-10N/20mm的范圍內(nèi)。此外，半導(dǎo)體背面用膜2相對于前述部分 32a的壓敏粘合力優(yōu)選在0. 02N/20mm-10N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05N/20mm-5N/20mm 的范圍內(nèi)。此外，壓敏粘合力為在常溫(23°C )、剝離角度為180°和剝離速率為300mm/min 的條件下測量的值。在示于圖2的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜11中，優(yōu)選將膜設(shè)計為使半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a相對于半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合力大于相對于壓敏粘合劑層32的部分32a 的壓敏粘合力(稍后提及)。相對于半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合力依賴于種類適當(dāng)?shù)卦O(shè)定， 但考慮到在切割、拾取和模片結(jié)合時的可靠性以及拾取性，如上所述，壓敏粘合力優(yōu)選在 0. 5N/20mm-15N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 7N/20mm-10N/20mm的范圍內(nèi)。此外，半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a相對于前述部分32a的壓敏粘合力優(yōu)選在0. 02N/20mm-10N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05N/20mm-5N/20mm的范圍內(nèi)。另外，除了半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a之外的其它部分12b相對于除了前述部分32a之外的其它部分32b的壓敏粘合力優(yōu)選在 0. 50N/20mm-20N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 70N/20mm-15N/20mm的范圍內(nèi)。此外，前述壓敏粘合力為在常溫(23°C )、剝離角度為180°和剝離速率為300mm/min的條件下測量的值。半導(dǎo)體背面用膜2(或12)優(yōu)選用隔離膜(剝離襯墊，在圖中未示出)保護(hù)。隔離膜具有作為保護(hù)晶片背面保護(hù)膜直至其實際使用的保護(hù)材料的功能。此外，隔離膜能夠進(jìn)一步用作在當(dāng)將半導(dǎo)體背面用膜2(或12)轉(zhuǎn)移至在切割帶的基材上的壓敏粘合劑層32 時的支承基材。當(dāng)將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜上時，剝離隔離膜。作為隔離膜，也可使用聚乙烯或聚丙烯的膜、以及其表面用脫模劑例如氟類脫模劑或長鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑涂布的塑料膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯)或紙等。隔離膜可通過常規(guī)已知的方法形成。此外，隔離膜的厚度等沒有特別限定。半導(dǎo)體背面用膜2(或12)優(yōu)選用在至少一面上具有剝離層的隔離膜保護(hù)。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2(或12)中對于可見光的透光率(可見光透過率，波長 400至800nm)不特別限制，但是，例如，優(yōu)選在20%以下(0至20%)，更優(yōu)選10%以下(0 至10%)，特別優(yōu)選5%以下(0至5%)的范圍內(nèi)。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2(或12)具有大于 20%的可見光透過率時，關(guān)注光的透過率可能不利地影響半導(dǎo)體元件?？梢姽馔高^率(％ ) 能夠通過半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的樹脂組分的種類和含量、著色劑(例如顏料或染料) 的種類和含量，和無機填料的含量等來控制。
半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的可見光透過率(％)可如下測定。即，制備本身具有厚度(平均厚度)為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2(或12)。然后，將半導(dǎo)體背面用膜2(或12) 用具有波長為400至800nm的可見光在規(guī)定強度下照射[設(shè)備由ShimadzuCorporation 制造的可見光產(chǎn)生設(shè)備[商品名〃 ABSORPT10NSPECTR0 PHOTOMETER"]，并測量透過的可見光的強度。此外，可基于可見光透過半導(dǎo)體背面用膜2(或12)前后的強度變化來確定可見光透過率(％ )。在這點上，也可以從厚度不是20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)的可見光透過率(％ ；波長400至SOOnm)的值推導(dǎo)出厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2 (或12) 的可見光透過率(％ ；波長400至SOOnm)。在本發(fā)明中，在厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的情況下測定可見光透過率(％ )，但根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜不限于厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2(或12)，更優(yōu)選具有較低吸濕度的半導(dǎo)體背面用膜。 具體地，吸濕度優(yōu)選1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過將吸濕度調(diào)整至1重量％ 以下，能夠提高激光標(biāo)識性。此外，例如，在再流步驟(ref low step)中能夠抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜2(或12)和半導(dǎo)體元件之間空隙的產(chǎn)生。吸濕度為由將半導(dǎo)體背面用膜2(或 12)在溫度85°C和濕度85% RH的環(huán)境下靜置168小時前后的重量變化計算的值。在半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，吸濕度是指當(dāng)將熱固化后的膜在溫度85°C和濕度85% RH的環(huán)境下靜置168小時時獲得的值。此外，吸濕度例如可通過改變無機填料的添加量來調(diào)整。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2(或12)，更優(yōu)選具有較小比例的揮發(fā)性物質(zhì)的半導(dǎo)體背面用膜。具體地，熱處理后半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0.8重量％以下。熱處理的條件為加熱溫度為250°C， 加熱時間為1小時。通過將重量減少率調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標(biāo)識性。此外， 例如，在再流步驟中能夠抑制或防止倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中裂紋的產(chǎn)生。重量減少率例如可通過添加能夠在無鉛焊料再流時減少裂紋產(chǎn)生的無機物質(zhì)來調(diào)整。在半導(dǎo)體背面用膜 2(或12)由包含熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成的情況下，重量減少率為當(dāng)將熱固化后的半導(dǎo)體背面用膜在溫度250°C和加熱時間為1小時的條件下加熱時獲得的值。(切割帶)切割帶3包括基材31和形成于基材31上的壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3充分具有層壓基材31和壓敏粘合劑層32的構(gòu)造?；?支承基材)可用作壓敏粘合劑層等的支承材料?；?1優(yōu)選具有放射線透過性。作為基材31，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無紡布、氈和網(wǎng)；金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體 [特別地，塑料基材與其它基材的層壓體，塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中， 作為基材，可適合使用塑料基材如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實例包括烯烴類樹脂 (olefinicresins)如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯(PVC)； 聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺類樹脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(wholearomaticpolyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹脂；硅酮樹脂；和氟化樹脂。此外，用于基材31的材料包括聚合物如前述樹脂的交聯(lián)材料。塑料膜可在不拉伸的情況下使用或者需要時可在進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據(jù)通過拉伸處理等賦予熱收縮性的樹脂片，在切割后通過基材31的熱收縮減小壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)之間的粘合面積，因而能夠使半導(dǎo)體芯片的回收容易。為了提高與鄰接層的緊密粘合性、保持性等，可在基材31的表面上實施常規(guī)使用的表面處理，例如化學(xué)或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(imdercoating agent)例如稍后提及的壓敏粘合劑物質(zhì)的涂布處理。作為基材31，可適當(dāng)選擇和使用相同種類或不同種類的材料，需要時，可將幾種材料共混并使用。此外，為了賦予基材31以抗靜電能力，可在基材31上形成由金屬、合金或其氧化物組成的厚度為約30至500埃的導(dǎo)電性物質(zhì)的氣相沉積層?；?1可為單層或其兩層以上的多層?；?1的厚度(在層壓層的情況下為總厚度)沒有特別限定，可依賴于強度、屈撓性及預(yù)期的用途等適當(dāng)選擇。例如，厚度通常為1000 μ m以下(例如1 μ m至1000 μ m)， 優(yōu)選10 μ m至500 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選20 μ m至300 μ m，特別優(yōu)選約30 μ m至200 μ m，但不限于此。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點等的范圍內(nèi)，基材31可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。壓敏粘合劑層32至少由通過用放射線照射預(yù)先(提前)固化的放射線固化性壓敏粘合劑形成。固化部分不必需為壓敏粘合劑層32的全部區(qū)域。將至少對應(yīng)于半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用膜12中半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a的部分32a固化是足夠的(參見圖1和2)。在示于圖1中的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的情況下，可將切割環(huán)35固定至壓敏粘合劑層32中的部分32b。作為切割環(huán)35，可使用由金屬如不銹鋼組成的切割環(huán)或由樹脂制成的切割環(huán)。當(dāng)壓敏粘合劑層32中的部分32b不用放射線照射時，部分32b處于未固化狀態(tài)，因此部分32b具有大于前述部分32a的壓敏粘合力。因此，部分32b能夠確保粘合和固定切割環(huán)35。在示于圖2中的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜11的情況下，在壓敏粘合劑層32的整個表面上設(shè)置半導(dǎo)體背面用膜12，因此將未用放射線照射和未固化的部分 32b壓敏粘合至半導(dǎo)體背面用膜12。因此，能夠確保切割半導(dǎo)體晶片時的保持力。如上所示，壓敏粘合劑層32能夠支承半導(dǎo)體背面用膜12以在粘合和剝離之間的良好平衡下將半導(dǎo)體元件固定至被粘物如基板。可在使壓敏粘合劑層32用放射線照射后在壓敏粘合劑層32上設(shè)置半導(dǎo)體背面用膜2(或12)。在該構(gòu)造中，至少壓敏粘合劑層32的前述部分32a的表面是硬的，在粘貼至半導(dǎo)體背面用膜2(或12)時，變得可以降低兩者之間的緊密粘合性。因此，降低壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2(或12)之間的錨固效果，并且例如，在拾取半導(dǎo)體芯片時， 壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2(或12)之間的剝離性變得良好。結(jié)果，能夠改進(jìn)拾取性。此外，當(dāng)壓敏粘合劑層32通過用放射線照射來固化時，形成與壓敏粘合劑層前驅(qū)體相比體積減小的壓敏粘合劑層32。因此，例如，當(dāng)壓敏粘合劑層在粘貼至半導(dǎo)體背面用膜2(或12)之后用放射線照射來固化時，賦予半導(dǎo)體背面用膜2(或12)以應(yīng)力。結(jié)果，在一些情況下在整個半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上發(fā)生翹曲。然而，在使壓敏粘合劑層32用放射線照射后在壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的構(gòu)造中，不賦予該應(yīng)力， 因此能夠獲得沒有翹曲的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)。此外，可在用放射線照射前的壓敏粘合劑層前驅(qū)體上設(shè)置半導(dǎo)體背面用膜2(或 12)。在此情況下，通過用放射線照射在形成半導(dǎo)體背面用膜2(或12)后的壓敏粘合劑層前驅(qū)體來形成壓敏粘合劑層32。在此構(gòu)造中，將壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2(或 12)在維持良好的剝離性并且不損害相互的緊密粘合性的情況下以層壓狀態(tài)彼此粘貼。因此，防止兩者的壓敏粘合性過度降低。例如，即使在通過切割制備芯片尺寸小于ImmX Imm 的半導(dǎo)體元件的情況下，能夠防止發(fā)生芯片飛散。此外，由于至少壓敏粘合劑層32的前述部分32a處于固化狀態(tài)，因此可容易地引起在部分32a和半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)之間的界面破壞。結(jié)果，改進(jìn)兩者之間的剝離性，因此例如即使當(dāng)拾取厚度為25 μ m至75 μ m的極薄的半導(dǎo)體元件時拾取性也優(yōu)良。在示于圖1的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，將膜設(shè)計為使壓敏粘合劑層32的前述部分32a相對于半導(dǎo)體背面用膜2的壓敏粘合力通常小于前述部分32b相對于切割環(huán) 35的壓敏粘合力。具體地，考慮到晶片的固定和保持力以及形成的芯片的回收性，壓敏粘合劑層32的部分32a相對于半導(dǎo)體背面用膜2的壓敏粘合力優(yōu)選在0. 02N/20mm至1. 5N/20mm 的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05N/20mm至lN/20mm的范圍內(nèi)。當(dāng)該壓敏粘合力小于0. 02N/20mm 時，半導(dǎo)體元件的粘合和固定是不充分的，因此存在在切割時發(fā)生芯片飛散的情況。另一方面，當(dāng)該壓敏粘合力超過1. 5N/20mm時，壓敏粘合劑層32過度粘合半導(dǎo)體背面用膜2，因此在一些情況下半導(dǎo)體元件的拾取變得困難。此外，前述部分32b相對于切割環(huán)35的壓敏粘合力優(yōu)選在0. 02N/20mm至10N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05N/20mm至5N/20mm的范圍內(nèi)。即使當(dāng)前述部分32a具有低的壓敏粘合力，也能夠在通過其它部分32b的壓敏粘合力抑制發(fā)生芯片飛散等的情況下顯示晶片加工需要的保持力。此外，壓敏粘合力為在常溫 (230C )、剝離角度為180°和剝離速率為300mm/min的條件下測量的值。在示于圖2的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜11中，將膜設(shè)計為使壓敏粘合劑層32 的前述部分32a相對于半導(dǎo)體背面用膜2中的半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a的壓敏粘合力通常小于前述部分32b相對于除了粘貼部分12a之外的部分12b的壓敏粘合力。如上所述，部分32a相對于粘貼部分12a的壓敏粘合力優(yōu)選在0. 02N/20mm至1. 5N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05N/20mm至lN/20mm的范圍內(nèi)。部分32b相對于部分12b的壓敏粘合力優(yōu)選在 0. 02N/20mm至10N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05N/20mm至5N/20mm的范圍內(nèi)。即使當(dāng)部分32a具有低的壓敏粘合力，也能夠在通過其它部分32b的壓敏粘合力抑制發(fā)生芯片飛散等的情況下顯示晶片加工需要的保持力。此外，壓敏粘合力為在常溫(23°C)、剝離角度為 180°和剝離速率為300mm/min的條件下測量的值。此處，當(dāng)將半導(dǎo)體晶片的直徑取為rl，壓敏粘合劑層32中的前述部分32a的直徑取為r2，并將半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用膜12中的半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a的直徑取作r3時，優(yōu)選滿足以下關(guān)系rl <r2< r3。由此，可將半導(dǎo)體晶片的整個表面粘合并固定至半導(dǎo)體背面用膜2(或12)上。此外，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，可將半導(dǎo)體背面用膜2的外周部分粘合并固定至壓敏粘合劑層32中的部分32b上。此外，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜11中，可將半導(dǎo)體背面用膜12中的半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a的外周部分粘合并固定至壓敏粘合劑層32中的部分32b上。在此結(jié)構(gòu)中，由于前述部分32b的壓敏粘合力大于前述部分32a的壓敏粘合力，因此在半導(dǎo)體背面用膜2 (或半導(dǎo)體背面用膜12) 的外周部分變得可以粘合和固定，結(jié)果，能夠進(jìn)一步防止切割時芯片飛散的發(fā)生。作為放射線固化性壓敏粘合劑，可使用其中將在丙烯酸類聚合物側(cè)鏈或主鏈中具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物用作基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部型UV固化性壓敏粘合劑(內(nèi)部型UV固化性壓敏粘合劑)、其中將UV固化性單體組分或低聚物組分共混入丙烯酸類壓敏粘合劑中的添加型放射線固化性壓敏粘合劑等。由于內(nèi)部型UV固化性壓敏粘合劑不應(yīng)包含作為低分子量組分的低聚物組分等或者在大多數(shù)情況下不包含該組分，因此能夠在低聚物組分等隨著時間流逝而不遷移的情況下形成具有穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的壓敏粘合劑層，因此內(nèi)部型UV固化性壓敏粘合劑適合用作放射線固化性壓敏粘合劑。在這點上，UV固化性壓敏粘合劑可為其中將內(nèi)部型UV固化性壓敏粘合劑和添加型UV固化性壓敏粘合劑混合的UV固化性壓敏粘合劑。具體地，可使用其中在不劣化特性的程度內(nèi)將UV固化性單體組分或低聚物組分共混入包含具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物) 的內(nèi)部型UV固化性壓敏粘合劑中的UV固化性壓敏粘合劑。在本發(fā)明中，作為丙烯酸類聚合物，可提及其中將丙烯酸酯用作主要單體組分的那些。丙烯酸酯的實例包括丙烯酸烷基酯(例如，具有1至30個碳原子、特別是4至18 個碳原子的直鏈或支鏈烷基的酯，如甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、 仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、 十八烷基酯、二十烷基酯等)和丙烯酸環(huán)烷基酯(例如，環(huán)戊基酯、環(huán)己基酯等)。這些單體可單獨或以兩種以上的組合使用。在上述示例的這些丙烯酸酯中，在本發(fā)明中，優(yōu)選使用由化學(xué)式CH2 = CHCOOR(其中R為具有6至10個碳原子、更優(yōu)選8至9個碳原子的烷基)表示的單體。當(dāng)碳原子數(shù)為 6以上時，抑制具有過大的剝離力并防止拾取性降低。另一方面，當(dāng)碳原子數(shù)為10以下時， 抑制與半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)的粘合性的降低，結(jié)果，在切割時能夠防止發(fā)生芯片飛散。 此外，在丙烯酸酯由化學(xué)式CH2 = CHCOOR表示的情況下，共混比優(yōu)選50至9Imol %，更優(yōu)選 80至87mol%，基于IOOmol %的在丙烯酸類聚合物中的丙烯酸酯。當(dāng)共混比小于50mol% 時，剝離力變得過大，在一些情況下拾取性可能降低。另一方面，當(dāng)該比超過90mol%時，壓敏粘合性降低并且存在在切割時發(fā)生芯片飛散的情況。此外，在由前述化學(xué)式表示的單體中，特別優(yōu)選丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯和丙烯酸異壬酯。丙烯酸類聚合物可為其中將可與丙烯酸酯共聚的含羥基單體用作單體組分的丙烯酸類聚合物。含羥基單體的實例包括(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)甲基(甲基) 丙烯酸酯。作為含羥基單體，羥烷基中的烷基具有2至4個碳原子的(甲基)丙烯酸羥烷基酯(例如，(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等)是適合的。在它們中，可適合使用羥烷基中的烷基具有2至4個碳原子的丙烯酸羥烷基酯(例如，丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、丙烯酸4-羥丁酯等)。含羥基單體可單獨或以兩種以上的組合使用。含羥基單體的共混比優(yōu)選在10至40mol %的范圍內(nèi)，優(yōu)選在15至30mol %的范圍內(nèi)，基于IOOmol %的丙烯酸酯。當(dāng)共混比小于IOmol %時，UV照射后的交聯(lián)不充分，在一些情況下拾取性可能降低。另一方面，當(dāng)共混比超過40mol%時，壓敏粘合劑的極性增大，與半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的相互作用變高，因此剝離變得困難。為了改善內(nèi)聚力、耐熱性等目的，丙烯酸類聚合物可包含與丙烯酸烷基酯可共聚的其它單體組分相對應(yīng)的單元。此類單體組分的實例包括甲基丙烯酸烷基酯如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯和甲基丙烯酸戊酯；含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；含酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含磺酸基團(tuán)單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、 2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和 (甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基團(tuán)單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯；甲基丙烯酰胺、丙烯腈和甲基丙烯酸環(huán)烷基酯。這些可共聚單體組分可單獨或以兩種以上的組合使用?？晒簿蹎误w的用量優(yōu)選40重量％以下，基于總單體組分。然而，在含羧基單體的情況下，壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)的邊界面通過羧基與在半導(dǎo)體背面用膜2 (或12) 中環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基團(tuán)的反應(yīng)而消失，因此兩者之間的剝離性可能降低。因此，含羧基單體的用量優(yōu)選0至3重量％，基于總單體組分。此外，在這些單體組分中，構(gòu)成本發(fā)明的壓敏粘合劑層32的丙烯酸類聚合物優(yōu)選不包含丙烯酸作為單體組分。這是因為丙烯酸擴(kuò)散入半導(dǎo)體背面用膜2(或12)中，在一些情況下可能導(dǎo)致壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2(或12)之間邊界面的消失，從而降低剝離性。此處，丙烯酸類聚合物優(yōu)選不包含多官能單體作為共聚合用單體。由此，不存在多官能單體擴(kuò)散入半導(dǎo)體背面用膜2 (或12)中的可能性，因而能夠防止由于壓敏粘合劑層32 和半導(dǎo)體背面用膜2(或12)之間邊界面的消失而導(dǎo)致的拾取性降低。此外，其中將自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵引入丙烯酸類聚合物(特別地，含羥基丙烯酸類聚合物)的側(cè)鏈或主鏈或者主鏈末端的丙烯酸類聚合物可通過使用在分子中具有自由基反應(yīng)性碳_碳雙鍵的異氰酸酯化合物來獲得。異氰酸酯化合物的實例包括甲基丙烯?；惽杷狨ァ?-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯和間_異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯。在分子中具有自由基反應(yīng)性碳_碳雙鍵的異氰酸酯化合物的共混比優(yōu)選在70至 90mol %的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在75至85mol %的范圍內(nèi)，基于IOOmol %的含羥基單體。當(dāng)共混比小于70mol%時，UV照射后的交聯(lián)不充分，在一些情況下拾取性可能降低。另一方面，當(dāng)共混比超過90mol%時，壓敏粘合劑的極性增大，與半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的相互作用變高，因此剝離性降低。丙烯酸類聚合物通過使前述單體混合物進(jìn)行聚合獲得。聚合也可通過溶液聚合、 乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任何方法進(jìn)行。考慮到防止污染干凈的被粘物，更優(yōu)選較小含量的低分子量物質(zhì)。從此觀點，丙烯酸類聚合物的重均分子量優(yōu)選350，000至 1，000, 000，進(jìn)一步優(yōu)選約450，000至800，000。重均分子量通過GPC (凝膠滲透色譜法)測量并為根據(jù)聚苯乙烯換算計算的值。
在本發(fā)明中，可將在分子中具有兩個以上的自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的化合物共混入內(nèi)部型UV固化性壓敏粘合劑中。在分子中具有兩個以上的自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的化合物用于調(diào)整交聯(lián)度、調(diào)整拉伸彈性模量等。作為在分子中具有兩個以上的自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的化合物，可提及用于添加型放射線固化性壓敏粘合劑中的UV固化性單體組分和低聚物組分。具體地，此類在分子中具有兩個以上的自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的化合物的組分實例包括單體如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六 (甲基)丙烯酸酯和1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。此外，還可提及前述異氰酸酯化合物。此外，可提及各種UV固化性低聚物如聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類和聚丁二烯類低聚物，并且分子量在約100至30，000范圍內(nèi)的那些是合適的。此外，在分子中具有兩個以上的自由基反應(yīng)性碳_碳雙鍵的化合物的共混比為500重量份以下(例如，5重量份至500重量份)，優(yōu)選約40重量份至150重量份，基于100重量份構(gòu)成壓敏粘合劑的丙烯酸類聚合物。當(dāng)共混比小于5重量份時，用紫外線照射后的交聯(lián)度低，因此拉伸彈性模量降低。結(jié)果，在切割半導(dǎo)體晶片時，在將切割環(huán)粘貼至壓敏粘合劑層32上的情況下，在切割環(huán)上發(fā)生糊劑殘余物。在拾取半導(dǎo)體芯片時，在一些情況下由于過大的剝離力導(dǎo)致可能降低拾取性。另一方面，當(dāng)共混比超過500重量份時，拉伸彈性模量增大。結(jié)果，存在在切割時發(fā)生芯片飛散的情況。將自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵引入丙烯酸類聚合物中的方法不特別限制，可采用各種方法。然而，考慮到分子設(shè)計，容易將自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵引入聚合物側(cè)鏈。例如，可提及其中將具有羥基的單體預(yù)先共聚合入丙烯酸類聚合物中，然后使具有可與羥基反應(yīng)的異氰酸酯基和自由基反應(yīng)性碳_碳雙鍵的異氰酸酯化合物在維持自由基反應(yīng)性碳_碳雙鍵的UV固化性的情況下進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)。作為具有異氰酸酯基和自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可提及上述示例的那些。UV固化性壓敏粘合劑優(yōu)選包含光聚合引發(fā)劑。光聚合引發(fā)劑的實例包括α -酮醇類化合物如4-(2-羥乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-輕基-α，α丨-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮和1-羥基環(huán)己基苯基酮；苯乙酮類化合物如甲氧基苯乙酮、 2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲基硫代)_苯基]-2-嗎啉基丙烷-1 ；苯偶姻醚類化合物如苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚和茴香偶姻甲基醚；縮酮類化合物如芐基二甲基縮酮；芳香族磺酰氯類化合物如2-萘磺酰氯；光學(xué)活性肟類化合物如1-苯酮-1，I"丙二酮_2-(鄰乙氧羰基)_肟；二苯甲酮類化合物如二苯甲酮、 苯甲酰苯甲酸和3，3' - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻噸酮類化合物如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_ 二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_ 二氯噻噸酮、2，4_ 二乙基噻噸酮和2，4_ 二異丙基噻噸酮；樟腦醌；鹵代酮；?；趸?；和?；姿狨ァ９饩酆弦l(fā)劑的共混量為例如約0. 05至20重量份，基于100重量份基礎(chǔ)聚合物如構(gòu)成壓敏粘合劑的丙烯酸類聚合。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)的壓敏粘合劑層32中，壓敏粘合劑層前驅(qū)體的一部分可用放射線照射以使前述部分32a的壓敏粘合力小于部分32b的壓敏粘合力。即，使用其中將在基材31的至少一面上除了對應(yīng)于半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體背面用膜12的半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a的部分之外的部分的全部或一部分遮光的那種，將壓敏粘合劑層前驅(qū)體用放射線照射以固化對應(yīng)于半導(dǎo)體背面用膜2或半導(dǎo)體晶片粘貼部分12a的部分，由此能夠形成具有降低的壓敏粘合力的前述部分32a。作為遮光材料，可通過印刷或氣相沉積等制備能夠成為在支承膜上的光掩模的遮光材料。此外，在用放射線照射時發(fā)生由氧導(dǎo)致的固化抑制的情況下，期望從放射線固化性壓敏粘合劑層32的表面阻斷氧(空氣)。該方法的實例包括以下方法包括用隔離膜覆蓋壓敏粘合劑層32的表面的方法、包括在氮氣氣氛中用放射線如UV線進(jìn)行照射的方法等。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層32可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)?？蓪⒔宦?lián)劑用于調(diào)整UV照射前的壓敏粘合力和調(diào)整UV照射后的壓敏粘合力等。 通過使用交聯(lián)劑，可實現(xiàn)外部交聯(lián)。交聯(lián)劑沒有特別限定，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨使用或以兩種以上的組合使用。此外，交聯(lián)劑的用量沒有特別限制，但依賴于與待交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)的平衡，進(jìn)一步依賴于作為壓敏粘合劑的用途而適當(dāng)確定。通常，交聯(lián)劑優(yōu)選共混約20重量份以下， 進(jìn)一步0. 1重量份至10重量份，基于100重量份基礎(chǔ)聚合物。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4， 4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名"C0L0NATE L”，由 NipponPolyurethane Industry Co.， Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括 N,N,N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹脂。壓敏粘合劑 層32例如可通過利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加齊U，然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法形成。具體地，例如，可提及以下方法 包括將包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的混合物施涂至基材31上的方法；包括施涂上述混合物至適當(dāng)隔離膜(如剝離紙)上以形成壓敏粘合劑層前驅(qū)體，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至基材31上的方法；等等。此外，通過在前述條件下用放射線照射，能夠形成壓敏粘合劑層32。用放射線照射可對于粘貼半導(dǎo)體背面用膜2(或12)之前的壓敏粘合劑層前驅(qū)體進(jìn)行或可在粘貼半導(dǎo)體背面用膜2(或12)之后進(jìn)行。壓敏粘合劑層32的厚度沒有特別限定，例如，優(yōu)選約5 μ m至300 μ m，優(yōu)選5 μ m至 200 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選5 μ m至100 μ m，特別優(yōu)選7 μ m至50 μ m。當(dāng)壓敏粘合劑層32的厚度在上述范圍內(nèi)時，能夠顯示適當(dāng)?shù)膲好粽澈狭?。壓敏粘合劑層可為單層或多層。此外，在本發(fā)明中，可使半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1(或11)具有抗靜電功能。 由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于以下原因?qū)е碌亩搪酚捎谠谄湔澈蠒r和剝離時靜電能的產(chǎn)生或由于半導(dǎo)體晶片等通過靜電能的帶電。賦予抗靜電功能可通過適當(dāng)?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM(jìn)行添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材31、壓敏粘合劑層32 和半導(dǎo)體背面用膜2(或 12)的方法，或在基材31上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)組成的導(dǎo)電層或金屬膜等的方法。作為這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改進(jìn)導(dǎo)熱性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實例包括銀、 鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐?、針形或薄片形金屬粉末；金屬氧化物如氧化鋁；無定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點，半導(dǎo)體背面用膜2(或12)優(yōu)選非導(dǎo)電性的。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1(或11)可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可以以將片材(膜)層壓的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需要，以通過隔離膜保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的狀態(tài)將膜卷繞成卷形物，由此可制備膜作為處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)。在這點上，處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)可由基材31、 在基材31的一個表面上形成的壓敏粘合劑層32、在壓敏粘合劑層32上形成的半導(dǎo)體背面用膜2(或12)，和在基材31的另一表面上形成的可剝離處理層(后表面處理層)構(gòu)成。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的厚度(半導(dǎo)體背面用膜的厚度和包括基材 31和壓敏粘合劑層32的切割帶的厚度的總厚度)可在例如8 μ m-1, 500 μ m的范圍內(nèi)選擇， 其優(yōu)選 20 μ m-850 μ m,更優(yōu)選 31 μ m-500 μ m,特別優(yōu)選 47 μ m-330 μ m。在這點上，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1(或11)中，通過控制半導(dǎo)體背面用膜 2(或12)的厚度與切割帶3的壓敏粘合劑層32的厚度的比或半導(dǎo)體背面用膜2(或12)的厚度與切割帶的厚度(基材31和壓敏粘合劑層32的總厚度)的比，能夠改進(jìn)切割步驟時的切割性、拾取步驟時的拾取性等并且從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠有效利用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法)根據(jù)本實施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法使用示于圖1的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1作為實例描述。首先，基材31可通過常規(guī)已知的成膜方法形成。 成膜方法的實例包括壓延成膜法、在有機溶劑中的流延法、在嚴(yán)格密閉體系中的膨脹擠出法、T-模擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，壓敏粘合劑層前驅(qū)體通過以下形成將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31 上，接著干燥(根據(jù)需要，在加熱下交聯(lián))。施涂方法的實例包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在這點上，壓敏粘合劑組合物可直接施涂在基材31上，以在基材31上形成壓敏粘合劑層前驅(qū)體，或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表面已進(jìn)行剝離處理的剝離紙等上以形成壓敏粘合劑層前驅(qū)體，然后可將壓敏粘合劑層前驅(qū)體轉(zhuǎn)移至基材31上。此外，在粘貼至半導(dǎo)體背面用膜2(或12)前進(jìn)行照射固化的情況下，在此階段用放射線直接照射壓敏粘合劑層前驅(qū)體。由此，制備在基材31上形成壓敏粘合劑層32 的切割帶3。用放射線照射優(yōu)選在50mJ/cm2至2，000mj/cm2的范圍內(nèi)，，進(jìn)一步優(yōu)選在IOOmJ/ cm2至1，000mj/cm2的范圍內(nèi)進(jìn)行。在50mJ/cm2以上(特別是100mJ/cm2以上)用放射線的照射使得壓敏粘合劑層32的固化充分并防止該層與半導(dǎo)體背面用膜2(或12)過度粘合。結(jié)果，良好的拾取性能變得可能并能夠防止拾取后壓敏粘合劑粘貼至半導(dǎo)體背面用膜 2(或12)(所謂的粘合劑殘余物)。另一方面，在2，000mJ/cm3以下(特別是1，OOOmJ/cm2 以下)用放射線照射能夠減少對基材31的熱損害 。此外，能夠防止壓敏粘合劑層32固化的過度進(jìn)行導(dǎo)致拉伸彈性模量的過多增加以及由此降低膨脹性。此外，防止壓敏粘合力的過多降低，由此，在切割半導(dǎo)體晶片時能夠防止發(fā)生芯片飛散。此外，作為放射線，可提及 X-射線、UV線和電子束等。另一方面，涂布層可通過以下形成將用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料涂布在剝離紙上以在干燥后具有規(guī)定厚度，并在規(guī)定條件下進(jìn)一步將其干燥(在需要熱固化的情況等情況下，如果需要，進(jìn)行加熱處理以實現(xiàn)干燥)。通過將該涂布層轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32上，在壓敏粘合劑層32 (或壓敏粘合劑層前驅(qū)體)上形成半導(dǎo)體背面用膜2。在這點上，半導(dǎo)體背面用膜2也能夠通過以下在壓敏粘合劑層32 (或壓敏粘合劑層前驅(qū)體)上形成在壓敏粘合劑層32 (或壓敏粘合劑層前驅(qū)體)上直接施涂用于形成半導(dǎo)體背面用膜 2的形成材料，然后在規(guī)定條件下將其干燥(在需要熱固化的情況等情況下，如果需要，進(jìn)行加熱處理以實現(xiàn)干燥)。在壓敏粘合劑層前驅(qū)體的情況下，從基材31側(cè)在此階段或稍后的階段進(jìn)行用放射線照射。因此，能夠獲得根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。此夕卜，在半導(dǎo)體背面用膜2形成時進(jìn)行熱固化的情況下，重要的是進(jìn)行熱固化至其處于部分固化狀態(tài)的程度。然而，優(yōu)選不進(jìn)行熱固化。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)能夠在包括倒裝芯片連接步驟的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時適當(dāng)使用。即，在倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)，因此以將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (或11)的半導(dǎo)體背面用膜2(或12)粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的條件或形式生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，將本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1(或11)用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于通過倒裝芯片接合法將半導(dǎo)體芯片固定于被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)。(半導(dǎo)體晶片)半導(dǎo)體晶片不特別限制，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適當(dāng)?shù)厥褂霉杈?半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)將參考圖3A至3D描述用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法。圖3A至3D為示出在使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的情況下生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的截面示意圖。根據(jù)用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，半導(dǎo)體器件可使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜 1生產(chǎn)。具體地，該方法至少包括以下步驟將半導(dǎo)體晶片4粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中的半導(dǎo)體背面用膜2上的步驟，切割半導(dǎo)體晶片4以形成半導(dǎo)體元件5的步驟，將半導(dǎo)體元件5與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3的壓敏粘合劑層32剝離的步驟，和將半導(dǎo)體元件5倒裝芯片連接至被粘物6的步驟。此外，從粘貼半導(dǎo)體晶片4的步驟直至剝離半導(dǎo)體元件5的步驟不進(jìn)行用放射線照射壓敏粘合劑層32。(安裝步 驟)首先，如圖3A所示，將任選地在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜 2上設(shè)置的隔離膜適當(dāng)剝離并將半導(dǎo)體晶片4粘貼至半導(dǎo)體背面用膜2上以通過粘合和保持來固定(安裝步驟)。在此情況下，半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))。此外，將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘貼至半導(dǎo)體晶片4的背面。半導(dǎo)體晶片4的背面是指與電路面相對的面(也稱為非電路面、非電極形成面等)。粘貼方法不特別限制， 但優(yōu)選通過壓接的方法。壓接通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時進(jìn)行。(切割步驟)接著，如圖3B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并個體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片 4的電路面?zhèn)冗M(jìn)行。此外，本步驟可采取例如形成到達(dá)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的切口(slit)的稱作完全切斷的切斷方法。用于本步驟的切割設(shè)備沒有特別限定，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由于半導(dǎo)體晶片4通過具有半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘合并固定，因此可抑制芯片破裂和芯片飛散，以及還可抑制半導(dǎo)體晶片4破損。在這點上，當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成時，即使當(dāng)將其通過切割切斷時，也抑制或防止在切斷面處產(chǎn)生粘合劑從半導(dǎo)體背面用膜的壓敏粘合劑層擠出。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而可更加方便地進(jìn)行以下要描述的拾取。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1擴(kuò)展(expanding)的情況下，擴(kuò)展可使用常規(guī)已知的擴(kuò)展設(shè)備進(jìn)行。所述擴(kuò)展設(shè)備具有能夠推動半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1向下通過切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴(kuò)展步驟，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體芯片5，如圖3C所示進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取，以將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3剝離。 拾取方法沒有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。然而，在本發(fā)明中，由于壓敏粘合劑層32通過用放射線照射而預(yù)先固化，因此不進(jìn)行用放射線照射壓敏粘合劑層32。在這點上，拾取的半導(dǎo)體芯片5的背面用半導(dǎo)體背面用膜2保護(hù)。(倒裝芯片連接步驟)如圖3D所示，拾取的半導(dǎo)體芯片5通過倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定于被粘物6如基板。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱為正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被粘物6相對的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6。例如，使在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K51與粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料61 (如焊料)接觸，并在加壓下熔融導(dǎo)電性材料61，由此能夠確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的電連接，并能夠?qū)雽?dǎo)體芯片5固定于被粘物6上(倒裝芯片接合步驟)。 在此情況下，在半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間形成間隙并且間隙之間的距離通常為約30 μ m 至300 μ m。在這點上，在將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片接合至被粘物6時，重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的相對面以及間隙洗滌，然后將包封材料(如包封樹脂)填充入間隙中以進(jìn)行包封。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜]有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實例包括環(huán)氧基板、雙馬來酰亞 胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合步驟(倒裝芯片連接步驟)中，凸塊和導(dǎo)電性材料的材料沒有特別限定，其實例包括焊料(合金)如錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫_鋅系金屬材料和錫-鋅-鉍系金屬材料，以及金系金屬材料和銅系金屬材料。此外，在倒裝芯片接合步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)忍幍耐箟K和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時的溫度通常為約 2600C (例如，250°C至300°C)。通過用環(huán)氧樹脂等形成半導(dǎo)體背面用膜，可使本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。在本步驟中，優(yōu)選洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對面(電極形成面)以及間隙。在洗滌時使用的洗滌液沒有特別限定，其實例包括有機洗滌液和水性洗滌液。在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜具有對洗滌液的耐溶劑性，并且對這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過任何常規(guī)方法而無需任何特別的洗滌液實現(xiàn)該洗滌。接下來，進(jìn)行包封步驟以包封倒裝芯片結(jié)合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙。包封步驟使用包封樹脂進(jìn)行。在此情況下的包封條件不特別限制，但包封樹脂的固化通常在175°C下進(jìn)行60秒至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C 的溫度下進(jìn)行幾分鐘。通過在該步驟中的熱處理，隨著熱固化進(jìn)行來固化包封樹脂。此外， 通過該步驟，半導(dǎo)體背面用膜2可完全或幾乎完全固化并能夠以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至半導(dǎo)體元件的背面。此外，即使當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)時，該膜也可在包封步驟時與包封材料一起熱固化，因此不需要新添加半導(dǎo)體背面用膜2的熱固化步驟。包封材料沒有特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)即可，可在已知包封材料如包封樹脂中適當(dāng)選擇和使用。包封樹脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。包封樹脂的實例包括含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物。作為環(huán)氧樹脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹脂。此夕卜，由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物組成的包封樹脂除了環(huán)氧樹脂之外還可包含除了環(huán)氧樹脂之外的熱固性樹脂(如酚醛樹脂)或熱塑性樹脂。此外，可利用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂用固化劑，作為此類酚醛樹脂，可提及以上示例的酚醛樹脂。根據(jù)使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1和半導(dǎo)體背面用膜制造的半導(dǎo)體器件(倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)，將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面，因此，可以優(yōu)良的可見度實施激光標(biāo)識。特別地，即使當(dāng)標(biāo)識方法是激光標(biāo)識法時，激光標(biāo)識也能夠以優(yōu)良的對比度實施，并可以觀察通過具有良好可見度的激光標(biāo)識實施的各種信息(例如文字信息和圖形信息)。在激光標(biāo)識時，可利用已知激光標(biāo)識設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒有特別限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準(zhǔn)分子激光器(ArF 激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是適合的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒有特別限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YVO4激光器是適合的。由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件為通過倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當(dāng)采用半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可 提及所謂的“移動電話”和“PHS”，小型計算機[例如，所謂的“PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個人計算機”，所謂的“Net Book (商標(biāo))，，和所謂的“可穿戴計算機”等]，具有 “移動電話”和計算機集成形式的小型電子器件，所謂的“Digital Camera(商標(biāo))”，所謂的 “數(shù)碼攝像機”，小型電視機，小尺寸游戲機，小型數(shù)字音頻播放機，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書”的電子器件終端，移動電子器件(可攜帶電子器件) 如小尺寸數(shù)字型手表等。不必說，也可提及除了移動器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計算機”、薄型電視機、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤記錄機(hard diskrecordershDVD播放機等)、投影儀和微型機等。另外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件沒有特別限制，其實例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲器”、硬盤等)的構(gòu)件。實施例以下將詳細(xì)地示例性描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，本發(fā)明不限于以下實施例， 除非其超出本發(fā)明的主旨。此外，除非另外說明，在各實施例中的份為重量標(biāo)準(zhǔn)。實施例1<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名 “PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)，將 113份環(huán)氧樹脂(商品名"EPIC0AT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛樹脂(商品名“MILEX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名 “S0-25R”，由 Admatechs Co. Ltd.制造)、5 份染料 1 (商品名 “OIL GREEN 502”，由 Orient ChemicalIndustries Co.，Ltd.制造)和 5 份染料 2 (商品名“0IL BLACKBS”，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的樹脂組合物溶液。將該樹脂組合物溶液施涂至作為可剝離襯墊(隔離膜)的已進(jìn)行硅酮剝離處理的由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2 分鐘，以制備具有厚度(平均厚度)20 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜A。〈切割帶的制備〉在安裝有冷卻管、氮氣導(dǎo)入管、溫度計和攪拌設(shè)備的反應(yīng)容器中，放入88. 8份丙烯酸2-乙基己酯(下文中稱為"2EHA" )、11.2份丙烯酸2-羥乙酯(下文中稱為〃 HEA〃)、0. 2份過氧化苯甲酰和65份甲苯，并將全體物料在氮氣流中在61°C下進(jìn)行聚合處理6小時，從而獲得重均分子量為850，000的丙烯酸類聚合物A。2EHA與HEA的摩爾比為 IOOmol 比 20mol。向丙烯酸類聚合物A中添加12份(SOmol %，基于HEA) 2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(下文中稱為"Μ0Ι")，并將全體物料在空氣氣流中在50°C下進(jìn)行加成反應(yīng)處理48 小時，從而獲得丙烯酸類聚合物A'。然后，將8份多異氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L 〃，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和 5 份光聚合引發(fā)劑(商品名"IRGACURE 651"，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸類聚合物A'中，從而獲得壓敏粘合劑溶液。將在上述中制備的壓敏粘合劑溶液施涂至PET剝離襯墊的硅酮處理面上并在 120°C下進(jìn)行熱交聯(lián)2分鐘，從而形成厚度為10 μ m的壓敏粘合劑層前驅(qū)體。然后，將厚度為100 μ m的聚烯烴膜粘貼至壓敏粘合劑層前驅(qū)體的表面上，接著在50°C下保存24小時。 其后，用UV線照射僅對應(yīng)于半導(dǎo)體背面用膜中的半導(dǎo)體晶片粘貼部分的壓敏粘合劑層前驅(qū)體的部分，由此形成壓敏粘合劑層。由此，制備根據(jù)本發(fā)明的切割帶。UV線的照射條件如下。<UV線的照射條件〉UV照射設(shè)備高壓汞燈UV照射積分光量500mJ/cm2輸出75W照射強度150mW/cm2此外，UV照射對壓敏粘合劑層前驅(qū)體直接進(jìn)行。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的制備>將前述半導(dǎo)體背面用膜A使用層壓機粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層上，以制備半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。在這點上，層壓機的條件如下。〈層壓機的條件〉層壓機設(shè)備LPA330/450層壓機溫度40°C層壓機速度1，600mm/min比較例1除了不用UV線照射壓敏粘合劑層前驅(qū)體的表面之外，以與實施例1相同的方式制備根據(jù)本比較例的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。(評價)關(guān)于在實施例1和比較例1中制備的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，通過以下方法來評價或測量切割性、拾取性、倒裝芯片接合性和貯存穩(wěn)定性。評價或測量結(jié)果也示于表1 中。<切割性/拾取性的評價方法>使用實施例1和比較例 1的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，通過實際切割半導(dǎo)體晶片評價切割性，然后評價剝離性，從而評價半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的切割性能和拾取性能。首先，將半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸，厚度0.6mm;硅鏡面晶片)進(jìn)行背面拋光處理，并使用具有厚度0. 2mm的鏡面晶片作為工件。從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜剝離隔離膜后，將鏡面晶片(直徑8英寸，厚度200μπι;硅鏡面晶片)在70°C下通過輥壓接合粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上。此外，進(jìn)行鏡面晶片的切割。所述切割作為完全切斷進(jìn)行，以成為 IOmm見方的芯片尺寸。在這點上，粘貼條件和切割條件如下。(半導(dǎo)體晶片磨削條件)磨削設(shè)備商品名“DFG-8560"，由DISCO Corporation 制造半導(dǎo)體晶片8英寸直徑(將背面從厚度0. 6mm磨削至厚度0. 2mm)(粘貼條件)粘貼設(shè)備商品名‘‘MA-3000III，，，由 Nitto Seiki Co.，Ltd.制造粘貼速度10mm/min粘貼壓力0·I5MPa粘貼時的階段溫度70°C(切割條件)切割設(shè)備商品名“DFD-6361"，由DISCO Corporation 制造切割環(huán)〃2-8-1"(由 DISCO Corporation 制造)切割速度30mm/sec切割刀Zl ；"2030-SE 27HCDD，，，由 DISCO Corporation 制造Z2 ；"2030-SE 27HCBB，，，由 DISCO Corporation 制造切割刀旋轉(zhuǎn)速度Zl ；40，000r/minZ2 ；45，000r/min切割方法階梯切割晶片芯片尺寸10. Omm見方在切割中，確認(rèn)存在鏡面晶片的剝離和存在半導(dǎo)體芯片的芯片飛散。將良好進(jìn)行切割的情況評級為“良好”，將未良好進(jìn)行切割的情況評級為“差”，由此評價切割性。接下來，通過用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的切割帶側(cè)向上推動芯片， 將通過切割獲得的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從壓敏粘合劑層拾取。測定此時的半導(dǎo)體芯片(總計400片)的拾取成功率(％ )，以評價拾取性。因此，當(dāng)拾取率越接近于100%時，拾取性越好。在這點上，拾取條件如下。(拾取條件)拾取設(shè)備商品名“SPA-300”，由 Shinkawa Co.，Ltd.制造拾取針狀 物的數(shù)量1個針狀物針狀物的推動速度20mm/s針狀物的推動距離500 μ m拾取時間1秒切割帶擴(kuò)展量3mm
<倒裝芯片接合性的評價方法>隨后，將半導(dǎo)體芯片倒裝芯片接合至電路板上。在此情況下，半導(dǎo)體芯片的電路面與電路板相對，使在半導(dǎo)體芯片的電路面處形成的凸塊與連接至電路板連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料(焊料)接觸，并使導(dǎo)電性材料通過升高溫度至260°C在加壓下熔融，然后冷卻至室溫，由此進(jìn)行倒裝芯片接合。此外，將作為包封樹脂的未填充材料注入半導(dǎo)體芯片與電路板之間的間隙。<倒裝芯片接合性的評價標(biāo)準(zhǔn)>良好通過倒裝芯片接合法能夠?qū)崿F(xiàn)安裝而沒有任何問題；差通過倒裝接合法不能實現(xiàn)安裝。(貯存穩(wěn)定性的評價)在制備示于實施例1和比較例1的切割帶集成的半導(dǎo)體背面用膜后，使這些膜在 40°C的氣氛下靜置30天。其后，類似地評價前述切割性、拾取性和倒裝芯片接合性。表權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上的壓敏粘合劑層；和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜設(shè)置于所述壓敏粘合劑層上，其中所述壓敏粘合劑層的至少一部分已通過用放射線照射而預(yù)先固化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中將所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至所述通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層的部分是在所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜中對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘貼部分的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述通過用放射線照射而預(yù)先固化的壓敏粘合劑層的部分是在所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜中對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘貼部分的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜包含著色劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜包含著色劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜包含著色劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜包含著色劑。
9.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接至被粘物上，其中從所述半導(dǎo)體晶片的粘貼至所述半導(dǎo)體元件的剝離，所述壓敏粘合劑層沒有用放射線照射。
10.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體器件，其通過根據(jù)權(quán)利要求9所述的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法制造。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上的壓敏粘合劑層；和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜設(shè)置于所述壓敏粘合劑層上，其中所述壓敏粘合劑層的至少一部分已通過用放射線照射而預(yù)先固化。
文檔編號H01L21/68GK102220092SQ201110099960
公開日2011年10月19日 申請日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者山本晃好, 志賀豪士, 淺井文輝, 高本尚英, 高橋智一 申請人:日東電工株式會社