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      半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法

      文檔序號(hào):7004389閱讀:178來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)施方式一般涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。
      背景技術(shù)
      近年來,作為便攜電話機(jī)和/或個(gè)人計(jì)算機(jī)等外部設(shè)備的存儲(chǔ)裝置,大多使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置使用了 NAND型閃速存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)元件。作為由電子設(shè)備所使用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,能夠例示半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中,在形成有外部端子的布線基板(有機(jī)基板)上搭載半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片和/或控制器芯片等半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片的電極應(yīng)用弓I線接合法與布線基板的連接焊盤電連接,進(jìn)而以覆蓋半導(dǎo)體芯片整體的方式被進(jìn)行樹脂封裝。在這樣的現(xiàn)有技術(shù)中,期望抑制有機(jī)基板的使用量,實(shí)現(xiàn)制造成本的抑制。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的實(shí)施方式提供能夠抑制有機(jī)基板的使用量、實(shí)現(xiàn)制造成本的抑制的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。根據(jù)實(shí)施方式,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備有機(jī)基板,其在一個(gè)面設(shè)置有外部連接端子;以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置能夠插入于外部設(shè)備。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)一步具備引線框架,其具有載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的載置部及以朝向從載置部向外部設(shè)備的插入方向側(cè)延伸的方式形成并且粘接于有機(jī)基板的另一個(gè)面的粘接部;以及樹脂模制部,其使外部連接端子露出而封裝有機(jī)基板、引線框架及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,并且其俯視基本呈方形形狀。有機(jī)基板被單片化為在粘接于粘接部的狀態(tài)下、俯視與載置部幾乎不重疊的形狀。粘接部在插入方向的端部形成于樹脂模制部內(nèi)。引線框架在粘接部中,進(jìn)一步具有第1延伸部,該第1延伸部延伸至樹脂模制部的與插入方向側(cè)的面不同的面。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,能夠抑制有機(jī)基板的使用量,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造成本的抑制。


      圖1是表示實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的俯視圖。圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的仰視圖。圖3是示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的沿A-A線的剖面結(jié)構(gòu)的橫剖面圖。圖5是有機(jī)基板的仰視圖。
      圖6是引線框架的俯視圖。圖7是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的流程圖。圖8是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖9是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖10是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖11是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖12是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。圖13是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造工序的圖。
      具體實(shí)施例方式以下參照附圖,對(duì)實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法詳細(xì)地進(jìn)行說明。另外,本發(fā)明并不由該實(shí)施方式所限定。圖1是表示第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的俯視圖。圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外觀的仰視圖。圖3是示意性地表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的沿A-A線的剖面結(jié)構(gòu)的橫剖面圖。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10插入設(shè)置于個(gè)人計(jì)算機(jī)和/或數(shù)字照相機(jī)等外部設(shè)備的插槽而使用。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10作為外部存儲(chǔ)裝置而起作用。另外,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的插入方向設(shè)定為由箭頭X所圖示的方向。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10具備有機(jī)基板11、引線框架13、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15、控制器芯片16、電子部件17、樹脂模制部18。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10如圖1、2所示,以使外部連接端子19露出于底面?zhèn)鹊臓顟B(tài),其外周被樹脂模制部18所覆蓋。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10通過被樹脂模制部18所覆蓋,俯視基本呈方形形狀。有機(jī)基板11在例如絕緣性樹脂基板的內(nèi)部和/或表面設(shè)置有布線網(wǎng),且其兼作元件搭載基板和端子形成基板。作為這樣的有機(jī)基板11,可使用印刷布線板,該印刷布線板使用了玻璃環(huán)氧樹脂和/或BT樹脂(雙馬來酰亞胺三嗪樹脂)等。雖然詳細(xì)的圖示省略,但是有機(jī)基板11為多層結(jié)構(gòu),存在由各層所使用的材料不相同的情況。圖5是有機(jī)基板11的仰視圖。在有機(jī)基板11的底面(一個(gè)面)11a,設(shè)置包括金屬層的外部連接端子19。外部連接端子19為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10插入外部設(shè)備時(shí)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的輸入輸出端子。有機(jī)基板11被單片化為,在俯視半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的情況下,與后述的引線框架13的載置部21幾乎不重疊的形狀(也參照?qǐng)D9)。換言之,可以認(rèn)為,在俯視的情況下,相比于有機(jī)基板11與載置部21相重疊的部分,有機(jī)基板 11與存儲(chǔ)器芯片載置部(載置部)21不相重疊的部分這一方要大。有機(jī)基板11的上面lib (另一個(gè)面),為搭載控制器芯片16和/或電子部件17的搭載面。因此,有機(jī)基板11的上面lib的面積比從上面觀察控制器芯片16和/或電子部件 17所見的面積大。在有機(jī)基板11的上面11b,形成有多個(gè)連接焊盤(沒有圖示)。連接焊盤與外部連接端子19之間和/或連接焊盤彼此之間,經(jīng)由有機(jī)基板11的內(nèi)部布線(通孔等)電連接。通過將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15和/或控制器芯片16的電極焊盤(沒有圖示) 與連接焊盤電連接,來將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15、控制器芯片16、外部連接端子19等各要素電連接。
      這里,多個(gè)連接焊盤之中連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的連接焊盤,與外部端子的排列方向大致平行地配置。另外,多個(gè)連接焊盤之中連接于控制器芯片16的連接焊盤,配置于控制器芯片16的電極焊盤附近。其結(jié)果,能夠用金屬線27直接連接半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的電極焊盤與配置在有機(jī)基板11的上面lib的連接焊盤。另外,能夠用金屬線觀直接連接控制器芯片16的電極焊盤與配置在有機(jī)基板11的上面lib的連接焊盤。另外,通過將連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的連接焊盤及連接于控制器芯片16的連接焊盤配置在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的電極焊盤與控制器芯片16的電極焊盤之間,能夠縮短連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的連接焊盤與控制器芯片16的距離。其結(jié)果,能夠以低電阻連接半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15與控制器芯片16。另外,有機(jī)基板11的連接焊盤的配置并不限于上述的情況。 例如,在使控制器芯片16從圖3所示的配置旋轉(zhuǎn)了 180度的情況下,連接于控制器芯片16 的連接焊盤配置為,相對(duì)于連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的連接焊盤將控制器芯片16夾于中間。另外,多個(gè)連接焊盤之中電連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的連接焊盤的間距,為大致80 150 μ m左右,電連接于控制器芯片16的連接焊盤的間距為大致50 120 μ m左右。 即,電連接于控制器芯片16的連接焊盤的間隔這一方比電連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的連接焊盤的間隔小。圖6是引線框架13的俯視圖。在圖6中,以二點(diǎn)劃線表示半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外形、即樹脂模制部18的外形。引線框架13使用比有機(jī)基板11所使用的材料相對(duì)廉價(jià)的通用材料、例如42 Alloy(鐵鎳合金)和/或銅。引線框架13具有載置部21、基板粘接部 22和連結(jié)部23。載置部21是用于載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的區(qū)域。在載置部21的周圍,以從載置部21起延伸的方式形成有基板粘接部22和/或連結(jié)部23。基板粘接部22形成為,朝向構(gòu)成樹脂模制部18的外形的面之中由箭頭X表示的插入方向側(cè)的面18a而延伸。此外,基板粘接部22在與有機(jī)基板11相粘接的狀態(tài)下以不到達(dá)插入方向側(cè)的面18a的長度形成。 換言之,可以認(rèn)為,基板粘接部22在插入方向側(cè)的端部存在于有機(jī)基板11 (樹脂模制部12 內(nèi))。另外,在以下的說明中,存在將與插入方向側(cè)的面18a相交叉的面稱為18b、將與面 18a相對(duì)向的面稱為面18c的情況?;逭辰硬?2是使用粘接劑粘接于有機(jī)基板11的上面lib的區(qū)域。通過將基板粘接部22粘接于有機(jī)基板11的上面11b,載置部21被定位于俯視與有機(jī)基板11幾乎不重
      疊的位置。此外,存在將基板粘接部22中的連結(jié)部稱為連結(jié)部23c的情況。該連結(jié)部23c與基板粘接部22在插入方向側(cè)的端部相比,存在于靠面18c側(cè)。另外,連結(jié)部23c在插入方向側(cè)的端部與基板粘接部22在插入方向側(cè)的端部的位置也可以相等。此外,該連結(jié)部23c 形成為朝向面18b延伸。此外,載置部21與有機(jī)基板11雖然俯視幾乎不重疊,但是有在一部分區(qū)域相互重疊的部分。在該重疊的部分,載置部21與有機(jī)基板11也接合。通過將載置部21接合于有機(jī)基板11,有機(jī)基板11與引線框架13的接觸面積變大。從而,相比于僅由基板粘接部22 與有機(jī)基板11相粘接的情況,能夠強(qiáng)化有機(jī)基板11與引線框架13的粘接力。另外,在載置部21與有機(jī)基板11相重疊的部分也可以使用粘接劑進(jìn)行粘接。其結(jié)果,能夠進(jìn)一步強(qiáng)化有機(jī)基板11與引線框架13的粘接力。連結(jié)部23形成為,從載置部21和/或基板粘接部22朝向半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部、即后述的樹脂模制部18的外部延伸。如圖6所示,在引線框架13,形成有多個(gè)連結(jié)部 23。連結(jié)部23在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造階段使多個(gè)引線框架13彼此相連結(jié)。這樣,通過使多個(gè)連結(jié)部23相連結(jié),能夠一并地制造多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10。在第1實(shí)施方式中, 以朝向俯視基本呈方形形狀的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的4個(gè)面之中除了插入方向側(cè)的面18a 之外的3個(gè)面延伸的方式,形成多個(gè)連結(jié)部23。此外,在俯視構(gòu)成樹脂模制部18的外形的4個(gè)面之中至少1個(gè)面,以朝向該1個(gè)面延伸的方式設(shè)置有2個(gè)以上的連結(jié)部23。連結(jié)部23包括余留部13a和延伸部1 而構(gòu)成。余留部13a為從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外形伸出的部分,最終會(huì)被切斷而除去。延伸部1 不從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的最終的外形伸出,其構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的一部分。通過除去余留部13a,延伸部1 形成為,相對(duì)于載置部21及基板粘接部22,延伸至樹脂模制部18的與插入方向側(cè)的面18a不相同的面(面18b、18c)。另外,形成于基板粘接部22且延伸至面18b的延伸部1 為第1 延伸部,從載置部21延伸至面18c的延伸部1 為第2延伸部。連結(jié)部23形成為,與其靠載置部21和/或基板粘接部22側(cè)的根基部相比,其與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分這一方俯視變細(xì)。尤其是,在第1實(shí)施方式中形成為, 在與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分的附近變細(xì)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15是NAND型閃速存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)元件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15在其1邊具有多個(gè)電極焊盤。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的電極焊盤的間距為大于等于大致80μπι 左右,有機(jī)基板11的多個(gè)連接焊盤之中電連接于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的連接焊盤與半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片相一致,形成為大致80 150 μ m的間距。在載置部21上,層疊多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15。多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15之中最下層的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15,相對(duì)于載置部21通過粘接材料25而粘接。作為粘接材料25,例如使用一般的以聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等為主成分的熱固化性或光固化性的貼裝薄膜(粘接劑薄膜)或者液狀材料。通過在粘接于載置部21的最下層的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15上,以階梯狀粘接其他的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15,可層疊多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15。通過將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15 層疊為階梯狀,能夠使設(shè)置在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的一邊側(cè)的電極焊盤露出。另外,以各個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的配置有電極焊盤的邊與有機(jī)基板11相對(duì)向的方式進(jìn)行層疊。該露出了的電極焊盤用Au線等金屬線27與有機(jī)基板11的連接焊盤電連接(引線接合)??刂破餍酒?6搭載于有機(jī)基板11的上面lib??刂破餍酒?6從多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15選擇進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和/或讀出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15??刂破餍酒?6進(jìn)行向所選擇的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的數(shù)據(jù)的寫入和/或存儲(chǔ)在所選擇的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 15中的數(shù)據(jù)的讀出等。在控制器芯片16的上面,形成有電極焊盤(沒有圖示)。另外,控制器芯片16的多個(gè)電極焊盤配置在控制器芯片16的周邊??刂破餍酒?6所具有的電極焊盤的數(shù)量比半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15所具有的電極焊盤的數(shù)量多。另外,控制器芯片16所具有的電極焊盤的間距為大致30 100 μ m左右,比有機(jī)基板11的多個(gè)連接焊盤之中電連接于控制器芯片16的連接焊盤的間隔窄??刂破餍酒?6的電極焊盤與有機(jī)基板11的連接焊盤由金屬線觀引線接合。電子部件17搭載于有機(jī)基板11的上面lib。電子部件17例如是芯片電容器和/ 或電阻和/或電感器。在此,通過將電子部件17配置在有機(jī)基板11上,無需用金屬線連接, 而可經(jīng)由有機(jī)基板的內(nèi)部布線與半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15和/或控制器芯片16電連接。其結(jié)果,能夠降低半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的寄生電容、寄生電阻。樹脂模制部18通過用樹脂類材料封裝有機(jī)基板11的上面lib和引線框架13的兩面而形成。通過用樹脂材料封裝有機(jī)基板11的上面11b,使外部連接端子19露出于外部。樹脂模制部18構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外殼。樹脂模制部18以覆蓋半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15和/或控制器芯片16的高度形成。樹脂模制部18通過用模具覆蓋安裝有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15等安裝部件的有機(jī)基板11以及引線框架13并在該模具內(nèi)注入軟化了的樹脂類材料而形成。接著,關(guān)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造工序進(jìn)行說明。圖7是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造工序的流程圖。圖8 圖13是用于說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造工序的圖。首先,將有機(jī)基板11單片化(步驟Si)。有機(jī)基板11的單片化,由于通過使用了切割刀片(dicing blate)(沒有圖示)的一般的工序進(jìn)行即可,所以省略詳細(xì)的說明。接著,在引線框架13的基板粘接部22涂敷粘接劑30 (步驟S2,也參照?qǐng)D8)。作為粘接劑30, 例如使用一般的以聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等為主成分的熱固化性或光固化性的貼裝薄膜(粘接劑薄膜)或者液狀材料。另外,在載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分也涂敷粘接劑30。在此,能夠省略在載置部21與有機(jī)基板11重疊的部分所涂敷的粘接劑30接著,使有機(jī)基板11的上面lib粘接于涂敷有粘接劑30的基板粘接部22 (步驟 S3,也參照?qǐng)D9)。接著,在有機(jī)基板11的上面lib安裝控制器芯片16和電子部件17(步驟 S4,也參照?qǐng)D10)。接著,在載置部21經(jīng)由粘接材料25粘接半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15,進(jìn)而再在其上粘接半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15而使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15層疊(步驟S5,也參照?qǐng)D11)。接著,用金屬線27J8將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的電極焊盤與有機(jī)基板11的連接焊盤以及控制器芯片16的電極焊盤與有機(jī)基板11的連接焊盤引線接合(步驟S6,也參照?qǐng)D12)。接著,用樹脂類材料封裝有機(jī)基板11的上面lib和引線框架13的兩面,形成樹脂模制部18,并切除余留部13a(步驟S7,也參照?qǐng)D13)。另外,在圖13中,為了方便說明也示出了由于被樹脂模制部18所覆蓋而實(shí)際上無法觀察到的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)(半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 15等)。通過上述一系列的工序,制造出半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10。在這樣的實(shí)施方式1中,由于有機(jī)基板11被單片化為在俯視半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的情況下、與載置部21幾乎不重疊的形狀,所以有機(jī)基板11變得小型,能夠大幅抑制有機(jī)基板11的使用量。由此,能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的制造成本的抑制。另外,也可以通過將有機(jī)基板11單片化為與設(shè)置外部連接端子19的區(qū)域S(參照?qǐng)D幻大致相同的俯視形狀,來實(shí)現(xiàn)有機(jī)基板11的進(jìn)一步小型化。此外,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的作為輸入輸出端子的外部連接端子19,如圖2等所示, 位于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的插入方向側(cè)。設(shè)置于外部設(shè)備的插槽內(nèi)而與外部連接端子19接觸的端子,也相對(duì)于插入于插槽的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10位于插入方向側(cè)。在第1實(shí)施方式中,基板粘接部22以不到達(dá)樹脂模制部18的插入方向側(cè)的面18a的長度形成,并且延伸部 13b也不朝向插入方向側(cè)的面18a形成。S卩,引線框架13的一部分不露出于插入方向側(cè)的面18a。從而,能夠抑制引線框架13的一部分與設(shè)置于插槽內(nèi)的端子相接觸的情況,抑制短路的發(fā)生。此夕卜,因?yàn)闃渲V撇?8的插入方向側(cè)的面18a為將半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10插入于外部設(shè)備的插槽時(shí)的前進(jìn)方向前面,所以插入方向側(cè)的面18a也容易與外部設(shè)備自身等相接觸。如上所述,因?yàn)橐€框架13的一部分并不露出于插入方向側(cè)的面18a,所以在將半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10插入于外部設(shè)備的插槽時(shí),能夠抑制引線框架13的一部分接觸于外部設(shè)備的一部分,抑制短路的發(fā)生。此外,在形成樹脂模制部18的工序中,通過使形成于載置部21等的連結(jié)部23被模具所夾持,來保持引線框架13。通過用模具夾持連結(jié)部^3,容易使載置部21在模具內(nèi)保持于適合的位置。在對(duì)模具注入了樹脂類材料時(shí),如果引線框架13由于該注入壓力而移動(dòng),則半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15會(huì)從樹脂模制部18露出,但本實(shí)施方式能夠抑制這樣的問題的發(fā)生,實(shí)現(xiàn)成品率的提高。尤其是,通過除了連接部23c之外還具有延伸于面18c的連接部23,能夠穩(wěn)定地固定引線框架13。此外,通過除了連接部23c之外,還具有相對(duì)于連接部 23c相鄰于面18c側(cè)的連結(jié)部23-1 (參照?qǐng)D10),能夠穩(wěn)定地固定引線框架13。另外,連結(jié)部23-1所包含的延伸部1 成為第3延伸部。此外,由于在俯視下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的4面之中的至少1面,以朝向該1面延伸的方式設(shè)置有2個(gè)以上的連結(jié)部23,所以能夠進(jìn)一步提高由上述的模具形成的對(duì)引線框架13的保持力。另外,連結(jié)部23 (23c)也以從基板粘接部22延伸的方式形成。因此,由于與上述同樣的理由,形成樹脂模制部18的工序中的、由模具形成的對(duì)基板粘接部22的保持力增加。 在此,在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10中,使有機(jī)基板11的底面Ila露出。因此,在形成樹脂模制部 18的工序中,需要通過使有機(jī)基板11的底面Ila與模具緊密附著,來防止樹脂浸入到底面 Ila與模具的間隙。例如,如果引線框架13、尤其是基板粘接部22在有機(jī)基板11從模具分離的方向變形,則會(huì)在有機(jī)基板11的底面Ila與模具之間出現(xiàn)間隙,樹脂容易侵入。如果由侵入到底面Ila與模具的間隙的樹脂覆蓋外部連接端子19,則存在會(huì)引起與外部設(shè)備的接觸不良、 產(chǎn)生切除飛邊這樣的多余的時(shí)間和勞力的問題。另一方面,在第1實(shí)施方式中,由于通過從基板粘接部22延伸的連結(jié)部23c (延伸部13b),能夠提高由模具形成的對(duì)基板粘接部22的保持力,所以能夠抑制引線框架13的變形、尤其是基板粘接部22的變形,容易使有機(jī)基板 11可靠地緊密附著于模具。由此,能夠抑制樹脂侵入到基板11的底面Ila與模具的間隙的情況,實(shí)現(xiàn)成品率的提高和/或制造成本的抑制。另外,如上所述,因?yàn)樾纬捎诨逭辰硬?22的連結(jié)部23c(延伸部13b)并不露出于插入方向側(cè)的面18a,所以也能夠抑制短路的發(fā)生。此外,以使基板粘接部22從兩端的面18b延伸的方式形成連結(jié)部23c。其結(jié)果,能夠進(jìn)一步增加由模具形成的對(duì)基板粘接部22的保持力。另外,由于連結(jié)部23形成為,與其靠載置部21和/或基板粘接部22側(cè)的根基部相比,其與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分這一方俯視變細(xì),所以在切除余留部23a時(shí),能夠減小連結(jié)部23的切斷面積。因此,能夠抑制切斷連結(jié)部23的工具的磨損,實(shí)現(xiàn)工具的長壽命化。另外,由于連結(jié)部23的根基部,比連結(jié)部與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外部的邊界部分粗,所以能夠抑制連結(jié)部23的強(qiáng)度降低。由此,能夠抑制由上述的模具形成的對(duì)引線框架13的保持力降低的情況。另外,通過使引線框架13與有機(jī)基板11接觸,來確定有機(jī)基板11與載置部21的相對(duì)的位置關(guān)系。通過使引線框架13與有機(jī)基板11接觸,能夠使半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15與有機(jī)基板11的位置偏離變小,能夠抑制引線接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低。 另外,由于有機(jī)基板11與引線框架13最終由樹脂模制部18封裝,所以對(duì)于有機(jī)基板11與引線框架13的粘接,不要求高的可靠性,只要直至樹脂模制部18的形成工序?yàn)橹咕S持兩者的粘接即可。即,能夠僅在載置部21和基板粘接部22涂敷粘接劑30,而省略在載置部21 與有機(jī)基板11相重疊的部分涂敷的粘接劑30。例如,在載置部21與有機(jī)基板11相重疊的部分小等情況下,能夠防止粘接部30從載置部21與有機(jī)基板11相重疊的部分溢出的情況。另外,位于引線框架13的大致中央部、從載置部21與有機(jī)基板11相重疊的部分朝向樹脂模制部18的外部延伸的連結(jié)部23-1 (也參照?qǐng)D10),也與有機(jī)基板11重疊。其結(jié)果,能夠增加引線框架13與有機(jī)基板11接觸的面積。因此,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15與有機(jī)基板11的位置偏離減小,能夠抑制引線接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低??刂破餍酒?6,與半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15相比,所形成的電極焊盤的數(shù)量容易變多。另外,控制器芯片16與半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15相比,從上面所見的俯視形狀容易形成得小。因此,用于引線接合控制芯片16的電極焊盤和/或連接焊盤,與用于引線接合半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的電極焊盤和/或連接焊盤相比,密集地形成。在第1實(shí)施方式中,由于將控制器芯片16安裝在有機(jī)基板11上而非引線框架13上,所以即使在電極焊盤和/或連接焊盤密集地形成的條件下,也能夠可靠地進(jìn)行引線接合。另一方面,用于進(jìn)行半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的引線接合的電極焊盤和/或連接焊盤其間隔比較寬闊。因此,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片 15的引線接合比較容易,通過將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15安裝于引線框架13上,即使相互之間的距離稍微分離也能夠進(jìn)行引線接合。另外,由于將控制器芯片16和/或電子部件17安裝于有機(jī)基板11的上面11b,所以能夠使有機(jī)基板11的底面Ila側(cè)、即形成有外部連接端子19的一側(cè)變得大致平坦。由此,能夠有助于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的小型化。另外,通過減少半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10的外周面的凹凸,能夠有助于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10向電子設(shè)備的順暢的插入、從電子設(shè)備的拔
      出ο另外,通過使有機(jī)基板11的俯視形狀小型化,能夠抑制由在電子部件17的安裝工序等中對(duì)有機(jī)基板11施加的熱而引起的有機(jī)基板11的變形。如上所述,有機(jī)基板11為多層結(jié)構(gòu),存在按各層所使用的材料不同的情況。由于按各層所使用的材料不同,所以線膨脹系數(shù)也按各層而不同,所以容易產(chǎn)生由受熱歷程引起的變形。在此,通過使有機(jī)基板11的俯視形狀小型化,能夠使有機(jī)基板11占半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10整體的比例變小,使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10整體的變形難以產(chǎn)生。另外,載置部21與有機(jī)基板10的相對(duì)的位置關(guān)系的確定,不限于通過引線框架13 的粘接來進(jìn)行的情況。例如,也可以由用于形成樹脂模制部18的模具分別固定有機(jī)基板11和引線框架13。通過使有機(jī)基板11和引線框架13固定于模具,來確定相互的相對(duì)位置關(guān)系。另外,在第1實(shí)施方式中,舉出在載置部21上層疊多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15的例子而進(jìn)行了說明,但是并不限于此,也可以僅使1塊半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片15粘接于載置部21 上而構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10。另外,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片10的制造工序不限于由圖7的流程圖所示的情況。例如, 也可以在將有機(jī)基板11粘接于引線框架13之前,使控制器芯片16和電子部件17安裝于有機(jī)基板11。另外,也可以在將有機(jī)基板11單片化之前,使控制器芯片16和電子部件安裝于有機(jī)基板11。另外,第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10也可以應(yīng)用于微SD卡(注冊(cè)商標(biāo))。此外,并不限定于微SD卡,而能夠應(yīng)用于具備半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片而構(gòu)成的各種存儲(chǔ)裝置。此外,在第1實(shí)施方式中,連結(jié)部23的個(gè)數(shù)分別在面18b配置有3個(gè),在面18c配置有2個(gè),但是并不限于該個(gè)數(shù)。只要至少根據(jù)本實(shí)施方式,至少具有形成于基板粘接部22 且延伸于面18b的連結(jié)部23c即可。進(jìn)一步的效果和/或變形例,能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易推導(dǎo)出。因此,本發(fā)明的更為廣泛的方式,不限定于以上所表示且記述的特定的詳細(xì)的以及代表性的實(shí)施方式。因此,可以不脫離由所附權(quán)利要求及其均等物所定義的概括性的發(fā)明的概念的精神或范圍, 而實(shí)現(xiàn)各種變形。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其能夠插入于外部設(shè)備,其特征在于,具備 有機(jī)基板,其在一個(gè)面設(shè)置有外部連接端子;引線框架,其具有載置部及粘接部,所述載置部載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,所述粘接部以從前述載置部朝向?qū)η笆鐾獠吭O(shè)備的插入方向側(cè)延伸的方式形成并且粘接于前述有機(jī)基板的另一個(gè)面;半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,其載置于前述載置部;以及樹脂模制部,其使前述外部連接端子露出而封裝前述有機(jī)基板、前述引線框架及前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,并且其俯視基本呈方形形狀;其中,前述有機(jī)基板被單片化為在粘接于前述粘接部的狀態(tài)下、俯視前述有機(jī)基板與前述載置部不重疊的部分這一方比前述有機(jī)基板與前述載置部重疊的部分大的形狀;前述粘接部在前述插入方向的端部形成于前述樹脂模制部內(nèi),前述引線框架在前述粘接部中,進(jìn)一步具有第1延伸部,該第1延伸部延伸至前述樹脂模制部的與前述插入方向側(cè)的面不同的面。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于前述延伸部,與其靠前述載置部或前述粘接部側(cè)的根基部分相比,其與前述樹脂模制部的外部的邊界部分這一方俯視形成得細(xì)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于在前述引線框架,以朝向前述樹脂模制部的與前述插入方向相對(duì)向的面而延伸的方式形成有第2延伸部。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于 前述有機(jī)基板的一部分與前述載置部的一部分俯視重疊。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于 前述第1延伸部形成有多個(gè);各個(gè)前述第1延伸部延伸于與前述插入方向側(cè)的面不同的面兩面; 該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有第3延伸部,該第3延伸部相對(duì)于前述第1延伸部相鄰于與前述插入方向相對(duì)向的面?zhèn)?;前述?延伸部與前述有機(jī)基板接觸。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于,還具備 搭載于前述有機(jī)基板的另一個(gè)面的控制器芯片。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于 在前述有機(jī)基板形成有內(nèi)部布線;前述內(nèi)部布線與前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片之間以及前述內(nèi)部布線與前述控制器芯片之間用接合引線連接,前述控制器芯片與前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片經(jīng)由前述內(nèi)部布線電連接。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于 在前述有機(jī)基板形成有內(nèi)部布線;前述控制器芯片與前述外部連接端子經(jīng)由前述內(nèi)部布線電連接。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于,還具備 搭載于前述有機(jī)基板的另一個(gè)面的電子部件。
      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片為NAND型閃速存儲(chǔ)器。
      11.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法,其特征在于,包括將在一個(gè)面形成有外部連接端子的有機(jī)基板單片化為前述有機(jī)基板與載置部不重疊的部分這一方比前述有機(jī)基板與前述載置部重疊的部分大的俯視形狀,所述載置部形成于引線框架而載置半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片;前述引線框架具有從前述載置部延伸的粘接部,將前述粘接部粘接于前述有機(jī)基板的另一個(gè)面;形成使前述外部連接端子露出而封裝前述有機(jī)基板、前述引線框架以及前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的樹脂模制部;前述粘接部在前述插入方向的端部形成于前述樹脂模制部內(nèi),在前述引線框架,在前述粘接部中,形成有第1延伸部,該第1延伸部延伸至前述樹脂模制部的與前述插入方向側(cè)的面不同的面。
      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法,其特征在于,包括 在前述有機(jī)基板的另一個(gè)面安裝控制器芯片。
      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法,其特征在于,包括 在前述有機(jī)基板形成內(nèi)部布線;用接合引線連接前述內(nèi)部布線與控制器芯片,用接合引線連接前述內(nèi)部布線與前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,經(jīng)由前述內(nèi)部布線將前述控制器芯片與前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片電連接。
      14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法,其特征在于,包括 在前述有機(jī)基板形成與前述外部連接端子電連接的內(nèi)部布線;用接合引線連接前述控制器芯片與前述內(nèi)部布線,經(jīng)由前述內(nèi)部布線與前述外部連接端子電連接。
      15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法,其特征在于,包括 在前述有機(jī)基板的另一個(gè)面安裝電子部件。
      16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法,其特征在于 前述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片為NAND型閃速存儲(chǔ)器。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。根據(jù)實(shí)施方式,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(10)具備有機(jī)基板(11)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片(15)、引線框架(13)和樹脂模制部(18)。引線框架(13)具有粘接部(22)。有機(jī)基板單片化為,俯視有機(jī)基板與載置部不重疊的部分這一方比重疊的部分大的形狀。引線框架在粘接部中,進(jìn)一步具有第1延伸部(13b),該第1延伸部延伸至樹脂模制部的與插入方向側(cè)的面不同的面。
      文檔編號(hào)H01L21/60GK102315225SQ201110178148
      公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月29日
      發(fā)明者奧村尚久, 石井齊, 西山拓 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝
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