專利名稱：：用于減少接合焊盤腐蝕的接合焊盤結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明大體上涉及的是集成電路，并且更具體地涉及的是接合焊盤結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：集成電路通常形成在襯底(諸如，半導(dǎo)體晶圓)上。襯底上包括了接合焊盤(結(jié)合焊盤)。接合焊盤向集成電路器件提供了界面，通過該界面可以制造與器件的電連接。發(fā)明人所知的以前的技術(shù)慣于使用接合焊盤(諸如，熱壓焊或熱超聲焊引線接合、倒裝技術(shù)以及其他技術(shù))來提供從封裝終端到集成電路的連接
發(fā)明內(nèi)容·根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種接合焊盤結(jié)構(gòu)，包括第一鈍化層，其中，所述第一鈍化層覆蓋了上部導(dǎo)電層的一部分，并且通過第一開口暴露出所述上部導(dǎo)電層；接合焊盤，其中，所述接合焊盤覆蓋了所述第一鈍化層的一部分，并且其中，所述接合焊盤覆蓋了所述第一鈍化層中的所述第一開口，以形成凹槽區(qū)域，并且其中，所述接合焊盤與通過所述第一開口暴露出的所述上部導(dǎo)電層相接觸；以及第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層至少覆蓋了所述接合焊盤中的所述凹槽區(qū)域。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述接合焊盤結(jié)構(gòu)進一步包括所述上部導(dǎo)電層，其中，所述上部導(dǎo)電層具有與所述接合焊盤基本相同的尺寸，并且設(shè)置在所述接合焊盤正下方；下部導(dǎo)電層，其中，所述下部導(dǎo)電層也具有與所述導(dǎo)電焊盤基本相同的尺寸，并且設(shè)置在所述上部導(dǎo)電層正下方；以及導(dǎo)電通孔，設(shè)置在所述上部導(dǎo)電層和所述下部導(dǎo)電層之間，以在所述導(dǎo)電層之間提供電連接。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述第二鈍化層具有第二開口，所述第二開口暴露出所述接合焊盤的一部分。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述第二開口的寬度在大約20μm至大約100μm的范圍內(nèi)。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述第一開口的寬度在大約1,000A至大約40,000A的范圍內(nèi)。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述第一開口的縱橫比等于或小于大約2。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述接合焊盤的邊緣與所述第一鈍化層的最接近邊緣之間的距離在大約O.Iμm至大約I.Oμm的范圍內(nèi)。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述接合焊盤的邊緣與所述第二鈍化層的最接近邊緣之間的距離在大約5,000人至大約30，000人的范圍內(nèi)。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述第二鈍化層的邊緣與所述第一鈍化層的最接近邊緣之間的距離等于或者大于大約零。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述接合焊盤設(shè)置在集成電路的有源電路的至少一部分的上方。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述接合焊盤結(jié)構(gòu)設(shè)置在集成電路的輸入/輸出(I/O)單元上方。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述接合焊盤包含鋁或者鋁合金。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層均包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者其組合。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種接合焊盤結(jié)構(gòu)，包括上部導(dǎo)電層；下部導(dǎo)電層，其中，所述下部導(dǎo)電層位于所述上部導(dǎo)電層下面；導(dǎo)電通孔，設(shè)置在所述上部導(dǎo)電層和所述下部導(dǎo)電層之間，以在所述導(dǎo)電層之間提供電連接；第一鈍化層，其中，所述第一鈍化層覆蓋了所述上部導(dǎo)電層的一部分，并且通過第一開口暴露出所述上部導(dǎo)電層；接合焊盤，其中，所述接合焊盤覆蓋了所述第一鈍化層的一部分，并且其中，所述接合焊盤覆蓋了所述第一鈍化層中的所述第一開口，以形成凹槽區(qū)域，并且其中，所述接合焊盤與通過所述第一開口暴露出的所述上部導(dǎo)電層相接觸；以及第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層至少覆蓋了所述接合焊盤中的所述凹槽區(qū)域。在該接合焊盤結(jié)構(gòu)中，所述上部導(dǎo)電層具有與所述接合焊盤基本相同的尺寸，并且設(shè)置在所述接合焊盤的正下方；并且其中，所述下部導(dǎo)電層也具有與所述導(dǎo)電焊盤基本相同的尺寸，并且設(shè)置在所述上部導(dǎo)電層的正下方。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種在襯底上形成接合焊盤結(jié)構(gòu)的方法，包括在所述襯底上形成上部導(dǎo)電層；在所述上部導(dǎo)電層上方形成第一鈍化層，其中，所述第一鈍化層具有第一開口，并且其中，所述第一開口暴露出所述上部導(dǎo)電層；在所述第一鈍化層上方形成接合焊盤，其中，所述接合焊盤覆蓋了所述第一鈍化層中的所述第一開口，以形成凹槽區(qū)域；以及形成第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層至少覆蓋了所述接合焊盤中的所述凹槽區(qū)域。在該方法中，進一步包括在形成所述接合焊盤之后并且在形成所述第二鈍化層之前，對所述襯底進行預(yù)處理，以去除所述凹槽區(qū)域中的殘留物，其中，所述預(yù)處理工藝可以是濺射工藝、等離子體工藝或者退火工藝。在該方法中，通過等離子體工藝沉積所述第二鈍化層，其中，所述等離子體去除了所述凹槽區(qū)域中的殘留物。在該方法中，所述第二鈍化層至少覆蓋了所述接合焊盤中的所述凹槽區(qū)域，以防止由形成所述第二鈍化層而產(chǎn)生的殘留物被留在所述凹槽區(qū)域中。在該方法中，所述第二鈍化層至少覆蓋了所述接合焊盤中的所述凹槽區(qū)域，以減少所述接合焊盤的腐蝕。當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。圖IA示出的是根據(jù)一些實施例的接合焊盤結(jié)構(gòu)的截面圖；圖IB-圖ID示出的是圖IA的接合焊盤結(jié)構(gòu)的各個實施例的俯視圖；圖2A示出的是根據(jù)一些實施例的接合焊盤結(jié)構(gòu)的截面圖2B示出的是根據(jù)一些實施例圖2A的接合焊盤結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖3示出的是根據(jù)一些實施例形成接合焊盤結(jié)構(gòu)的工藝流程。具體實施例方式可以理解，以下公開提供了多種不同實施例或?qū)嵗?，用于實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征。以下將描述組件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實例并且不旨在限制本發(fā)明。另外，本發(fā)明可以在多個實例中重復(fù)參考符號和/或字符。這種重復(fù)用于簡化和清楚，并且其本身不表示所述多個實施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，在以下描述中，在第二部件上方或之上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括可以將其他部件形成在第一部件和第二部件之間使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。另外，描述性的術(shù)語(諸如，上面/下面、頂部/底部以及垂直的/水平的)僅用于簡化說明并不被限制成絕對的方向。例如，上面的層和下面的層可以表示與襯底或形成在襯底上的集成電路相對的相應(yīng)關(guān)系，而不是絕對的方向?，F(xiàn)參考圖1A，示出了接合焊盤結(jié)構(gòu)(例如，接合焊盤和接合焊盤連接件)100的實施例的截面圖。接合焊盤結(jié)構(gòu)100可以形成在包括了集成電路或其部分的襯底101上。襯底101可以是半導(dǎo)體晶圓，諸如，硅晶圓?？蛇x地，襯底可以包含其他元素半導(dǎo)體材料，諸如，鍺；化合物半導(dǎo)體，諸如，碳化娃、鎵砷、砷化銦以及磷化銦；合金半導(dǎo)體材料，諸如，娃鍺、碳化硅鍺、磷化鎵砷以及磷化鎵銦和/或其他襯底成分。圖IA示出的是帶有柵極結(jié)構(gòu)102以及源極和漏極區(qū)域104的示例性器件105。在一些實施例中，器件105通過隔離結(jié)構(gòu)103與其他器件(未示出)分隔開。襯底101通常包括被圖案化而形成集成電路的導(dǎo)電層、絕緣層以及半導(dǎo)體層。該襯底可以包括互連結(jié)構(gòu)115(例如，多層互連(MLI)或多個導(dǎo)電跡線和層間電介質(zhì))，器件105和接合焊盤結(jié)構(gòu)100的接合焊盤160與該互連結(jié)構(gòu)電連接。使用例如，設(shè)置在襯底上的導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層以及絕緣層來形成集成電路。在一個實施例中，多層互連(MLI)115被形成為包括導(dǎo)線(通孔和接觸件)和層間介電(ILD)層。參考下面的步驟945描述的已形成的接合焊盤結(jié)構(gòu)從襯底(例如，從封裝終端)外面為器件(包括互連結(jié)構(gòu))提供電接觸?；ミB結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線可以包括以下材料，諸如，鋁、鋁/硅/銅合金、鈦、氮化鈦、鶴、多晶娃、金屬娃化物、銅、銅合金、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鶴、多晶娃、金屬硅化物(諸如，硅化鎳、硅化鈷、硅化鎢、硅化鉭、硅化鈦、硅化鉬、硅化鉺、硅化鈀或其組合)和/或其他適當(dāng)?shù)牟牧??？梢酝ㄟ^包括了物理汽相沉積(或濺射)、化學(xué)汽相沉積(CVD)、電鍍和/或其他適當(dāng)工藝的工藝來形成該互連結(jié)構(gòu)。用于形成該互連結(jié)構(gòu)的其他制造技術(shù)可以包括對垂直連接(通孔和接觸件)和水平連接(導(dǎo)線)的材料進行圖案化的光刻處理和蝕刻，并且在這些工藝之后可以進行回蝕或化學(xué)機械拋光(CMP)工藝。仍然可以使用其他制造工藝(諸如，熱退火)在包括在MLI中的襯底上形成金屬硅化物。MLI的ILD層可以包括以下材料，諸如，氧化硅、具有低介電常數(shù)(諸如，介電常數(shù)(k)小于大約2.5(例如，超低k(ELK))的材料、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亞胺、旋涂玻璃(SOG)、氟化物摻雜的硅酸鹽玻璃(FSG)、未摻雜的二氧化硅玻璃(USG)、碳摻雜的氧化硅(SiOC)、BLACKDIAMOND(來自于California,SantaClara的AppliedMaterials)>干凝膠、氣凝膠、非晶的氟化碳、聚對二甲苯、BCB(雙苯環(huán)丁烯)、SILK(來自于Michigan，Midland的DowChemical)、聚酰亞胺和/或其他適當(dāng)?shù)牟牧稀Ｔ谝恍嵤├?，介電?20包括低介電常數(shù)(k)電介質(zhì)。在一些實施例中，低k電介質(zhì)具有在大約2.5至大約2.9的范圍內(nèi)的介電常數(shù)(k)。該低k電介質(zhì)可以是多孔電介質(zhì)。可以通過包括了旋涂、CVD和/或其他適當(dāng)工藝的技術(shù)形成電介質(zhì)層并且可以隨后進行回蝕或CMP工藝。可以在集成工藝(諸如，鑲嵌工藝或光刻/等離子體蝕刻工藝)中形成互連結(jié)構(gòu)。在實施例中，接合焊盤結(jié)構(gòu)100包括焊盤下電路(CUP)結(jié)構(gòu)。在CUP結(jié)構(gòu)中，接合焊盤160可以被設(shè)置在集成電路的有源電路或其部分之上。例如，器件105可以是接合焊盤結(jié)構(gòu)100下面的集成電路部分。在實施例中，接合焊盤結(jié)構(gòu)100是CUP結(jié)構(gòu)并且設(shè)置在集成電路的輸入/輸出(I/O)單元上方。CUP的優(yōu)點在于縮短了導(dǎo)體，因此減小了其電阻和電容，從而可以減小集成電路的寄生電容。其他優(yōu)點包括節(jié)省空間。在其他實施例中，集成電路僅部分地位于接合焊盤160下面，并且互連結(jié)構(gòu)被用于將不直接位于接合焊盤160下面的器件與接合焊盤160電連接。暴露出的接合焊盤160可以被用于電探測和/或用于形成與接合引線相連接的接合球(兩者在圖IA中都沒有示出)，從而與外部的接觸件電連接。例如，接合球和引線可以由銅或金制成。也可以使用其他材料。可選地，暴露出的接合焊盤160可以被用來形成其他類型的導(dǎo)電封裝結(jié)構(gòu)，諸如，凸塊或球。凸塊和球可以包括銅和/·或焊料。凸塊也可以是銅柱。根據(jù)一些實施例中，接合焊盤結(jié)構(gòu)100可以包括下部導(dǎo)電層110，多個導(dǎo)電通孔135、上部導(dǎo)電層140、介電層120和125、鈍化層150和170以及接合焊盤160。導(dǎo)電通孔135設(shè)置在下部導(dǎo)電層110上。上部導(dǎo)電層140設(shè)置在導(dǎo)電通孔135上，使得導(dǎo)電通孔135介于下部導(dǎo)電層110和上部導(dǎo)電層140之間。導(dǎo)電通孔135在上部導(dǎo)電層140和下部導(dǎo)電層110之間提供了電連接。上部導(dǎo)電層140、導(dǎo)電通孔135以及下部導(dǎo)電層110可以與互連結(jié)構(gòu)115(例如，MLI層)電連接，和/或是該互連結(jié)構(gòu)115的一部分?；ミB結(jié)構(gòu)115可以具有多個金屬層，諸如，導(dǎo)電層110、140、126、124和122等?；ミB結(jié)構(gòu)115還可以具有多個通孔/接觸件，諸如，通孔/接觸件129、127、125和123等。根據(jù)一些實施例，導(dǎo)電層110、140、126、124和122以及通孔/接觸件135、129、127、125和123分別被層間介電(ILD)層125、120、118、116和114圍繞。在一些實施例中，該第一介電層114可以是磷摻雜的硅玻璃(PSG)，并且可以通過高密度等離子體CVD(HDPCVD)工藝或次大氣壓CVD(SACVD)工藝進行沉積?？蛇x地，接合焊盤結(jié)構(gòu)100包括上部導(dǎo)電層140、鈍化層150、170以及接合焊盤160。接合焊盤結(jié)構(gòu)100通過通孔(諸如，導(dǎo)電通孔135)與其他金屬層(諸如，層110)相連接。上部導(dǎo)電層140和下部導(dǎo)電層110被示為導(dǎo)電材料的連續(xù)結(jié)構(gòu)。在其他實施例中，該接合焊盤結(jié)構(gòu)100包括用于替代導(dǎo)電通孔135的中間導(dǎo)電層(未示出)。該中間導(dǎo)電層可以是設(shè)置在層140和110之間的固態(tài)層(例如，焊盤)。也可以使用其他類型的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來替代導(dǎo)電通孔135，以提供導(dǎo)電層110和140之間的電連接。該其他類型的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電層的實例在2008年2月5日提交的，標(biāo)題為“BondPadStructure”，申請?zhí)枮?2/026，312的美國專利申請中有所描述，該申請的所有內(nèi)容被結(jié)合在此作為參考。上部導(dǎo)電層140與接合焊盤160電連接并且物理連接。接合焊盤160可以包括一個或多個導(dǎo)電材料層。例如，該接合焊盤可以包括主導(dǎo)電層和一個或多個阻擋層。可以使用沉積技術(shù)(諸如，濺射、CVD、電鍍和/或其他適當(dāng)工藝)形成接合焊盤160。在實施例中，該接合焊盤包含鋁或鋁合金?？梢员话ㄔ诮雍虾副P中的其他材料的實例是鈦、鉭、銅、鎢、其組合(包括合金)和/或其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。在一些實施例中，主導(dǎo)電層下面的阻擋層由TaN、TiN或其組合制成。在一些實施例中，上部導(dǎo)電層140可以是頂部金屬層(或M-層)，下部導(dǎo)電層110可以是頂部金屬層下面的層(或Mtt51ri層)。在其他實施例中，上部導(dǎo)電層140可以是再分配層(RDL)?；ミB結(jié)構(gòu)115在接合焊盤160和器件(諸如，襯底101上的器件105)之間提供了電連接。接合焊盤結(jié)構(gòu)100還可以包括介電層120和125。在一些實施例中，介電層120和125是一個整體(unitary)(例如，單個介電層)。上面所描述的用于形成ILD層的材料可以被用于介電層120和/或125。接合焊盤結(jié)構(gòu)100還包括鈍化層150和170。鈍化層150和/或170可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或其他適當(dāng)材料。在一些實施例中，鈍化層150和170通過等離子體工藝形成。鈍化層150(鈍化層I)和170(鈍化層II)中的開口暴露出接合焊盤160，從而提供了接合區(qū)域。該接合區(qū)域161具有寬度A’，該接合區(qū)域小于具有寬度A的敞開的接合焊盤區(qū)域。在一些實施例中，寬度A在大約20μm至大約IOOym的范圍內(nèi)。該接合區(qū)域161包括可用于接合(例如，用于放置球、楔或凸塊)的接合焊盤160的區(qū)域。根據(jù)一些實施例，鈍化層I150的厚度(M)在大約5000A至大約15,OOOA的范圍內(nèi)。根據(jù)一些實施例，鈍化層II171的厚度(N)在大約5,000人至大約20，000人的范圍內(nèi)。在一些實施例中，鈍化層I150的鈍化區(qū)域(或結(jié)構(gòu))151被省略。在此情況下，接合焊盤160的大部分都與下部導(dǎo)電層140相接觸。圖IA示出，鈍化區(qū)域151被設(shè)置在鈍化區(qū)域152之間，并且通過開口153與鈍化區(qū)域152分隔開。鈍化結(jié)構(gòu)151的存在可以減小在探測接合焊盤160的過程中或在將接合引線與接合焊盤160連接的過程中施加在接合焊盤160上的應(yīng)力。一個或多個開口(或通孔)153可以具有寬度B。在一些實施例中，該寬度B在大約I,OOOA至大約40,OOOA的范圍內(nèi)。在其他實施例中，寬度B在大約20，000A至大約30,OOOA的范圍內(nèi)。由于開口153，因此，接合焊盤160形成在凹槽區(qū)域154中。在一些實施例中，由于開口153的高縱橫比(M/B)，凹槽區(qū)域154又深又窄。該又深又窄的凹槽區(qū)域154能夠留住(trap)未從襯底表面清洗掉的圖案化殘留物和蝕刻殘留物159。在形成接合焊盤160和鈍化層II170的圖案時，需要將光刻膠層沉積在每個層上并且對其進行圖案化。在通過光刻圖案化該光刻膠層并且使用顯影劑產(chǎn)生出開口之后，通過化學(xué)蝕刻(etchingchemistry)(通常包括等離子體)來蝕刻接合焊盤160的暴露出的金屬區(qū)域或鈍化層II170的暴露出的介電區(qū)域。光刻膠圖案化的殘留物和/或蝕刻材料層(接合焊盤160或鈍化層II170)的殘留物可能被留在凹槽區(qū)域154中。圖案化殘留物和蝕刻殘留物的實例可以包括但并不局限于聚合物、含氯的物質(zhì)(species)、含氟的物質(zhì)和/或含氧的物質(zhì)。該蝕刻類物質(zhì)是腐蝕性的并且能夠?qū)е陆雍虾副P160的腐蝕。接合焊盤160的腐蝕能夠?qū)е陆雍虾副P160和接合引線之間的接觸較差或者無接觸，并且導(dǎo)致產(chǎn)量下降。金屬腐蝕能夠隨著時間而惡化并且受腐蝕的區(qū)域能夠隨著時間而變大。例如，殘留物可以與氧和空氣中的濕氣反應(yīng)而變成腐蝕性的或更具腐蝕性的。因此，受腐蝕的區(qū)域?qū)㈦S著時間而變大。受腐蝕的區(qū)域也可以擴散到相鄰的之前未受到影響的區(qū)域中。因此，金屬腐蝕也可能變成可靠性問題并且需要被解決。在一些實施例中，殘留物主要來源于鈍化層II170的形成。形成接合焊盤160時所產(chǎn)生的殘留物可以在使用等離子體工藝沉積鈍化層II170的過程中被大部分去除。在接合焊盤160形成之后，該等離子體工藝去除了殘留在凹槽區(qū)域154中的殘留物。凹槽區(qū)域154中的殘留物明顯源于圖案化鈍化層II170。因此，覆蓋凹槽區(qū)域154能夠明顯減少接合焊盤160腐蝕的發(fā)生。圖IA示出了根據(jù)一些實施例的鈍化區(qū)域152的邊緣155以及鈍化區(qū)域151的邊緣156。圖IA還示出根據(jù)一些實施例的接合焊盤160的邊緣157以及鈍化層II170的邊緣158。圖IB示出的是根據(jù)一些實施例圖IA的接合焊盤結(jié)構(gòu)100的俯視圖，圖IB示出了帶有具有矩形邊緣158的開口的鈍化層II170。該開口暴露出具有留住殘留物159的溝槽區(qū)域154的接合焊盤160。接合焊盤160的一部分被鈍化層II170覆蓋，并且接合焊盤的邊緣157被矩形的方框(虛線的)標(biāo)記出來。鈍化層I150既在鈍化層II170下面又在接合焊盤160下面。圖IB示出的是鈍化區(qū)域151的邊緣156以及鈍化區(qū)域152的邊緣155。圖IB中所示的實施例僅是個實例。接合焊盤160的其他形狀和鈍化層I150或鈍化層II170的其他外形也是可能的。例如，鈍化層I150的鈍化區(qū)域152的邊緣155可以在邊緣157和邊緣158之間?？蛇x地，鈍化區(qū)域152的邊緣155可以位于邊緣158正下方。圖IC示出的是根據(jù)一些實施例的結(jié)構(gòu)100的另一個實施例的俯視圖。在圖IC所示的實施例中，鈍化層I150的鈍化區(qū)域152的邊緣155位于鈍化層II170的邊緣158正下方。如上所述，接合焊盤160的其他形狀、鈍化層I150或鈍化層II170的其他外形也是可能的。圖ID是根據(jù)一些其他實施例的結(jié)構(gòu)100的另一個實施例的俯視圖。除了凹槽區(qū)域154不是連續(xù)的以外，圖ID與圖IC類似。圖ID示出，每個凹槽區(qū)域(諸如，區(qū)域154*)是矩形或是圓角矩形。然而，凹槽區(qū)域154*還可以是其他形狀的。圖ID示出，凹槽區(qū)域154*在焊盤160的邊緣附近形成了不連續(xù)的環(huán)。在一些實施例中，凹槽154*形成了兩個或多個連續(xù)的和/或不連續(xù)的環(huán)。凹槽區(qū)域154*也可以形成連續(xù)的環(huán)和不連續(xù)的環(huán)的混合形狀。在一些實施例中，這些環(huán)是同心的。圖2A示出的是根據(jù)一些實施例的接合焊盤結(jié)構(gòu)200。該接合焊盤結(jié)構(gòu)200與圖IA的接合焊盤結(jié)構(gòu)100類似。然而，鈍化層II170覆蓋著凹槽154。通過覆蓋凹槽154，源于圖案化和蝕刻鈍化層II170的殘留物無法進入到凹槽154內(nèi)。即使存在少量的困在凹槽154中的源于圖案化和蝕刻接合焊盤160的殘留物，凹槽154中的該殘留物也不會暴露在環(huán)境中的空氣或的水分中。因此，殘留物不太可能變成腐蝕性的。即使殘留物是輕微腐蝕性的，受腐蝕的區(qū)域也很可能受到覆蓋著的鈍化層II170的限制和抑制。如上所述，鈍化層II170的等離子體沉積工藝可以去除大部分在形成接合焊盤160時所產(chǎn)生的殘留物。在一些實施例中，可以在圖案化和蝕刻接合焊盤160之后添加額外的預(yù)處理工藝，從而在襯底上沉積鈍化層II170之前驅(qū)散(蒸發(fā)掉)潛在的水分或聚合物殘留物。在一些實施例中，預(yù)處理工藝是濺射工藝。使用在濺射工藝中的氣態(tài)物質(zhì)可以包括惰性氣體，諸如，Ar、He或其他種類的惰性氣體。例如，Ar濺射可以去除表面殘留物?？蛇x地，預(yù)處理工藝可以是等離子體處理或退火工藝。例如，使用惰性氣體的等離子體處理工藝能夠去除表面殘留物。該等離子體處理可以是偏壓的或非偏壓的。帶有偏壓的等離子體工藝可以利用高離子能量將等離子體射向襯底表面?？梢栽诖蠹s75°C至大約350°C的范圍內(nèi)的溫度下進行退火，該退火持續(xù)時間在大約I分鐘到大約30分鐘的范圍內(nèi)。該退火工藝可以蒸發(fā)掉表面的殘留物。鈍化層II170中的開口寬度為A。在一些實施例中，該寬度在大約20μm至大約100μm的范圍內(nèi)。重要的是，接合焊盤160在鈍化層I150中的開口153上方的充分覆蓋。在一些實施例中，接合焊盤160的外邊緣與開口153的邊緣之間的距離(或相鄰的邊緣157和邊緣155之間的距離)為“C”，該距離在大約O.Iμm(或I,OOOA)至大約2.Oμm的范圍內(nèi)。如果距離C太小，那么接合焊盤160的邊緣可以由于未對準(zhǔn)而落在開口153內(nèi)。當(dāng)這種情況發(fā)生時，將無法適當(dāng)?shù)厍謇斫雍虾副P160并且殘留物將被留在接合焊盤160落在開口153內(nèi)的邊緣處。另外重要的是，鈍化層II170在接合焊盤160(尤其是凹槽區(qū)域154)上方的充分覆蓋。在一些實施例中，根據(jù)一些實施例，鈍化層II170的邊緣158與鈍化層I150的開口153的相鄰的內(nèi)邊緣156之間的距離“E”等于或大于大約零。接合焊盤160的沉積將使得凹槽區(qū)域154的寬度小于開口153的寬度。根據(jù)一些實施例，距離E使得鈍化層II170能夠充分地覆蓋在接合焊盤160的凹槽區(qū)域154上方。在一些實施例中，距離E等于或大于大約零。在一些實施例中，距離E等于或大于大約O.Iym0在一些實施例中，將鈍化層II170的邊緣158與接合焊盤160的相鄰的邊緣157之間的距離“D”確定為確保鈍化層II170能夠充分地覆蓋接合焊盤160和凹槽區(qū)域154。在一些實施例中，距離D在從大約5000Α至大約30,OOOA的范圍內(nèi)。鈍化層I150中的開口153的縱橫比(Μ/Β)影響著接合焊盤160中的凹槽區(qū)域154的尺寸和縱橫比。在一些實施例中，開口153的縱橫比等于或小于大約2.O。過高的縱橫比導(dǎo)致凹槽區(qū)域154難于清理并且可能會留住不期望的(unacceptable)殘留物。圖2B示出的是根據(jù)一些實施例的圖2A的接合焊盤結(jié)構(gòu)200的俯視圖。圖2B示出，凹槽154完全被鈍化層II170覆蓋著。凹槽154中不存在殘留物。如上所述，即使凹槽154中存在少量殘留物159，鈍化層II170也可以將其覆蓋住并且使其不會暴露在水分和空氣中。因此，腐蝕的區(qū)域受到了限制并且不太可能隨著時間而變大。圖3示出的是根據(jù)一些實施例的形成接合焊盤結(jié)構(gòu)的工藝流程300。在操作301中，上部導(dǎo)電層(或結(jié)構(gòu))形成在襯底上。根據(jù)一些實施例，可以通過雙鑲嵌工藝或者單鑲嵌工藝形成該上部導(dǎo)電層。在一些實施例中，該上部導(dǎo)電層與圖IA和圖2A的上部導(dǎo)電層類似。如上所述，該上部導(dǎo)電層可以是MLI的一部分并且與MLI的剩余部分和與MLI相連接的器件物理連接和/或電連接。可選地，該上部導(dǎo)電層可以是再分配層。操作301還可以包括在上部導(dǎo)電層下面形成下部導(dǎo)電層(或結(jié)構(gòu))。在一些實施例中，下部導(dǎo)電層與上面所描述的下部導(dǎo)電層110類似。操作301可以進一步包括在上部導(dǎo)電層和下部導(dǎo)電層之間形成導(dǎo)電通孔。根據(jù)一些實施例，該導(dǎo)電通孔與導(dǎo)電通孔135類似。在上部導(dǎo)電層形成完畢之后，在操作303中，在該上部導(dǎo)電層上方形成了鈍化層。該鈍化層覆蓋了至少部分的上部導(dǎo)電層并且可以覆蓋襯底的其他部分。該鈍化層與上面所述的鈍化層150類似，并且包括帶有開口153的結(jié)構(gòu)151和152。然后，在操作305中，接合焊盤(結(jié)構(gòu))形成在鈍化層上方。接合焊盤(結(jié)構(gòu))與覆蓋了鈍化結(jié)構(gòu)151和鈍化結(jié)構(gòu)152的一部分的接合焊盤160類似。鈍化層151和152兩者都是鈍化層的一部分。接合焊盤結(jié)構(gòu)還填充在開口153中并且形成了凹槽區(qū)域154。然后，工藝流程300可以在操作307中經(jīng)歷任選的預(yù)處理操作來去除留在接合焊盤160的凹槽區(qū)域154中的殘留物。上面已經(jīng)描述過了預(yù)處理工藝的實例。然后，在操作309中將其他的鈍化層(或結(jié)構(gòu))形成在接合焊盤結(jié)構(gòu)上方。其他的鈍化層與具有開口的鈍化層II170類似，該開口暴露出接合焊盤結(jié)構(gòu)的一部分。鈍化層覆蓋了接合焊盤結(jié)構(gòu)的凹槽區(qū)域，從而在殘留物存在的情況下，防止積聚殘留物并且將殘留物封裝(encapsulate)在凹槽區(qū)域中。在該鈍化層形成之后，可以對接合焊盤結(jié)構(gòu)進行探測或?qū)⒃摻雍虾副P結(jié)構(gòu)與接合引線相連接。本發(fā)明提供了形成接合焊盤結(jié)構(gòu)的機構(gòu)。該接合焊盤具有凹槽區(qū)域，該凹槽區(qū)域由接合焊盤下面的鈍化層中的開口形成。上部鈍化層覆蓋著接合焊盤的凹槽區(qū)域，從而減少留在凹槽區(qū)域中的圖案化殘留物和/或蝕刻殘留物。由此降低了接合焊盤腐蝕的可能性。在一些實施例中，提供了一種接合焊盤結(jié)構(gòu)。該接合焊盤結(jié)構(gòu)包括第一鈍化層，并且該第一鈍化層覆蓋了上部導(dǎo)電層的一部分，并且通過第一開口暴露出該上部導(dǎo)電層。接合焊盤結(jié)構(gòu)還包括接合焊盤，并且該接合焊盤覆蓋了第一鈍化層的一部分。接合焊盤覆蓋了第一鈍化層中的第一開口，以形成凹槽區(qū)域，并且接合焊盤與通過第一開口暴露出的上部導(dǎo)電層相接觸。該接合焊盤結(jié)構(gòu)進一步包括第二鈍化層，并且該第二鈍化層覆蓋了接合焊盤中的凹槽區(qū)域。在一些其他實施例中，提供了一種接合焊盤結(jié)構(gòu)。該接合焊盤結(jié)構(gòu)包括上部導(dǎo)電層和下部導(dǎo)電層。下部導(dǎo)電層位于上部導(dǎo)電層下面。該接合焊盤結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在上部導(dǎo)電層和下部導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電通孔，以在該上部導(dǎo)電層和下部導(dǎo)電層之間提供電連接。該接合焊盤結(jié)構(gòu)進一步包括第一鈍化層，并且該第一鈍化層覆蓋了上部導(dǎo)電層的一部分，并且通過第一開口暴露出上部導(dǎo)電層。另外，該接合焊盤結(jié)構(gòu)包括接合焊盤，而該接合焊盤覆蓋了第一鈍化層中的第一開口，以形成凹槽區(qū)域，并且該接合焊盤與通過第一開口暴露出的上部導(dǎo)電層相接觸。另外，該接合焊盤結(jié)構(gòu)包括第二鈍化層，其中，該第二鈍化層覆蓋了接合焊盤中的凹槽區(qū)域。在又一些實施例中，提供了一種在襯底上形成接合焊盤結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括在襯底上形成上部導(dǎo)電層以及在上部導(dǎo)電層上方形成第一鈍化層。該第一鈍化層具有第一開口，并且該第一開口暴露了上部導(dǎo)電層。該方法還包括在第一鈍化層上方形成接合焊盤，并且該接合焊盤覆蓋了第一鈍化層中的第一開口，以形成凹槽區(qū)域。另外，該方法包括形成第二鈍化層，其中，第二鈍化層覆蓋了接合焊盤中的凹槽區(qū)域。上面論述了若干實施例的部件，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或更改其他用于實現(xiàn)與這里所介紹實施例相同的目的和/或具有相同優(yōu)點的處理和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。權(quán)利要求1.一種接合焊盤結(jié)構(gòu)，包括第一鈍化層，其中，所述第一鈍化層覆蓋了上部導(dǎo)電層的一部分，并且通過第一開口暴露出所述上部導(dǎo)電層；接合焊盤，其中，所述接合焊盤覆蓋了所述第一鈍化層的一部分，并且其中，所述接合焊盤覆蓋了所述第一鈍化層中的所述第一開口，以形成凹槽區(qū)域，并且其中，所述接合焊盤與通過所述第一開口暴露出的所述上部導(dǎo)電層相接觸；以及第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層至少覆蓋了所述接合焊盤中的所述凹槽區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述接合焊盤結(jié)構(gòu)進一步包括所述上部導(dǎo)電層，其中，所述上部導(dǎo)電層具有與所述接合焊盤基本相同的尺寸，并且設(shè)置在所述接合焊盤正下方；下部導(dǎo)電層，其中，所述下部導(dǎo)電層也具有與所述導(dǎo)電焊盤基本相同的尺寸，并且設(shè)置在所述上部導(dǎo)電層正下方；以及導(dǎo)電通孔，設(shè)置在所述上部導(dǎo)電層和所述下部導(dǎo)電層之間，以在所述導(dǎo)電層之間提供電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述第二鈍化層具有第二開口，所述第二開口暴露出所述接合焊盤的一部分。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述第二開口的寬度在大約20μm至大約100μm的范圍內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述第一開口的寬度在大約ι,οοοΑ至大約40，000人的范圍內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述第一開口的縱橫比等于或小于大約2。7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述接合焊盤的邊緣與所述第一鈍化層的最接近邊緣之間的距離在大約O.Iμm至大約Ι.Ομ的范圍內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述接合焊盤的邊緣與所述第二鈍化層的最接近邊緣之間的距離在大約5,000Α至大約30,OOOA的范圍內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述第二鈍化層的邊緣與所述第一鈍化層的最接近邊緣之間的距離等于或者大于大約零。10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的接合焊盤結(jié)構(gòu)，其中，所述接合焊盤設(shè)置在集成電路的有源電路的至少一部分的上方，或者其中，所述接合焊盤結(jié)構(gòu)設(shè)置在集成電路的輸入/輸出(I/o)單元上方。全文摘要本發(fā)明提供了一種形成接合焊盤結(jié)構(gòu)的機構(gòu)。該接合焊盤具有通過接合焊盤下面的鈍化層中的開口形成的凹槽區(qū)域。上鈍化層至少覆蓋了接合焊盤的凹槽區(qū)域，以減少困在凹槽區(qū)域中的圖案化殘留物和/或蝕刻殘留物。由此降低了接合焊盤腐蝕的可能性。本發(fā)明還提供了一種用于減少接合焊盤腐蝕的接合焊盤結(jié)構(gòu)。文檔編號H01L23/498GK102956602SQ201110399930公開日2013年3月6日申請日期2011年12月2日優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日發(fā)明者陳英儒,陳憲偉,于宗源,梁世緯申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司