專利名稱：一種復(fù)合式大功率元器件用基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種金屬基板，具體涉及一種復(fù)合式大功率元器件用基板。
背景技術(shù)：
在電子工業(yè)中，通常大功率的通訊路板或大功率LED光源進(jìn)行正常工作下，會產(chǎn)生大量的熱，這些熱量若不及時排出到環(huán)境中，會引起電子元器件溫度的升高，影響其正常工作，有時甚至損毀。目前，為了達(dá)到良好的散熱效果，通常利用的基板為陶瓷基板或金屬基板，金屬基板在運(yùn)用時必須在其與線路板之間設(shè)置一層絕緣層，來保證電路的隔離，而該絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)較低，導(dǎo)致整個金屬基板的散熱性能下降；然而采用陶瓷基板，散熱效果較好，但成本較高，且不能實(shí)現(xiàn)熱電分離。因此，一種導(dǎo)熱性能較好且成本較低，又具有熱電分離優(yōu)勢的復(fù)合式大功率元器件用基板亟待提出。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種導(dǎo)熱性能較好且成本較低，又具有熱電分離優(yōu)勢的復(fù)合式大功率元器件用基板。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種復(fù)合式大功率元器件用基板， 包括金屬基板和陶瓷基板，所述金屬基板上開設(shè)有第一腔體，所述陶瓷基板裝設(shè)于所述第一腔體中；所述陶瓷基板上裝設(shè)有大功率元器件，所述大功率元器件通過金屬連線和金屬基板線路直接連接，電流不會經(jīng)過陶瓷基板底部。優(yōu)選的，所述金屬基板的上端面設(shè)置有絕緣層。優(yōu)選的，所述絕緣層上設(shè)置有連接引線的接線端。優(yōu)選的，所述陶瓷基板與所述第一腔體相匹配。優(yōu)選的，所述陶瓷基板上開設(shè)有第二腔體，所述大功率元器件裝設(shè)于所述第二腔體中。通過上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型技術(shù)方案的有益效果是一種復(fù)合式大功率元器件用基板，包括金屬基板和陶瓷基板，所述金屬基板上開設(shè)有第一腔體，所述陶瓷基板裝設(shè)于所述第一腔體中；所述陶瓷基板上裝設(shè)有大功率元器件，所述大功率元器件通過金屬連線和金屬基板線路直接連接，電流不會經(jīng)過陶瓷基板底部；采用本實(shí)用新型提供的復(fù)合式大功率元器件用基板，既具有效果好、熱電分離的優(yōu)勢，又具有低成本的優(yōu)點(diǎn)；將裝有大功率元器件的陶瓷基板，裝設(shè)于所述金屬基板上，當(dāng)大功率元器件工作時，所述陶瓷基板將產(chǎn)生的熱傳給所述金屬基板(中間沒有絕緣層的介入)，在相同傳熱效率的條件下，本實(shí)用新型所采用的陶瓷基板體積較小，成本較低，一定程度上提高了經(jīng)濟(jì)效益。另外，采用所述的復(fù)合式大功率元器件用基板，元器件從陶瓷基板的上方與接線端進(jìn)行電連接，產(chǎn)生的熱從陶瓷基板的下方進(jìn)行散熱，產(chǎn)出的熱再傳導(dǎo)到金屬基板上，進(jìn)一步進(jìn)行散熱，電從陶瓷基板的上方引出，熱從陶瓷基板的下方引出，從而實(shí)現(xiàn)了熱電分離。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型一種隔離式金屬基板實(shí)施例1的剖面圖；圖2為本實(shí)用新型一種隔離式金屬基板實(shí)施例2的剖面圖。圖中數(shù)字所表示的相應(yīng)部件名稱1.金屬基板2.陶瓷基板3.絕緣層4.接線端5.第一腔體 6.大功率元器件
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型提供了一種導(dǎo)熱性能較好且成本較低，又具有熱電分離優(yōu)勢的復(fù)合式大功率元器件用基板。實(shí)施例1，如圖1所示，一種復(fù)合式大功率元器件用基板，包括金屬基板1和陶瓷基板2，所述金屬基板1上開設(shè)有第一腔體5，所述陶瓷基板2裝設(shè)于所述第一腔體5中，所述陶瓷基板 2與所述第一腔體5相匹配，所述陶瓷基板2上裝設(shè)有大功率元器件6，所述大功率元器件 6通過金屬連線和金屬基板線路直接連接，電流不會經(jīng)過陶瓷基板底部。所述陶瓷基板2上開設(shè)有第二腔體(未示出)，所述大功率元器件6裝設(shè)于所述第二腔體中。其工作原理是將設(shè)置有大功率元器件6的陶瓷基板2，裝設(shè)于所述金屬基板1上的第一腔體5中，當(dāng)大功率元器件6工作時，陶瓷基板2將大功率元器件6產(chǎn)生的大量的熱散出，由于陶瓷基板2設(shè)置于所述第一腔體5中，在相同傳熱效率的條件下，本實(shí)用新型所采用的陶瓷基板2體積較小，成本較低，一定程度上提高了經(jīng)濟(jì)效益；同時，陶瓷基板2與所述金屬基板1相接觸的面積增大，則由陶瓷基板2向金屬基板1散熱的面積增大，陶瓷基板 2將大功率元器件6產(chǎn)生的熱迅速通過金屬基板1散發(fā)出去，從而提高了散熱效率，保護(hù)了元器件。本實(shí)施例中的陶瓷基板2的形狀可以為棱柱、圓柱還可以是錐形，具體的實(shí)施方式視具體情況而定，對此，本實(shí)用新型不做任何限定，以能夠?qū)崿F(xiàn)本實(shí)用新型為主。通過本實(shí)施例的技術(shù)方案，除了能使復(fù)合式大功率元器件用基板達(dá)到導(dǎo)熱性能較好、成本較低的目的之外，大功率元器件6從陶瓷基板2的上方與接線端進(jìn)行電連接，產(chǎn)生的熱從陶瓷基板2的下方進(jìn)行散熱，產(chǎn)出的熱再傳導(dǎo)到金屬基板1上，進(jìn)一步進(jìn)行散熱，電從所述陶瓷基板2的上方引出，熱從所述陶瓷基板2的下方引出，從而實(shí)現(xiàn)了熱電分離。采用上述實(shí)施例技術(shù)方案的有益效果是一種復(fù)合式大功率元器件用基板，包括金屬基板1和陶瓷基板2，所述金屬基板1上開設(shè)有第一腔體5，所述陶瓷基板2裝設(shè)于所述第一腔體5中；所述陶瓷基板2上裝設(shè)有大功率元器件6 ；采用本實(shí)用新型提供的復(fù)合式大功率元器件用基板，既具有效果好、熱電分離的優(yōu)勢，又具有低成本的優(yōu)點(diǎn)；將裝有大功率元器件6的陶瓷基板2，裝設(shè)于所述金屬基板1上，當(dāng)大功率元器件6工作時，所述陶瓷基板2將產(chǎn)生的熱傳給所述金屬基板1，在相同傳熱效率的條件下，本實(shí)用新型所采用的陶瓷基板2體積較小，成本較低，一定程度上提高了經(jīng)濟(jì)效益。實(shí)施例2，如圖2所示，其余與上述實(shí)施例相同，不同之處在于，所述金屬基板1的上端面設(shè)置有絕緣層3，所述絕緣層3上設(shè)置有連接引線的接線端4。采用本實(shí)施例技術(shù)方案，同樣能使復(fù)合式大功率元器件用基板達(dá)到導(dǎo)熱性能較好、成本較低的目的，同時，還可以通過在金屬基板上設(shè)置絕緣層3，在所述絕緣層3上設(shè)置接線端4，大功率元器件6從陶瓷基板2的上方與絕緣層3上的所述接線端4進(jìn)行電連接， 產(chǎn)生的熱從陶瓷基板2的下方進(jìn)行散熱，產(chǎn)出的熱再傳導(dǎo)到金屬基板1上，進(jìn)一步進(jìn)行散熱，從而實(shí)現(xiàn)了熱電分離。通過上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型技術(shù)方案的有益效果是一種復(fù)合式大功率元器件用基板，包括金屬基板1和陶瓷基板2，所述金屬基板1上開設(shè)有第一腔體5，所述陶瓷基板2裝設(shè)于所述第一腔體5中；所述陶瓷基板2上裝設(shè)有大功率元器件6，所述大功率元器件6通過金屬連線和金屬基板線路直接連接，電流不會經(jīng)過陶瓷基板底部；采用本實(shí)用新型提供的復(fù)合式大功率元器件用基板，既具有效果好、熱電分離的優(yōu)勢，又具有低成本的優(yōu)點(diǎn)；將裝有大功率元器件的陶瓷基板2，裝設(shè)于所述金屬基板1上，當(dāng)大功率元器件6工作時，所述陶瓷基板2將產(chǎn)生的熱傳給所述金屬基板1，在相同傳熱效率的條件下，本實(shí)用新型所采用的陶瓷基板2體積較小，成本較低，一定程度上提高了經(jīng)濟(jì)效益。另外，采用所述的復(fù)合式大功率元器件用基板，元器件6從陶瓷基板2的上方與接線端4進(jìn)行電連接，產(chǎn)生的熱從陶瓷基板2的下方進(jìn)行散熱，產(chǎn)出的熱再傳導(dǎo)到金屬基板1 上，進(jìn)一步進(jìn)行散熱，電從陶瓷基板2的上方引出，熱從陶瓷基板2的下方引出，實(shí)現(xiàn)了熱電分離。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種復(fù)合式大功率元器件用基板，其特征在于，包括金屬基板和陶瓷基板，所述金屬基板上開設(shè)有第一腔體，所述陶瓷基板裝設(shè)于所述第一腔體中；所述陶瓷基板上裝設(shè)有大功率元器件，所述大功率元器件通過金屬連線和金屬基板線路直接連接，電流不會經(jīng)過陶瓷基板底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述金屬基板的上端面設(shè)置有絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述絕緣層上設(shè)置有連接引線的接線端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述陶瓷基板與所述第一腔體相匹配。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的復(fù)合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述陶瓷基板上開設(shè)有第二腔體，所述大功率元器件裝設(shè)于所述第二腔體中。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種復(fù)合式大功率元器件用基板，包括金屬基板和陶瓷基板，所述金屬基板上開設(shè)有第一腔體，所述陶瓷基板裝設(shè)于所述第一腔體中；所述陶瓷基板上裝設(shè)有大功率元器件，所述大功率元器件通過金屬連線和金屬基板線路直接連接，電流不會經(jīng)過陶瓷基板底部；采用本實(shí)用新型提供的復(fù)合式大功率元器件用基板，既具有效果好、熱電分離的優(yōu)勢，又具有低成本的優(yōu)點(diǎn)；將裝有大功率元器件的陶瓷基板，裝設(shè)于所述金屬基板上，當(dāng)大功率元器件工作時，所述陶瓷基板將產(chǎn)生的熱傳給所述金屬基板，在相同傳熱效率的條件下，本實(shí)用新型所采用的陶瓷基板體積較小，成本較低，一定程度上提高了經(jīng)濟(jì)效益。
文檔編號H01L23/373GK202034362SQ201120129798
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者李蕊, 熊大曦 申請人:蘇州科醫(yī)世凱半導(dǎo)體技術(shù)有限責(zé)任公司