專利名稱：發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于ー種使用陽極氧化物基板的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
隨著生活品質(zhì)提高及環(huán)保意識抬頭，緑色資源的開發(fā)及使用越來越廣泛，其中的ー項重點項目即為各種發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)于照明上的應(yīng)用，由于發(fā) 光二極管具有省電及長壽命等優(yōu)勢，因此與發(fā)光二極管相關(guān)的技術(shù)不斷被研發(fā)及改良，以提升光取出效率(light extraction efficiency)、改善散熱效率及延長使用壽命等。上述改良除了與發(fā)光二極管芯片本身的半導(dǎo)體材料有關(guān)之外，亦與發(fā)光二極管芯片的封裝方式存在極大的相關(guān)性。請參照圖1、2及3所示，其掲示三種現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的封裝構(gòu)造。如圖I所示，其掲示ー種現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的封裝構(gòu)造，其包含一基板11、ー電路層12、一黏著層13、一 LED芯片14、至少ニ導(dǎo)線15及一透光封裝材料16。所述基板11是ー小型電路板，其正面形成所述電路層12，所述LED芯片14利用所述黏著層13固定于所述基板11上。所述LED芯片14的光學(xué)表面(亦即發(fā)光表面)朝上并具有焊墊(未標(biāo)不)，其利用所述導(dǎo)線15電性連接至所述電路層12。最后，利用所述透光封裝材料16包覆保護所述LED芯片14及導(dǎo)線15等部位，即可完成封裝制造過程。所述透光封裝材料16中混摻有螢光粉。如圖2所示，其掲示另ー種現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的封裝構(gòu)造，其包含一第一引腳21、一第二引腳22、一黏著層23、一 LED芯片24、至少ニ導(dǎo)線25、一透光封裝材料26及ー螢光填充材料27。所述第一引腳21的頂面凹陷形成一杯狀凹部211，使所述LED芯片24利用所述黏著層23固定于所述杯狀凹部211內(nèi)。所述杯狀凹部211的其余空間則利用所述螢光填充材料27加以填滿。所述LED芯片24的光學(xué)表面(亦即發(fā)光表面)朝上并具有焊墊(未標(biāo)示)，其利用所述導(dǎo)線25電性連接至所述第一引腳21及第ニ引腳22。最后，利用所述透光封裝材料26包覆保護所述LED芯片24、導(dǎo)線25及螢光填充材料27等部位，即可完成封裝制造過程。如圖3所示，其掲示再ー種現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的封裝構(gòu)造，其包含ー硅基板31、ニ導(dǎo)電孔32、ニ凸塊33 (bump)、一 LED芯片34、ニ電極35及一透光封裝材料36。所述硅基板31先形成穿孔，再于穿孔內(nèi)壁涂上ー絕緣層311，接著再于所述絕緣層311內(nèi)電鍍或填入金屬材料，以形成所述導(dǎo)電孔32，所述LED芯片34的光學(xué)表面(亦即發(fā)光表面)朝下并具有焊墊(未標(biāo)示)，其形成所述電極35，并利用所述凸塊33電性連接至所述導(dǎo)電孔32。最后，利用所述透光封裝材料36包覆保護所述LED芯片34及凸塊33等部位，即可完成封裝制造過程。圖3所示的LED封裝構(gòu)造屬于ー種晶圓級封裝構(gòu)造(wafer lever package, WLP),其尺寸相對明顯小于圖I或2的LED封裝構(gòu)造。同時，由于圖3的倒裝芯片式的LED芯片34沒有設(shè)置導(dǎo)線，且所述LED芯片34產(chǎn)生的熱能可通過所述電極35及凸塊33傳遞至所述導(dǎo)電孔32及硅基板31，因而也具有相對較高的散熱效率。然而，圖3的LED封裝構(gòu)造的技術(shù)問題在于雖然所述硅基板31具有較佳的散熱性，但因硅(Si)本身具有半導(dǎo)電特性，故為了制作所述導(dǎo)電孔32，通常必需先在所述硅基板31的穿孔內(nèi)涂上所述絕緣層311。但是，所述硅基板31的材料成本十分昂貴，而且制作所述絕緣層311也會増加制造成本。同時，所述絕緣層311的制作エ藝容易發(fā)生因所述絕緣層311堵住整個穿孔，而導(dǎo)致大幅降低后續(xù)形成所述導(dǎo)電孔32的良品率。另外，在實際使用時，也常發(fā)現(xiàn)若電壓或電流過大，則相鄰的導(dǎo)電孔32之間仍可能發(fā)生電性導(dǎo)通造成短路的風(fēng)險，因而大幅影響了 LED封裝產(chǎn)品的可靠度。故，仍有必要提供ー種改良的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供ー種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有晶圓級LED封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的基板良率及可靠度問題。本實用新型的主要目的在于提供ー種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其是在制造過程中先使用一金屬板來形成陽極氧化物基板，再利用此陽極氧化物基板來形成背電極及導(dǎo)電孔，以做為LED芯片的電源供應(yīng)端子，因此不但能利用陽極氧化物基板的材料特性來降低LED基板的材料成本，也能兼顧散熱要求以及有效避免導(dǎo)電孔之間發(fā)生電性導(dǎo)通短路的問題，故確實有利于降低LED封裝構(gòu)造的制造成本，并提高其散熱效率及產(chǎn)品可靠度。為達成本實用新型的前述目的，本實用新型提供ー種發(fā)光二極管(LED)封裝構(gòu)造，其中所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造包含一陽極氧化物基板，具有一第一表面及一第二表面，并布滿數(shù)個自組裝排列的貫穿孔，所述貫穿孔貫穿形成在所述第一及第ニ表面之間；至少ニ導(dǎo)電孔，彼此電性分離的分別形成在數(shù)個所述貫穿孔內(nèi)，且各所述導(dǎo)電孔
具有一第一端面及一第二端面，所述第一及第ニ端面分別裸露在所述陽極氧化物基板的第一及第ニ表面；至少ニ背電極，形成在所述陽極氧化物基板的第一表面上，并分別電性連接所述至少ニ導(dǎo)電孔的第一端面；以及一 LED芯片，具有一光學(xué)表面及一出光表面，所述光學(xué)表面具有至少ニ焊墊，所述焊墊通過至少ニ凸塊電性連接到所述導(dǎo)電孔的第二端面。在本實用新型的一實施例中，所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造另包含一透光封裝材料，位于所述LED芯片的出光表面上,且混摻有至少一種螢光粉。在本實用新型的一實施例中，所述陽極氧化物基板的第二表面具有至少ニ接墊及一絕緣層，所述絕緣層裸露所述接墊，所述接墊電性連接所述導(dǎo)電孔的第二端面，并結(jié)合所述凸塊。在本實用新型的一實施例中，所述陽極氧化物基板選自陽極氧化鋁基板、陽極氧 化鈦基板或陽極氧化鋅基板。在本實用新型的一實施例中，所述陽極氧化物基板的厚度介于100至1000微米(um)之間。在本實用新型的一實施例中，所述陽極氧化物基板的貫穿孔的孔徑介于10至100納米(nm)之間。在本實用新型的一實施例中，所述背電極選自鋁鍍層、銀鍍層或金鍍層。在本實用新型的一實施例中，所述導(dǎo)電孔選自銅導(dǎo)電孔、銀導(dǎo)電孔或金導(dǎo)電孔。在本實用新型的一實施例中，所述透光封裝材料包覆整個所述LED芯片，且所述透光封裝材料的至少ニ側(cè)面另涂布一金屬散熱層。
再者，本實用新型提供另ー種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其中所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造包含一陽極氧化物基板，具有一第一表面及一第二表面，并布滿數(shù)個自組裝排列的貫穿孔，所述貫穿孔貫穿形成在所述第一及第ニ表面之間；至少ニ導(dǎo)電孔，彼此電性分離的分別形成在數(shù)個所述貫穿孔內(nèi)，且各所述導(dǎo)電孔
具有一第一端面及一第二端面，所述第一及第ニ端面分別裸露在所述陽極氧化物基板的第一及第ニ表面；至少ニ背電極，形成在所述陽極氧化物基板的第一表面上，并分別電性連接所述至少ニ導(dǎo)電孔的第一端面；一 LED芯片，具有一光學(xué)表面及一出光表面，所述光學(xué)表面具有至少ニ焊墊，所述焊墊通過至少ニ凸塊電性連接到所述導(dǎo)電孔的第二端面；以及—透光封裝材料,位于所述LED芯片的出光表面上。在本實用新型的一實施例中，所述透光封裝材料混摻有至少ー種螢光粉。

圖I是ー現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的封裝構(gòu)造的示意圖。圖2是另ー現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的封裝構(gòu)造的示意圖。圖3是再ー現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的封裝構(gòu)造的示意圖。圖4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H及41 :本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的示意圖。圖5是本實用新型第二實施例發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的示意圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖4A至41所示，其掲示本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的示意圖，本實用新型將于下文利用圖4A至41逐一詳細(xì)說明第一實施例各步驟的詳細(xì)加工處理過程，及各元件的細(xì)部構(gòu)造、組裝關(guān)系及其運作原理。請參照圖4A及4B所示，本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法首先是準(zhǔn)備ー金屬板40，并將所述金屬板40浸入一酸性溶液(如硫酸、磷酸或草酸)中，以對所述金屬板40進行陽極氧化(Anodic oxidation)處理，以在所述金屬板40的一表面(如下表面)形成一陽極氧化物層41。在本步驟中，所述金屬板40可以選自鋁板、鈦板或鋅板，其分別可以形成陽極氧化招(anodic aluminum oxide)層、陽極氧化鈦層或陽極氧化鋅層。在本實施例中，所述金屬板40選自鋁板，所述陽極氧化物層41即為陽極氧化鋁層。上述金屬的氧化物具有自組裝(self-assembly)排列的特性，因此在陽極氧化處理后形成的陽極氧化物層41將會具有ー氧化物底層411及ー氧化物多孔層412，其中所述氧化物底層411的厚度極薄(小于0. 5微米)；而所述氧化物多孔層412的厚度介于100至1000微 米(Pm)之間。所述氧化物底層411實際上是由致密的氧化物結(jié)晶所構(gòu)成的；而所述氧化物多孔層412實際上是由氧化物的長柱狀結(jié)晶所自組裝排列構(gòu)成的，且在這些長柱狀結(jié)晶之間則布滿了數(shù)個自組裝排列的貫穿孔413，其中所述貫穿孔413的孔徑屬于納米級，且大致介于10至100納米(nm)之間。所述貫穿孔413的橫截面孔形可以是圓形或多邊形(如六邊形)。通常，所述氧化物多孔層412的氧化物長柱狀結(jié)晶是呈規(guī)則狀的陣列(array)排列，并使所述貫穿孔413也呈現(xiàn)規(guī)則狀的陣列排列(如六邊形蜂窩狀排列)。請參照圖4C及4D所示，本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法接著是在所述陽極氧化物層41的一表面(如下表面)利用蒸鍍或濺鍍方式形成數(shù)個背電極42，接著利用一承載板50來承載所述金屬板40具有所述氧化物多孔層412及背電極42的這ー表面(即下表面)，并研磨加工去除所述金屬板40及氧化物底層411，在研磨后，僅留下所述氧化物多孔層412及背電極42。在本步驟中，所述背電極42可選自鋁鍍層、銀鍍層或金鍍層，其厚度不限，例如可介于10納米至I微米之間。所述承載板50例如為具有一膠帶及一金屬框的ー種臨時性支撐用組合載體。在研磨后可裸露出所述氧化物多孔層412的另ー表面(如上表面)。請參照圖4E所示，本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法接著是在所述氧化物多孔層412的貫穿孔413內(nèi)利用電化學(xué)沉積法(即電鍍)來形成ニ個導(dǎo)電孔43，其中所述導(dǎo)電孔43是指彼此電性分離的兩個導(dǎo)電區(qū)域，其各自分別形成在數(shù)個所述貫穿孔413內(nèi)。為了使所述導(dǎo)電孔43能彼此電性分離，在進行電鍍前，可以在不想進行電鍍的貫穿孔413區(qū)域(即兩個導(dǎo)電孔43之間的區(qū)域)利用ー膠帶(未繪示)將此區(qū)域粘貼覆蓋住，并在電鍍之后再予移除所述膠帶即可。各所述導(dǎo)電孔43基本上皆具有一第一端面(即下端面)與一第二端面(即上端面)，所述第一及第ニ端面分別裸露在所述氧化物多孔層412的一第一表面(即下表面)與一第二表面(即上表面)。為了維持所述導(dǎo)電孔43的第二端面與所述氧化物多孔層412的第二表面水平切齊，優(yōu)選可以在上述電鍍之后對第二表面進行一次研磨處理，以使其表面平整易于進行下述步驟。請參照圖4F所示，本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法接著是在所述氧化物多孔層412的第二表面(即上表面)上制作一表面線路44及一絕緣層45，其中所述表面線路44包含至少ニ接墊(未標(biāo)示)，所述絕緣層45具有至少ニ個開ロ以裸露所述接墊，且所述接墊用以通過所述表面線路44向下電性連接所述導(dǎo)電孔43的第二端面，井分別用以向上結(jié)合至少ー個凸塊(bumps)46。所述凸塊46可以是錫凸塊、金凸塊、銅柱凸塊(Cu pillar bump)或鎳柱凸塊。在本實施例中，各所述導(dǎo)電孔43的第二端面對應(yīng)具有兩個接墊及兩個凸塊46。請參照圖4G及4H所示，本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法接著是將ー發(fā)光二極管(LED)晶圓60通過所述凸塊46焊接結(jié)合到所述氧化物多孔層412的第二表面(即上表面)上，接著在所述LED晶圓60上涂布一透光封裝材料70。在本步驟中，所述LED晶圓60具有一光學(xué)表面61及一出光表面62,所述光學(xué)表面61也就是發(fā)光表面或有源表面，其可產(chǎn)生光線并向上穿過所述LED晶圓60的半導(dǎo)體基材由所述出光表面62向外射出。所述光學(xué)表面61朝下且具有數(shù)個焊墊63，所述焊墊63分別通過所述凸塊46電性連接到所述表面線路44的接墊及所述導(dǎo)電孔43的第二端面。所述透光封裝材料70位于所述LED晶圓60的出光表面62上，其中所述透光封裝材料70的基材為環(huán)氧樹脂或是一般硅膠材料或是其他透光樹脂，并且在基材中混摻有至少ー種螢光粉，所述螢光粉可以是能產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)、黃或其他顔色的激發(fā)光的螢光粉，在本實用新型中并不限制其種類。請參照圖41所示，本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的制造方法最后是切割所述氧化物多孔層412、LED晶圓60及透光封裝材料70，以分離出數(shù)個LED封裝構(gòu)造100。通過圖4A至41的制造方法，可以單一次制作及切割出數(shù)個 LED封裝構(gòu)造100，其中每ー LED封裝構(gòu)造100包含一陽極氧化物基板47、至少ニ導(dǎo)電孔43、至少ニ背電極42、一 LED芯片64及一透光封裝材料72，其中所述陽極氧化物基板47、LED芯片64及透光封裝材料72分別是由所述氧化物多孔層412、LED晶圓60及透光封裝材料70被切割成小方塊狀而形成的。所述陽極氧化物基板47具有一第一表面(下表面)及一第二表面(上表面)，并布滿數(shù)個貫穿孔413，所述貫穿孔413貫穿形成在所述第一及第ニ表面之間。所述陽極氧化物基板47的厚度介于100至1000微米(ym)之間，及所述貫穿孔413的孔徑介于10至100納米(nm)之間。再者，所述至少ニ導(dǎo)電孔43彼此電性分離的分別形成在數(shù)個所述貫穿孔413內(nèi)，且各所述導(dǎo)電孔43具有一第一端面(下端面)及一第二端面(上端面)，所述第一及第ニ端面分別裸露在所述陽極氧化物基板47的第一及第ニ表面。所述至少ニ背電極42形成在所述陽極氧化物基板47的第一表面上，并分別電性連接所述至少ニ導(dǎo)電孔43的第一端面。所述LED芯片64具有一光學(xué)表面61 (下表面)及一出光表面62 (上表面)，且所述LED芯片64的各側(cè)表面皆因切割的關(guān)系而裸露于外部。所述光學(xué)表面61具有至少ニ焊墊63，所述陽極氧化物基板47的第二表面具有至少ニ接墊及ー絕緣層45，所述絕緣層45裸露所述接墊，所述接墊是通過所述表面線路44電性連接所述導(dǎo)電孔43的第二端面，并結(jié)合所述凸塊46。所述焊墊63通過所述凸塊46電性連接到所述導(dǎo)電孔43的第二端面。所述透光封裝材料72位于所述LED芯片64的出光表面62上，且混摻有至少ー種螢光粉71。請參照圖5所示，本實用新型第二實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造相似于本實用新型第一實施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但第二實施例的差異特征在干所述第二實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造100可以在預(yù)先分別切割形成所述陽極氧化物基板47及LED芯片64之后，再加以焊接結(jié)合兩者，因此所述LED芯片64的各側(cè)表面可以被所述透光封裝材料72完全包覆在其內(nèi)部，也就是所述透光封裝材料72包覆整個所述LED芯片64。再者，各所述導(dǎo)電孔43的第二端面對應(yīng)具有單ー個接墊及單一個凸塊46。另外，所述透光封裝材料72的至少ニ側(cè)面另以電鍍等方式涂布ー金屬散熱層80，所述金屬散熱層80的材質(zhì)可為銅、銀或金等，所述金屬散熱層80用以加強所述LED芯片64的散熱效果。如上所述，相較于現(xiàn)有晶圓級LED封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的基板良率及可靠度問題，圖41及5的本實用新型的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造是在制造過程中先使用一金屬板來形成陽極氧化物基板，再利用此陽極氧化物基板來形成背電極及導(dǎo)電孔，以做為LED芯片的電源供應(yīng)端子，因此不但能利用陽極氧化物基板的材料特性來降低LED基板的材料成本，也能兼顧散熱要求以及有效避免導(dǎo)電孔之間發(fā)生電性導(dǎo)通短路的問題，故確實有利于降低LED封裝構(gòu)造的制造成本，并提聞其散熱效率及廣品可靠度。 本實用新型已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造包含 一陽極氧化物基板，具有一第一表面、一第二表面及數(shù)個自組裝排列的貫穿孔，所述貫穿孔貫穿形成在所述第一及第二表面之間； 至少二導(dǎo)電孔，彼此電性分離的分別形成在數(shù)個所述貫穿孔內(nèi)，且各所述導(dǎo)電孔具有一第一端面及一第二端面，所述第一及第二端面分別裸露在所述陽極氧化物基板的第一及第二表面； 至少二背電極，形成在所述陽極氧化物基板的第一表面上，并分別電性連接所述至少二導(dǎo)電孔的第一端面；以及 一 LED芯片，具有一光學(xué)表面及一出光表面，所述光學(xué)表面具有至少二焊墊，所述焊墊通過至少二凸塊電性連接到所述導(dǎo)電孔的第二端面。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述陽極氧化物基板的第二表面具有至少二接墊及一絕緣層，所述絕緣層裸露所述接墊，所述接墊電性連接所述導(dǎo)電孔的第二端面，并結(jié)合所述凸塊。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述陽極氧化物基板選自陽極氧化鋁基板、陽極氧化鈦基板或陽極氧化鋅基板。
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述陽極氧化物基板的厚度介于100至1000微米之間。
5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述陽極氧化物基板的貫穿孔的孔徑介于10至100納米之間。
6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述背電極選自鋁鍍層、銀鍍層或金鍍層。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)電孔選自銅導(dǎo)電孔、銀導(dǎo)電孔或金導(dǎo)電孔。
8.一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其特征在于所述發(fā)光二極管封裝構(gòu)造包含 一陽極氧化物基板，具有一第一表面、一第二表面及數(shù)個自組裝排列的貫穿孔，所述貫穿孔貫穿形成在所述第一及第二表面之間； 至少二導(dǎo)電孔，彼此電性分離的分別形成在數(shù)個所述貫穿孔內(nèi)，且各所述導(dǎo)電孔具有一第一端面及一第二端面，所述第一及第二端面分別裸露在所述陽極氧化物基板的第一及第二表面； 至少二背電極，形成在所述陽極氧化物基板的第一表面上，并分別電性連接所述至少二導(dǎo)電孔的第一端面； 一 LED芯片，具有一光學(xué)表面及一出光表面，所述光學(xué)表面具有至少二焊墊，所述焊墊通過至少二凸塊電性連接到所述導(dǎo)電孔的第二端面；以及 一透光封裝材料，位于所述LED芯片的出光表面上。
專利摘要本實用新型公開一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造，其包含一陽極氧化物基板，具有一第一表面、一第二表面及數(shù)個自組裝排列的貫穿孔；至少二導(dǎo)電孔，彼此電性分離的分別形成在數(shù)個所述貫穿孔內(nèi)；至少二背電極，形成在所述陽極氧化物基板的第一表面上，并分別電性連接所述至少二導(dǎo)電孔的一第一端面；以及一LED芯片，具有一光學(xué)表面及一出光表面，所述光學(xué)表面具有至少二焊墊，所述焊墊通過至少二凸塊電性連接到所述導(dǎo)電孔的一第二端面。所述陽極氧化物基板的材料特性可降低基板材料成本，也能兼顧散熱要求以及避免導(dǎo)電孔間短路的問題。
文檔編號H01L33/62GK202395033SQ20112051471
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者辛嘉芬 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司