專利名稱：垂直式發(fā)光二極管及其制法與應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種垂直式發(fā)光二極管及其制造方法與應(yīng)用，尤其指一種低漏電(low current leakage)且具有反向偏壓(reversed bias)的垂直式發(fā)光二極管及其制造方法與使用其的芯片板上封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
自60年代起，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)的耗電量低及長效性的發(fā)光等優(yōu)勢，已逐漸取代日常生活中用來照明或各種電器設(shè)備的指示燈或光源等用途。更有甚者，發(fā)光二極管朝向多色彩及高亮度的發(fā)展，已應(yīng)用在大型戶外顯示廣告牌或交通號(hào)
志O近年來，由于電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品需求漸增，因此電子產(chǎn)品進(jìn)入多功能及高效能發(fā)展等方向，也開始將發(fā)光二極管芯片應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品。其中尤其是可攜式電子產(chǎn)品種類日漸眾多，電子產(chǎn)品的體積與重量越來越小，所需的電路載板體積亦隨的變小。公知垂直式發(fā)光二極管的制作流程，參考圖1A至圖1H。首先，如圖1A所示，提供一暫時(shí)基板11。接著，如圖1B所不，于該暫時(shí)基板11表面依序沉積一第二半導(dǎo)體外延層123、一活性中間層122以及一第一半導(dǎo)體外延層121，再利用蝕刻等方法，圖案化該第二半導(dǎo)體外延層123、該活性中間層122以及該第一半導(dǎo)體外延層121，而形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)12。然后，如圖1C所示，于該些半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)12的該第一半導(dǎo)體外延層121表面，形成一反射層142。再如圖1D所示，形成一絕緣保護(hù)層17覆蓋該些半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)12的側(cè)壁以及該暫時(shí)基板11的表面，并顯露出該反射層142的表面。接著，如圖1E所示，于該絕緣保護(hù)層17及該反射層142表面，形成一第一電極14。再如圖1F所示，于該第一電極14表面形成一導(dǎo)電類碳鉆層15。然后，如圖1G所示，利用激光剝離技術(shù)(laser lift-off)，移除該暫時(shí)基板11。最后，于該些半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)12的該第二半導(dǎo)體外延層123表面,形成一第二電極18。然而，上述公知制法中，當(dāng)使用激光剝離技術(shù)移除該暫時(shí)基板11時(shí)，容易造成該絕緣保護(hù)層17受損，使得該絕緣保護(hù)層17無法保護(hù)及隔絕下方該第一電極14，而造成漏電或短路等問題。據(jù)此，若改善上述問題，將更可提升垂直式發(fā)光二極管的良率，進(jìn)而促進(jìn)整體電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種垂直式發(fā)光二極管，其中由設(shè)置第一絕緣保護(hù)層，可在制造過程中達(dá)到保護(hù)第一電極的功效，并可避免上述第二絕緣保護(hù)層受損而造成第一電極短路或漏電等問題。。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述垂直式發(fā)光二極管的制造方法。本發(fā)明的再一目的在于提供一種垂直式發(fā)光二極管于芯片板上封裝結(jié)構(gòu)(chipon board, COB)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的垂直式發(fā)光二極管，包括:一導(dǎo)電基板；一導(dǎo)電性類金剛石(diamond-like carbon, DLC)層,設(shè)置于該導(dǎo)電基板上；一第一絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且設(shè)有一第一開孔；一第一電極，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且位于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中；—半導(dǎo)體外延層，設(shè)置于該第一電極上；一第二絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該第一絕緣保護(hù)層上且覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)側(cè)面，且設(shè)有一第二開孔，以顯露該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)表面；以及一第二電極，設(shè)置于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上且位于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極為N型。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該第一半導(dǎo)體外延層之間。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該導(dǎo)電性類金剛石層為一導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該導(dǎo)電基板是以金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷或含導(dǎo)電材料的金剛石制成。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)及該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)分別為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石或其組合。本發(fā)明提供的垂直式發(fā)光二極管的制造方法，包括以下步驟:提供一暫時(shí)基材，該暫時(shí)基材上形成有一半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一第一電極、以及一第一絕緣保護(hù)層，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)位于該暫時(shí)基材上，該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極位于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，且該第一絕緣保護(hù)層是圖案化成設(shè)有一第一開孔，該第一電極嵌于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔內(nèi)；于該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極上，形成一導(dǎo)電性類金剛石層；于該導(dǎo)電性類金剛石層上形成一導(dǎo)電基板，并移除該暫時(shí)基材；圖案化該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，使其顯露該第一絕緣保護(hù)層；于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)以及該第一絕緣保護(hù)層上，形成一第二絕緣保護(hù)層，其中，該第二絕緣保護(hù)層設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第二開孔， 以顯露該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)；以及于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中且于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成一第二電極。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一絕緣保護(hù)層是先形成于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，經(jīng)圖案化而設(shè)有該第一開孔后，再于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成該第一電極于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，于形成該第二絕緣保護(hù)層之前，包含以下步驟:粗糙化該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極為N型。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該第一半導(dǎo)體外延層之間。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該導(dǎo)電性類金剛石層為一導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該導(dǎo)電基板為金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷、或含導(dǎo)電材料的金剛石制成。所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)及該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)分別為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石或其組合。本發(fā)明提供的芯片板上封裝結(jié)構(gòu)(chip on board, COB),包括:一電路載板；以及—如上所述的垂直式發(fā)光二極管，封裝于該電路載板。所述的芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其中，該電路載板包含一絕緣層、以及一電路基板，該絕緣層的材質(zhì)選自由類金剛石、氧化鋁、陶瓷、以及含金剛石的環(huán)氧樹脂所組群組的至少一種。所述的芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其中，該電路基板為一金屬板、一陶瓷板或一硅基板。本發(fā)明與公知技術(shù)相比較，一般形成垂直式發(fā)光二極管的公知技術(shù)中，大多先經(jīng)圖案化工藝而于暫時(shí)基板上形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，但此種方法同樣會(huì)先形成第二絕緣保護(hù)層覆蓋該些半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此會(huì)有部分第二絕緣保護(hù)層與暫時(shí)基板相接觸，以致于激光剝離技術(shù)移除暫時(shí)基板后造成第二絕緣保護(hù)層受損，使第二絕緣保護(hù)層覆蓋的下方第一電極受暴露，而容易造成整體結(jié)構(gòu)漏電或短路。反觀，于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，先跳過圖案化形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的步驟，而是形成第一電極與第一絕緣保護(hù)層，并利用第一絕緣保護(hù)層保護(hù)墊一電極的周圍， 避免工藝中間蝕刻步驟損傷第一電極。即使后續(xù)利用激光剝離技術(shù)移除暫時(shí)基板，因尚未形成第二絕緣保護(hù)層，故第二絕緣保護(hù)層不會(huì)受損。后續(xù)，待圖案化形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)后，再形成第二絕緣保護(hù)層覆蓋半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的側(cè)面，如此便可以避免公知技術(shù)容易發(fā)生短路與漏電的問題。


圖1A至圖1H是公知垂直式發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖。圖2A至圖2H是本發(fā)明實(shí)施例一垂直式發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例二中芯片板上封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中主要組件符號(hào)說明:暫時(shí)基板11、21 ;第二半導(dǎo)體外延層123、223 ;活性中間層122、222 ;第一半導(dǎo)體外延層121、221 ;半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)12、22 ;第一絕緣保護(hù)層23 ;第一開孔231 ;反射層142、242 ;第一電極層241 ;第一電極14、24 ;導(dǎo)電類碳鉆層15、25 ;導(dǎo)電基板26 ;絕緣保護(hù)層17 ;第二絕緣保護(hù)層27 ;第二開孔271 ;第二電極18、28 ;電路載板3 ;絕緣層31 ;電路基板30。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種垂直式發(fā)光二極管，包括:一導(dǎo)電基板；一導(dǎo)電性類金剛石層，設(shè)置于該導(dǎo)電基板上；一第一絕緣保護(hù)層(first passivation layer),設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且設(shè)有一第一開孔；一第一電極，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且位于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中；一半導(dǎo)體外延層，設(shè)置于該第一電極上；一第二絕緣保護(hù)層(second passivation layer),設(shè)置于該第一絕緣保護(hù)層上且覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)側(cè)面，且設(shè)有一第二開孔，以顯露該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)表面；以及一第二電極，設(shè)置于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上且位于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中。上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管中，該第一電極可包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層是夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)可包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層是夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。于本發(fā)明中，該活性中間層可為多量子井層(multiple quantum well layer),用以提升發(fā)光二極管中電能轉(zhuǎn)換成光能的效率。上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管中，該第一電極可包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層是夾置于該第一電極層及該第一半導(dǎo)體外延層之間。于本發(fā)明中，該反射層的材質(zhì)沒有特殊限制，舉例可為鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、鎳銀(NiAg)、其合金、或其金屬混合物。換言之，其亦可為多層金屬結(jié)構(gòu)，除了用于達(dá)到反射效果之外，也可以達(dá)到形成奧姆接觸(ohmic contact)的效用。上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層可為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極可為N型。上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管中，該導(dǎo)電性類金剛石層為一導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、 一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合，其中，該導(dǎo)電材料選自由銦錫氧化物(indium tin oxide, IT0)、氧化招鋅(aluminum zincoxide,AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、鈦(Ti)、招(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鑰(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉬(Pt)、以及金(Au)所組群組的至少一種。上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管中，該導(dǎo)電基板是以金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷、或含導(dǎo)電材料的金剛石制成。上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管中，該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)沒有特別限制，只要能夠保護(hù)第一電極不受后續(xù)蝕刻溶液或其他任何溶液損傷即可。該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)亦沒有特別限制，只要其能夠保護(hù)該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的側(cè)面不受任何不良影響即可。該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)以及該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)舉例可為二氧化硅、氮化硅、氮化招、絕緣類金剛石、或其組合。本發(fā)明提供的垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中未先執(zhí)行圖案化步驟形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，而是先形成第一絕緣保護(hù)層及第一電極，并利用第一絕緣保護(hù)層保護(hù)第一電極周圍避免制造過程中蝕刻溶液損傷第一電極，再利用激光剝離技術(shù)移除暫時(shí)基板后，才圖案化形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)并以第二絕緣保護(hù)層覆蓋半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此不會(huì)如同公知技術(shù)一樣使第二絕緣保護(hù)層受損而造成短路與漏電。本發(fā)明的另一態(tài)樣提供一種垂直式發(fā)光二極管的制造方法，包括以下步驟:提供一暫時(shí)基材，該暫時(shí)基材上形成有一半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一第一電極、以及一第一絕緣保護(hù)層，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)是位于該暫時(shí)基材上，該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極是位于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，且該第一絕緣保護(hù)層是圖案化成設(shè)有一第一開孔，該第一電極是嵌于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔內(nèi)；于該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極上，形成一導(dǎo)電性類金剛石層；于該導(dǎo)電性類金剛石層上形成一導(dǎo)電基板，并移除該暫時(shí)基材；圖案化該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，使其顯露該第一絕緣保護(hù)層；于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)以及該第一絕緣保護(hù)層上，形成一第二絕緣保護(hù)層，其中，該第二絕緣保護(hù)層設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第二開孔，以顯露該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)；以及于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中且于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成一第二電極。一般形成垂直式發(fā)光二極管的公知技術(shù)中，大多先經(jīng)圖案化工藝而于暫時(shí)基板上形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，但此種方法同樣會(huì)先形成第二絕緣保護(hù)層覆蓋該些半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，因此會(huì)有部分第二絕緣保護(hù)層與暫時(shí)基板相接觸，以致于激光剝離技術(shù)移除暫時(shí)基板后造成第二絕緣保護(hù)層受損，使第二絕緣保護(hù)層覆蓋的下方第一電極受暴露，而容易造成整體結(jié)構(gòu)漏電或短路。反觀，于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，先跳過圖案化形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的步驟，而是形成第一電極與第一絕緣保護(hù)層，并利用第一絕緣保護(hù)層保護(hù)墊一電極的周圍，避免工藝中間蝕刻步驟損傷第一電極。即使后續(xù)利用激光剝離技術(shù)移除暫時(shí)基板，因尚未形成第二絕緣保護(hù)層，故第二絕緣保護(hù)層不會(huì)受損。后續(xù)，待圖案化形成復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)后，再形成第二絕緣保護(hù)層覆蓋半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的側(cè)面，如此便可以避免公知技術(shù)容易發(fā)生短路與漏電的問題。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中， 該第一絕緣保護(hù)層是先形成于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，經(jīng)圖案化而設(shè)有該第一開孔后，再于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成該第一電極于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，于形成該第二絕緣保護(hù)層之前，還包含以下步驟:粗糙化該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)可包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。該活性中間層可為多量子井層(multiple quantum well layer),用以提升發(fā)光二極管中電能轉(zhuǎn)換成光能的效率。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極為N型。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該第一半導(dǎo)體外延層之間。該反射層的材質(zhì)沒有特殊限制，舉例可為鋁、銀、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、鎳銀(NiAg)、其合金、或其金屬混合物。換言之，其亦可為多層金屬結(jié)構(gòu)，除了用于達(dá)到反射效果之外，也可以達(dá)到形成奧姆接觸(ohmiccontact)的效用。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，該導(dǎo)電性類金剛石層是一導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合，其中，該導(dǎo)電材料是選自由銦錫氧化物(indium tin oxide, ΙΤ0)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、鈦(Ti)、招(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鑰(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉬(Pt)、以及金(Au)所組群組的至少一種。于上述本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法中，該導(dǎo)電基板是金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷、或含導(dǎo)電材料的金剛石制成制成。此外，該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)及該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)分別為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石或其組合。除此之外,本發(fā)明提供的芯片板上封裝結(jié)構(gòu)(chip on board, COB),其中將本發(fā)明上述具有導(dǎo)電性類金剛石層的發(fā)光二極管以外延方式或打線方式電性連接電路載板，因此發(fā)光二極管各層結(jié)構(gòu)的熱膨脹應(yīng)力可由其結(jié)構(gòu)內(nèi)的類金剛石層緩沖，進(jìn)而使芯片板上封裝結(jié)構(gòu)整體具有更佳的散熱效率、發(fā)光效率與壽命。本發(fā)明的再另一態(tài)樣提供一種芯片板上封裝結(jié)構(gòu)(chip on board,COB),包括:一電路載板；以及本發(fā)明上述具有導(dǎo)電性類金剛石層的發(fā)光二極管，經(jīng)由該第一電極以及該第二電極電性連接該電路載板。本發(fā)明上述芯片板上封裝結(jié)構(gòu)中，該電路載板可以包含一絕緣層、以及一電路基板，其中，該絕緣層的材質(zhì)可為絕緣性類金剛石、氧化鋁、陶瓷、含金剛石的環(huán)氧樹脂、或其組成物，或者為表面覆有上述絕緣層的金屬材料，而該電路基板可為一金屬板、一陶瓷板或一娃基板。此外，該電路載板表面也可以選擇性還包含一類金剛石層，以增加散熱效果。以下是由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。 本發(fā)明亦可由其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。本發(fā)明實(shí)施例中的附圖均為簡化的示意圖。惟圖標(biāo)僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的組件，其所顯示的組件非為實(shí)際實(shí)施時(shí)的態(tài)樣，其實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀等比例為一選擇性的設(shè)計(jì)，且其組件布局型態(tài)可能更復(fù)雜。實(shí)施例一參考圖2A至圖2H，其顯示本發(fā)明垂直式發(fā)光二極管的制造方法流程的結(jié)構(gòu)示意圖。首先，如圖2A所示，提供一暫時(shí)基板21并于該暫時(shí)基材21上依序形成有一半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22、一第一電極24、以及一第一絕緣保護(hù)層23，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22位于該暫時(shí)基材21表面,該第一絕緣保護(hù)層23及該第一電極24位于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22表面，且利用圖案化工藝于該第一絕緣保護(hù)層23形成復(fù)數(shù)個(gè)第一開孔231,該第一電極24是嵌于該第一絕緣保護(hù)層23的該第一開孔231內(nèi)。該暫時(shí)基板21的材質(zhì),舉例可為藍(lán)寶石基板。該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22可包含:一第一半導(dǎo)體外延層221、一活性中間層222、以及一第二半導(dǎo)體外延層223，其中，該第一半導(dǎo)體外延層221、該活性中間層222、與該第二半導(dǎo)體外延層223是層迭設(shè)置，且該活性中間層222夾置于該第一半導(dǎo)體外延層221與該第二半導(dǎo)體外延層223之間，并以該第二半導(dǎo)體外延層223設(shè)于該暫時(shí)基板的表面。于本實(shí)施例中，該第一半導(dǎo)體外延層221為N型，該第二半導(dǎo)體外延層223為P型，因此后續(xù)形成與其連接的對應(yīng)電極，即與該第一半導(dǎo)體外延層221連接的第一電極24則為N型，以及與第二半導(dǎo)體外延層223連接的第二電極(于后文說明)則為P型。且該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22的材質(zhì)為氮化鎵(GaN)，但本發(fā)明半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)適用的材質(zhì)不限于此，亦可以使用選用其他本領(lǐng)域中常用材質(zhì)。此外，可以依需求選擇是否設(shè)置該活性中間層，于本實(shí)施例中，該活性中間層為多量子井層(multiple quantum well layer),用以提升發(fā)光二極管中電能轉(zhuǎn)換成光能的效率。該第一電極24可包含一第一電極層241以及一反射層242,且該反射層242是夾置于該第一電極層241及該第一半導(dǎo)體外延層221之間。于本實(shí)施例中，該反射層的材質(zhì)可選用銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯(graphene)、招、銀、鎳(Ni)、鈷(Co) (Pd)、鉬(Pt)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、銻(Sb)、鉛(Pb)、銅(Cu)、銅銀(CuAg)、鎳銀(NiAg)、其合金、或其金屬混合物。上述銅銀(CuAg)與鎳銀(NiAg)等是指共晶金屬(eutectic metal),除了用于達(dá)到反射效果之外，也可以達(dá)到形成奧姆接觸(ohmic contact)的效用。對于反射層242而言,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以清楚知道，可依需要選擇性設(shè)置，換言之若不打算設(shè)置反射層，則可上述步驟則可省略反射層242的形成步驟。上述第一絕緣保護(hù)層23與第一電極24的形成步驟的先后順序，沒有特別限制，先于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22上形成該第一絕緣保護(hù)層23，圖案化該第一絕緣保護(hù)層23形成復(fù)數(shù)第一開孔231后，在于顯露該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22的第一開孔231內(nèi)形成第一電極24。或者,先于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22上形成第一電極24,并將該第一電極24圖案化成復(fù)數(shù)區(qū)塊， 再于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22表面形成第一絕緣保護(hù)層23，且該第一絕緣保護(hù)層顯露該第一電極24的表面。該第一絕緣保護(hù)層23的材質(zhì)沒有特別限制，只要能夠保護(hù)第一電極24不受后續(xù)蝕刻溶液或其他任何溶液損傷即可，舉例可為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石、或其組合。接著，如圖2B所示，于該第一絕緣保護(hù)層23及該第一電極24表面，形成一導(dǎo)電性類金剛石層25。該導(dǎo)電性類金剛石層25可為導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合。上述導(dǎo)電材料可以選用銦錫氧化物(indium tin oxide, I TO)、氧化招鋅(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化鋒(ZnO)、石墨烯(graphene)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鑰(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉬(Pt)、金(Au)、以及其組合或合金。換言之，該導(dǎo)電材料可使用上述材質(zhì)的合金或混合物構(gòu)成。由于類金剛石具有較佳的熱膨脹系數(shù)(coefficient ofthermal expansion, CTE),因此導(dǎo)電性類金剛石層25便可加速發(fā)光二極管運(yùn)作時(shí)熱量散失。于本實(shí)施例中，使用鈦層或鈦鎢層/導(dǎo)電類金剛石層的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)做為該導(dǎo)電性類金剛石層25，其可利用陰極電弧多目標(biāo)標(biāo)集灘鍛裝置(Cathodic Arc Mult1-targets and Cluster sputter)形成。然后，如圖2C所不,于該導(dǎo)電性類金剛石層25表面形成一導(dǎo)電基板26。該導(dǎo)電基板26的材質(zhì)沒有特別限制，只要能到達(dá)到導(dǎo)電的功效即可，舉例可選用金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷、或含導(dǎo)電材料的金剛石所制成的導(dǎo)電基板。若采用金屬，則可以使用一般金屬電鍍方式形成，例如銅、鎳-銅、鎳，或是金剛石-銅、金剛石-鎳等混合物。接著，如圖2D所示，利用激光剝離技術(shù)(laser lift-off)移除該暫時(shí)基材21。如圖2E所示，將該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22圖案化成復(fù)數(shù)個(gè)的區(qū)塊，因此顯露出該第一絕緣保護(hù)層23,其中舉例可以利用感應(yīng)f禹合等離子體(inductive coupledplasma, IPC)達(dá)成。接著，如圖2F所示,于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22以及該第一絕緣保護(hù)層23上，形成一第二絕緣保護(hù)層27，其中，該第二絕緣保護(hù)層27覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22的側(cè)面以及該第一絕緣保護(hù)層23表面，且該第二絕緣保護(hù)層27設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第二開孔271，顯露該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22表面。該第二絕緣保護(hù)層27的材質(zhì)沒有特別限制，只要能夠保護(hù)半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22不受損傷即可，舉例可為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石、或其組合，并可利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積(plasma-enhanced chemical vapour deposition, PECVD)形成。于繼續(xù)以下步驟之前，可先行粗糙化該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22表面，例如利用濕式蝕刻(wetetching)，以增加發(fā)光二極管的發(fā)光率，此步驟可依需求選擇性執(zhí)行。然后，如圖2G所示，于該第二絕緣保護(hù)層27的該第二開孔271中且于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22上，形成一第二電極28。該第二電極28的材質(zhì)，可以使用本發(fā)明所述領(lǐng)域中常用的電極材質(zhì)，亦可類似第一電極24脂材質(zhì)，舉例可為銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化鋒(ZnO)、石墨烯(graphene)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、.(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鉬(Pt)、金(Au)、以及其組合或合金。最后，如圖2H所示，以切割方式，分離出單一發(fā)光二極管，因此獲得本發(fā)明的垂直式發(fā)光二極管，其包括:一導(dǎo)電基板26 ;—導(dǎo)電性類金剛石層25設(shè)置于該導(dǎo)電基板26上；一第一絕緣保護(hù)層23設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層25上且設(shè)有一第一開孔231 第一電極24設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層25上且位于該第一絕緣保護(hù)層23的該第一開孔231中，其中，該第一電極24包含一第一電極層241以及一反射層242 ;—半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22，設(shè)置于該第一電極24上，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22包含一第一半導(dǎo)體外延層221、一活性中間層222、以及一第二半導(dǎo)體外延層223，且該活性中間層222夾置于該第一半導(dǎo)體外延層221以及該第二半導(dǎo)體外延層223之間，該第一電極24的該反射層242夾置于該第一電極層241及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22之間；一第二絕緣保護(hù)層27設(shè)置于該第一絕緣保護(hù)層23上且覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22側(cè)面，且設(shè)有一第二開孔271，以顯露該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22表面；以及一第二電極28設(shè)置于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)22上且位于該第二絕緣保護(hù)層27的該第二開孔271中。實(shí)施例二請參考圖3，是本實(shí)施例的芯片板上封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，芯片板上封裝結(jié)構(gòu)包括:一電路載板3 ；以及上述實(shí)施例一所制得的垂直式發(fā)光二極管，經(jīng)由該第一電極24以及該第二電極28電性連接該電路載板3，其中，該電路載板3包含一絕緣層31、一電路基板30、以及線路(圖未示)，該絕緣層31的材質(zhì)可選自由類金剛石、氧化鋁、陶瓷、含金剛石的環(huán)氧樹脂、或者上述材質(zhì)的混合物，該電路基板30為一金屬板、一陶瓷板或一娃基板。于該芯片板上封裝結(jié)構(gòu)中，該第一電極24以及該第二電極28與該電路載板3的電性連接，可利用本領(lǐng)域中的通常方法達(dá)成，例如使用打線接合。據(jù)此,本發(fā)明上述芯片板上封裝結(jié)構(gòu)(chip on board,COB)中，發(fā)光二極管中第二絕緣保護(hù)層及第一絕緣保護(hù)層可以同時(shí)保護(hù)第一電極與半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的側(cè)面，因此可以避免發(fā)生短路與漏電等，進(jìn)而使芯片板上封裝結(jié)構(gòu)整體具有更佳的散熱效率、發(fā)光校與壽命。據(jù)此，本發(fā)明的垂直式發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)安全無瑕疵，可以避免工藝中發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)受損所造成的短路與漏電等問題，進(jìn)而提升使用者的安全性以及發(fā)光二極管的發(fā)光率與壽命。上述實(shí)施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請的權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)， 而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種垂直式發(fā)光二極管，包括: 一導(dǎo)電基板； 一導(dǎo)電性類金剛石層，設(shè)置于該導(dǎo)電基板上； 一第一絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且設(shè)有一第一開孔； 一第一電極，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且位于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中； 一半導(dǎo)體外延層，設(shè)置于該第一電極上； 一第二絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該第一絕緣保護(hù)層上且覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)側(cè)面，且設(shè)有一第二開孔，以顯露該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)表面；以及 一第二電極，設(shè)置于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上且位于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中。
2.如權(quán)利要求 1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。
3.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極為N型。
5.如權(quán)利要求3所述的垂直式發(fā)光二極管,其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該第一半導(dǎo)體外延層之間。
6.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該導(dǎo)電性類金剛石層為一導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合。
7.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該導(dǎo)電基板是以金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷或含導(dǎo)電材料的金剛石制成。
8.如權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其中，該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)及該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)分別為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石或其組合。
9.一種垂直式發(fā)光二極管的制造方法，包括以下步驟: 提供一暫時(shí)基材，該暫時(shí)基材上形成有一半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一第一電極、以及一第一絕緣保護(hù)層，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)位于該暫時(shí)基材上，該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極位于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，且該第一絕緣保護(hù)層是圖案化成設(shè)有一第一開孔，該第一電極嵌于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔內(nèi)； 于該第一絕緣保護(hù)層及該第一電極上，形成一導(dǎo)電性類金剛石層； 于該導(dǎo)電性類金剛石層上形成一導(dǎo)電基板，并移除該暫時(shí)基材； 圖案化該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，使其顯露該第一絕緣保護(hù)層； 于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)以及該第一絕緣保護(hù)層上，形成一第二絕緣保護(hù)層，其中，該第二絕緣保護(hù)層設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第二開孔，以顯露該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)；以及 于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中且于該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成一第二電極。
10.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一絕緣保護(hù)層是先形成于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，經(jīng)圖案化而設(shè)有該第一開孔后，再于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上，形成該第一電極于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中。
11.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，于形成該第二絕緣保護(hù)層之前，包含以下步驟:粗糙化該圖案化的半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法,其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)之間。
13.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)包含一第一半導(dǎo)體外延層、一活性中間層、以及一第二半導(dǎo)體外延層，且該活性中間層夾置于該第一半導(dǎo)體外延層以及該第二半導(dǎo)體外延層之間。
14.如權(quán)利要求13所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一半導(dǎo)體外延層以及該第一電極層為P型，該第二半導(dǎo)體外延層以及該第二電極為N型。
15.如權(quán)利要求13所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法,其中，該第一電極包含一第一電極層以及一反射層，且該反射層夾置于該第一電極層及該第一半導(dǎo)體外延層之間。
16.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該導(dǎo)電性類金剛石層為一導(dǎo)電材料與導(dǎo)電性類金剛石的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、一含導(dǎo)電材料的類金剛石層、一石墨化的類金剛石層或其組合。
17.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該導(dǎo)電基板為金屬、含導(dǎo)電材料的陶瓷、或 含導(dǎo)電材料的金剛石制成。
18.如權(quán)利要求9所述垂直式發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一絕緣保護(hù)層的材質(zhì)及該第二絕緣保護(hù)層的材質(zhì)分別為二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、絕緣類金剛石或其組合。
19.一種芯片板上封裝結(jié)構(gòu),包括: 一電路載板；以及 一如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的垂直式發(fā)光二極管，封裝于該電路載板。
20.如權(quán)利要求19所述的芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其中，該電路載板包含一絕緣層、以及一電路基板，該絕緣層的材質(zhì)選自由類金剛石、氧化鋁、陶瓷、以及含金剛石的環(huán)氧樹脂所組群組的至少一種。
21.如權(quán)利要求20所述的芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其中，該電路基板為一金屬板、一陶瓷板或一娃基板。
全文摘要
一種垂直式發(fā)光二極管，包括導(dǎo)電基板；導(dǎo)電性類金剛石層，設(shè)置于該導(dǎo)電基板上；第一絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且設(shè)有第一開孔；第一電極，設(shè)置于該導(dǎo)電性類金剛石層上且位于該第一絕緣保護(hù)層的該第一開孔中；半導(dǎo)體外延層，設(shè)置于該第一電極上；第二絕緣保護(hù)層，設(shè)置于該第一絕緣保護(hù)層上且覆蓋該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)側(cè)面，且設(shè)有第二開孔，以顯露該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)表面；以及第二電極，設(shè)置于該半導(dǎo)體外延多層復(fù)合結(jié)構(gòu)上且位于該第二絕緣保護(hù)層的該第二開孔中。本發(fā)明還公開了關(guān)于上述垂直式發(fā)光二極管的制法。
文檔編號(hào)H01L33/44GK103219444SQ201210031028
公開日2013年7月24日 申請日期2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者宋健民, 甘明吉 申請人:錸鉆科技股份有限公司