本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種LDMOS晶體管的場氧化層隔離結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的采用LOCOS(Localoxidationofsilicon，硅的局部氧化)工藝的LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管中，通常采用場極板來降低電場、提高電壓，如圖1所示，場板由多晶柵延長跨上場氧化層(FieldOxide，F(xiàn)OX，簡稱場氧)。這樣的場極板在場氧的“鳥嘴”(bird’sbeak)位置處就開始向上抬起，由于AA(ActiveArea，有源區(qū))硅區(qū)和場極板在“鳥嘴”處都具有較大的曲率，各自形成高電場，且兩高電場在同一位置，導(dǎo)致LDMOS晶體管的耐壓能力降低；另外，由于場極板在“鳥嘴”處就向上翹起，與硅強場區(qū)距離加大，導(dǎo)致場極板的作用減弱，也使得電場不能得到有效抑制。因此，在以LOCOS為場隔離結(jié)構(gòu)的LDMOS管中，“鳥嘴”區(qū)域的電場強度往往是最強的，最容易被擊穿，要提高LDMOS管的耐壓能力，就必須有效降低“鳥嘴”區(qū)域的峰值電場。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種LDMOS晶體管的場氧化層隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，它可以提高LDMOS晶體管的耐壓能力。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的LDMOS晶體管的場氧化層隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，在用常規(guī)LOCOS工藝生長場氧化層后，進行柵極氧化層的生長前，通過以下工藝步驟來改善場氧化層的結(jié)構(gòu)：1)用硬掩膜覆蓋非場極板區(qū)域；2)爐管成長犧牲氧化層；3)同向刻蝕，在有源區(qū)和場氧區(qū)同時向下和向側(cè)向刻去厚度為犧牲氧化層厚度的氧化層；4)刻蝕除去硬掩膜。步驟2)中，所述犧牲氧化層的厚度為本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供用上述方法制備的LDMOS晶體管的場氧化層隔離結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的LDMOS晶體管的場氧化層隔離結(jié)構(gòu)，其場氧化層與場極板接觸部分的上翹點向場氧化層方向橫向偏離鳥嘴位置。本發(fā)明通過改變場氧化層的結(jié)構(gòu)，使場極板的水平部分得以向場氧化層內(nèi)伸展，從而一方面增強了場極板對LOCOS“鳥嘴”區(qū)域電場的抑制作用，另一方面場極板和AA硅區(qū)在“鳥嘴”附近的大曲率強電場點的分離，使兩強電場間的相互作用減小，從而降低了“鳥嘴”區(qū)的電場強度，達到了提高LDMOS器件耐壓能力的目的。附圖說明圖1是現(xiàn)有的采用LOCOS場隔離結(jié)構(gòu)的LDMOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明實施例的LDMOS晶體管的場氧化層隔離結(jié)構(gòu)的制備方法示意圖。圖3是在圖2基礎(chǔ)上，用現(xiàn)有工藝?yán)^續(xù)進行LDMOS晶體管的制備，最終得到的LDMOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式為對本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合圖示的實施方式，詳述如下：本實施例的LDMOS晶體管的場氧化層隔離結(jié)構(gòu)，其制備工藝步驟如下：步驟1，用常規(guī)的LOCOS工藝，在P型硅襯底上生長場氧化層，場氧化層的厚度為如圖2(a)所示。步驟2，淀積的氮化硅作為硬掩膜，然后用光刻膠定義出場極板區(qū)域，接著用干法刻蝕方法刻掉場極板區(qū)域的氮化硅硬掩膜，最后去除光刻膠，如圖2(b)所示。步驟3，用爐管生長一層左右的犧牲氧化層，如圖2(c)所示。這步氧化層生長主要發(fā)生在AA區(qū)，因為在場氧區(qū)，原來的氧化層已經(jīng)很厚了，所以這步中氧化層生長很少，幾乎不生長。步驟4，在酸槽內(nèi)進行同向刻蝕(刻蝕液為4.6％的氫氟酸，刻蝕速率為/分鐘)，在AA區(qū)和場氧區(qū)同時向下和向側(cè)向刻去左右的氧化層，如圖2(d)所示。由于在步驟3中，場氧區(qū)幾乎沒有生長氧化層，但在刻蝕過程中，場氧化層仍會同時被刻蝕，因此從圖2(d)中可以看到，刻蝕后，場氧化層的上翹點將水平右移。步驟5，干法刻蝕掉硬掩膜，如圖2(e)所示。后續(xù)用常規(guī)的0.35μm的工藝?yán)^續(xù)進行柵極氧化層(gateoxide)生長和多晶硅淀積，并通過刻蝕形成多晶硅柵和場極板，最終制備得到的LDMOS晶體管如圖3所示，從圖中可以看到，場極板的上翹點向場氧區(qū)方向發(fā)生了水平橫向延伸。