技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種LDMOS晶體管的場(chǎng)氧化層隔離結(jié)構(gòu)，其場(chǎng)氧化層與場(chǎng)極板接觸部分的上翹點(diǎn)不在鳥嘴位置，而是橫向延伸至場(chǎng)氧化層內(nèi)。本發(fā)明還公開了該場(chǎng)氧化層隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，在場(chǎng)氧化層生長(zhǎng)后，柵極氧化層生長(zhǎng)前，進(jìn)行以下步驟：1)用硬掩膜覆蓋非場(chǎng)極板區(qū)域；2)爐管成長(zhǎng)氧化層；3)同向刻蝕，在有源區(qū)和場(chǎng)氧區(qū)同時(shí)向下和側(cè)向刻去厚度為犧牲氧化層厚度的氧化層；4)刻蝕除去硬掩膜。本發(fā)明通過(guò)改變場(chǎng)氧化層的結(jié)構(gòu)，使場(chǎng)極板的水平部分向場(chǎng)氧化層內(nèi)伸展，增強(qiáng)了場(chǎng)極板對(duì)鳥嘴區(qū)電場(chǎng)的抑制作用，同時(shí)分離了場(chǎng)極板和有源區(qū)在鳥嘴附近的大曲率點(diǎn)，使兩強(qiáng)電場(chǎng)間的相互作用減小，從而降低了鳥嘴區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度，提高了器件的耐壓能力。

技術(shù)研發(fā)人員：楊文清;邢軍軍;趙施華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201210088429
技術(shù)研發(fā)日：2012.03.30
技術(shù)公布日：2016.12.14