專利名稱：基于機器視覺的玻璃覆晶互聯(lián)電阻的預(yù)測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，尤其涉及一種用于玻璃覆晶封裝的顯示模塊的基于機器視覺的互聯(lián)電阻預(yù)測方法。
背景技術(shù)：
平板顯示器系列產(chǎn)品是現(xiàn)代信息社會中使用最廣泛的一種人機交互媒介，它在民用、商用和軍用領(lǐng)域里都扮演著舉足輕重的角色，如平板電視、手機、筆記本電腦等都涉及它的應(yīng)用。在平板顯示器的制造過程中，玻璃覆晶封裝(Chip on Glass, COG)是一項關(guān)鍵的生產(chǎn)技術(shù)，它由日本公司在20世界八十年代首先開發(fā)并運用于便攜式電視機顯示屏生產(chǎn)的，具有密度高、成本低、效率高、尺寸小等優(yōu)點，隨著平板顯示不斷向高密度和大容量方向發(fā)展，已成為顯示驅(qū)動封裝領(lǐng)域內(nèi)支配性的封裝互聯(lián)技術(shù)。目前平板顯示器行業(yè)應(yīng)用最
為廣泛的COG封裝工藝采用的是各向異性導(dǎo)電膠(Anisotropic Conductive Film,ACF)熱壓。ACF由高分子聚合物和均勻分散在其中的導(dǎo)電顆粒組成，導(dǎo)電顆粒的直徑大約為3-5微米，通常是一種表面包裹金屬材料的樹脂顆粒。如圖I所示的采用ACF-COG的顯示模塊，其中，驅(qū)動芯片(Driver Chip) 2的下表面具有多個凸點4，這些凸點的間距為a、中心距為b ;玻璃基板(Glass Substrate) 3的上表面具有多個透明的銦錫氧化物(Indium-TinOxidation, ΙΤ0)電極5。在COG封裝過程中，首先將ACF層I貼敷于驅(qū)動芯片2和玻璃基板3之間，并使凸點4和電極5的相互對準，然后進行加熱并施加壓力F。如圖2所示，ACF層I中的高分子聚合物受熱后固化，將驅(qū)動芯片2和玻璃基板3粘結(jié)固定在一起，與此同時，ACF層中的導(dǎo)電顆粒6部分地被捕捉在凸點4和電極5之間，并在外力條件下受到擠壓。這樣，通過其表面包裹的金屬材料，被捕捉的導(dǎo)電顆粒6在凸點4和電極5之間建立了電連接。隨著平板顯示器單位面積像素數(shù)、像素色彩度越來越高，產(chǎn)業(yè)界對ACF-COG封裝密度的需求也越來越高，其中驅(qū)動芯片的凸點與玻璃基板的電極之間的互聯(lián)電阻及電氣可靠性是產(chǎn)品最重要的一項特性指標，其數(shù)值與模塊邦定(bonding)參數(shù)(如壓力、溫度)、邦定設(shè)備特性(如對位精度、邦頭與基準面平行度、邦定設(shè)備剛度等)、材料特性參數(shù)(如彈性模量、泊松比、電阻率、顆粒密度、絕緣樹脂粘度)、凸點及電極參數(shù)(如凸點尺寸、間距)等諸多參數(shù)相關(guān)，影響因素眾多。如何確保在凸點間不短路的情況下，互聯(lián)電阻小、均勻并且可控是產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界研究的熱點?，F(xiàn)有平板顯示器封裝企業(yè)檢測互聯(lián)電阻多數(shù)通過制造模擬芯片，經(jīng)熱壓邦定過程后，用四點測電阻方式測定互聯(lián)電阻，經(jīng)過統(tǒng)計分析控制產(chǎn)品的良品率。ACF的供應(yīng)商則建議凸點下方保證5個以上壓至天使翅膀形(精靈形)的導(dǎo)電顆粒即可保證互聯(lián)電阻特性。顯而易見，前者方法費料并需要大量人工，且因驅(qū)動芯片管腳眾多，該方法無法快速發(fā)現(xiàn)互聯(lián)電阻異常的凸點；后者方法僅提供了一個統(tǒng)計后的經(jīng)驗性指標，評判標準模糊，也無對應(yīng)的定量電阻特性，在現(xiàn)有封裝企業(yè)也僅用于前者方法的參考對照(通常由工程師人工經(jīng)光學(xué)放大鏡數(shù)導(dǎo)電顆粒)。另外，目前提出的針對導(dǎo)電顆粒是金屬球的各向異性導(dǎo)電膠(Anisotropic Conductive Adhesive,ACA)互聯(lián)電阻模型預(yù)測得到的電阻普遍比實測的電阻(通常為ΙΟΟπιΩ)小I 2個數(shù)量等級。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員致力于開發(fā)一種基于機器視覺的互聯(lián)電阻預(yù)測方法，提高對使用ACF-COG封裝的顯示模塊的驅(qū)動芯片的凸點與玻璃基板的電極之間的互聯(lián)電阻的預(yù)測精度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，通過建立互聯(lián)電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型以及獲取導(dǎo)電顆粒的接觸面積，實現(xiàn)對使用ACF-COG封裝的顯示模塊的驅(qū)動芯片的凸點與玻璃基板的電極之間的互聯(lián)電阻的高精度預(yù)測。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，用于
預(yù)測使用玻璃覆晶封裝的顯示模塊的驅(qū)動芯片的凸點與玻璃基板的電極之間的互聯(lián)電阻，所述凸點與所述電極之間具有多個導(dǎo)電顆粒，其特征在于，包括步驟獲取所述凸點的圖片；對所述圖片進行計算機視覺處理，獲得所述多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)和每個所述導(dǎo)電顆粒與所述凸點接觸的接觸面積；使用互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型，對每個所述導(dǎo)電顆粒計算所述導(dǎo)電顆粒的互連電阻；將多個所述導(dǎo)電顆粒的互連電阻作為多個并聯(lián)電阻，獲得所述凸點與所述電極之間的所述互連電阻。進一步地，所述多個導(dǎo)電顆粒在所述凸點和所述電極之間被壓縮成鼓狀。進一步地，所述互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型為S =g ++叫
4V 4{^α2-β-α+β J其中，Rsp為所述導(dǎo)電顆粒的互連電阻，Ptb為所述凸點的表層金屬的電阻率，Ρρ。為所述導(dǎo)電顆粒的表層金屬的電阻率，Pbp為所述電極的表層金屬的電阻率，Α。為所述導(dǎo)電顆粒與所述凸點接觸的接觸面積，Pblk為所述導(dǎo)電顆粒內(nèi)部金屬的導(dǎo)電率，Clthidi為所述導(dǎo)電顆粒的所述表層金屬的厚度，β為所述導(dǎo)電顆粒的所述接觸面積與所述導(dǎo)電顆粒未壓縮
(4 + )6 + 803 Y'3 ^ 2β
時的中心面積的比值，α =—^—— ..朽，所述導(dǎo)電顆粒與所述電極接觸的接觸面
ΙΠ + φβ + ξβ3)
積等于A。。優(yōu)選地，所述凸點的所述圖片的獲取方式為在線式的，包括在進行所述玻璃覆晶封裝的邦定機的底部設(shè)置透明材料的支撐板并在所述支撐板的下方安裝光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)；在進行所述玻璃覆晶封裝的過程中，使用所述光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)獲取所述凸點的所述圖片。進一步地，所述光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)包括光學(xué)鏡頭、光源系統(tǒng)和攝像頭，所述攝像頭正對所述凸點。
進一步地，所述攝像頭的快門速度不低于O. Ims0進一步地，所述透明材料為石英?？蛇x地，所述凸點的所述圖片的獲取方式為離線式的，包括在光學(xué)顯微鏡的頂部安裝攝像頭；把完成所述玻璃覆晶封裝的所述顯示模塊放在所述光學(xué)顯微鏡的載物臺上，使用所述攝像頭獲取所述凸點的所述圖片。進一步地，所述攝像頭獲取經(jīng)過所述光學(xué)顯微鏡放大的所述凸點的所述圖片。進一步地，所述計算機視覺處理包括步驟將所述圖片處理成灰階圖像；在所述灰階圖像上提取所述凸點的凸點圖像；二值化所述凸點圖像并進行包括顆粒分離和濾波的處理，得到所述多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)及每個所述導(dǎo)電顆粒與所述凸點接觸的接觸面積。在本發(fā)明的較佳實施方式中，在進行玻璃覆晶封裝的邦定機的底部設(shè)置石英的支撐板并在支撐板的下方安裝光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)，光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)包括光學(xué)鏡頭、光源系統(tǒng)和攝像頭，攝像頭正對凸點。在進行所述玻璃覆晶封裝的過程中，使用光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)獲取凸點的圖片。其中，攝像頭的快門速度為O. Ims,圖片的像素為130萬。對該凸點的圖片進行計算機視覺處理后獲得與該凸點接觸的多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)以及每個導(dǎo)電顆粒與該凸點接觸的接觸面積。使用互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型，計算每個導(dǎo)電顆粒的互連電阻。最后，將這些導(dǎo)電顆粒的互連電阻作為多個并聯(lián)電阻，獲得凸點與電極之間的互連電阻。由此可見，本發(fā)明基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法通過建立互聯(lián)電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型以及獲取導(dǎo)電顆粒的接觸面積，實現(xiàn)了對使用ACF-COG封裝的顯示模塊的驅(qū)動芯片的凸點與玻璃基板的電極之間的互聯(lián)電阻的高精度預(yù)測，并可以準確地獲得互聯(lián)電阻的分布特性，十分適用于COG封裝時顯示模塊的互聯(lián)電氣特性的控制。本發(fā)明的主要優(yōu)點包括1)可以準確獲取導(dǎo)電顆粒的數(shù)目及其接觸面積，本發(fā)明建立的互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型能較精確地獲取電阻特性；2)在玻璃覆晶封裝的過程中使用本發(fā)明進行導(dǎo)電顆粒的接觸面積的監(jiān)測，可以快速獲取邦定參數(shù)特別是熱壓的溫度與壓力的設(shè)置參數(shù)，用于指導(dǎo)COG封裝的工藝參數(shù)設(shè)定；3)該互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型還可以用于后續(xù)邦定全過程的監(jiān)測優(yōu)化，從而為后續(xù)產(chǎn)品整體可靠性做預(yù)測；4)大大減少了此前制作樣片、測電阻、人工數(shù)導(dǎo)電顆粒的方法所發(fā)生的材料與工程師人工，并可以將全過程定量化，為后續(xù)產(chǎn)品電氣特性與可靠性預(yù)測積累數(shù)據(jù)庫；5)為芯片的設(shè)計，特別是芯片的凸點和/或電極的設(shè)計提供了檢測手段，由于凸點捕捉導(dǎo)電顆粒數(shù)目越多，互聯(lián)電阻越低，互聯(lián)電氣特性越好，因此本方法可以快速驗證甚至對芯片的凸點進行全檢，從而判別芯片設(shè)計是否需要優(yōu)化以符合互聯(lián)電氣特性及可靠性要求。以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進一步說明，以充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果。


圖I是使用玻璃覆晶封裝的顯示模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是完成圖I所示的顯示模塊完成玻璃覆晶封裝后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法的在線式地獲取凸點的圖片的系統(tǒng)架構(gòu)示意圖。圖4是在本發(fā)明的一個實施例中，使用計算機視覺處理對凸點的圖片進行處理的過程圖像。圖5是本發(fā)明的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法的互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型的示意圖，圖中顯示了凸點和電極間的多個導(dǎo)電顆粒。圖6是圖5的互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型的等效電路圖。
具體實施例方式如圖3所示，在本發(fā)明的一個實施例中，用于在線式地獲取凸點的圖片的系統(tǒng)包
括邦定機10和光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)。邦定機10的底部設(shè)置有透明材料的支撐板11，光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)安裝在支撐板11的下方。在本實施例中，支撐板11的材料是石英。顯示模塊12置于邦定機10內(nèi)進行玻璃覆晶封裝，顯示模塊12如圖I所示，其玻璃基板置于支撐板11之上。光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)包括光學(xué)鏡頭22、光源系統(tǒng)21和攝像頭23，光學(xué)鏡頭22正對著支撐板11。由于石英的支撐板11、顯示模塊12的玻璃基板、玻璃基板上的ITO材料的電極以及ACF中的高分子聚合物都是透明的，因此通過光源系統(tǒng)21的照明以及對光學(xué)鏡頭22的調(diào)焦，攝像頭23可以透過支撐板11、玻璃基板、電極以及高分子聚合物獲取顯示模塊12的驅(qū)動芯片的凸點的圖片(圖片中可見ACF中的導(dǎo)電顆粒)。本實施例采用CCD攝像頭，攝像頭的快門速度為O. Ims (或更快)，圖片的像素值為130萬。獲取的凸點的圖片上可以是顯示模塊12的驅(qū)動芯片上所有的凸點的圖片，也可以是驅(qū)動芯片上部分的凸點的圖片。另夕卜，還可以對支撐板11設(shè)置移動對位裝置，這樣通過該移動對位裝置可以移動支撐板11從而移動支撐板11上的顯示模塊12相對于光學(xué)鏡頭22的位置，以使攝像頭23能夠?qū)︱?qū)動芯片上各部分的凸點獲取圖片。攝像頭23把所獲取的凸點的圖片傳送給計算機30，對該凸點的圖片進行計算機視覺處理。處理步驟包括(參見圖4)第一步，將圖片處理成灰階圖像。如圖4所示，其中圖4a為原始圖片，即攝像頭23所獲取的凸點的圖片。經(jīng)過對該圖片進行灰階值計算，將該圖片處理成灰階圖像(圖4b)。第二步，在灰階圖像上提取凸點的凸點圖像。根據(jù)已知的凸點長、寬、間距等信息以及光學(xué)鏡頭22的放大倍數(shù)來標定參數(shù)，進行模板匹配、邊界提取的步驟，獲得圖像區(qū)域內(nèi)凸點個數(shù)及位置信息，并截取有效的凸點圖像。如圖4c所示，在該圖像的區(qū)域內(nèi)，截取了 6個凸點的凸點圖像。第三步，二值化凸點圖像并進行包括顆粒分離和濾波的處理，得到多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)及每個導(dǎo)電顆粒與凸點接觸的接觸面積。對圖4c中的6個凸點的凸點圖像分別進行處理，包括二值化、顆粒分離及濾波，得到這6個凸點處理后的凸點圖像(圖4d)并獲得對應(yīng)每個凸點的導(dǎo)電顆粒的信息，包括導(dǎo)電顆粒的個數(shù)和每個導(dǎo)電顆粒與該凸點接觸的接觸面積。以上述方式，遍歷所有凸點，建立對應(yīng)各凸點的導(dǎo)電顆粒的接觸面積列表，并根據(jù)第二步中獲得的圖像區(qū)域內(nèi)凸點的位置信息建立驅(qū)動芯片的凸點鏈表。將對應(yīng)各凸點的導(dǎo)電顆粒的接觸面積列表輸入互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型，以計算各凸點與電極之間的互連電阻。如圖5所示，驅(qū)動芯片的凸點40與玻璃基板的電極50之間具有η個導(dǎo)電顆粒61、62、…、6η，這些導(dǎo)電顆粒在其間被壓縮成鼓狀(η為自然數(shù))。圖6是圖5所示的結(jié)構(gòu)的等效電路，即凸點40和電極50之間可看成是η個電阻的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中Rspl是導(dǎo)電顆粒61的電阻，Rsp2是導(dǎo)電顆粒62的電阻，…，Rspn是導(dǎo)電顆粒6η的電阻。由此可得凸點40和電極50之間的互連電阻(由于凸點、電極的電阻遠小于導(dǎo)電顆粒的電阻，故此處被忽略)Rb=1/T(1/RsP,)，⑴
I 式中Rspi為導(dǎo)電顆粒6i的電阻，I彡i彡η。對于一個導(dǎo)電顆粒，其電阻Rsp可以通過互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型計算得到，該模型的建立過程如下導(dǎo)電顆粒的電阻Rsp包括凸點與導(dǎo)電顆粒之間的接觸電阻Rbp。、導(dǎo)電顆粒頂部的接觸電阻Rplc;u、導(dǎo)電顆粒底部的接觸電阻Rplc;b、導(dǎo)電顆粒與電極之間的接觸電阻Rpd。、凸點與導(dǎo)電顆粒之間的隧穿效應(yīng)電阻Rtu、電極與導(dǎo)電顆粒之間的隧穿效應(yīng)電阻Rtb和導(dǎo)電顆粒的體電阻Rblk,并且由這些電阻串聯(lián)形成，即 :Rsp Rbpc+Rplcu+Rtu+Rblk+Rtb+Rplcb+Rpdc。其中，由于凸點與導(dǎo)電顆粒的表層金屬多數(shù)采用金，隔絕了氧化效應(yīng)，同時導(dǎo)電顆粒的內(nèi)核采用彈性的環(huán)氧樹脂，導(dǎo)電顆粒與凸點、電極基本完全接觸，因此可以忽略電極與導(dǎo)電顆粒之間的隧穿效應(yīng)電阻Rtb和凸點與導(dǎo)電顆粒之間的隧穿效應(yīng)電阻Rtu。由于將凸
點和電極之間的導(dǎo)電顆粒視作鼓狀，可以推導(dǎo)出導(dǎo)電顆粒之間的接觸電阻巧^ =,長，導(dǎo)電顆粒頂部的接觸電阻導(dǎo)電顆粒底部的接觸電阻導(dǎo)電
顆粒與電極之間的接觸電阻其中，Ptb為凸點的表層金屬的電阻率，Pp。
為導(dǎo)電顆粒的表層金屬的電阻率，Pbp為電極的表層金屬的電阻率，A。為導(dǎo)電顆粒與凸點接觸的接觸面積而導(dǎo)電顆粒與電極接觸的接觸面積也等于A。。鼓狀的導(dǎo)電顆粒的體電阻
Rblt=-^xini/β, Pblk為所述導(dǎo)電顆粒內(nèi)部金屬(一般為
Wthick 、如--fi-α + β J
鎳)的導(dǎo)電率，Clthidi為導(dǎo)電顆粒的表層金屬的厚度，β為導(dǎo)電顆粒的接觸面積與該導(dǎo)電顆
(4 + ^/16 + 803 V -2β
粒未壓縮時的中心面積的比值，a = --,,,。由此可以得到導(dǎo)電顆粒的互連
2(4 + ^16 + 8^ I
電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型^ =E + ^xtof^5±^1/V^0 (2)
p4pc π ΛιΛ [^α^β-α+β]
已知導(dǎo)電顆粒與凸點接觸的接觸面積A。，就可以通過式(2)計算得到該導(dǎo)電顆粒的電阻Rsp。當(dāng)測得對應(yīng)某個凸點的η個導(dǎo)電顆粒的與該凸點接觸的接觸面積，就可以通過式
(I)計算該凸點和電極之間的互連電阻。在本實施例中，在線式地獲取凸點的圖片可以在對顯示模塊12進行玻璃覆晶封裝的過程中進行，以實時獲得凸點與電極之間的互連電阻值，從而可以據(jù)此調(diào)整玻璃覆晶封裝的工藝參數(shù)或材料參數(shù)。例如，設(shè)定互連電阻預(yù)警上限，對玻璃覆晶封裝過程中的互聯(lián)電阻進行監(jiān)測，當(dāng)監(jiān)測到的互連電阻值大于設(shè)定的預(yù)警上限值，系統(tǒng)可以報警并提取該凸點的位置信息及圖片信息，方便工程師分析電阻超限原因，以利于后續(xù)調(diào)整玻璃覆晶封裝中的工藝參數(shù)或材料參數(shù)。另外，在本發(fā)明的其它實施例中，還可以采用離線式地獲取凸點的圖片。具體地
為在光學(xué)顯微鏡的頂部安裝攝像頭，把完成玻璃覆晶封裝的顯示模塊放在所述光學(xué)顯微鏡的載物臺上，其中，顯示模塊的玻璃基片面向上。使用光學(xué)顯微鏡聚焦驅(qū)動芯片的凸點，并使用攝像頭獲取該凸點的圖片。該圖片可以是經(jīng)過光學(xué)顯微鏡放大的凸點的圖片。將此凸點的圖片傳送到計算機，并使用計算機視覺處理，獲得對應(yīng)該凸點的多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)和每個導(dǎo)電顆粒與該凸點接觸的接觸面積。使用互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型，對每個導(dǎo)電顆粒計算該導(dǎo)電顆粒的互連電阻。將多個導(dǎo)電顆粒的互連電阻作為多個并聯(lián)電阻，獲得凸點與電極之間的互連電阻。具體的計算機視覺處理方式及使用互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型計算凸點與電極之間的互連電阻的過程與前面敘述的實施例的情況一樣，在此不贅述。以上詳細描述了本發(fā)明的較佳具體實施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者有限的實驗可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書所確定的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，用于預(yù)測使用玻璃覆晶封裝的顯示模塊的驅(qū)動芯片的凸點與玻璃基板的電極之間的互聯(lián)電阻，所述凸點與所述電極之間具有多個導(dǎo)電顆粒，其特征在于，包括步驟 獲取所述凸點的圖片； 對所述圖片進行計算機視覺處理，獲得所述多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)和每個所述導(dǎo)電顆粒與所述凸點接觸的接觸面積； 使用互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型，對每個所述導(dǎo)電顆粒計算所述導(dǎo)電顆粒的互連電阻； 將多個所述導(dǎo)電顆粒的互連電阻作為多個并聯(lián)電阻，獲得所述凸點與所述電極之間的所述互連電阻。
2.如權(quán)利要求I所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述多個導(dǎo)電顆粒在所述凸點和所述電極之間被壓縮成鼓狀。
3.如權(quán)利要求2所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型為
4.如權(quán)利要求I或3所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述凸點的所述圖片的獲取方式為在線式的，包括在進行所述玻璃覆晶封裝的邦定機的底部設(shè)置透明材料的支撐板并在所述支撐板的下方安裝光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)；在進行所述玻璃覆晶封裝的過程中，使用所述光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)獲取所述凸點的所述圖片。
5.如權(quán)利要求4所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述光學(xué)顯微攝像系統(tǒng)包括光學(xué)鏡頭、光源系統(tǒng)和攝像頭，所述攝像頭正對所述凸點。
6.如權(quán)利要求5所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述攝像頭的快門速度不低于O. 1ms。
7.如權(quán)利要求6所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述透明材料為石英。
8.如權(quán)利要求I或3所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述凸點的所述圖片的獲取方式為離線式的，包括在光學(xué)顯微鏡的頂部安裝攝像頭；把完成所述玻璃覆晶封裝的所述顯示模塊放在所述光學(xué)顯微鏡的載物臺上，使用所述攝像頭獲取所述凸點的所述圖片。
9.如權(quán)利要求8所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述攝像頭獲取經(jīng)過所述光學(xué)顯微鏡放大的所述凸點的所述圖片。
10.如權(quán)利要求7或9所述的基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，其中所述計算機視覺處理包括步驟 將所述圖片處理成灰階圖像； 在所述灰階圖像上提取所述凸點的凸點圖像； 二值化所述凸點圖像并進行包括顆粒分離和濾波的處理，得到所述多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)及每個所述導(dǎo)電顆粒與所述凸點接觸的接觸面積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于機器視覺的互聯(lián)電阻的預(yù)測方法，包括步驟獲取顯示模塊的驅(qū)動芯片的凸點的圖片；對圖片進行計算機視覺處理，獲得對應(yīng)該凸點的多個導(dǎo)電顆粒的個數(shù)和每個導(dǎo)電顆粒與該凸點接觸的接觸面積；使用互連電阻基于導(dǎo)電顆粒的接觸面積的模型，對每個導(dǎo)電顆粒計算其互連電阻；將多個導(dǎo)電顆粒的互連電阻作為多個并聯(lián)電阻，獲得凸點與電極之間的互連電阻。本發(fā)明可以在線式地或離線式地應(yīng)用于預(yù)測使用玻璃覆晶封裝的顯示模塊的驅(qū)動芯片的凸點與玻璃基板的電極之間的互聯(lián)電阻，具有精度高、功能性強的優(yōu)點。
文檔編號H01L21/66GK102820240SQ20121027168
公開日2012年12月12日 申請日期2012年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月1日
發(fā)明者盛鑫軍, 賈磊, 熊振華, 王志平, 丁漢 申請人:上海交通大學(xué)