專利名稱：一種高壓二極管封裝制造工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種高壓二極管封裝制造工藝。
背景技術：
封裝是二極管生產工藝的重要步驟之一，作用是將芯片通過一定的方法處理后達到需要的電性參數(shù)，同時為了生產出的元件能有統(tǒng)一的規(guī)格方便安裝。傳統(tǒng)的高壓二極管封裝制作過程可能存在以下缺點1.焊接過程通入氫氣，容易造成氫氣燃燒爆炸，引發(fā)安全事故；2.引線和芯片焊接不牢固，容易脫落；3.芯片表面不清潔，留有殘留物
發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提供一種高壓二極管封裝制造工藝，該工藝生產的產品性能穩(wěn)
定、可靠。為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案為一種高壓二極管封裝制造工藝，其特征在于包括以下步驟
(1)將引線裝入石墨舟，在引線釘頭上涂刷助焊劑，芯片經(jīng)過酸腐蝕后，填進已裝入引線的石墨舟，在高溫鏈式爐中進行焊接，焊接過程中通入高純氮氣；
(2)對上述焊接后的產品進行去助焊劑殘留物處理首先將產品用活化劑浸泡120s，接著，采用超聲清洗產品去除表面助焊劑殘留物，清洗完后，重復上述活化劑浸泡步驟，最后用無水乙醇分兩次浸泡，時間分別是120s ；
(3)將經(jīng)過步驟(2)處理的產品置于恒溫槽中烘干200s，恒溫槽中通入氮氣，防止產品氧化；
(4)經(jīng)過氮氣烘干的產品由氫氟酸處理后，再經(jīng)堿腐蝕，進一步去除芯片表面殘留雜
質；
(5)在芯片表面上膠，高溫固化，經(jīng)過塑封成型，完成封裝得成品。進一步地，步驟(I)中所述助焊劑為松香、異丙醇和琥珀酸混合物。進一步地，步驟(2)中所述超聲清洗時，超聲波頻率為40kHz，時間為120s。進一步地，步驟(2)中所述活化劑是由異丙醇、無水乙醇和丙酮混合而成，其混合重量比為7 7 :1。進一步地，步驟(3)中所述恒溫槽烘干溫度50°C 60°C。進一步地，驟(4)中所述氫氟酸濃度為5%。本發(fā)明的優(yōu)點在于
1.本發(fā)明焊接過程中通入高純氮氣，不再使用氫氣，因此，操作過程不存在安全隱患；
2.焊接時使用助焊劑，使引線與芯片焊接的更牢固；
3.焊接完成后用活化劑浸泡和超聲波清洗，確保芯片表面潔凈，使最終產品性能穩(wěn)定可靠。
具體實施例方式為了使公眾能充分了解本發(fā)明的技術實質和有益效果，申請人將在下面對本發(fā)明的具體實施方式
詳細描述，但申請人對實施例的描述不是對技術方案的限制，任何依據(jù)本發(fā)明構思作形式而非實質的變化都應當視為本發(fā)明的保護范圍。一種高壓二極管封裝制造工藝，包括以下步驟
(1)將引線裝入石墨舟，在引線釘頭上涂刷松香、異丙醇和琥珀酸混合后的助焊劑，芯片經(jīng)過酸腐蝕后，填進已裝入引線的石墨舟，在高溫鏈式爐中進行焊接，焊接過程中通入高純氮氣；
(2)對上述焊接后的產品進行去助焊劑殘留物處理首先將產品用活化劑浸泡120s，活化劑由異丙醇、無水乙醇和丙酮混合而成，其混合重量比為7 7 :1，接著，采用超聲清洗產品去除表面助焊劑殘留物，超聲波頻率為40kHz，時間為120s，清洗完后，重復上述活化 劑浸泡步驟，最后用無水乙醇分兩次浸泡，時間分別是120s ；
(3)將經(jīng)過步驟(2)處理的產品置于恒溫槽中烘干200s，烘干溫度為50°C 60°C，恒溫槽中通入氮氣，防止產品氧化；
(4)經(jīng)過氮氣烘干的產品由5%氫氟酸處理后，再經(jīng)堿腐蝕，進一步去除芯片表面殘留雜質；
(5)在芯片表面上膠，高溫固化，經(jīng)過塑封成型，完成封裝得成品。采用本發(fā)明封裝工藝制造的產品性能穩(wěn)定、可靠。
權利要求
1.一種高壓二極管封裝制造工藝，其特征在于包括以下步驟 (1)將引線裝入石墨舟，在引線釘頭上涂刷助焊劑，芯片經(jīng)過酸腐蝕后，填進已裝入引線的石墨舟，在高溫鏈式爐中進行焊接，焊接過程中通入高純氮氣； (2)對上述焊接后的產品進行去助焊劑殘留物處理首先將產品用活化劑浸泡120s，接著，采用超聲清洗產品去除表面助焊劑殘留物，清洗完后，重復上述活化劑浸泡步驟，最后用無水乙醇分兩次浸泡，時間分別是120s ； (3)將經(jīng)過步驟(2)處理的產品置于恒溫槽中烘干200s，恒溫槽中通入氮氣，防止產品氧化； (4)經(jīng)過氮氣烘干的產品由氫氟酸處理后，再經(jīng)堿腐蝕，進一步去除芯片表面殘留雜質； (5)在芯片表面上膠，高溫固化，經(jīng)過塑封成型，完成封裝得成品。
2.根據(jù)權利要求I所述的一種高壓二極管封裝制造工藝，其特征在于步驟(I)中所述助焊劑為松香、異丙醇和琥珀酸混合物。
3.根據(jù)權利要求I所述的一種高壓二極管封裝制造工藝，其特征在于步驟(2)中所述超聲清洗時，超聲波頻率為40kHz，時間為120s。
4.根據(jù)權利要求I所述的一種高壓二極管封裝制造工藝，其特征在于步驟(2)中所述活化劑是由異丙醇、無水乙醇和丙酮混合而成，其混合重量比為7 7 :1。
5.根據(jù)權利要求I所述的一種高壓二極管封裝制造工藝，其特征在于步驟(3)中所述恒溫槽烘干溫度50°C 60°C。
6.根據(jù)權利要求I所述的一種高壓二極管封裝制造工藝，其特征在于步驟(4)中所述氫氟酸濃度為5%。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高壓二極管封裝制造工藝，首先將高壓二極管芯片經(jīng)過酸腐蝕，與經(jīng)過涂有助焊劑的引線在高溫鏈式爐中焊接，焊接后浸泡在活化劑中，利用超聲波清洗助焊劑，焊接過程中無需通入氫氣，避免由于氫氣爆炸造成的人身傷害事故，該封裝工藝無任何安全隱患，加工后的產品性能穩(wěn)定、可靠。
文檔編號H01L21/60GK102881601SQ20121039435
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權日2012年10月17日
發(fā)明者黃麗鳳 申請人:如皋市大昌電子有限公司