專利名稱：發(fā)光器件及發(fā)光器件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實施例涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、照明裝置以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
基于氮化鎵(GaN)的金屬有機化學氣相沉積以及分子束生長的發(fā)展，已經(jīng)開發(fā)出了能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度和白光的紅光、綠光和藍光發(fā)光二極管(LED)。這些LED不包含在諸如白熾燈或熒光燈之類的傳統(tǒng)照明裝置中使用的對環(huán)境有害的物質(zhì)(例如，汞(Hg))，因而有利地具有優(yōu)越的生態(tài)友好性，壽命長，而且功耗低，因而被用作傳統(tǒng)光源的替代物。這些LED的核心競爭因素在于基于具有高效率和高功率的芯片以及封裝技術(shù)來實現(xiàn)高亮度。為了實現(xiàn)高亮度，重要的是提高光提取效率。為了提高光提取效率，正在研究使用倒裝芯片結(jié)構(gòu)、表面粗化(surface texturing)、圖案化藍寶石襯底(PSS)、光子晶體技術(shù)、抗反射層結(jié)構(gòu)等的各種方法?！愣裕l(fā)光器件可以包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括布置在襯底上的第一導電類型半導體層、有源層以及第二導電類型半導體層；第一電極，用于向第一導電類型半導體層提供第一電力；以及第二電極，用于向第二導電類型半導體層提供第二電力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光效率得到提高而且能夠防止電極脫落或損壞的發(fā)光器件以及發(fā)光器件封裝。在一個實施例中，一種發(fā)光器件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括多個發(fā)光區(qū)域，所述多個發(fā)光區(qū)域包括第一半導體層、有源層和第二半導體層；第一分布式布拉格(bragg)反射層,布置在所述多個發(fā)光區(qū)域上；第一電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層上；第二電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層上；層間焊墊，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中至少又一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層上；以及至少一個連接電極，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，從而使得所述連接電極依序(sequentially)將所述多個發(fā)光區(qū)域串聯(lián)連接。在另一個實施例中，一種發(fā)光器件包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括多個發(fā)光區(qū)域，所述多個發(fā)光區(qū)域包括第一半導體層、有源層和第二半導體層；第一分布式布拉格反射層，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域上；第一電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層上；第二電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層上；層間焊墊，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中至少又一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層上；以及至少一個連接電極，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，從而使得所述連接電極依序?qū)⑺龆鄠€發(fā)光區(qū)域串聯(lián)連接。所述連接電極可以將相鄰的發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域的所述第一半導體層電連接至所述相鄰的發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域的所述第二半導體層。
所述第一電極單元和所述第二電極單元中每一個均可以包括用來接收電力的焊墊。所述層間焊墊可以電連接至布置在同一發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述連接電極。在所述同一發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一分布式布拉格反射層上，所述層間焊墊可以與所述連接電極分開?？商娲?，在所述同一發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一分布式布拉格反射層上，所述層間焊墊可以與所述連接電極結(jié)合(integrated)在一起。所述連接電極可以包括:第一部分，所述第一部分穿過所述第一分布式布拉格反射層并且與所述相鄰的發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層接觸；以及第二部分，所述第二部分穿過所述第一分布式布拉格反射層、所述第二半導體層和所述有源層，并且與所述相鄰的發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層接觸；其中，所述第一分布式布拉格反射層布置在所述第二部分與所述第二半導體層之間以及所述第二部分與所述有源層之間。所述發(fā)光器件還可以包括:襯底，布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下方；以及導電層，布置在所述發(fā)光區(qū)域與所述第一分布式布拉格反射層之間。所述連接電極的所述第二部分可以穿過所述導電層。所述第一分布式布拉格反射層可以布置在所述連接電極與所述導電層之間。所述發(fā)光器件還可以包括:第二分布式布拉格反射層，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，所述第二分布式布拉格反射層覆蓋所述連接電極。所述第二分布式布拉格反射層可以暴露出所述第一電極單元、所述第二電極單元和所述層間焊墊。所述第一分布式布拉格反射層和所述第二分布式布拉格反射層每一個均可以包括絕緣體，并且可以包括交替層疊至少一次的至少一個第一層和至少一個第二層，其中，所述第一層的折射率與所述第二層的折射率不同。所述第一電極單元可以接收第一電力，并且所述層間焊墊和所述第二電極單元中的至少一個可以接收第二電力。所述層間焊墊和所述第一電極單元中的至少一個可以接收第一電力，并且所述第二電極單元可以接收第二電力。在另一個實施例中，一種發(fā)光器件封裝包括:基臺；第一金屬層和第二金屬層，位于所述基臺上且彼此間隔開；根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，布置在所述基臺上；以及第一凸塊單元和第二凸塊單元，將所述發(fā)光器件電連接至所述基臺；其中，所述第一凸塊單元將所述第一金屬層電連接至所述發(fā)光器件的所述第一電極單元，所述第二凸塊單元將所述第二金屬層電連接至所述發(fā)光器件的所述第二電極單元和所述層間焊墊其中之一。所述第一凸塊單元(bump unit)可以包括:第一緩沖墊(bumper),布置在所述第一金屬層與所述第一電極單元之間；第一反擴散接合層，布置在所述第一緩沖墊與所述第一電極單元之間；以及第二反擴散接合層，布置在所述第一緩沖墊與所述第一金屬層之間；并且所述第二凸塊單元包括:第二緩沖墊，布置在所述第二金屬層與所述第二電極單元和所述層間焊墊其中之一之間；第三反擴散接合層，布置在所述第二緩沖墊與所述第二電極單元和所述層間焊墊其中之一之間；以及第四反擴散接合層，布置在所述第二緩沖墊與所述第二金屬層之間。
所述發(fā)光器件封裝還可以包括:第二分布式布拉格反射層，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，所述第二分布式布拉格反射層覆蓋所述連接電極。


將參照以下附圖詳細描述排布和實施例，其中，相似的附圖標記指代相似的元件，其中:圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的平面圖；圖2是沿著圖1中示出的發(fā)光器件的AA’方向截取的剖視圖；圖3是沿著圖1中示出的發(fā)光器件的BB’方向截取的剖視圖；圖4是沿著圖1中示出的發(fā)光器件的CC’方向截取的剖視圖；圖5是圖1中示出的發(fā)光器件的電路圖；圖6到圖8是示出根據(jù)第一實施例的變型例的發(fā)光器件的剖視圖；圖9是示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的平面圖；圖10是沿著圖9中示出的發(fā)光器件的DD’方向截取的剖視圖；圖11是沿著圖9中示出的發(fā)光器件的EE’方向截取的剖視圖；圖12是圖9中示出的發(fā)光器件的電路圖；圖13和圖14是示出根據(jù)第二實施例的變型例的發(fā)光器件的剖視圖；圖15是示出根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的剖視圖；圖16是根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光器件封裝的照明裝置的分解透視圖；以及圖17示出根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光器件封裝的顯示裝置。
具體實施例方式在下文中，通過參考附圖從說明書中將清楚地理解實施例。應(yīng)當理解，當提到元件位于另一個元件“之上”或“之下”時，它可以直接位于該元件之上/之下，而且也可以存在一個或多個插入元件。當提到元件位于“之上”或“之下”時，能夠基于該元件而包括“在該元件之下”以及“在該元件之上”。為了描述方便和清楚，在圖中，各層的厚度或尺寸被放大、省略或示意性地示出。而且，每個組成元件的尺寸或面積沒有完全反應(yīng)其實際尺寸。下文中，將參照附圖描述根據(jù)實施例的發(fā)光器件、制造該發(fā)光器件的方法以及包括該發(fā)光器件的發(fā)光封裝。圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件100的平面圖。圖2是沿著圖1中示出的發(fā)光器件100的AA’方向截取的剖視圖。圖3是沿著圖1中示出的發(fā)光器件100的BB’方向截取的剖視圖。圖4是沿著圖1中示出的發(fā)光器件100的CC’方向截取的剖視圖。參見圖1到圖4，發(fā)光器件100包括襯底110、緩沖層115、被劃分成多個發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))的發(fā)光結(jié)構(gòu)120、導電層130、分布式布拉格反射層140-1、第一電極單元150、至少一個連接電極160-1到160_m(其中，m是等于或大于I的自然數(shù))、至少一個層間焊墊182和184、以及第二電極單元170。可以用承載晶片(carrier wafer)來形成襯底110,該承載晶片是適合半導體材料生長的材料。此外，可以用高導熱 材料來形成襯底110，而且襯底110可以是導電襯底或絕緣襯底。例如，襯底110可以包含藍寶石(六1203)、6&隊5扣、2110、51、6& 、11^、6&203以及GaAs中的至少一種。襯底110的上表面可以設(shè)置有粗糙圖案。緩沖層115介于襯底110和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間，并且可以用II1-V族化合物半導體來形成該緩沖層115。緩沖層115起到了減小襯底110和發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的晶格常數(shù)
差異的作用。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以是產(chǎn)生光的半導體層，包括第一導電類型半導體層122、有源層124以及第二導電類型半導體層126。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以具有包括依序?qū)盈B在襯底110上的第一導電類型半導體層122、有源層124以及第二導電類型半導體層126的結(jié)構(gòu)?？梢杂冒雽w化合物來形成第一導電類型半導體層122?？梢杂肐I1-V族或I1-VI族化合物半導體等來實現(xiàn)第一導電類型半導體層122，并且可以用第一導電摻雜物來摻雜第一導電類型半導體層122。例如，第一導電類型半導體層122可以是組成分子式為InxAlyGai_x_yN(0彡x彡1，O彡y彡1，0彡x+y彡I)的半導體。例如,第一導電類型半導體層122可以包含InAlGaN、GaN,AlGaN.1nGaN,AlN以及InN中的任意一種，并且可以用η型摻雜物(例如，S1、Ge或Sn)來摻雜該第一導電類型半導體層122。有源層124介于第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層126之間，并且可以通過分別從第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層126供應(yīng)的電子和空穴復合期間產(chǎn)生的能量來產(chǎn)生光?？梢杂冒雽w化合物來形成有源層124，例如II1-V族或I1-VI族化合物半導體，并且該有源層124可以具有雙結(jié)結(jié)構(gòu)、單阱結(jié)構(gòu)、多阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點結(jié)構(gòu)。當有源層124是單阱結(jié)構(gòu)或量子阱`結(jié)構(gòu)時，它可以包括組成分子式為InxAlyGa1^yNCO ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0 彡 x+y ( I)的講層以及組成分子式為 InaAlbGa1^bN(O彡a彡1，0彡b彡1,0 ^ a+b ^ I)的勢壘層。阱層可以由帶隙低于勢壘層帶隙的材料來制成?？梢杂冒雽w化合物來形成第二導電類型半導體層126?？梢杂肐I1-V族或I1-VI族化合物半導體來實現(xiàn)第二導電類型半導體層126，并且可以用第二導電摻雜物來摻雜第二導電類型半導體層126。例如，第二導電類型半導體層126可以是組成分子式為InxAlyGai_x_yN(0彡x彡1，O彡y彡1，0彡x+y彡I)的半導體。例如,第二導電類型半導體層126可以包含GaN、AlN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 以及 AlGaInP 中的任意一種，并且可以用P型摻雜物(例如，Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)來摻雜該第二導電類型半導體層126。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以暴露出第一導電類型半導體層122的一部分。即，通過蝕刻第二導電類型半導體層126、有源層124以及一部分第一導電類型半導體層122，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以暴露出第一導電類型半導體層122的一部分。在這種情況下，通過臺面蝕刻暴露出的第一導電類型半導體層122的表面的位置可以低于有源層124的下表面。導電覆蓋層(clad layer)(未不出)可以介于有源層124和第一導電類型半導體層122之間，或者可以介于有源層124和第二導電類型半導體層126之間，并且可以用氮化物半導體(例如，AlGaN)來形成該導電覆蓋層。發(fā)光結(jié)構(gòu)120還可以包括布置在第二導電類型半導體層126下方的第三導電半導體層(未示出)，并且該第三導電半導體層的極性可以與第二導電類型半導體層126的相反?？梢杂忙切桶雽w層來實現(xiàn)第一導電類型半導體層122，并用P型半導體層來實現(xiàn)第二導電類型半導體層126。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以包括N-P結(jié)、P-N結(jié)、N-P-N結(jié)以及P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以包括彼此間隔開的多個發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))以及至少一個邊界區(qū)域S。該邊界區(qū)域S可以位于發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))之間?？商娲兀吔鐓^(qū)域S可以位于發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))的周圍。邊界區(qū)域S可以包括通過臺面蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)120而形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一部分被暴露出的區(qū)域，以便將發(fā)光結(jié)構(gòu)120劃分成多個發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))。發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中η是大于I的自然數(shù))的面積可以相同，然而本公開內(nèi)容不限于此。通過邊界區(qū)域S，可以將單個芯片的發(fā)光結(jié)構(gòu)120劃分成多個發(fā)光區(qū)域Pl到Pn(其中，η是大于I的自然數(shù))。導電層130布置在第二導電類型半導體層126上。導電層130減少了總反射并且表現(xiàn)出優(yōu)越的透射率(transmittance)，因而提高了從有源層124發(fā)出至第二導電類型半導體126的光的提取效率。可以用使用了一種或多種透明氧化物質(zhì)的單層或多層結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)導電層130，該透明氧化物質(zhì)對于發(fā)光波長具有高透射率，例如是氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化錫(T0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、銦鋅錫氧化物(ΙΖΤ0)、銦鋁鋅氧化物(ΙΑΖ0)、銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、銦鎵錫氧化物(IGT0)、鋁鋅氧化物(ΑΖ0)、鋁錫氧化物(ΑΤ0)、鎵鋅氧化物(GZ0)、IrOx> RuOx> RuOx/ITO、N1、Ag、Ni/IrOx/Au 或 Ni/Ir0x/Au/IT0。第一分布式布拉格反射層140-1位于發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中,η是大于I的自然數(shù))以及邊界區(qū)域S上。例如，第一分布式布拉格反射層140-1可以覆蓋發(fā)光區(qū)域Pl到Pn(其中，η是大于I的自然數(shù))的上部和側(cè)部，并且覆蓋邊界區(qū)域S。第一分布式布拉格反射層140-1將從發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))發(fā)出的的光反射。因此，第一分布式布拉格反射層140-1防止來自發(fā)光區(qū)域Pl到Pn(其中，η是大于I的自然數(shù))的光被第二電極單元170、連接電極160-1到160_η (其中，η是大于I的自然數(shù))以及層間焊墊182和184吸收。因此，在該實施例中，能夠提高發(fā)光效率。第一分布式布拉格反射層140-1可以具有如下結(jié)構(gòu):其中，至少一個第一層和至少一個第二層交替層疊至少一次，其中第一層的折射率與第二層的折射率不同。第一分布式布拉格反射層140-1可以是電絕緣材料。例如，第一層包括諸如TiO2之類的第一介電層，第二層包括諸如SiO2之類的第二介電層。例如，第一分布式布拉格反射層140-1可以具有如下的結(jié)構(gòu):其中,層疊了至少一個Ti02/Si02層。第一層和第二層每一個均可以具有λ/4的厚度，其中，λ是從發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光的波長。第一電極單兀150布置在發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (例如，η=9)中任意一個發(fā)光區(qū)域(例如，PD內(nèi)的第一導電類型半導體層122上，并且可以與第一導電類型半導體層122接觸。第一電極單元150可以包括接合至布線(未示出)的第一焊墊以提供第一電力。在圖1的實施例中，第一電極單元150可以用作第一焊墊。第二電極單元170布置在發(fā)光區(qū)域Pl到Pn(例如，η=9)中另一個發(fā)光區(qū)域(例如，Ρ9)內(nèi)的第二導電類型半導體半導體層126上。
第二電極單元170可以與第二導電類型半導體層126或?qū)щ妼?30接觸。例如，第二電極單元170可以與串聯(lián)連接的發(fā)光區(qū)域中最后一個發(fā)光區(qū)域(例如，P9)的導電層130接觸。第二電極單元170可以包括布置在第一分布式布拉格反射層140-1上的第二焊墊172和分支電極174。第二焊墊172接合至布線(未示出)以提供第二電力，分支電極174可以從第二焊墊172延伸并且可以包括至少一個部分175，該至少一個部分175穿過第一分布式布拉格反射層140-1并且與導電層130接觸。連接電極160-1到160-m (m=8)布置在第一分布式布拉格反射層140_1上，并且將發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (例如，n=9)串聯(lián)電連接。例如，連接電極160-1到160_m (例如，m=8)將多個發(fā)光區(qū)域Pl到P9串聯(lián)連接，從其中布置有第一電極單元150的第一發(fā)光區(qū)域Pl作為起點到其中布置有第二電極單元170的第九發(fā)光區(qū)域P9作為終點。每個連接電極(例如，160-1)可以將相鄰的發(fā)光區(qū)域(例如，Pl和P2)中一個發(fā)光區(qū)域Pl的導電層130電連接至其中另一個發(fā)光區(qū)域(例如，P2)的第一導電類型半導體層122。在不包括導電層130的另一個實施例中，連接電極(例如，160-1)可以將一個發(fā)光區(qū)域Pl的第二導電類型半導體層126電連接至另一個發(fā)光區(qū)域(例如，P2)的第一導電類型半導體層122。將包括在發(fā)光器件100中彼此串聯(lián)連接的多個發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))順序稱作第一發(fā)光區(qū)域到第η發(fā)光區(qū)域。即，將其中布置有第一電極單元150的發(fā)光區(qū)域稱作第一發(fā)光區(qū)域Ρ1，并將其中布置有第二電極單元170的發(fā)光區(qū)域稱作第η發(fā)光區(qū)域(Ρη)。此處，“相鄰的發(fā)光區(qū)域”可以是第k個發(fā)光區(qū)域和第k+Ι個發(fā)光區(qū)域，在
(η-1)的規(guī)定下，第k個連接電極可以將第k個發(fā)光區(qū)域串聯(lián)電連接至第k+Ι個發(fā)
光區(qū)域。S卩，第k個連接電極可以將第k個發(fā)光區(qū)域的第二導電類型半導體層126或?qū)щ妼?30電連接至第k+Ι個發(fā)光區(qū)域的第一導電類型半導體層122。例如，參見圖3，第k (例如，k=l)個連接電極可以位于第k個發(fā)光區(qū)域(例如，k=l)中、第k+Ι個發(fā)光區(qū)域(例如，k+l=2)中以及設(shè)置在第k個發(fā)光區(qū)域和第k+Ι個發(fā)光區(qū)域之間的邊界區(qū)域S中。而且，第k個連接電極(例如，160-1)可以包括穿過第一分布式布拉格反射層140-1并且與第k個發(fā)光區(qū)域(例如，P=I)的導電層130 (或第二導電類型半導體層126)接觸的至少一個第一部分(例如101)。圖1中示出的實線圓圈表示連接電極160-1到160-m (例如，m=8)的第一部分101。而且，第一分布式布拉格反射層140-1可以布置在位于邊界區(qū)域S上的發(fā)光結(jié)構(gòu)120與連接電極(例如，160-1)之間。此外，第k個連接電極(例如，160-1)可以包括穿過第k+Ι個發(fā)光區(qū)域(例如，P2)的第一分布式布拉格反射層140-1、導電層130、第二導電類型半導體層126以及有源層124并且與第一導電類型半導體層122接觸的至少一個第二部分(例如，102)。圖1中示出的虛線圓圈表示連接電極160-1到160-m (例如，m=8)的第二部分102。在這種情況下，第一分布式布拉格反射層140-1可以布置在第k個連接電極(例如，160-1)和導電層130之間、第k個連接電極(例如，160-1)的第二部分102和第二導電類型半導體層126之間、以及第k個連接電極(例如，160-1)的第二部分102和有源層124之間。一般而言，為了形成連接至第一導電類型半導體層的電極，進行通過蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)而暴露出第一導電類型半導體層的臺面蝕刻。一般而言，發(fā)光器件的發(fā)光區(qū)域與臺面蝕刻區(qū)域成比例地減少。然而，第k個連接電極(例如，160-1)的第二部分(例如，102)可以具有填充有電極材料的孔或槽結(jié)構(gòu)。為此，減少了由于臺面蝕刻而損失的發(fā)光區(qū)域，而且在該實施例中，可以增大發(fā)光面積。第一分布式布拉格反射層140-1起到了將第k個連接電極(例如，160-1)與第k+1個發(fā)光區(qū)域(例如，P2)的導電層130、第二導電類型半導體層126以及有源層124電絕緣的作用。第k個連接電極(例如，160-1)的第二部分102的下表面103可以布置為低于有源層124的下表面104。第二部分102可以具有填充有電極材料的孔或槽結(jié)構(gòu)。層間焊墊182和184布置在發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))中至少一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第一分布式布拉格反射層140-1上,并且可以電連接至第二導電類型半導體層126或?qū)щ妼?30。層間焊墊182和184可以是接合至布線以提供第二電力的區(qū)域。例如，層間焊墊182和184可以布置在除了其中布置有第一電極單元150和第二電極單元170的發(fā)光區(qū)域(例如，Pl和Ρ9)之外的發(fā)光區(qū)域(例如，Ρ2到Ρ8)中至少一個發(fā)光區(qū)域(例如，Ρ4和Ρ7)內(nèi)的第一分布式布拉格反射層140-1上。如圖4所示，第一分布式布拉格反射層140-1介于層間焊墊182或184與導電層130之間，并且該層間焊墊182或184可以連接至布置在同一發(fā)光區(qū)域(例如，Ρ4)中的連接電極(例如，160-3和160-4)中的一個連接電極160-4。然而，在另一個實施例中，層間焊墊的一部分穿過第一分布式布拉格反射層并且直接連接至導電層。在這種情況下，位于同一發(fā)光區(qū)域內(nèi)的層間焊墊和連接電極可以連接或者可以不連接。圖5是圖1中示出的發(fā)光器件100的電路圖。參見圖1和圖5，發(fā)光器件100具有公共信號(-)端子(例如，第一焊墊150)和兩個或更多個(+ )端子(例如，第二焊墊172以及至少一個層間焊墊182或184)。因此，在該實施例中，發(fā)光器件包括多個(+ )端子，即焊墊172、182和184，因而使得能夠使用各種驅(qū)動電壓，而且使得能夠控制具有各種亮度等級的光發(fā)射。例如，在用來驅(qū)動一個發(fā)光區(qū)域的驅(qū)動電壓是3.4V的情況下，當施加到發(fā)光器件100上的驅(qū)動電壓是
13.6V時，第二電力被施加到第一層間焊墊182上以驅(qū)動第一到第四發(fā)光區(qū)域Pl到Ρ4。而且，當施加到發(fā)光器件100上的驅(qū)動電壓是23.8V時，第二電力被施加到第二層間焊墊184上以驅(qū)動第一到第七發(fā)光區(qū)域Pl到Ρ7。而且，當施加到發(fā)光器件100上的驅(qū)動電壓是30.6時，第二電力被施加到第二焊墊172上以驅(qū)動第一到第九發(fā)光區(qū)域Pl到Ρ9。可以設(shè)計該實施例，以使得根據(jù)施加的驅(qū)動電壓，通過將第二電力供應(yīng)至層間焊墊182和184以及第二焊墊172中的任意一個來驅(qū)動發(fā)光區(qū)域的一部分或全部。此外，在該實施例中，能夠增大發(fā)光面積，電流被分散，因而能夠提高發(fā)光效率，因為連接電極160-1到160-m (其中，m是等于或大于I的自然數(shù))點接觸導電層130或第一導電類型半導體層122。第一分布式布拉格反射層140-1防止光進入第二電極單元170、連接電極160_1到160-m(其中，m是等于或大于I的自然數(shù))以及層間焊墊182和184造成的吸收和損失。因此，在該實施例中，能夠提高發(fā)光效率。圖6到圖8是示出第一實施例的變型例的剖視圖。圖6是沿著圖1中示出的發(fā)光器件的AA’方向截取的剖視圖。圖7是沿著圖1中示出的發(fā)光器件的BB’方向截取的剖視圖。圖8是沿著圖1中示出的發(fā)光器件的CC’方向截取的剖視圖。與圖1到圖4相同的附圖標記指代相同的結(jié)構(gòu)，因而前述描述被省略或概括。參見圖6到圖8，在第一實施例的基礎(chǔ)上，該變型例還包括第二分布式布拉格發(fā)射層140-2。第二分布式布拉格反射層140-2布置在第一分布式布拉格反射層上并且覆蓋連接電極160-1到160-m (m是等于或大于I的自然數(shù))。第二分布式布拉格反射層140-2可以暴露出第一電極單元150的第一焊墊、第二電極單元170的第二焊墊172以及層間焊墊182 和 184。第二分布式布拉格反射層140-2可以由與第一分布式布拉格反射層140-1相同的材料制成。第二分布式布拉格反射層140-2可以防止連接電極160-1到160-m (m是等于I或大于I的自然數(shù))脫離或損壞。圖9是示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件200的平面圖。圖10是沿著圖9中示出的發(fā)光器件200的DD’方向截取的剖視圖。圖11是沿著圖9中示出的發(fā)光器件200的EE’方向截取的剖視圖。與圖1到圖4相同的附圖標記指代相同的結(jié)構(gòu)，因而前述描述被省略或概括。參見圖9到圖11，發(fā)光器件200包括襯底110、緩沖層115、被劃分成多個發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))的發(fā)光結(jié)構(gòu)120、導電層130、第一分布式布拉格反射層140-1、第一電極單元250、至少一個連接電極260-1到260_m (其中，m是等于或大于I的自然數(shù))、至少一個層間焊墊282和284、以及第二電極單元272。第一電極單元250布置在發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (例如，n=9)中一個發(fā)光區(qū)域(例如，P9)內(nèi)的第一導電類型半導體層122上，并且可以與第一導電類型半導體層122接觸。第一電極單元250可以包括接合至布線(未示出)的第一焊墊以提供第一電力。在圖6的實施例中，第一電極單元250可以用作第一焊墊。第二電極單元272布置在發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (例如，n=9)中另一個發(fā)光區(qū)域(例如，Pl)內(nèi)的第二導電類型半導體層126上。而且，第二電極單元272可以與第二導電類型半導體層126或?qū)щ妼?30接觸。例如，第二電極單元272布置在串聯(lián)連接的發(fā)光區(qū)域中第一發(fā)光區(qū)域Pl內(nèi)的導電層130上，并且第一電極單元250可以布置在最后一個發(fā)光區(qū)域P9內(nèi)的第一導電類型半導體層122上。第二電極單元272可以包括接合至布線的第二焊墊以提供第二電力。在另一個實施例中，該電極單元還可以包括從第二焊墊延伸的分支電極(未示出)。第一分布式布拉格反射層140-1可以布置在發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))中以及邊界區(qū)域S上。連接電極260-1到260-m (例如，m=8)布置在第一分布式布拉格反射層140-1上，并且將發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (例如，n=9)串聯(lián)電連接。
每個連接電極(例如，260-1)可以將相鄰的發(fā)光區(qū)域(例如，Pl和P2)中一個發(fā)光區(qū)域(例如，PD的第一導電類型半導體層122電連接至其中另一個發(fā)光區(qū)域(例如，P2)的第二導電類型半導體層126或?qū)щ妼?30。S卩，第k個連接電極260-k可以將第k+Ι個發(fā)光區(qū)域的第二導電類型半導體層126或?qū)щ妼?30電連接至第k個發(fā)光區(qū)域的第一導電類型半導體層122。此處，I彡k彡η-1。例如,參見圖10，第k個連接電極260-k (例如，k=2)可以布置在第k個發(fā)光區(qū)域Pk (例如，k=2)、第k+Ι個發(fā)光區(qū)域(例如，k+l=3)以及設(shè)置在第k個發(fā)光區(qū)域和第k+Ι個發(fā)光區(qū)域之間的邊界區(qū)域S中。而且，第k個連接電極260-k (例如，k=2)可以具有穿過第一分布式布拉格反射層140-1且與第k+Ι個發(fā)光區(qū)域(例如，P3)的導電層130 (或第二導電類型半導體層126)接觸的至少一個第一部分(例如，201)。第一分布式布拉格反射層140-1可以介于布置在邊界區(qū)域S上的發(fā)光結(jié)構(gòu)120與連接電極260-1到260-n (其中，η是大于I的自然數(shù))之間。此外，第k個連接電極260-k (例如，k=2)可以包括穿過第k個發(fā)光區(qū)域(例如，P2)的第一分布式布拉格反射層140-1、導電層130、第二導電類型半導體層126以及有源層124且與第一導電類型半導體層122接觸的至少一個第二部分(例如202)。第一分布式布拉格反射層140-1可以布置在第k個連接電極260-k (例如，k=2)和導電層130之間、第k個連接電極260-k (例如，k=2)的第二部分202和第二導電類型半導體層126之間、以及第k個連接電極260-k (例如，k=2)的第二部分202和有源層124之間。層間焊墊252和254布置在發(fā)光區(qū)域Pl到Pn (其中，η是大于I的自然數(shù))中至少一個發(fā)光區(qū)域的第一導電類型半導體層122上。層間焊墊252和254可以接合至布線(未不出)以提供第一電力。如圖11所示，通過對發(fā)光區(qū)域(例如，Ρ2到Ρ12)中至少一個發(fā)光區(qū)域進行臺面蝕刻而暴露出第一導電類型半導體層122的一部分，并且層間焊墊252和254可以布置在第一導電類型半導體層122 暴露出的部分上。例如，層間焊墊252和254可以布置在除了第一電極單元250和第二電極單元272所在的發(fā)光區(qū)域(例如,Pl和Ρ9)之外的發(fā)光區(qū)域(例如，Ρ2到Ρ8)中至少一個發(fā)光區(qū)域(例如，Ρ4和Ρ7)內(nèi)的第一導電類型半導體層122上。圖12是圖9中示出的發(fā)光器件200的電路圖。參見圖9和圖12，發(fā)光器件200具有公共信號(+ )端子(例如，第二電極單元272)和兩個或更多個(-)端子(例如，第一電極單元250以及至少一個層間焊墊252和254)。因此，在該實施例中，發(fā)光器件包括兩個或更多個(_)端子，即焊墊250、252和254，因而使得能夠使用各種驅(qū)動電壓，而且使得能夠控制具有各種亮度等級的光發(fā)射。圖13和圖14是示出根據(jù)第二實施例的變型例的發(fā)光器件的剖視圖。圖13是沿著圖9中示出的發(fā)光器件的DD’方向截取的剖視圖。圖14是沿著圖9中示出的發(fā)光器件的ΕΕ’方向截取的剖視圖。參見圖13和圖14，在第二實施例的基礎(chǔ)上，該變型例還包括第二分布式布拉格反射層140-2。第二分布式布拉格反射層140-2布置在第一分布式布拉格反射層上并且覆蓋連接電極260-1到260-m (m是等于或大于I的自然數(shù))。第二分布式布拉格反射層140-2可以暴露出第一電極單元250、第二電極單元272以及層間焊墊252和254。
第二分布式布拉格反射層140-2可以由與第一分布式布拉格反射層140-1相同的材料制成。第二分布式布拉格反射層140-2可以防止連接電極160-1到160-m (m是大于I的自然數(shù))脫離或損壞。圖15是示出根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝400的剖視圖。參見圖15,發(fā)光器件封裝400包括基臺(submount) 10、發(fā)光器件20、第一金屬層15-1、第二金屬層15-2、第一凸塊單兀40以及第二凸塊單兀50?；_10安裝發(fā)光器件20?？梢杂梅庋b體或印刷電路板等來實現(xiàn)基臺10，并且基臺10可以具有能夠進行發(fā)光器件20的倒裝芯片接合的各種形狀。發(fā)光器件20布置在基臺10上并且經(jīng)由第一凸塊單元40和第二凸塊單元50電連接至基臺10。盡管如圖15所示的發(fā)光器件20涉及到如圖6所示的變型例，然而該發(fā)光器件20可以是根據(jù)其他實施例的發(fā)光器件(例如，100、200或200-1)，而本公開內(nèi)容不限于此?；_10可以包括諸如聚鄰苯二甲酰胺(polyphthalamide,PPA)之類的樹脂、液晶聚合物(LCP)或聚酰胺9T (Polyamide9T，PA9T)、金屬、感光玻璃、藍寶石、陶瓷、印刷電路板等。然而，根據(jù)該實施例的基臺10的材料不限于此。在基臺10的上表面上,第一金屬層15-1和第二金屬層15-2彼此間隔開。此處，基臺10的上表面可以是面向發(fā)光器件20的表面。第一金屬層15-1和第二金屬層15-2可以由諸如鋁(Al)或銠(Rh)之類的導電金屬形成。第一凸塊單兀40和第二凸塊單兀50布置在基臺10和發(fā)光器件20之間。第一凸塊單兀40可以將第一電極單兀150電連接至第一金屬層15-1。第二凸塊單元50可以將第二電極單元170和層間焊墊182與184其中之一電連接至第二金屬層15-2。第一凸塊單元40包括第一反擴散接合層41、第一緩沖墊42和第二反擴散接合層43。第一緩沖墊42位于第一電極單元150和第一金屬層15-1之間。第一反擴散接合層41位于第一電極單元150和第一緩沖墊42之間，并且將第一緩沖墊42粘附至第一電極單元150。即，第一反擴散接合層41提高了第一緩沖墊42與第一電極單元150之間的粘附強度，并且防止在第一緩沖墊42中存在的離子經(jīng)由第一電極單元150滲透或擴散進入發(fā)光結(jié)構(gòu)20。第二反擴散接合層43布置在第一緩沖墊42和第一金屬層15-1之間，并且將第一緩沖墊42粘附至第一金屬層15-1。第二反擴散接合層43提高了第一緩沖墊42和第一金屬層15-1之間的粘附性，并且防止存在于第一緩沖墊42中的離子經(jīng)由第一金屬層15-1滲透或擴散進入基臺10。第二凸塊單元50包括第三反擴散接合層51、第二緩沖墊52和第四反擴散接合層53。第二緩沖墊52位于第二電極單元170和層間焊墊182及184其中之一與第二金屬層15-2之間。第三反擴散接合層51位于第二電極單元170和層間焊墊182及184其中之一與第二緩沖墊52之間，并且將這兩個元件粘附起來。即，第三反擴散接合層51起到了提高粘附強度并且防止存在于第二緩沖墊52中的離子經(jīng)由第二電極單元170或?qū)娱g焊墊182和184而滲透或擴散進入發(fā)光結(jié)構(gòu)20的作用。
第四反擴散接合層53布置在第二緩沖墊52和第二金屬層15-2之間，并且將第二緩沖墊52粘附至第二金屬層15-2。第四反擴散接合層53提高了第二緩沖墊52與第二金屬層15-2之間的粘附性，并且防止存在于第二緩沖墊52中的離子經(jīng)由第二金屬層15-2滲透或擴散進入基臺10。第一到第四反擴散接合層41、43、51和53可以由Pt、T1、W/Ti以及Au、或它們的合金中的至少一種形成。而且，第一凸塊42和第二凸塊52可以包含如下材料中的至少一種:鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉬(Pt)以及錫(Sn)。在該實施例中，第一分布式布拉格反射層140-1防止光進入第二電極單元170、連接電極160-1到160-n (其中，η是大于I的自然數(shù))以及層間焊墊182和184造成的吸收和損失，進而提聞了發(fā)光效率。而且，在該實施例中，第二分布式布拉格反射層140-2保護連接電極160-1到160-m (其中，m是等于或大于I的自然數(shù))，因而防止當將發(fā)光器件20接合至基臺10時連接電極160-1到160-m (其中，m是等于或大于I的自然數(shù))脫落或損壞。根據(jù)該實施例的多個發(fā)光器件封裝的陣列可以安裝在襯底上，而且諸如導光板、棱鏡片、擴散片等的光學構(gòu)件可以布置在發(fā)光器件封裝的光路上。該發(fā)光器件封裝、襯底和光學構(gòu)件可以起到背光單元的作用。根據(jù)其他實施例，根據(jù)以上描述的實施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝可以構(gòu)成顯示裝置、指示裝置以及照明系統(tǒng)，而且，例如，該照明系統(tǒng)可以包括燈(lamp)或路燈。圖16是根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光器件封裝的照明裝置的分解透視圖。參見圖16，根據(jù)該實施例的照明裝置包括用來投射光的光源750、其中安裝有光源750的殼體700、用來將光源750產(chǎn)生的熱散發(fā)的散熱單元740、以及用來將光源750和散熱單元740耦接至殼體700的支撐件(holder) 760。殼體700包括用來連接至電插座(未示出)的插座連接件710以及連接至插座連接件710并且容納光源750的本體730。可以穿過本體730形成一個氣流孔720。在殼體700的本體730上可以設(shè)置多個氣流孔720?？梢孕纬梢粋€氣流孔720，或者可以以輻射狀或各種其他形狀布置多個氣流孔720。光源750包括設(shè)置在襯底754上的多個發(fā)光器件封裝752。此處，襯底754可以具有能夠被插入殼體700的開口中的形狀，并且可以由具有高導熱率的材料形成，從而如后文所述的那樣將熱量轉(zhuǎn)移至散熱單元740。多個發(fā)光器件封裝可以是根據(jù)前述實施例的發(fā)光器件封裝。支撐件760設(shè)置在光源750下方。該支撐件760可以包括框架和氣流孔。進一步地，盡管在圖12中未示出，然而在光源750下方也可以設(shè)置光學構(gòu)件，從而將從光源750的發(fā)光器件封裝752發(fā)出的光擴散、散射或會聚。圖17是根據(jù)一個實施例的包括發(fā)光器件封裝的顯示裝置800的分解透視圖。參見圖17，該顯示裝置800包括底罩810、布置在底罩810上的反射板820、用來發(fā)光的發(fā)光模塊830和835、布置在反射板820的前表面上以將從發(fā)光模塊830和835發(fā)出的光引導到顯不裝置前部的導光板840、包括布置在導光板840前表面上的棱鏡片850和860的光學片、布置在光學片前表面上的顯示面板870、連接至顯示面板870以向顯示面板870提供圖像信號的圖像信號輸出電路872、以及布置在顯示面板870前表面上的濾色器880。此處，底罩810、反射板820、發(fā)光模塊830和835、導光板840以及光學片可以構(gòu)成背光單
J Li ο該發(fā)光模塊可以包括位于襯底830上的發(fā)光器件封裝835。此處,襯底830可以由PCB等形成。發(fā)光器件封裝835可以是根據(jù)前述實施例的發(fā)光器件封裝。底罩810可以容納圖像顯示裝置800內(nèi)的組件。反射板820可以如圖中所示的那樣被設(shè)置成單獨的組件，或者可以通過用具有高反射率的材料涂覆導光板840的后表面或者底罩810的前表面來設(shè)置。反射板820可以由具有高反射率并且在超薄形狀方面有益的材料(例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成。該導光板840是由具有高折射率和高透射率的材料形成的，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)。第一棱鏡片850是由位于支撐膜的一個表面上的透光彈性聚合物形成的，而且該聚合物可以具有其中多個三維結(jié)構(gòu)重復的棱鏡層。此處，多個圖案可以如圖中所示以條狀形式形成，其中，多個脊部和谷部重復。形成在第二棱鏡片860的支撐膜一個表面上的脊部和谷部的方向可以與形成在第一棱鏡片850的支撐膜一個表面上的脊部和谷部的方向垂直。這用來將從光源模塊和反射板820透射過來的光在面板870的所有方向上均勻地分布。盡管未不出，然而在導光板840和第一棱鏡片850之間可以布置擴散片。該擴散片可以由聚酯和聚碳酸酯制成，并且可以經(jīng)由折射和散射將從背光單元發(fā)出的光的光投射角度最大化。而且，該擴散片可以包括支撐層(該支撐層包括光擴散劑)以及形成在光投射表面(第一棱鏡片方向)和光入射表面(反射片方向)上并且不包括光擴散劑的第一層和第二層。盡管該實施例不出了光學片包括擴散片、第一棱鏡片850和第二棱鏡片860,然而光學片也可以包括其他組合，例如，微透鏡陣列、擴散片和微透鏡陣列的組合、或者一個棱鏡片和微透鏡陣列的組合。可以設(shè)置液晶顯示面板作為顯示面板870，或者可以設(shè)置其他種類的需要光源的顯示裝置來代替液晶顯示面板。如同從以上描述清楚看到的，根據(jù)實施例的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝增加了發(fā)光區(qū)域，因而提高了發(fā)光效率而且能夠防止電極脫落或損壞。盡管已經(jīng)參照其多個示例性實施例描述了多個實施例，但應(yīng)當理解的是，在本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍之內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以設(shè)計出許多其他變化和實施例。尤其是，可以在該公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對組件和/或附件組合設(shè)置中的排列進行多種變化和改進。除組件和/或排列的變化和改進之外，其他可選擇的應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括多個發(fā)光區(qū)域，所述多個發(fā)光區(qū)域包括第一半導體層、有源層和第二半導體層； 第一分布式布拉格反射層，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域上； 第一電極單兀，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層上； 第二電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層上； 層間焊墊，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中至少又一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層上；以及 至少一個連接電極，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，以使所述連接電極依序?qū)⑺龆鄠€發(fā)光區(qū)域串聯(lián)連接。
2.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括多個發(fā)光區(qū)域，所述多個發(fā)光區(qū)域包括第一半導體層、有源層和第二半導體層； 第一分布式布拉格反射層，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域上； 第一電極單兀，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層上； 第二電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層上； 層間焊墊，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中至少又一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層上；以及 至少一個連接電極，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，以使所述連接電極依序?qū)⑺龆鄠€發(fā)光區(qū)域串聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其中，所述連接電極將相鄰的發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域的所述第一半導體層電連接至所述相鄰的發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域的所述第二半導體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極單元和所述第二電極單元中每一個均包括用來接收電力的焊墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其中，所述層間焊墊電連接至布置在同一發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述連接電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，在所述同一發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一分布式布拉格反射層上，所述層間焊墊與所述連接電極分開。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，在所述同一發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一分布式布拉格反射層上，所述層間焊墊與所述連接電極結(jié)合在一起。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述連接電極包括第一部分，所述第一部分穿過所述第一分布式布拉格反射層并且與所述相鄰的發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述連接電極還包括第二部分，所述第二部分穿過所述第一分布式布拉格反射層、所述第二半導體層和所述有源層并且與所述相鄰的發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層接觸；其中，所述第一分布式布拉格反射層布置在所述第二部分與所述第二半導體層之間以及所述第二部分與所述有源層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，還包括: 襯底，布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下方；以及 導電層，布置在所述發(fā)光區(qū)域與所述第一分布式布拉格反射層之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中，所述連接電極的所述第二部分穿過所述導電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中，所述第一分布式布拉格反射層布置在所述連接電極與所述導電層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，還包括: 第二分布式布拉格反射層，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，所述第二分布式布拉格反射層覆蓋所述連接電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述第二分布式布拉格反射層暴露出所述第一電極單元、所述第二電極單元和所述層間焊墊。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述第一分布式布拉格反射層和所述第二分布式布拉格反射層每一個均包括絕緣體，并且包括交替層疊至少一次的至少一個第一層和至少一個第二層，其中，所述第一層的折射率與所述第二層的折射率不同。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極單元接收第一電力，并且所述層間焊墊和所述第二電極單元中的至少一個接收第二電力。
17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述層間焊墊和所述第一電極單元中的至少一個接收第一電力，并且所述第二電極單元接收第二電力。
18.一種發(fā)光器件封裝，包括: 基臺; 第一金屬層和第二金屬層，位于所述基臺上且彼此間隔開； 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，布置在所述基臺上；以及 第一凸塊單元和第二凸塊單元，將所述發(fā)光器件電連接至所述基臺； 其中，所述第一凸塊單元將所述第一金屬層電連接至所述發(fā)光器件的所述第一電極單元，所述第二凸塊單元將所述第二金屬層電連接至所述發(fā)光器件的所述第二電極單元和所述層間焊墊其中之一。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件封裝，其中，所述第一凸塊單元包括: 第一緩沖墊，布置在所述第一金屬層與所述第一電極單元之間； 第一反擴散接合層，布置在所述第一緩沖墊與所述第一電極單元之間；以及 第二反擴散接合層，布置在所述第一緩沖墊與所述第一金屬層之間；并且 所述第二凸塊單元包括: 第二緩沖墊，布置在所述第二金屬層與所述第二電極單元和所述層間焊墊其中之一之間； 第三反擴散接合層，布置在所述第二緩沖墊與所述第二電極單元和所述層間焊墊其中之一之間；以及 第四反擴散接合層，布置在所述第二緩沖墊與所述第二金屬層之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件封裝，還包括: 第二分布式布拉格反射層，布置在所述 第一分布式布拉格反射層上，所述第二分布式布拉格反射層覆蓋所述連接電極。
全文摘要
公開了一種發(fā)光器件及發(fā)光器件封裝，該發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括多個發(fā)光區(qū)域，所述多個發(fā)光區(qū)域包括第一半導體層、有源層和第二半導體層；第一分布式布拉格反射層，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域上；第一電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的第一半導體層上；第二電極單元，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中另一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第二半導體層上；層間焊墊，布置在所述多個發(fā)光區(qū)域中至少又一個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的所述第一半導體層或所述第二半導體層上；以及至少一個連接電極，布置在所述第一分布式布拉格反射層上，以使所述連接電極依序?qū)⑺龆鄠€發(fā)光區(qū)域串聯(lián)連接。本發(fā)明使發(fā)光效率得到提高而且能夠防止電極脫落或損壞。
文檔編號H01L33/10GK103094435SQ20121042118
公開日2013年5月8日 申請日期2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者朱炫承, 洪奇錫, 其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請人:Lg 伊諾特有限公司