一種oled封裝方法及oled器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置領(lǐng)域，特別涉及一種OLED封裝方法及OLED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器作為新一代顯示器，具有低能耗、對(duì)比度高等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而獲得了越來(lái)越多廠商的關(guān)注。
[0003]OLED器件主要依靠基板上的顯示單元進(jìn)行發(fā)光，現(xiàn)有技術(shù)中的顯示單元采用有機(jī)發(fā)光材料(如銦錫氧化物)作為原材料，但是因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光材料對(duì)水氧敏感，所以在顯示單元制作完成后，需要對(duì)顯示單元進(jìn)行封裝保護(hù)處理。傳統(tǒng)的封裝保護(hù)處理是通過(guò)UV (Ultrav1let Rays，紫外光線)膠進(jìn)行封裝，具體是將UV膠涂敷在基板表面且位于顯示單元的周圍，UV膠涂敷完成后，將基板與蓋板進(jìn)行對(duì)盒，并通過(guò)UV照射使UV膠固化使基板與蓋板貼合在一起，實(shí)現(xiàn)封裝效果。但是UV膠的阻水阻氧效果并不理想，會(huì)讓水氧影響到OLED器件的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED封裝方法及OLED器件，使得OLED器件的密封效果更好，性能更佳。所述技術(shù)方案如下:
[0005]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED封裝方法，所述方法包括:
[0006]提供一待封裝基板和一蓋板；
[0007]在所述待封裝基板上形成導(dǎo)電的框體；
[0008]將形成有所述框體的所述待封裝基板與所述蓋板進(jìn)行對(duì)盒，得到預(yù)成型器件；
[0009]將所述預(yù)成型器件放入電鍍池，并對(duì)所述框體通電，從而在所述框體的靠近所述基板外沿的表面形成一層金屬薄膜。
[0010]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述待封裝基板上形成導(dǎo)電的框體，包括:
[0011]采用絕緣材料在所述待封裝基板上形成絕緣框；
[0012]采用摻雜導(dǎo)電粒子的絕緣材料在所述絕緣框的外圍形成導(dǎo)電框。
[0013]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣框的厚度為1mm，所述導(dǎo)電框的厚度為Imm0
[0014]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣材料為UV膠。
[0015]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述導(dǎo)電粒子為金屬粒子、金屬線、石墨烯或碳納米管。
[0016]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述導(dǎo)電粒子與所述摻有導(dǎo)電粒子的絕緣材料的質(zhì)量比為5?20%。
[0017]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述待封裝基板上形成有顯示單元，所述顯示單元包括顯示區(qū)域和引線區(qū)域，所述框體設(shè)于所述顯示單元的外圍，該方法還包括:
[0018]在所述引線區(qū)域制作一絕緣層，所述絕緣層設(shè)于所述框體與所述引線區(qū)域的引線之間。
[0019]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬薄膜為T1、Mn、Fe、Sn、Zn、Cr、Ag或Ni薄膜，或者T1、Mn、Fe、Sn、Zn、Cr、Ag和Ni中的至少兩種的合金薄膜。
[0020]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬薄膜的厚度為7?50um。
[0021]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OLED器件，所述OLED器件包括:基板、框體、蓋板和金屬薄膜，所述框體夾設(shè)在所述基板和所述蓋板之間，所述金屬薄膜設(shè)置在所述框體的靠近所述基板外沿的表面上。
[0022]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述框體包括:絕緣框和由摻雜導(dǎo)電粒子的絕緣材料構(gòu)成的導(dǎo)電框，所述導(dǎo)電框設(shè)置在所述絕緣框的外圍。
[0023]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣框的厚度為1mm，所述導(dǎo)電框的厚度為Imm0
[0024]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣材料為UV膠。
[0025]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述導(dǎo)電粒子為金屬粒子、金屬線、石墨烯或碳納米管。
[0026]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述導(dǎo)電粒子與所述摻有導(dǎo)電粒子的絕緣材料的質(zhì)量比為5?20%。
[0027]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述待封裝基板上設(shè)置有顯示單元，所述顯示單元包括顯示區(qū)域和引線區(qū)域，所述框體設(shè)于所述顯示單元的外圍，所述OLED器件還包括:設(shè)于所述引線區(qū)域的絕緣層，所述絕緣層設(shè)于所述框體與所述引線區(qū)域的引線之間。
[0028]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬薄膜為T1、Mn、Fe、Sn、Zn、Cr、Ag或Ni薄膜，或者T1、Mn、Fe、Sn、Zn、Cr、Ag和Ni中的至少兩種的合金薄膜。
[0029]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述金屬薄膜的厚度為7?50um。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0031 ] 由于框體具有導(dǎo)電性，因此將待封裝基板放入電鍍池通電后，框體表面會(huì)電鍍一層金屬薄膜，因?yàn)榻饘俦∧ぶ旅艿慕Y(jié)構(gòu)對(duì)于水氧的阻擋效果要好于封裝膠，從而使得采用這種封裝方法制成的OLED器件，密封效果更好，性能更佳。
【附圖說(shuō)明】
[0032]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED封裝方法的流程圖；
[0034]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種OLED封裝方法的流程圖；
[0035]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種OLED封裝方法的流程圖；
[0036]圖4a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖4b是圖4a中OLED器件在A-A處截面的示意圖；
[0038]圖5a是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種OLED器件的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0039]圖5b是圖5a中OLED器件在A_A處截面的示意圖；
[0040]圖6a是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種OLED器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041 ] 圖6b是圖6a中OLED器件在A-A處截面的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0043]圖1提供了一種OLED封裝方法的流程圖，參見(jiàn)圖1，該方法包括:
[0044]步驟101:提供一待封裝基板和一蓋板。
[0045]其中，待封裝基板為具有OLED結(jié)構(gòu)的基板，也即形成有顯示單元的基板?；蹇梢詾橥该骰澹绮ＡЩ?，顯示單元一般包括顯示區(qū)域和引線區(qū)域。
[0046]蓋板可以為透明蓋板，例如玻璃蓋板，該蓋板與基板大小及形狀一致。
[0047]步驟102:在待封裝基板上形成導(dǎo)電的框體。
[0048]其中，框體一般形成在顯示單元的外圍。
[0049]步驟103:將形成有框體的待封裝基板與蓋板進(jìn)行對(duì)盒，得到預(yù)成型器件。
[0050]容易知道，對(duì)盒后框體夾設(shè)在待封裝基板與蓋板之間。
[0051]步驟104:將預(yù)成型器件放入電鍍池，并對(duì)框體通電，從而在框體的靠近基板外沿的表面形成一層金屬薄膜。
[0052]由于框體具有導(dǎo)電性，因此將待封裝基板放入電鍍池通電后，框體表面會(huì)電鍍一層金屬薄膜，因?yàn)榻饘俦∧ぶ旅艿慕Y(jié)構(gòu)對(duì)于水氧的阻擋效果要好于封裝膠，從而使得采用這種封裝方法制成的OLED器件，密封效果更好，性能更佳。
[0053]圖2提供了另一種OLED封裝方法的流程圖，與圖1提供的方法相比，圖2提供的方法中具體說(shuō)明了框體的形成方式，參見(jiàn)圖2，該方法包括:
[0054]步驟201:提供一待封裝基板和一蓋板。
[0055]其中，待封裝基板為具有OLED結(jié)構(gòu)的基板，也即形成有顯示單元的基板?；蹇梢詾橥该骰澹绮ＡЩ?，顯示單元一般包括顯示區(qū)域和引線區(qū)域。
[0056]蓋板可以為透明蓋板，例如玻璃蓋板，該蓋板與基板大小及形狀一致。
[0057]步驟202:采用絕緣材料在待封裝基板上形成絕緣框。
[0058]其中，絕緣框一般形成在顯示單元的外圍。
[0059]在本發(fā)明實(shí)施例中，絕緣材料優(yōu)選為UV膠，采用UV膠作為絕緣材料制作絕緣框時(shí)，將UV膠涂覆在陣列基板上形成框狀即可。上述絕緣框的制作過(guò)程可以采用現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)容易。當(dāng)然本發(fā)明中的絕緣材料并不限于UV膠，還可以是二氧化硅等絕緣材料。
[0060]步驟203:采用摻雜導(dǎo)電粒子的絕緣材料在絕緣框的外圍形成導(dǎo)電框。
[0061]在本發(fā)明實(shí)施例中，導(dǎo)電粒子可以為金屬粒子、金屬線、石墨烯或碳納米管。相應(yīng)地，摻雜導(dǎo)電粒子的絕緣材料即可以為摻有金屬粒子、金屬線、石墨烯或碳納米管的UV膠，導(dǎo)電框的制作方式與上述絕緣框類似，同樣可以采用現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)，這里不再贅述。
[0062]在本發(fā)明實(shí)施例中，絕緣框的厚度可以為1mm，導(dǎo)電框的厚度可以為1mm，按照上述厚度設(shè)置絕緣框和導(dǎo)電框既保證了密封效果，又不會(huì)使得整個(gè)器件過(guò)重。
[0063]在本發(fā)明實(shí)施例中，導(dǎo)電粒子與摻有導(dǎo)電粒子的絕緣材料的質(zhì)量比為5?20%，優(yōu)選為10%，采用上述質(zhì)量比的摻有導(dǎo)電粒子的絕緣材料可以保證框體的導(dǎo)電效果，以順利實(shí)現(xiàn)電鍍。
[0064]步驟202和203共同用于框體的形成，其中框體由絕緣框和導(dǎo)電框構(gòu)成，絕緣框用于保證內(nèi)部顯示單元與外部絕緣，導(dǎo)電框用于保證電鍍的實(shí)現(xiàn)。
[0065]步驟204:將形成有框體的待封裝基板與蓋板進(jìn)行對(duì)盒，得到預(yù)成型器件。
[0066]將形成有框體的待封裝基板與蓋板進(jìn)行對(duì)盒可以采用現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)，例如:先將待封裝基板與蓋板進(jìn)行對(duì)位，再采用UV照射上述框體使得蓋板與待封裝基板貼合在一起，詳細(xì)過(guò)程這里不做贅述。
[0067]容易知道，對(duì)盒后框體夾設(shè)在待封裝基板與蓋板之間。
[0068]步驟205:將預(yù)成型器件放入電鍍池，并對(duì)框體通電，從而在框體的靠近基板外沿的表面形成一層金屬薄膜。
[0069]容易知道，電鍍池內(nèi)設(shè)有電鍍液，預(yù)成型器件放置在電鍍液中，同時(shí)還將用于進(jìn)行電鍍的金屬材料插入電鍍液中，對(duì)框體及金屬材料進(jìn)行通電完成電鍍。其中，電鍍液的成分通常包括但不限于主鹽、導(dǎo)電鹽、緩沖劑和添加劑。
[0070]在本發(fā)明實(shí)施例中，金屬薄膜為T1、Mn、Fe、Sn、Zn、Cr、Ag或Ni薄膜，或者T1、Mn、Fe、Sn、Zn、Cr、Ag和Ni中的至少兩種的合金薄膜，以保證金屬薄膜的密封效果。
[0071]在本發(fā)明實(shí)施例中，金屬薄膜的厚度為7?50um，按照上述厚度制作金屬薄膜既保證